Tft陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板及其制作方法、顯示裝置，其中所述制作方法包括在形成有數(shù)據(jù)線的基板上形成鈍化層，鈍化層包括覆蓋在數(shù)據(jù)線上的第一鈍化層和覆蓋在除數(shù)據(jù)線以外的其它區(qū)域上的第二鈍化層；去除第一預(yù)設(shè)厚度的第一鈍化層，使第一鈍化層的厚度小于第二鈍化層的厚度。上述制作方法中，通過在形成鈍化層后去除一定厚度的覆蓋在數(shù)據(jù)線上的鈍化層，使覆蓋在數(shù)據(jù)線上的鈍化層的厚度小于覆蓋在除數(shù)據(jù)線以外的其它區(qū)域上的鈍化層的厚度，有效地減小了數(shù)據(jù)線厚度較厚所引起的段差，進(jìn)而消除了漏光、對比度降低等問題，提高了顯示品質(zhì)。
【專利說明】TFT陣列基板及其制作方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯不器)，因具有體積小、功耗低、無輻射等優(yōu)點在平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。隨著技術(shù)的進(jìn)步，消費者對顯示器的顯示效果提出了更高的要求，對高透過率、寬視角、高開口率、低色差、低響應(yīng)時間等性能的追求促使顯示技術(shù)快速發(fā)展。
[0003]TFT-1XD的重要組成部分包括TFT陣列基板，TFT陣列基板朝向液晶的一面上具有取向?qū)?，制作取向?qū)拥倪^程包括:PI(Polyimide，聚酰亞胺)涂敷和摩擦兩道工序。其中，摩擦工序為使用摩擦布對涂敷好的PI膜進(jìn)行摩擦，在PI膜上形成具有一定方向的溝痕，這些溝痕能夠保證液晶在沒有電場的情況下以一預(yù)傾角度有序排列。摩擦產(chǎn)生的預(yù)傾角的大小，隨摩擦的條件、PI膜材料和基板表面的平整度不同而有所改變。
[0004]如圖1所示，在TFT-1XD的TFT陣列基板中，基板11上的數(shù)據(jù)線13 —般會高于與其處于相同膜層位置上的其它元件(如:像素電極12)，因此覆蓋數(shù)據(jù)線13上的鈍化層14高于其它區(qū)域上的鈍化層14，覆蓋在數(shù)據(jù)線13上的鈍化層與除覆蓋在數(shù)據(jù)線13上的鈍化層外的其余鈍化層之間的高度差稱為段差。該段差a會后續(xù)對PI膜的摩擦效果，造成該位置的液晶無法正常驅(qū)動，進(jìn)而引起漏光、對比度降低等問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題為:提供一種TFT陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以減小數(shù)據(jù)線所引起的段差，消除漏光、對比度降低等問題，提聞顯不品質(zhì)。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板的制作方法，包括:在形成有數(shù)據(jù)線的基板上形成鈍化層，所述鈍化層包括覆蓋在所述數(shù)據(jù)線上的第一鈍化層和覆蓋在除所述數(shù)據(jù)線以外的其它區(qū)域上的第二鈍化層；去除第一預(yù)設(shè)厚度的所述第一鈍化層，使所述第一鈍化層的厚度小于所述第二鈍化層的厚度。
[0008]優(yōu)選的，在所述在形成有數(shù)據(jù)線的基板上形成鈍化層與所述去除第一預(yù)設(shè)厚度的所述第一鈍化層之間，還包括:在所述鈍化層上形成過孔。
[0009]優(yōu)選的，所述在所述鈍化層上形成過孔，去除第一預(yù)設(shè)厚度的所述第一鈍化層具體包括:采用半灰階掩膜版在所述鈍化層上形成具有過孔圖形的光刻膠層，并使遮蓋所述第一鈍化層的光刻膠層的厚度小于遮蓋所述第二鈍化層的光刻膠層的厚度；以所述光刻膠層為掩膜刻蝕所述鈍化層，形成過孔；采用灰化工藝去除遮蓋所述第一鈍化層的光刻膠層，暴露出所述第一鈍化層的表面；以遮蓋所述第二鈍化層的光刻膠層為掩膜去除第一預(yù)設(shè)厚度的第一鈍化層。
[0010]優(yōu)選的，所述在所述鈍化層上形成過孔，去除第一預(yù)設(shè)厚度的所述第一鈍化層具體包括:在所述鈍化層上形成具有過孔圖形的光刻膠層；以所述具有過孔圖形的光刻膠層為掩膜刻蝕所述鈍化層，形成過孔；在所述鈍化層上形成具有第一鈍化層圖形的光刻膠層；以所述具有第一鈍化層圖形的光刻膠層為掩膜去除第一預(yù)設(shè)厚度的第一鈍化層。
[0011]優(yōu)選的，所述第一預(yù)設(shè)厚度為所述數(shù)據(jù)線厚度的0.4倍?1.4倍。
[0012]優(yōu)選的，在形成所述數(shù)據(jù)線之前還包括:形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層包括對應(yīng)待形成數(shù)據(jù)線區(qū)域的第一柵極絕緣層和對應(yīng)除所述待形成數(shù)據(jù)線區(qū)域以外的其它區(qū)域的第二柵極絕緣層；去除第二預(yù)設(shè)厚度的所述第一柵極絕緣層，使所述第一柵極絕緣層的厚度小于所述第二柵極絕緣層的厚度。
[0013]優(yōu)選的，所述第二預(yù)設(shè)厚度為所述數(shù)據(jù)線厚度的0.4倍?1.4倍。
[0014]本發(fā)明還提供了一種TFT陣列基板，包括:基板及位于所述基板上的數(shù)據(jù)線，還包括:位于所述基板上的鈍化層，所述鈍化層包括覆蓋在所述數(shù)據(jù)線上的第一鈍化層和覆蓋在除所述數(shù)據(jù)線以外的其它區(qū)域上的第二鈍化層，所述第一鈍化層的厚度小于所述第二鈍化層的厚度。
[0015]優(yōu)選的，所述第二鈍化層與所述第一鈍化層的厚度之差為所述數(shù)據(jù)線厚度的0.4倍?1.4倍。
[0016]優(yōu)選的，所述TFT陣列基板還包括:位于所述基板上且形成于所述數(shù)據(jù)線之前的柵極絕緣層，所述柵極絕緣層包括對應(yīng)待形成數(shù)據(jù)線區(qū)域的第一柵極絕緣層和對應(yīng)除所述待形成數(shù)據(jù)線區(qū)域以外的其它區(qū)域的第二柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層的厚度小于所述第二柵極絕緣層的厚度。
[0017]優(yōu)選的，所述TFT陣列基板包括位于所述基板上且形成于所述數(shù)據(jù)線之前的柵線，所述第二預(yù)設(shè)厚度為所述數(shù)據(jù)線厚度的0.4倍?1.4倍。
[0018]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括以上所述的TFT陣列基板。
[0019]本發(fā)明所提供的TFT陣列基板及其制作方法、顯示裝置，通過在形成鈍化層后，去除一定厚度的覆蓋在數(shù)據(jù)線上的鈍化層，使覆蓋在數(shù)據(jù)線上的鈍化層的厚度小于覆蓋在除數(shù)據(jù)線以外的其它區(qū)域上的鈍化層的厚度，有效地減小了數(shù)據(jù)線厚度較厚所引起的段差，進(jìn)而消除了漏光、對比度降低等問題，提高了顯示品質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0021]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板沿垂直于數(shù)據(jù)線方向數(shù)據(jù)線附近的截面圖；
[0022]圖2?圖7為本發(fā)明實施例所提供的TFT陣列基板的制作方法的各步驟圖；
[0023]圖8?圖9為本發(fā)明實施例所提供的TFT陣列基板的制作方法中步驟S5的各具體步驟圖。

【具體實施方式】
[0024]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，均屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0025]本發(fā)明實施例提供了一種TFT陣列基板的制作方法，包括以下步驟:
[0026]步驟S1:在形成有柵線和有源層的基板21上形成柵極絕緣層22，如圖2所示。
[0027]本步驟中，柵極絕緣層22的形成材料可為氮化硅、氧化硅等絕緣材料，形成工藝可采用淀積工藝。
[0028]由于在后續(xù)步驟中，數(shù)據(jù)線會形成于柵極絕緣層22上，因此減薄數(shù)據(jù)線所覆蓋的那部分柵極絕緣層的厚度，對于減小數(shù)據(jù)線高度較高所引起的段差有一定的幫助。具體的，將柵極絕緣層22中對應(yīng)待形成數(shù)據(jù)線區(qū)域的部分稱為第一柵極絕緣層，將柵極絕緣層22中對應(yīng)除待形成數(shù)據(jù)線區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分稱為第二柵極絕緣層，在形成柵極絕緣層22后，優(yōu)選的可去除第二預(yù)設(shè)厚度的第一柵極絕緣層，使第一柵極絕緣層的厚度小于第二柵極絕緣層的厚度。
[0029]其中，去除第一柵極絕緣層的過程中可采用構(gòu)圖工藝在柵極絕緣層22上形成暴露出第一柵極絕緣層的光刻膠，然后以該光刻膠為掩膜刻蝕第一柵極絕緣層，直至去除掉第二預(yù)設(shè)厚度的第一柵極絕緣層。
[0030]本步驟中所去除的第一柵極絕緣層的厚度(即第二預(yù)設(shè)厚度)優(yōu)選的可根據(jù)數(shù)據(jù)線的厚度確定，具體的可為數(shù)據(jù)線厚度的0.4倍?1.4倍。
[0031]相對于現(xiàn)有技術(shù)中直接將數(shù)據(jù)線形成于各處厚度一致的柵極絕緣層上，造成數(shù)據(jù)線與柵極絕緣層上其它元件的底部處于同一水平位置的結(jié)構(gòu)，本實施例中通過將柵極絕緣層22中對應(yīng)待形成數(shù)據(jù)線區(qū)域的部分去除一定的厚度，使得后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線的底部(即朝向基板21的一面)相對于柵極絕緣層上其它元件的底部下陷，相當(dāng)于將數(shù)據(jù)線嵌入柵極絕緣層22中，從而數(shù)據(jù)線的頂部(即背離基板21的一面)的高度有所降低，數(shù)據(jù)線與位于柵極絕緣層22上的其它元件的高度差(即段差)減小，后續(xù)形成于其上的取向?qū)拥钠秸忍岣?，有利于減少段差所引起的漏光、對比度降低等問題。
[0032]需要說明的是，柵線與有源層形成于不同的工藝步驟中，二者的形成順序可根據(jù)實際需要相應(yīng)調(diào)整，可先形成柵線在形成有源層，也可先形成有源層再形成柵線。柵線的形成材料可采用導(dǎo)電性好的金屬材料，有源層的形成材料可根據(jù)所需制備的TFT陣列基板的類型進(jìn)行不同的選擇，例如:若需要制備的TFT陣列基板為氧化物TFT陣列基板，則有源層的形成材料可選用氧化物半導(dǎo)體材料。
[0033]由于圖2?圖7為沿垂直于數(shù)據(jù)線的方向、數(shù)據(jù)線附近的截面圖，因此圖中并未示出TFT的柵線、有源層、源極和漏極。
[0034]步驟S2:在形成有柵極絕緣層22的基板21上形成第一電極23，如圖3所示。
[0035]第一電極23的形成過程優(yōu)選的可為:采用旋涂、淀積或蒸鍍等方式在柵極絕緣層21上覆蓋第一電極23的材料，第一電極23的材料可采用透明導(dǎo)電材料，例如可為ITOdndium Tin Oxide，氧化銦錫)，采用構(gòu)圖工藝對所覆蓋的第一電極23的材料進(jìn)行刻蝕，形成包括第一電極23的圖形。
[0036]對于不同類型的液晶顯示裝置，第一電極23的功能和形狀不同，例如:若所要形成的液晶顯示裝置為ADS (Advanced Super Dimens1n Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換)液晶顯示裝置，則第一電極23作為像素電極,其形狀為狹縫電極。
[0037]步驟S3:在形成有第一電極23的基板21上形成數(shù)據(jù)線24，如圖4所示。
[0038]數(shù)據(jù)線24的形成材料可采用導(dǎo)電性好的金屬材料，形成工藝采用構(gòu)圖工藝。數(shù)據(jù)線24與第一電極23均位于柵極絕緣層22上，與數(shù)據(jù)線24同時形成的還有TFT的源極和漏極，數(shù)據(jù)線與TFT的源極電性相連，第一電極23與TFT的漏極電性相連。
[0039]雖然數(shù)據(jù)線24與第一電極23均位于柵極絕緣層22上，但是由于數(shù)據(jù)線24的厚度通常會比第一電極23的厚度厚，因此數(shù)據(jù)線24的頂部高出第一電極23。
[0040]步驟S4:在形成有數(shù)據(jù)線24的基板21上形成鈍化層25，該鈍化層25包括覆蓋在數(shù)據(jù)線24上的第一鈍化層和覆蓋在除數(shù)據(jù)線24以外的其它區(qū)域上的第二鈍化層，如圖5所示。
[0041]本步驟中，鈍化層25的形成材料優(yōu)選的可為氮化硅、氧化硅等絕緣材料，形成工藝可采用淀積工藝。
[0042]在完成鈍化層25的淀積后，鈍化層25各處的厚度基本一致，具體的為覆蓋在數(shù)據(jù)線24上的第一鈍化層和覆蓋在除數(shù)據(jù)線24以外的其它區(qū)域上的第二鈍化層的厚度幾乎相同，均為hi。但是由于數(shù)據(jù)線24的頂部高出第一電極23，因此數(shù)據(jù)線24上方所覆蓋的鈍化層高出其它區(qū)域(包括第一電極23)上所覆蓋的鈍化層，此時，數(shù)據(jù)線24所引起的段差(即第一鈍化層與第二鈍化層的高度差)為al。
[0043]步驟S5:去除第一預(yù)設(shè)厚度的第一鈍化層，使第一鈍化層的厚度h2小于第二鈍化層的厚度hl，如圖6所示。
[0044]本步驟中，第一鈍化層被去除掉第一預(yù)設(shè)厚度(即hl_h2)后，厚度減薄至h2，第二鈍化層的厚度仍為hl，因此第一鈍化層與第二鈍化層高度差(即段差)減小至a2，從而后續(xù)形成于鈍化層25上的取向?qū)訉?yīng)數(shù)據(jù)線24的部分與對應(yīng)除數(shù)據(jù)線24以外的其它區(qū)域的部分的高度差減小，進(jìn)而數(shù)據(jù)線24附近的液晶分子能夠被正常驅(qū)動，消除了段差所引起的漏光、對比度下降等顯示品質(zhì)問題。
[0045]在完成鈍化層25的淀積與在鈍化層25上形成第二電極之間(即在本步驟之前或之后)，還需在鈍化層25上形成用于連接外部線路的過孔。若要過孔形成于鈍化層25與本步驟之間，則在鈍化層25上形成過孔，去除第一預(yù)設(shè)厚度的第一鈍化層具體可包括以下步驟:
[0046]步驟S51:采用半灰階掩膜版在鈍化層25上形成具有過孔圖形的光刻膠層，并使遮蓋第一鈍化層的光刻膠層702的厚度p2小于遮蓋第二鈍化層的光刻膠層701的厚度pl，如圖8所示。
[0047]半灰階掩膜版掩膜版上具有全部曝光區(qū)域、部分曝光區(qū)域和遮光區(qū)域，在鈍化層25上旋涂光刻膠(以所旋涂的光刻膠為正性光刻膠為例)后，將半灰階掩膜版與鈍化層25對位，使全部曝光區(qū)域?qū)?zhǔn)待形成過孔區(qū)域，部分曝光區(qū)域?qū)?zhǔn)數(shù)據(jù)線24所對應(yīng)的區(qū)域，遮光區(qū)域?qū)?zhǔn)其它區(qū)域，然后進(jìn)行曝光和顯影，形成所需要的光刻膠層。
[0048]步驟S52:以光刻膠層為掩膜刻蝕鈍化層25，形成過孔。
[0049]步驟S53:采用灰化工藝去除遮蓋第一鈍化層的光刻膠層702，暴露出第一鈍化層的表面，如圖9所示。
[0050]由于遮蓋第一鈍化層的光刻膠層702的厚度小于遮蓋第二鈍化層的光刻膠層701的厚度Pl，因此在遮蓋第一鈍化層的光刻膠層702完全灰化后，第二鈍化層上仍然有一定厚度的光刻膠701覆蓋。
[0051]步驟S54:以遮蓋第二鈍化層的光刻膠層701為掩膜去除第一預(yù)設(shè)厚度的第一鈍化層。
[0052]上述步驟S51?S54僅通過一次構(gòu)圖工藝就能夠完成鈍化層過孔和第一預(yù)設(shè)厚度的第一鈍化層的去除，不會增加額外的構(gòu)圖工藝，方法簡單。
[0053]當(dāng)然，在鈍化層25上形成過孔，去除第一預(yù)設(shè)厚度的第一鈍化層也可在兩次構(gòu)圖中形成，具體過程可為:在鈍化層25上形成具有過孔圖形的光刻膠層，以具有過孔圖形的光刻膠層為掩膜刻蝕鈍化層25，形成過孔，在鈍化層25上形成具有第一鈍化層圖形的光刻膠層，以具有第一鈍化層圖形的光刻膠層為掩膜去除第一預(yù)設(shè)厚度的第一鈍化層。這種形成方式中，過孔的形成與第一預(yù)設(shè)厚度的第一鈍化層的去除可不分先后順序。
[0054]本步驟中，覆蓋數(shù)據(jù)線24的第一鈍化層被去除的厚度(即第一預(yù)設(shè)厚度)優(yōu)選的可根據(jù)數(shù)據(jù)線24的實際厚度確定，例如可為數(shù)據(jù)線24厚度的0.4倍?1.4倍，更優(yōu)選為
0.5倍，以使減薄后的第一鈍化層的厚度為減薄前的厚度的三分之一到三分之二，不會由于第一鈍化層的厚度過薄引起數(shù)據(jù)線與后續(xù)形成的第二電極之間的寄生電容過大，影響TFT陣列基板的品質(zhì)，同時造成綁定外圍驅(qū)動芯片處的數(shù)據(jù)線容易產(chǎn)生劃傷。
[0055]步驟S6:在鈍化層25上形成第二電極26，如圖7所示。
[0056]第二電極26的形成過程優(yōu)選的可為:采用旋涂、淀積或蒸鍍等方式在柵極絕緣層21上覆蓋第二電極26的材料，第二電極26的材料可采用透明導(dǎo)電材料，例如可為ITOdndium Tin Oxide，氧化銦錫)，采用構(gòu)圖工藝對所覆蓋的第二電極26的材料進(jìn)行刻蝕，形成包括第二電極26的圖形。
[0057]對于不同類型的液晶顯示裝置，第二電極26的功能和形狀不同，例如:若所要形成的液晶顯示裝置為ADS液晶顯示裝置，則第二電極26作為公共電極，其形狀為面電極。
[0058]本實施例還提供了一種TFT陣列基板，如圖7所示，包括:基板21 ;位于基板21上的數(shù)據(jù)線24 ;位于基板21上的鈍化層25，該鈍化層25包括覆蓋在數(shù)據(jù)線24上的第一鈍化層和覆蓋在除數(shù)據(jù)線24以外的其它區(qū)域上的第二鈍化層，第一鈍化層的厚度小于第二鈍化層的厚度。
[0059]由于本實施例所提供的TFT陣列基板中，覆蓋在數(shù)據(jù)線24上的鈍化層的厚度小于覆蓋在除數(shù)據(jù)線24以外的其它區(qū)域上的鈍化層的厚度，因此數(shù)據(jù)線24所引起的段差較小，從而陣列基板不存在段差大而引起的漏光、對比度降低等問題，顯示品質(zhì)較高。
[0060]本實施例中，第二鈍化層與第一鈍化層的厚度之差優(yōu)選的為數(shù)據(jù)線24厚度的0.4倍?1.4倍，以在保證穩(wěn)定的電學(xué)性能的基礎(chǔ)上減小段差。
[0061]上述TFT陣列基板還包括:位于基板21上且形成于數(shù)據(jù)線24之前的柵極絕緣層22，該柵極絕緣層中對應(yīng)待形成數(shù)據(jù)線區(qū)域的部分稱為第一柵極絕緣層，對應(yīng)除待形成數(shù)據(jù)線區(qū)域以外的其它區(qū)域的部分稱為第二柵極絕緣層，優(yōu)選的可使第一柵極絕緣層的厚度小于第二柵極絕緣層的厚度，以進(jìn)一步減小數(shù)據(jù)線24引起的段差，改善顯示品質(zhì)。
[0062]第二預(yù)設(shè)厚度優(yōu)選的可為數(shù)據(jù)線厚度的0.4倍?1.4倍，以在保證電學(xué)性能穩(wěn)定的前提下減小段差。
[0063]以上述TFT陣列基板相對應(yīng)的，本實施例還提供了一種顯示裝置，包括以上所述的TFT陣列基板，由于TFT陣列基板的段差比現(xiàn)有技術(shù)減小，因此由段差所引起的漏光、對比度差等問題減少或消除，這使得顯示裝置的顯示品質(zhì)比現(xiàn)有技術(shù)更高。
[0064]需要說明的是，本實施例中的顯示裝置可以為液晶面板、電子紙或OLED (OrganicLight-Emitting D1de，有機發(fā)光二極管)面板，應(yīng)用于手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件中。
[0065]以上所述僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在形成有數(shù)據(jù)線的基板上形成鈍化層，所述鈍化層包括覆蓋在所述數(shù)據(jù)線上的第一鈍化層和覆蓋在除所述數(shù)據(jù)線以外的其它區(qū)域上的第二鈍化層； 去除第一預(yù)設(shè)厚度的所述第一鈍化層，使所述第一鈍化層的厚度小于所述第二鈍化層的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述在形成有數(shù)據(jù)線的基板上形成鈍化層與所述去除第一預(yù)設(shè)厚度的所述第一鈍化層之間，還包括:在所述鈍化層上形成過孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述鈍化層上形成過孔，去除第一預(yù)設(shè)厚度的所述第一鈍化層具體包括: 采用半灰階掩膜版在所述鈍化層上形成具有過孔圖形的光刻膠層，并使遮蓋所述第一鈍化層的光刻膠層的厚度小于遮蓋所述第二鈍化層的光刻膠層的厚度； 以所述光刻膠層為掩膜刻蝕所述鈍化層，形成過孔； 采用灰化工藝去除遮蓋所述第一鈍化層的光刻膠層，暴露出所述第一鈍化層的表面； 以遮蓋所述第二鈍化層的光刻膠層為掩膜去除第一預(yù)設(shè)厚度的第一鈍化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述鈍化層上形成過孔，去除第一預(yù)設(shè)厚度的所述第一鈍化層具體包括: 在所述鈍化層上形成具有過孔圖形的光刻膠層； 以所述具有過孔圖形的光刻膠層為掩膜刻蝕所述鈍化層，形成過孔； 在所述鈍化層上形成具有第一鈍化層圖形的光刻膠層； 以所述具有第一鈍化層圖形的光刻膠層為掩膜去除第一預(yù)設(shè)厚度的第一鈍化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)厚度為所述數(shù)據(jù)線厚度的0.4倍?1.4倍。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述數(shù)據(jù)線之前還包括: 形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層包括對應(yīng)待形成數(shù)據(jù)線區(qū)域的第一柵極絕緣層和對應(yīng)除所述待形成數(shù)據(jù)線區(qū)域以外的其它區(qū)域的第二柵極絕緣層； 去除第二預(yù)設(shè)厚度的所述第一柵極絕緣層，使所述第一柵極絕緣層的厚度小于所述第二柵極絕緣層的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第二預(yù)設(shè)厚度為所述數(shù)據(jù)線厚度的0.4倍?1.4倍。
8.—種TFT陣列基板，包括:基板及位于所述基板上的數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述TFT陣列基板還包括:位于所述基板上的鈍化層，所述鈍化層包括覆蓋在所述數(shù)據(jù)線上的第一鈍化層和覆蓋在除所述數(shù)據(jù)線以外的其它區(qū)域上的第二鈍化層，所述第一鈍化層的厚度小于所述第二鈍化層的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二鈍化層與所述第一鈍化層的厚度之差為所述數(shù)據(jù)線厚度的0.4倍?1.4倍。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括:位于所述基板上且形成于所述數(shù)據(jù)線之前的柵極絕緣層，所述柵極絕緣層包括對應(yīng)待形成數(shù)據(jù)線區(qū)域的第一柵極絕緣層和對應(yīng)除所述待形成數(shù)據(jù)線區(qū)域以外的其它區(qū)域的第二柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層的厚度小于所述第二柵極絕緣層的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列基板包括位于所述基板上且形成于所述數(shù)據(jù)線之前的柵線，所述第二預(yù)設(shè)厚度為所述數(shù)據(jù)線厚度的0.4倍?1.4倍。
12.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求8?11任一項所述的TFT陣列基板。
【文檔編號】H01L27/02GK104392920SQ201410577032
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年10月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月24日
【發(fā)明者】羅強強, 楊玖娟 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司