一種有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法、顯示基板、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法、顯示基板、顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光二極管包括陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，其中，陰極由透明導(dǎo)電氧化物材料制成；電子傳輸層與陰極之間形成有能級(jí)過渡層，用于對(duì)于電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)進(jìn)行過渡，以降低電子注入的難度。相較于現(xiàn)有技術(shù)中的OLED器件，本發(fā)明中的OLED器件的電子注入更為容易，OLED器件的操作電壓大大降低，從而大大提高了OLED器件的使用壽命，進(jìn)而改善了因TCO制程或能級(jí)不匹配造成的OLED器件的壽命較短和操作電壓過大的問題。
【專利說(shuō)明】一種有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法、顯示基板、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是一種有機(jī)發(fā)光二極管(0120)及其制備方法、顯示基板、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著多媒體技術(shù)的發(fā)展以及信息化程度的不斷提高，人們對(duì)于平板顯示裝置性能的要求越來(lái)越高。與液晶顯示器相比，有機(jī)電致發(fā)光顯示器具有自主發(fā)光，低電壓直流驅(qū)動(dòng)，全固化，視角寬，顏色豐富等一系列的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)，有機(jī)電致發(fā)光顯示器不需要背光源，視角大，功耗低，其響應(yīng)速度可達(dá)液晶顯示器的1000倍，但其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器，因此，有機(jī)電致發(fā)光顯示器有著更為廣闊的應(yīng)用前景。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光二極管(01^0)是在有機(jī)材料中將電能轉(zhuǎn)化為光能的發(fā)光器件，常規(guī)的況即結(jié)構(gòu)包括順序疊置的陽(yáng)極，發(fā)光材料層和陰極。其發(fā)光原理是從陽(yáng)極和陰極注入的空穴和電子在發(fā)光材料層中復(fù)合產(chǎn)生激子從而實(shí)現(xiàn)發(fā)光。根據(jù)光的出射方向，0120分為底發(fā)射01^0和頂發(fā)射01^0，圖1為現(xiàn)有技術(shù)常用的底發(fā)射01^0的結(jié)構(gòu)示意圖，其包括依次排列的反射陰極11、電子傳輸層12、發(fā)光層13、空穴傳輸層14、透明陽(yáng)極15和基底16。這種器件生長(zhǎng)在透明基底上，以氧化銦錫(110)為透明陽(yáng)極，光從110基底側(cè)射出，故稱為底發(fā)射器件(801:1:0111-611111:1:1118 0120,8201^0)0 而頂發(fā)射 01200120,120120)射出的光則是來(lái)自頂電極一側(cè)，該器件包括依次排列的陰極21、電子傳輸層22、發(fā)光層23、空穴傳輸層24、反射陽(yáng)極25和基底26，如圖2所示，對(duì)于頂發(fā)射01^0，光從陰極21側(cè)射出。
[0004]目前的柔性01^0 —般采用薄膜晶體管(111111陣列驅(qū)動(dòng)，若采用常規(guī)的底發(fā)射結(jié)構(gòu)器件，柔性01^0面板的發(fā)光只能從驅(qū)動(dòng)該面板的I'冗主板上設(shè)置的開口部射出，因此，透出面板外的發(fā)光僅占發(fā)光層發(fā)光的30% -50%，大部分發(fā)光都被浪費(fèi)。而采用頂發(fā)射結(jié)構(gòu)可以解決普通的底發(fā)射器件開口率低的不足，從器件的頂部半透明電極表面直接獲取發(fā)光，對(duì)開口率幾乎沒有影響，有利于實(shí)現(xiàn)大型、高信息含量、高顯示亮度、高分辨率的有機(jī)平板顯示器。另外，頂發(fā)射器件結(jié)構(gòu)還可以實(shí)現(xiàn)光譜的窄化，對(duì)發(fā)射波長(zhǎng)的選擇并提高器件發(fā)光的色純度。
[0005]對(duì)于頂發(fā)射01^0器件，一般使用薄金屬作為位于頂端的陰極制作材料，但金屬陰極太薄會(huì)使得器件的導(dǎo)電率不好，且會(huì)形成微腔效應(yīng)，使得器件的光學(xué)設(shè)計(jì)變得非常復(fù)雜，故常以透明導(dǎo)電氧化物(1(?)代替薄金屬作為頂發(fā)射況即器件的陰極。目前常用的?、遣牧习ㄑ趸熷a(110)、銦鋅氧化物(120)等材料，但這些扣0材料通常適合用于制作陽(yáng)極，因此在使用扣0材料作為陰極以增大頂發(fā)射0120器件的透過率時(shí)，這些材料由于功函數(shù)與電子傳輸層(￡11)的最低未占據(jù)分子軌道(1110)能級(jí)不匹配，會(huì)使得0120器件的壽命大幅降低，操作電壓大大上升，比如，若以120制作陰極，由于120的功函數(shù)大約為5?，其與一般電子傳輸層的1^10能級(jí)相差較大，如圖3所示，就會(huì)使得電子注入困難，0120器件的操作電壓上升，壽命降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提出一種有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法、顯示基板、顯示裝置。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種有機(jī)發(fā)光二極管，該有機(jī)發(fā)光二極管包括陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，其中:
[0008]所述陰極由透明導(dǎo)電氧化物材料制成；
[0009]所述電子傳輸層與陰極之間形成有能級(jí)過渡層，用于對(duì)于電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)進(jìn)行過渡，以降低電子注入的難度。
[0010]其中，所述能級(jí)過渡層包括!1型材料層和低1^10 6型材料層。
[0011]其中，所述II型材料層為摻雜有金屬材料的電子注入材料、摻雜有堿金屬化合物的電子注入材料、110與(?摻雜得到的摻雜材料或者堿金屬化合物。
[0012]其中，所述低⑶皿)6型材料的⑶皿)能級(jí)在46乂?70之間。
[0013]其中，所述低⑶10 6型材料層的材料為撤1-⑶、？4扣購(gòu)、酞菁銅、214--或
[0014]其中，所述透明導(dǎo)電氧化物材料為銦鋅氧化物120、氧化銦錫110、氧化銦鋁八I丁0、氧化鋅鋁纟20或氟摻雜錫氧化物？丁0。
[0015]其中，所述能級(jí)過渡層與陰極之間還設(shè)有濺鍍保護(hù)層，用于在以濺鍍方式制作陰極時(shí)，保護(hù)能級(jí)過渡層免受損害。
[0016]其中，所述濺鍍保護(hù)層使用來(lái)制作。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提出一種顯示基板，其特征在于，所述顯示基板包括如上所述的有機(jī)發(fā)光二極管。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提出一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如上所述的顯示基板。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的再一方面，還提出一種有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，該制備方法包括以下步驟:
[0020]在基板上依次制作得到陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層和電子傳輸層；
[0021]在所述電子傳輸層上制作能級(jí)過渡層，用于對(duì)于電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)進(jìn)行過渡，以降低電子注入的難度；
[0022]在所述能級(jí)過渡層上制作陰極，所述陰極由透明導(dǎo)電氧化物材料制成。
[0023]其中，所述制作能級(jí)過渡層的步驟進(jìn)一步包括在所述電子傳輸層上制作型材料層，以及在所述II型材料層上制作低⑶服)6型材料層的步驟。
[0024]其中，所述!1型材料層使用摻雜有金屬材料的電子注入材料、摻雜有堿金屬化合物的電子注入材料、110與(?摻雜得到的摻雜材料或者堿金屬化合物來(lái)制作。
[0025]其中，所述低⑶皿)6型材料的⑶皿)能級(jí)在46乂?70之間。
[0026]其中，所述低⑶10 6型材料層使用撤1-⑶、？4扣購(gòu)、酞菁銅、214--或1(:?材料來(lái)制作。
[0027]其中，所述透明導(dǎo)電氧化物材料為銦鋅氧化物120、氧化銦錫110、氧化銦鋁八I丁0、氧化鋅鋁纟20或氟摻雜錫氧化物？丁0。
[0028]其中，在制作得到能級(jí)過渡層之后還包括在所述能級(jí)過渡層上制作濺鍍保護(hù)層的步驟。
[0029]由前文可知，由于1(?材料的能級(jí)特性，其通常適合用于制作陽(yáng)極，因此在通常使用透明導(dǎo)電氧化物(1(1))作為陰極制作材料的頂發(fā)射況即器件中，其與一般電子注入層的I而0能級(jí)并不相匹配，而本發(fā)明通過利用包括II型材料層和低1^10 6型材料((1661361 1^10
11181:61-181)層的能級(jí)過渡層來(lái)連接電子傳輸層與陰極,使得電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)差減小，從而使得扣0材料成為適合制作陰極的材料。本發(fā)明中的0120器件由于電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)差減小，即電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)過渡更為平滑，因此電子注入更為容易，01^0器件的操作電壓大大降低，從而大大提高了 01^0器件的使用壽命，改善了因扣0制程或能級(jí)不匹配造成的01^0器件的壽命較短和操作電壓過大的問題。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]圖1為現(xiàn)有技術(shù)常用的底發(fā)射01^0的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中常用的頂發(fā)射01^0結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖3是以120制作陰極得到的01^0器件的能級(jí)匹配示意圖；
[0033]圖4是本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖5八是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖58是圖5八所示有機(jī)發(fā)光二極管的能級(jí)匹配示意圖；
[0036]圖6八是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖68是圖6八所示有機(jī)發(fā)光二極管的能級(jí)匹配示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0038]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0039]100材料通常適合用于制作陽(yáng)極，在使用了⑶材料作為陰極以增大頂發(fā)射0120器件的透過率時(shí)，我們注意到扣0材料的能級(jí)特性與一般電子傳輸層的1^10能級(jí)并不相匹配。因此，本發(fā)明通過在電子傳輸層與陰極之間設(shè)置能級(jí)過渡層來(lái)解決這一問題。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種有機(jī)發(fā)光二極管，如圖4所示，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括:陽(yáng)極1、空穴注入層01102、空穴傳輸層出103、有機(jī)發(fā)光層(￡11)4、電子傳輸層(￡1)5、能級(jí)過渡層6和陰極7，其中:
[0041]所述陰極7由透明導(dǎo)電材料制成，可選地，所述透明導(dǎo)電材料為透明導(dǎo)電氧化物(100)材料，比如包含有鋁、銦、錫、鋅、鎵等金屬的氧化物，如:銦鋅氧化物120、氧化銦錫1丁0、氧化銦鋁八110、氧化鋅鋁八20、氟摻雜錫氧化物等；
[0042]形成在所述電子傳輸層5與陰極7之間的能級(jí)過渡層6用于對(duì)于電子傳輸層5與陰極7之間的能級(jí)進(jìn)行過渡，以降低電子注入的難度，減小電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)差帶來(lái)的影響。
[0043]所述能級(jí)過渡層6的1^10能級(jí)介于陰級(jí)的逸出功與電子傳輸層5的1^10能級(jí)之間，或是與其中之一接近，這樣就可以減小電子傳輸層5與陰極7之間的能級(jí)差帶來(lái)的影響，使得電子傳輸層5與陰極7之間的能級(jí)過渡更為平滑，電子就可以更容易地注入到電子傳輸層5中，從而減少電子在介面的堆積或是降低操作電壓。
[0044]所述能級(jí)過渡層6包括11型材料層和低11110 6型材料((1661)61 11110 6~1:7？611181:61-181)層，其中，所述II型材料層可使用摻雜有金屬材料的電子注入材料、摻雜有堿金屬化合物的電子注入材料來(lái)制作，所述金屬材料可以為鋰(“)、鈉(似〉、鉀00、銣(?)、銫
(08)；也可使用與(?摻雜得到的摻雜材料或者版I？等堿金屬化合物來(lái)制作。
[0045]其中，所述低1^10 6型材料層使用適于制作空穴注入層的低1^10 6型材料來(lái)制作，比如 1，4，5，8，9，11-116X88281:1-11)11611716116-116X81111:1-116 (撤?、?、？4丁0)0、酞菁銅(011^0) 10X8等材料，優(yōu)選為擬1-⑶。
[0046]所述低I皿0 0型材料的I皿0能級(jí)在4^7?70之間，這樣，通過利用包括II型材料層和低1^10 6型材料層的能級(jí)過渡層6來(lái)連接電子傳輸層與陰極，即通過所述能級(jí)過渡層6使得1(?材料與空穴型材料的1^10連接，以降低電子注入的難度，減小電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)差帶來(lái)的影響，從而使得扣0材料成為適合制作陰極的材料。相較于單獨(dú)使用扣0材料制作陰極的頂發(fā)射01^0器件，上述技術(shù)方案中的01^0器件由于電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)過渡更為平滑，因此電子的注入更為容易，01^0器件的操作電壓大大降低，從而大大提高了 01^0器件的使用壽命，改善了因扣0制程或能級(jí)不匹配造成的01^0器件的壽命較短和操作電壓過大的問題。
[0047]其中，所述陽(yáng)極1由具有高功函數(shù)與可透光性的材料制成，比如透明導(dǎo)電氧化物(100)材料，優(yōu)選為120透明導(dǎo)電膜。
[0048]在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述0120器件還包括基板，所述陽(yáng)極1形成在所述基板上。
[0049]其中，所述基板為襯底基板或形成有其他功能膜層的基板。
[0050]可選地，所述襯底基板的制作材料包括玻璃、硅片、石英、塑料以及硅片等材料，優(yōu)選為玻璃。
[0051]在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述能級(jí)過渡層6與陰極7之間還設(shè)有濺鍍保護(hù)層8，用于在以濺鍍方式制作陰極時(shí)，保護(hù)能級(jí)過渡層6免受損害。
[0052]其中，所述濺鍍保護(hù)層8使用？型有機(jī)材料制作，比如
[0053]011？0是一種空穴傳輸材料，將它直接制作于陰極與電子傳輸層之間會(huì)使得0120器件的操作電壓較大，壽命降低。而利用本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)，可能與能級(jí)過渡層6中的低⑶10 6型材料層發(fā)生載子產(chǎn)生的作用，從而使空穴更順利地注入陰極，避免出現(xiàn)0120器件的操作電壓變大，壽命降低的問題。
[0054]接下來(lái)以具體的實(shí)施例對(duì)于本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0055]圖5八是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的01^0器件的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5八所示，所述0120器件包括陽(yáng)極1、空穴注入層01102、空穴傳輸層出103、有機(jī)發(fā)光層(￡11)4、電子傳輸層(￡1)5、能級(jí)過渡層6、濺鍍保護(hù)層8和陰極7，其中:
[0056]所述陰極7由透明導(dǎo)電材料制成，可選地，所述透明導(dǎo)電材料為透明導(dǎo)電氧化物(100)材料，比如包含有鋁、銦、錫、鋅、鎵等金屬的氧化物，如:銦鋅氧化物120、氧化銦錫1丁0、氧化銦鋁八110、氧化鋅鋁八20、氟摻雜錫氧化物？10等，本實(shí)施例優(yōu)選120材料作為陰極；
[0057]形成在所述電子傳輸層5與陰極7之間的能級(jí)過渡層6用于對(duì)于電子傳輸層5與陰極7之間的能級(jí)進(jìn)行過渡，以降低電子注入的難度，減小電子傳輸層5與陰極7之間的能級(jí)差帶來(lái)的影響。
[0058]所述能級(jí)過渡層6的1^10能級(jí)介于陰級(jí)的逸出功與電子傳輸層5的1^10能級(jí)之間，或是與其中之一接近，這樣就可以減小電子傳輸層5與陰極7之間的能級(jí)差帶來(lái)的影響，使得電子傳輸層5與陰極7之間的能級(jí)過渡更為平滑，電子就可以更容易地注入到電子傳輸層5中，從而減少電子在介面的堆積或是降低操作電壓。
[0059]所述能級(jí)過渡層6包括型材料層和撤1-⑶材料層，其中，所述II型材料層由摻雜有鋰([1)的電子注入材料來(lái)制作。
[0060]所述撤1-⑶材料的I皿0能級(jí)在4^7?7巧之間，這樣，通過利用包括II型材料層和撤1-⑶材料層的能級(jí)過渡層6來(lái)連接電子傳輸層與陰極，即通過所述能級(jí)過渡層6使得100材料與撤了-⑶材料的⑶皿)能級(jí)連接，可以使得電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)過渡更為平滑，如圖58所示。相較于單獨(dú)使用1(?材料制作陰極的頂發(fā)射01^0器件，由于電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)過渡更為平滑，本實(shí)施例中的況即器件的電子注入更為容易，01^0器件的操作電壓大大降低，從而大大提高了 01^0器件的使用壽命，改善了因1(?制程或能級(jí)不匹配造成的01^0器件的壽命較短和操作電壓過大的問題。
[0061]其中，所述陽(yáng)極1由具有高功函數(shù)與可透光性的材料制成，比如透明導(dǎo)電氧化物(100)材料，優(yōu)選為120透明導(dǎo)電膜。
[0062]所述濺鍍保護(hù)層8使用來(lái)制作，用于在以濺鍍方式制作陰極時(shí)，保護(hù)能級(jí)過渡層6免受損吾。
[0063]上文提及，011？0是一種空穴傳輸材料，將它直接制作于陰極與電子傳輸層之間會(huì)使得況即器件的操作電壓較大，壽命降低。而利用本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)，可能與能級(jí)過渡層6中的低⑶10 6型材料層發(fā)生載子產(chǎn)生的作用，從而使空穴更順利地注入陰極，如圖58所示，可避免出現(xiàn)0120器件的操作電壓變大，壽命降低的問題。
[0064]另外，所述01^0器件還包括基板，所述陽(yáng)極1形成在所述基板上。
[0065]其中，所述基板為襯底基板或形成有膜層的基板。
[0066]可選地，所述襯底基板的制作材料包括玻璃、硅片、石英、塑料以及硅片等材料，優(yōu)選為玻璃。
[0067]圖6八是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的01^0器件的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6八所示，所述0120器件包括陽(yáng)極1、空穴注入層01102、空穴傳輸層01103、有機(jī)發(fā)光層(2祖^4、電子傳輸層(￡10 5、能級(jí)過渡層6和陰極7，本實(shí)施例1I型材料層由與(?摻雜得到的摻雜材料形成，雖然并未設(shè)置濺鍍保護(hù)層8，如圖68所示，其仍可通過撤I⑶連接透明120陰極，因?yàn)槌稩⑶與120能級(jí)的匹配，通過此能級(jí)過渡層仍可以改進(jìn)其電子注入特性。
[0068]其余膜層的結(jié)構(gòu)與制作材料均與上一實(shí)施例相同，在此不作贅述。
[0069]需要說(shuō)明的是，除了上述限定，本發(fā)明對(duì)于上述技術(shù)方案中0120器件各膜層的制作材料、尺寸及相應(yīng)的厚度均不作額外限定，只要能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的發(fā)明目的的所有可能、合理的制作手段均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0070]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提出一種顯示基板，所述顯示基板包括如上任一實(shí)施例所述的有機(jī)發(fā)光二極管。
[0071]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提出一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上任一實(shí)施例所述的顯示基板。
[0072]根據(jù)本發(fā)明的再一方面，還提出一種有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，所述制備方法包括以下步驟:
[0073]在基板上依次制作得到陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層和電子傳輸層；
[0074]其中，所述基板為襯底基板或形成有膜層的基板。
[0075]可選地，所述襯底基板的制作材料包括玻璃、硅片、石英、塑料以及硅片等材料，優(yōu)選為玻璃。
[0076]其中，所述陽(yáng)極由具有高功函數(shù)與可透光性的材料制成，比如透明導(dǎo)電氧化物(100)材料，優(yōu)選為120透明導(dǎo)電膜。
[0077]在所述電子傳輸層上制作能級(jí)過渡層，用于對(duì)于電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)進(jìn)行過渡，使得電子傳輸層與陰極之間能級(jí)過渡更為平滑，電子的注入更為容易；
[0078]所述能級(jí)過渡層的1^10能級(jí)介于陰級(jí)的逸出功與電子傳輸層的1^10能級(jí)之間，或是與其中之一接近，這樣就可以使電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)過渡更為平滑，電子就可以更容易地注入到電子傳輸層中，從而減少電子在介面的堆積或是降低操作電壓。
[0079]該步驟進(jìn)一步包括在所述電子傳輸層上制作型材料層，以及在所述II型材料層上制作低⑶10 6型材料層的步驟。
[0080]其中，所述!1型材料層可使用摻雜有金屬材料的電子注入材料、摻雜有堿金屬化合物的電子注入材料來(lái)制作，所述金屬材料優(yōu)選為鋰11)；也可使用與(?摻雜得到的摻雜材料或者082(1)3、版I？等堿金屬化合物來(lái)制作。
[0081]其中，所述低1110 6型材料層使用適于制作空穴注入層的低1110 6型材料來(lái)制作，比如 1，4，5，8，9，11-116X88281:1-11)11611716116-116X81111:1-116 (撤?、?、丁0)0、酞菁銅(011^0) 10X8等材料，優(yōu)選為擬1-⑶。
[0082]所述低I皿0 0型材料的I皿0能級(jí)在4^7?70之間，這樣，通過利用包括II型材料層和低1^10 6型材料層的能級(jí)過渡層6來(lái)連接電子傳輸層與陰極，即通過所述能級(jí)過渡層6使得1(?材料與空穴型材料的1^10連接，以降低電子注入的難度，減小電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)差帶來(lái)的影響，從而使得扣0材料成為適合制作陰極的材料。相較于單獨(dú)使用扣0材料制作陰極的頂發(fā)射01^0器件，上述技術(shù)方案中的01^0器件由于電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)過渡更為平滑，因此電子的注入更為容易，01^0器件的操作電壓大大降低，從而大大提高了 01^0器件的使用壽命，改善了因扣0制程或能級(jí)不匹配造成的01^0器件的壽命較短和操作電壓過大的問題。
[0083]在所述能級(jí)過渡層上制作陰極，從而得到0120器件。
[0084]其中，所述陰極由透明導(dǎo)電材料制成，可選地，所述透明導(dǎo)電材料為透明導(dǎo)電氧化物(1(?)材料，比如包含有鋁、銦、錫、鋅、鎵…等金屬的氧化物，如:銦鋅氧化物120、氧化銦錫1了0、氧化銦鋁八110、氧化鋅鋁八20、氟摻雜錫氧化物等。
[0085]在本發(fā)明一實(shí)施例中，在制作得到能級(jí)過渡層之后還包括在所述能級(jí)過渡層上制作濺鍍保護(hù)層的步驟，所述濺鍍保護(hù)層用于在以濺鍍方式制作陰極時(shí)，以保護(hù)能級(jí)過渡層免受損害。
[0086]其中，所述濺鍍保護(hù)層使用？型有機(jī)材料制作，比如
[0087]上文提及，011？0是一種空穴傳輸材料，將它直接制作于陰極與電子傳輸層之間會(huì)使得01^0器件的操作電壓較大，壽命降低。而利用本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)，可能與能級(jí)過渡層6中的低⑶10 6型材料層發(fā)生載子產(chǎn)生的作用，從而使空穴更順利地注入陰極，避免出現(xiàn)01^0器件的操作電壓變大，壽命降低的問題。
[0088]需要說(shuō)明的是，上述各膜層的制作方法均采用現(xiàn)有技術(shù)中常用的0120材料層的制作工藝，在此不作贅述。
[0089]另外，除了上述限定，本發(fā)明對(duì)于上述技術(shù)方案中0120器件各膜層的制作材料、尺寸及相應(yīng)的厚度均不作額外限定，只要能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的發(fā)明目的的所有可能、合理的制作手段均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0090]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，該有機(jī)發(fā)光二極管包括陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極， 所述陰極由透明導(dǎo)電氧化物材料制成； 所述電子傳輸層與陰極之間形成有能級(jí)過渡層，用于對(duì)電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)進(jìn)行過渡，以降低電子注入的難度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述能級(jí)過渡層包括η型材料層和低LUMO e型材料層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述η型材料層為摻雜有金屬材料的電子注入材料、摻雜有堿金屬化合物的電子注入材料、LiQ與Ca摻雜得到的摻雜材料或者堿金屬化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述低LUMOe型材料的LUMO能級(jí)在4eV?7eV之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述低LUMOe型材料層的材料為 HAT-CN、F4TCNQ、酞菁銅、2T-NaTa 或 TcTa。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述透明導(dǎo)電氧化物材料為銦鋅氧化物ΙΖ0、氧化銦錫ΙΤ0、氧化銦鋁ΑΙΤ0、氧化鋅鋁AZO或氟摻雜錫氧化物FT0。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述能級(jí)過渡層與陰極之間還設(shè)有濺鍍保護(hù)層，用于在以濺鍍方式制作陰極時(shí)，保護(hù)能級(jí)過渡層免受損害。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述濺鍍保護(hù)層的材料為CuPC。
9.一種顯示基板，其特征在于，所述顯示基板包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管。
10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求9所述的顯示基板。
11.一種有機(jī)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，該制備方法包括以下步驟: 在基板上依次制作得到陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層和電子傳輸層； 在所述電子傳輸層上制作能級(jí)過渡層，用于對(duì)于電子傳輸層與陰極之間的能級(jí)進(jìn)行過渡，以降低電子注入的難度； 在所述能級(jí)過渡層上制作陰極，所述陰極由透明導(dǎo)電氧化物材料制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述制作能級(jí)過渡層的步驟進(jìn)一步包括在所述電子傳輸層上制作η型材料層，以及在所述η型材料層上制作低LUMO e型材料層的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述η型材料層使用摻雜有金屬材料的電子注入材料、摻雜有堿金屬化合物的電子注入材料、LiQ與Ca摻雜得到的摻雜材料或者堿金屬化合物來(lái)制作。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述低LUMOe型材料的LUMO能級(jí)在4eV?7eV之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述低LUMOe型材料層使用HAT-CN、F4TCNQ、酞菁銅、2T-NaTa或TcTa材料來(lái)制作。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電氧化物材料為銦鋅氧化物IZO、氧化銦錫IT0、氧化銦鋁AIT0、氧化鋅鋁AZO或氟摻雜錫氧化物FT0。
17.根據(jù)權(quán)利要求8-16任一所述的制備方法，其特征在于，在制作得到能級(jí)過渡層之后還包括在所述能級(jí)過渡層上制作濺鍍保護(hù)層的步驟。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK104393180SQ201410553911
【公開日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月17日
【發(fā)明者】吳長(zhǎng)晏 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司