技術(shù)編號：7061339
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，可以使得薄膜晶體管的溝道不受曝光機(jī)分辨率的限制，提高陣列基板的開口率。上述薄膜晶體管的制備方法中該薄膜晶體管中的第一電極層和第二電極層的制備步驟包括在襯底基板上沉積金屬形成第一金屬層；在第一金屬層上涂覆光刻膠形成第一光刻膠層；采用光刻工藝在襯底基板上形成第一電極層；在襯底基板上沉積金屬形成第二金屬層；在第二金屬層上涂覆光刻膠形成第二光刻膠層；對第二光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影處理，去掉除覆蓋在第二電極對應(yīng)的圖案所在區(qū)域以外的第二光刻膠層；對第二...
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