方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法
【專利摘要】一種方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法，用以改善已知方形扁平無引腳封裝晶片的良率不佳的問題，該方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法包含：透過一顯微攝影裝置拍攝取得一基板的影像，該基板中封裝有復(fù)數(shù)個晶片，該晶片分別電連接復(fù)數(shù)個引線框架，該引線框架形成于該基板的一表面，且各該引線框架之間具有一膠體；利用一運(yùn)算單元加載該基板的影像，并據(jù)以執(zhí)行影像分析運(yùn)算定位該基板中所封裝的晶片的位置；及該運(yùn)算單元將各該晶片與一樣本影像進(jìn)行比對，以偵測各該晶片所電性連接的引線框架受到該膠體的殘膠所覆蓋的部分，判定為該膠體需要燒蝕的冗余區(qū)塊，依據(jù)該冗余區(qū)塊設(shè)定該激光產(chǎn)生器的激光軌跡，由該激光產(chǎn)生器燒蝕去除該膠體的冗余區(qū)塊。
【專利說明】方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法，尤其是一種利用激光光束燒蝕除膠的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法。

【背景技術(shù)】
[0002]請參照圖1和2所示，是一種已知方形扁平無引腳封裝(quad flat no-leadpackage, QFN package)制程所使用的基板I (substrate),該基板I中封裝有復(fù)數(shù)個晶片2 (die)。該基板I包含復(fù)數(shù)個散熱座IUthermal pad)，且對應(yīng)各該散熱座11分別設(shè)有復(fù)數(shù)個引線框架12 (lead frame)，該散熱座11及該復(fù)數(shù)個引線框架12形成于該基板I的一表面la。各該晶片2可以分別結(jié)合于該復(fù)數(shù)個散熱座11上，并且電性連接對應(yīng)各該散熱座11的復(fù)數(shù)個引線框架12。其中，該基板I的散熱座11與引線框架12之間以及各該引線框架12之間具有一膠體3 (mold cap)，該膠體3較佳為絕緣材料，且通常采用環(huán)氧樹脂或其它具有良好絕緣及包覆效果的塑性材質(zhì)，經(jīng)由塑脂注模以包覆固定于該晶片2外部，同時延伸至該基板I的表面la，并使該散熱座11及該引線框架12暴露于該表面la，以利后續(xù)晶片成品測試(final test)等作業(yè)的進(jìn)行。
[0003]詳言之，所述的QFN晶片封裝制程首先于該基板I上制作該散熱座11及該復(fù)數(shù)個引線框架12;接著，將該晶片2經(jīng)由黏晶(die attach)固定于該散熱座11 ;該晶片2及各該引線框架12之間可以透過焊線(wire bond)或者預(yù)先成型的電連接線以形成電性連接；最后，藉由于該基板I的表面Ia上貼附一層阻隔膜(圖未繪示)，利用塑脂注模將呈熔融狀態(tài)的膠體原料注入該基板I以包覆該晶片2，待其冷卻成形后即形成該膠體3，并卸除該阻隔膜以完成該晶片封裝制程的封膠(mold)程序。
[0004]然而，請參照圖3所示，該膠體3在成形過程中，容易溢膠(mold flash)而產(chǎn)生不當(dāng)覆蓋該散熱座11或該引線框架12的殘膠31，致使該散熱座11或該引線框架12無法完整暴露于該基板I的表面la，進(jìn)而產(chǎn)生接觸不良的情形，間接造成該晶片2封裝后的良率下滑，使業(yè)者蒙受巨額損失。雖然已知晶片封裝制程中嘗試加入研磨步驟來修飾該散熱座11及該引線框架12的表層，以除去該膠體3的殘膠31，只是現(xiàn)有的研磨機(jī)臺(例如:細(xì)砂輪機(jī))的精確度有限，無法將覆蓋于該散熱座11及該引線框架12表層的殘膠31完整去除；另有業(yè)者提出透過現(xiàn)有的磨砂橡皮擦來清除該殘膠31，雖然除膠效果優(yōu)異但操作磨砂橡皮擦機(jī)臺所需的人力成本過高，明顯不符合現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求。
[0005]再者，近年來集成電路制程不斷演進(jìn)，該晶片2的體積持續(xù)縮減連帶造成該引線框架12的面積隨之縮小，因此采用現(xiàn)有的研磨機(jī)臺或現(xiàn)有的磨砂橡皮擦更加難以將該引線框架12表面的殘膠31確實(shí)去除，加上該引線框架12的暴露面積狹小，一旦被該基板I的殘膠31覆蓋極有可能使該引線框架12發(fā)生接觸不良的情形，而導(dǎo)致整顆晶片2成為瑕疵品。此外，該基板I的散熱座11與引線框架12之間以及各該引線框架12之間的間隙亦隨之縮減，為了在封膠程序執(zhí)行的過程中使所述的膠體原料能夠順利滲透到上述間隙內(nèi)，并且提升所述封膠程序的執(zhí)行效率，先進(jìn)的QFN晶片封裝制程多采用濃度較低的膠體原料來成形該膠體3，卻也直接導(dǎo)致該膠體原料的溢膠情形加劇，所形成膠體3甚至有完全覆蓋該引線框架12的情形發(fā)生。據(jù)此，該膠體3因溢膠所產(chǎn)生的殘膠31已然成為晶片封裝制程中急需解決的問題。
[0006]綜上所述，亟需提供一種進(jìn)一步改良的QFN封裝晶片的除膠方法，以改善上述晶片2封裝完成后，其該膠體3因溢膠所產(chǎn)生的殘膠31難以去除的缺點(diǎn)，有效提升QFN封裝晶片的生廣良率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的一目的是提供一種QFN封裝晶片的除膠方法，藉由一運(yùn)算單元對一基板的影像執(zhí)行影像分析運(yùn)算，以偵測該基板的引線框架受到一膠體因溢膠所形成的殘膠覆蓋的部分，能夠設(shè)定一激光產(chǎn)生器的激光軌跡來燒蝕去除該殘膠，以避免該晶片的引線框架發(fā)生接觸不良的情形，具有提升QFN封裝晶片的生廣良率的功效。
[0008]本發(fā)明的另一目的是提供一種QFN封裝晶片的除膠方法，于該晶片經(jīng)由激光燒蝕完成后，重復(fù)拍攝該基板影像并與一樣本影像進(jìn)行比對，以檢驗(yàn)該膠體的殘膠經(jīng)激光燒蝕后是否完全清除，能夠再次確認(rèn)該殘膠是否成功除去，具有進(jìn)一步提升該晶片的封裝質(zhì)量的功效。
[0009]為達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明所運(yùn)用的技術(shù)手段包含有:
一種QFN封裝晶片的除膠方法，包含:透過一顯微攝影裝置拍攝取得一基板的影像，該基板中封裝有復(fù)數(shù)個晶片，該晶片分別電連接復(fù)數(shù)個引線框架，該引線框架形成于該基板的一表面，且各該引線框架之間具有一膠體；利用一運(yùn)算單元加載該基板的影像，并據(jù)以執(zhí)行影像分析運(yùn)算定位該基板中所封裝的晶片的位置；及該運(yùn)算單元將各該晶片與一樣本影像進(jìn)行比對，以偵測各該晶片所電性連接的引線框架受到該膠體的殘膠所覆蓋的部分，判定為該膠體需要燒蝕的冗余區(qū)塊，依據(jù)該冗余區(qū)塊設(shè)定該激光產(chǎn)生器的激光軌跡，由該激光產(chǎn)生器燒蝕去除該膠體的冗余區(qū)塊。
[0010]上述QFN封裝晶片的除膠方法，其中，取封裝完成的一晶片做為樣本，以該激光產(chǎn)生器燒蝕去除覆蓋于該晶片所電性連接的引線框架上的殘膠，并且透過該顯微攝影裝置拍攝經(jīng)由該激光產(chǎn)生器燒蝕的晶片的影像作為該樣本影像。
[0011]上述QFN封裝晶片的除膠方法，其中，該晶片結(jié)合于一散熱座，該散熱座形成于該基板的表面，該運(yùn)算單元將各該晶片與該樣本影像進(jìn)行比對時，另偵測該散熱座受到該膠體的殘膠所覆蓋的部分，同樣判定為該膠體需要燒蝕的冗余區(qū)塊。
[0012]上述QFN封裝晶片的除膠方法，其中，取封裝于該基板的其中一晶片做為樣本，以該激光產(chǎn)生器一并燒蝕去除覆蓋于該晶片所電性連接的引線框架上的殘膠，以及覆蓋于該晶片所結(jié)合的散熱座上的殘膠，并且透過該顯微攝影裝置拍攝經(jīng)由該激光產(chǎn)生器燒蝕的晶片的影像作為該樣本影像。
[0013]上述QFN封裝晶片的除膠方法，其中，該激光產(chǎn)生器利用激光光束燒蝕去除該膠體的冗余區(qū)塊后，再次拍攝該基板的影像并由該運(yùn)算單元加載，據(jù)以將完成激光燒蝕的各該晶片與該樣本影像再次進(jìn)行比對，以檢驗(yàn)該膠體的殘膠經(jīng)激光燒蝕后是否完全清除。
[0014]上述QFN封裝晶片的除膠方法，其中，若該晶片的影像與該樣本影像的差異程度在一容許范圍內(nèi)，即判定該基板的殘膠已完全清除；反之，若該晶片的影像與該樣本影像的差異超出該容許范圍，即判定該晶片必需進(jìn)行二次除膠加工，或者直接視為不良品，將該晶片及其所在位置的基板一并舍棄。
[0015]上述QFN封裝晶片的除膠方法，其中，運(yùn)算單元是執(zhí)行影像分析以定位各該散熱座的一中心點(diǎn)，以作為該基板中所封裝的晶片的位置。
[0016]上述QFN封裝晶片的除膠方法，其中，該激光產(chǎn)生器為振鏡式激光機(jī)臺。
[0017]上述QFN封裝晶片的除膠方法，其中，該激光產(chǎn)生器是采用摻釹釔鋁石榴石激光，且該激光產(chǎn)生器所產(chǎn)生的激光光束的功率及波長分別為16?24瓦特及85廣1277納米。
[0018]上述QFN封裝晶片的除膠方法，其中，該樣本影像為經(jīng)由軟件繪制的一模板影像。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是一種已知晶片封裝制程所使用的基板外觀圖；
圖2是一種已知晶片封裝制程所使用的基板的局部剖視圖；
圖3是一種已知晶片封裝制程的晶片封裝后的放大圖；
圖4是本發(fā)明較佳實(shí)施例QFN封裝晶片的除膠方法的流程圖；
圖5是本發(fā)明較佳實(shí)施例的操作示意圖；
圖6是本發(fā)明較佳實(shí)施例的步驟示意圖(一)；
圖7是本發(fā)明較佳實(shí)施例的步驟示意圖(二)；
圖8是本發(fā)明較佳實(shí)施例的步驟示意圖(三)；
圖9是本發(fā)明較佳實(shí)施例所拍攝的基板影像局部放大圖(一)；
圖10是本發(fā)明較佳實(shí)施例所拍攝的基板影像局部放大圖(二)。
[0020]符號說明 〔本發(fā)明〕
L激光產(chǎn)生器C顯微攝影裝置R區(qū)域P中心點(diǎn)D冗余區(qū)塊 〔現(xiàn)有〕
I基板Ia表面11散熱座12引線框架2晶片3膠體31殘膠。

【具體實(shí)施方式】
[0021]為讓本發(fā)明的上述及其它目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下:
請參照圖4所示，是本發(fā)明較佳實(shí)施例方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法的流程圖。首先，如圖5和6所示，透過一顯微攝影裝置C拍攝取得該基板I的表面Ia上其中一區(qū)域R的影像，該顯微攝影裝置C可以為電荷稱合裝置(Charge Coupled Device, CO))攝影機(jī)或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal-Oxide Semiconductor, CMOS)攝影機(jī)等，再以一運(yùn)算單元加載該區(qū)域R的影像后，執(zhí)行影像分析運(yùn)算來辨識該區(qū)域R中的各個散熱座11，并且定位該基板I中所封裝的晶片2的位置。請一并參照圖7所示，在本實(shí)施例當(dāng)中，該運(yùn)算單元是執(zhí)行影像分析以定位各該散熱座11的一中心點(diǎn)P，作為該晶片2的位置的參考基準(zhǔn)。
[0022]請參照圖8所示，定位出各該晶片2的位置后，該運(yùn)算單元可以將各該晶片2所電性連接的引線框架12與一樣本影像進(jìn)行比對，以偵測各該引線框架12受該膠體3的殘膠31所覆蓋的部分，并判定為該膠體3需要燒蝕的冗余區(qū)塊D。如圖9所示，是為該顯微攝影裝置C所拍攝的該區(qū)域R的影像中，該膠體3的其中一冗余區(qū)塊D的局部放大圖，該運(yùn)算單元進(jìn)一步依據(jù)該冗余區(qū)塊D設(shè)定一現(xiàn)有的激光產(chǎn)生器L的激光軌跡，該激光產(chǎn)生器L較佳為振鏡式激光機(jī)臺，以提供可循環(huán)燒蝕且可程序化的激光軌跡。
[0023]詳言之，由于該基板I的成形過程中，很容易溢膠而產(chǎn)生不當(dāng)覆蓋該散熱座11或該引線框架12的殘膠31，進(jìn)而產(chǎn)生接觸不良的情形。其中，由于該引線框架12的面積較小，因此該引線框架12暴露于該基板I的表面Ia的部分一旦受到該殘膠覆蓋112，就非常有可能使該晶片2形成不良品(bad die)。據(jù)此，使用者可以取封裝完成的一晶片2做為樣本，透過人工操作該激光產(chǎn)生器L，燒蝕去除覆蓋于該晶片2所電性連接的引線框架I上的殘膠31，并且拍攝經(jīng)由該激光產(chǎn)生器L燒蝕的晶片2的影像作為該樣本影像。藉此，該運(yùn)算單元分別將各該晶片2與該樣本影像進(jìn)行比對，即可辨識各該晶片2所電性連接的引線框架12受該膠體3的殘膠31覆蓋的部分，并判定為該膠體3需要燒蝕的冗余區(qū)塊D。再者，使用者可以一并透過人工操作該激光產(chǎn)生器L燒蝕去除覆蓋于該散熱座11的殘膠31，藉此該運(yùn)算單元分別將各該晶片2與該樣本影像進(jìn)行比對時，可以同時辨識各該晶片2所結(jié)合的散熱座11受該膠體3的殘膠31所覆蓋的部分，并且同樣判定為該膠體3需要燒蝕的冗余區(qū)塊D。
[0024]惟，該樣本影像也可以為經(jīng)由軟件繪制的一模板影像(template layout)，包含該晶片2所電性連接的引線框架12及所結(jié)合的散熱座11在未受到該殘膠31覆蓋的理想狀態(tài)下，分別應(yīng)具有的標(biāo)準(zhǔn)形狀與面積，以供該運(yùn)算單元用來比對各該晶片2，有效偵測該散熱座11或該引線框架12受該膠體3的殘膠31所覆蓋的部分。由于利用影像分析運(yùn)算以偵測各該晶片2所連接的散熱座11或引線框架12受該殘膠31所覆蓋的部分，乃本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習(xí)的已知技術(shù)，故本發(fā)明對該樣本影像的取得方式、以及各該晶片2的影像該樣本影像的比對方式并不加以限制。
[0025]該運(yùn)算單元重復(fù)上述比對過程逐顆完成各該晶片2的比對，以偵測各該引線框架12受到該膠體3的殘膠31所覆蓋的部分，并判定該膠體3需要燒蝕的冗余區(qū)塊D，據(jù)以設(shè)定該激光產(chǎn)生器L的激光軌跡，使得該激光產(chǎn)生器L能夠利用激光光束燒蝕去除該膠體3的冗余區(qū)塊。為了確保燒蝕去除該膠體3的殘膠11時具備理想的精確度，該激光產(chǎn)生器L必須產(chǎn)生足夠精細(xì)的激光光束，因此該激光產(chǎn)生器L較佳采用光纖(fiber)激光、紫外線(ultrav1let, UV)激光或慘欽乾招石槽石(neodymium-doped yttrium aluminumgarnet, Nd:YAG)激光等激光產(chǎn)生技術(shù)。其中，以摻釹釔鋁石榴石激光為例，該激光產(chǎn)生器L較佳輸出功率為16?24瓦特且波長為85f 1277納米的摻釹釔鋁石榴石激光光束，以對該殘膠31進(jìn)行激光燒蝕，能夠有效降低該激光光束的功率過高導(dǎo)致?lián)p傷該散熱座11或該引線框架12的風(fēng)險。
[0026]藉由上述較佳實(shí)施例QFN封裝晶片的除膠方法，一運(yùn)算單元透過對一基板I的影像執(zhí)行影像分析運(yùn)算，以偵測各晶片2所電性連接的引線框架12受到一膠體3的殘膠31所覆蓋的部分，能夠據(jù)以設(shè)定一激光產(chǎn)生器L的激光軌跡來燒蝕去除該殘膠31，以避免該晶片2的引線框架12發(fā)生接觸不良的情形。據(jù)此，本發(fā)明QFN封裝晶片的除膠方法確實(shí)具有提升QFN封裝晶片的生產(chǎn)良率的功效。
[0027]此外，請續(xù)參照圖4所示，該激光產(chǎn)生器L利用激光光束燒蝕去除該膠體3的冗余區(qū)塊D后，可以再次拍攝該基板I的區(qū)域R的影像并由該運(yùn)算單元加載，據(jù)以將完成激光燒蝕的各該晶片2與該樣本影像再次進(jìn)行比對，以檢驗(yàn)該膠體3的殘膠31經(jīng)激光燒蝕后是否完全清除。請參照圖10所示，為該顯微攝影裝置C所拍攝的該區(qū)域R的影像中，其中一冗余區(qū)塊D經(jīng)激光燒蝕后局部的放大圖，倘若包含該冗余區(qū)塊D的晶片2的影像與該樣本影像的差異程度在一容許范圍內(nèi)，即判定該膠體3的殘膠31已完全清除，代表該較佳實(shí)施例QFN封裝晶片的除膠方法已確實(shí)執(zhí)行；反之，倘若包含該冗余區(qū)塊D的該晶片2的影像與該樣本影像的差異超出該容許范圍，即判定該晶片2必需進(jìn)行二次除膠加工，或者直接視為不良品，將該晶片2及其所在位置的基板I 一并舍棄，抑或?qū)摼?的該基板I的區(qū)域R標(biāo)記，改采人工檢驗(yàn)以進(jìn)一步判斷后續(xù)處理方式。所述晶片2的影像與該樣本影像的差異程度可以利用面積比、長寬比或平滑度等參數(shù)來估量，是本發(fā)明所述【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者所能輕易理解實(shí)施，恕不另行贅述。
[0028]據(jù)此，上述較佳實(shí)施例QFN封裝晶片的除膠方法可以于該晶片2經(jīng)由激光燒蝕完成后，重復(fù)拍攝該基板I的影像并將各該晶片2與一樣本影像進(jìn)行比對，以檢驗(yàn)該膠體3的殘膠31經(jīng)激光燒蝕后是否完全清除。藉此，本發(fā)明QFN封裝晶片的除膠方法能夠再次確認(rèn)該殘膠31是否成功除去，確實(shí)具有進(jìn)一步提升該晶片2的封裝質(zhì)量的功效。
[0029]雖然本發(fā)明已利用上述較佳實(shí)施例揭示，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者在不脫離本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)，相對上述實(shí)施例進(jìn)行各種更動與修改仍屬本發(fā)明所保護(hù)的技術(shù)范疇，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附之申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法，其特征在于，包含:透過一顯微攝影裝置拍攝取得一基板的影像，該基板中封裝有復(fù)數(shù)個晶片，該晶片分別電連接復(fù)數(shù)個引線框架，該引線框架形成于該基板的一表面，且各該引線框架之間具有一膠體；利用一運(yùn)算單元加載該基板的影像，并據(jù)以執(zhí)行影像分析運(yùn)算定位該基板中所封裝的晶片的位置；及該運(yùn)算單元將各該晶片與一樣本影像進(jìn)行比對，以偵測各該晶片所電性連接的引線框架受到該膠體的殘膠所覆蓋的部分，判定為該膠體需要燒蝕的冗余區(qū)塊，依據(jù)該冗余區(qū)塊設(shè)定該激光產(chǎn)生器的激光軌跡，由該激光產(chǎn)生器燒蝕去除該膠體的冗余區(qū)塊。
2.如權(quán)利要求1所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法，其特征在于，取封裝完成的一晶片做為樣本，以該激光產(chǎn)生器燒蝕去除覆蓋于該晶片所電性連接的引線框架上的殘膠，并且透過該顯微攝影裝置拍攝經(jīng)由該激光產(chǎn)生器燒蝕的晶片的影像作為該樣本影像。
3.如權(quán)利要求1所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法，其特征在于，該晶片結(jié)合于一散熱座，該散熱座形成于該基板的表面，該運(yùn)算單元將各該晶片與該樣本影像進(jìn)行比對時，另偵測該散熱座受到該膠體的殘膠所覆蓋的部分，同樣判定為該膠體需要燒蝕的幾余區(qū)塊。
4.如權(quán)利要求3所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法，其特征在于，取封裝于該基板的其中一晶片做為樣本，以該激光產(chǎn)生器一并燒蝕去除覆蓋于該晶片所電性連接的引線框架上的殘膠，以及覆蓋于該晶片所結(jié)合的散熱座上的殘膠，并且透過該顯微攝影裝置拍攝經(jīng)由該激光產(chǎn)生器燒蝕的晶片的影像作為該樣本影像。
5.如權(quán)利要求1所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法，其特征在于，該激光產(chǎn)生器利用激光光束燒蝕去除該膠體的冗余區(qū)塊后，再次拍攝該基板的影像并由該運(yùn)算單元加載，據(jù)以將完成激光燒蝕的各該晶片與該樣本影像再次進(jìn)行比對，以檢驗(yàn)該膠體的殘膠經(jīng)激光燒蝕后是否完全清除。
6.如權(quán)利要求5所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法，其特征在于，若該晶片的影像與該樣本影像的差異程度在一容許范圍內(nèi)，即判定該基板的殘膠已完全清除；反之，若該晶片的影像與該樣本影像的差異超出該容許范圍，即判定該晶片必需進(jìn)行二次除膠加工，或者直接視為不良品，將該晶片及其所在位置的基板一并舍棄。
7.如權(quán)利要求3或4所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法，其特征在于，運(yùn)算單元是執(zhí)行影像分析以定位各該散熱座的一中心點(diǎn)，以作為該基板中所封裝的晶片的位置。
8.如權(quán)利要求1、2、3、4、5或6所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法，其特征在于，該激光產(chǎn)生器為振鏡式激光機(jī)臺。
9.如權(quán)利要求1、2、3、4、5或6所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法，其特征在于，該激光產(chǎn)生器是采用摻釹釔鋁石榴石激光，且該激光產(chǎn)生器所產(chǎn)生的激光光束的功率及波長分別為16?24瓦特及851?1277納米。
10.如權(quán)利要求1、2、3、4、5或6所述的方形扁平無引腳封裝晶片的除膠方法，其特征在于，該樣本影像為經(jīng)由軟件繪制的一模板影像。
【文檔編號】H01L21/02GK104517805SQ201410464514
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年9月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月26日
【發(fā)明者】蔡宜興 申請人:蔡宜興