有機電致發(fā)光器件及包含該器件的顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括，第一電極層；有機功能層，位于所述第一電極層上；第二電極層，位于所述有機功能層上；無機層，位于所述第二電極層上，其中所述無機層為二氧化鈦層或碳化硅層。本發(fā)明還提供了一種包含上述有機電致發(fā)光器件的顯示器。本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件能夠有效抑制對人眼具有傷害的藍紫光，避免高能藍光對人體造成傷害。同時，無機層可起到保護覆蓋層及第二電極層作用，提高了OLED器件的壽命，且無機層與有機材料的微腔結(jié)構(gòu)可共同提高OLED器件的色純度。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件及包含該器件的顯示器

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件(OLED)，具體為一種可抑制藍光的有機電致發(fā)光器件。

【背景技術】
[0002]研究表明，435nm以下波長的藍光對視網(wǎng)膜有很大的傷害，人的視網(wǎng)膜中有一種叫做A2E的成分，A2E的吸收峰位于紫外光335nm、可見藍光435nm，使其能夠吸收藍光而進行光氧化，造成細胞的凋亡，從而引起人眼黃斑部病變。另外，藍光的波長較短，容易造成散射炫光，眼睛必須更用力聚焦，長時間下來，睫狀肌疲勞、酸痛，造成假性近視。
[0003]現(xiàn)有的OLED會發(fā)出一定強度的435nm以下波長的藍光，而生活中使用的3C產(chǎn)品(計算機、通信和消費類電子產(chǎn)品)大多涉及OLED器件，因此，長時間實用該類產(chǎn)品會對人的眼睛造成嚴重的傷害，影響人們的健康。
[0004]為避免高能藍光對人體的傷害，現(xiàn)有技術中主要采用的方式是對3C產(chǎn)品貼合抗藍光保護膜，然而，抗藍光保護膜的加入雖可以抑制部分高能藍光，但各波長段光的透過率均有所下降，使得貼膜產(chǎn)品的亮度受到一定程度的影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括，第一電極層；有機功能層，位于所述第一電極層上；第二電極層，位于所述有機功能層上；無機層，位于所述第二電極層上，其中所述無機層為二氧化鈦層或碳化硅層。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式,其中所述無機層的厚度為1nm?20nm。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，其中所述無機層的厚度為15nm。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，其中還包括覆蓋層，所述覆蓋層位于所述第二電極層和所述無機層之間。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式,其中所述覆蓋層的材質(zhì)選自Alq3、Bphen或BCP。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式,其中所述覆蓋層的厚度為40nm?80nm。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，其中所述有機功能層包括依次設置的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層，所述空穴注入層位于所述第一電極層上。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，其中所述第一電極層選自氧化銦錫層、氧化銦鋅層、氧化錫層或氧化鋅層。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，其中所述第二電極層為合金電極或金屬氟化物與金屬的復合電極。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，其中所述金屬選自鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，其中所述合金為鋰、鎂、鋁、鈣、鍶、銦中的一種與銅、金、銀中的一種形成的合金。
[0016]本發(fā)明還提供一種顯示器，包括上述任一項的有機電致發(fā)光器件。
[0017]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件能夠有效抑制對人眼具有傷害的藍紫光，避免高能藍光對人體造成傷害。同時，無機層可起到保護覆蓋層及第二電極層作用，提高了 OLED器件的壽命，且無機層與有機材料的微腔結(jié)構(gòu)可共同提高OLED器件的色純度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明一實施方式的OLED的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明的實施例1至3及對比例I至3的OLED的發(fā)光譜圖；
[0020]圖3為本發(fā)明的實施例4至6及對比例I至3的OLED的發(fā)光譜圖。

【具體實施方式】
[0021]體現(xiàn)本發(fā)明特征與優(yōu)點的典型實施例將在以下的說明中詳細敘述。應理解的是本發(fā)明能夠在不同的實施例上具有各種的變化，其皆不脫離本發(fā)明的范圍，且其中的說明及圖示在本質(zhì)上是當作說明之用，而非用以限制本發(fā)明。
[0022]如圖1所示，本發(fā)明一實施方式的有機電致發(fā)光器件，包括，第一電極層1，可以為陽極層；有機功能層2，位于第一電極層I上；第二電極層3，可以為陰極層，位于有機功能層2上；無機層5，位于第二電極層3上。
[0023]在本發(fā)明的另一實施方式中，還可包括覆蓋層4，位于第二電極層3和無機層5之間。
[0024]第一電極層I可通過蒸鍍形成于基板上，其可以為氧化銦錫(ITO)層、氧化銦鋅層、氧化錫層或氧化鋅層，優(yōu)選為IT0/Ag/IT0復合電極；第一電極層I的厚度可以為Inm?500nm,優(yōu)選為 30nm ?lOOnm。
[0025]有機功能層2可包括依次設置的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。
[0026]空穴注入層可通過蒸鍍芳胺化合物或星型胺形成于第一電極層I上，形成空穴注入層的材質(zhì)具體可以包括4，4'，4〃_三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(m-MTDATA)、1，3，5-三[4- (3-甲基-苯基-苯基-氨基)苯基]苯(m-MTDATB)和銅酞菁(CuPc);形成空穴注入層的材料還可以為 HAT-CN(Dipyrazino [2，3_f:2’, 3’ -h] quinoxaline-2, 3, 6, 7, 10, ll-hexacarbonitrile)?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸瓤梢詾镮nm?200nm,優(yōu)選為90nm ?120nmo
[0027]空穴傳輸層可通過蒸鍍形成于空穴注入層上，其材料可以為亞芳基二胺衍生物、星暴型化合物、具有螺環(huán)基的聯(lián)苯二胺衍生物或梯狀化合物，具體可以為N，N' -二苯基 _N，N'-雙(3-甲基苯基)-1，Γ -聯(lián)苯基-4,4' 二胺(TPD)、N，N' -二-[(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，I'-聯(lián)苯基]-4,4' -二胺(NPB)?？昭▊鬏攲拥暮穸瓤梢詾镮nm?200nm,優(yōu)選為 5nm ?100nm。
[0028]發(fā)光層可通過蒸鍍形成于空穴傳輸層上，其材料可選自金屬有機配合物(如Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁))，芳香稠環(huán)類化合物(如rubrene)，鄰菲咯啉類化合物及咔唑類衍生物中的一種；或者發(fā)光材料可以為熒光、磷光染料摻雜，具體地，主體材料可以包括CBP (4，4-N, N- 二咔唑-聯(lián)苯)及其衍生物、mCP (N, N- 二咔唑基_3，5-苯)及其衍生物，摻雜材料可以包括具有選自Ir、Pt、Tb、和Eu的中心金屬原子的磷光有機金屬絡合物,該磷光有機金屬絡合物包括 PQIr、PQIr (acac)、PQ2Ir (acac)、PIQIr (acac)和 PtOEP。其中，藍光材料可以為 DPVBi (4，4' -二(2，2-二苯乙烯基)-1，I'-聯(lián)苯):5% BCzVB(1，4-二[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]_苯)。發(fā)光層的厚度可以為5nm?50nm,優(yōu)選為1nm?40nm,進一步優(yōu)選為15nm?30nm。
[0029]電子傳輸層可通過蒸鍍形成于發(fā)光層上，其材質(zhì)可以為三嗪，例如
4,4 '-雙 _[2_(4，6_ 二苯基-1, 3，5_ 二嚷基)]-1, I '-聯(lián)苯、2，4, 6- 二(4-聯(lián)苯基)-1，3，5-三嗪；也可以為蒽化合物、菲化合物、熒蒽化合物、二唑化合物或亞乙烯基化合物，電子傳輸層的厚度可以為Inm?200nm,優(yōu)選為5nm?lOOnm。
[0030]電子注入層可通過蒸鍍形成于電子傳輸層上，其材質(zhì)可包括8-羥基喹啉-鋰(Liq)或者四(8-羥基喹啉)硼鋰(LiBq4)等。電子注入層的厚度可以為Inm?200nm，優(yōu)選為5nm?10nm0
[0031]第二電極層3可通過蒸鍍形成于有機功能層2上，其可以為金屬、合金或金屬氟化物與金屬復合電極，所述金屬選自鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦，所述合金是鋰、鎂、鋁、鈣、鍶、銦中的一種與銅、金或銀中的一種的合金。第二電極層3的厚度可以為1nm?500nm。
[0032]覆蓋層4可通過蒸鍍形成于第二電極層3上，其材質(zhì)可選自Alq3、Bphen (4，7-diphenyl-1, 10-phenanthroline)或 BCP(2, 9-dimethyl-4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline);覆蓋層4的厚度可以為40nm?80nm,優(yōu)選為60nm。
[0033]無機層5可通過熱蒸發(fā)形成，其材質(zhì)可以為二氧化鈦或碳化硅，厚度可以為1nm ?20nm,優(yōu)選為 15nm。
[0034]覆蓋層通常為有機材料形成，其阻水氧能力很弱，使得OLED器件的使用壽命較短。在OLED頂部設置穩(wěn)定的無機層，不僅可保護覆蓋層及陰極，延長器件的使用壽命，且無機層與有機材料的微腔結(jié)構(gòu)可共同提高器件的色純度，抑制對人眼有傷害的藍紫光。
[0035]本發(fā)明中各層的材質(zhì)、形成方式等不限于上述描述。下面，通過實施例對本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件做進一步說明，其中各實施例的制備方法相同，各層均通過蒸鍍的方式形成，所使用原料均可通過市售獲得。
[0036]實施例1
[0037]在玻璃基板上依次形成ITO膜、Ag膜、ITO膜，以IT0/Ag/IT0復合膜作為陽極；
[0038]在該陽極層上蒸鍍HAT-CN作為空穴注入層；
[0039]在空穴注入層上形成NPB膜作為空穴傳輸層；
[0040]在空穴傳輸層上蒸鍍DPVB1:5% BCzVB的混合物作為藍色發(fā)光層；
[0041]在發(fā)光層上蒸鍍Alq3層作為電子傳輸層；
[0042]在電子傳輸層上蒸鍍Liq層形作為電子注入層；
[0043]在電子注入層上形成Mg/Ag作為陰極層；
[0044]在陰極層上形成Alq3覆蓋層；
[0045]在陰極層上形成二氧化鈦層，得到發(fā)藍光的0LED，其結(jié)構(gòu)如下:
[0046]ITO (315nm) /HAT-CN(10nm) /NPB (20nm) /DPVB1: BCzVB (25nm) /Alq3 (35nm) /Liq(10nm)/Mg(15nm)/Alq3 (60nm)/T12(15nm)。
[0047]實施例2
[0048]實施例2的OLED的制備方法與實施例1相同，故省略了相同技術內(nèi)容的說明，實施例2以喹丫唳酮(Quinacridone)摻雜Alq3形成綠色發(fā)光層,其OLED的結(jié)構(gòu)如下:
[0049]ITO (200nm) /HAT-CN (150nm) /NPB (1nm) /Qu1:Alq3 (20nm)/Alq3 (50nm) /Liq(10nm)/Mg (1nm)/Alq3(60nm)/T12 (15nm)。
[0050]實施例3
[0051]實施例3的OLED的制備方法與實施例1相同，故省略了相同技術內(nèi)容的說明，實施例3以DCJTB摻雜Alq3形成紅色發(fā)光層，其OLED的結(jié)構(gòu)如下:
[0052]ZnO(150nm)/m-MTDATA(150nm)/NPB(1nm)/DCJTB:Alq3(20nm)/Alq3 (50nm)/LiBq4(150nm)/Mg (1nm)/BCP (60nm)/T12(15nm)。
[0053]實施例4
[0054]實施例4的OLED的制備方法、使用的原料與實施例1相同，故省略了相同技術內(nèi)容的說明，其與實施例1的區(qū)別僅在于無機層為碳化硅層，實施例4的OLED的結(jié)構(gòu)如下:
[0055]ITO (315nm) /HAT-CN(10nm) /NPB (20nm) /DPVB1: BCzVB (25nm) /Alq3 (35nm) /Liq(10nm)/Mg(15nm)/Alq3(60nm)/SiC(15nm)。
[0056]實施例5
[0057]實施例5的OLED的制備方法、使用的原料與實施例2相同，故省略了相同技術內(nèi)容的說明，其與實施例2的區(qū)別僅在于無機層為碳化硅層，實施例5的OLED的結(jié)構(gòu)如下:
[0058]ITO (200nm) /HAT-CN (150nm) /NPB (1nm) /Qu1:Alq3 (20nm)/Alq3 (50nm) /Liq(10nm)/Mg (1nm)/Alq3(60nm)/SiC(15nm)。
[0059]實施例6
[0060]實施例6的OLED的制備方法、使用的原料與實施例3相同，故省略了相同技術內(nèi)容的說明，其與實施例3的區(qū)別僅在于無機層為碳化硅層，實施例6的OLED的結(jié)構(gòu)如下:
[0061]Zn0(150nm) /m-MTDATA (150nm) /NPB (1nm) /DCJTB: Alq3 (20nm) /Alq3 (50nm) /LiBq4(150nm)/Mg (1nm)/BCP(60nm)/SiC(15nm)。
[0062]對比例I
[0063]對比例I的OLED的制備方法、使用的原料與實施例1相同，故省略了相同技術內(nèi)容的說明，其與實施例1的區(qū)別僅在于缺少二氧化鈦層。
[0064]對比例2
[0065]對比例2的OLED的制備方法、使用的原料與實施例2相同，故省略了相同技術內(nèi)容的說明，其與實施例2的區(qū)別僅在于缺少二氧化鈦層。
[0066]對比例3
[0067]對比例3的OLED的制備方法、使用的原料與實施例3相同，故省略了相同技術內(nèi)容的說明，其與實施例3的區(qū)別僅在于缺少二氧化鈦層。
[0068]圖2所示為實施例1至3及對比例I至3的OLED的發(fā)光譜圖，圖3所示為實施例4至6及對比例I至3的OLED的發(fā)光譜圖。其中，B組曲線表示的是實施例、對比例的發(fā)藍光的OLED的光譜圖，虛線是實施例的譜圖，實線是對比例的譜圖。G組曲線表示的是實施例、對比例的發(fā)綠光的OLED的光譜圖，虛線是實施例的譜圖，實線是對比例的譜圖。R組曲線表示的是實施例、對比例的發(fā)紅光的OLED的光譜圖，虛線是實施例的譜圖，實線是對比例的譜圖。
[0069]圖2及圖3中各組曲線的分布說明，相較于對比例，本發(fā)明實施例的OLED不僅提高了色純度，且有效抑制了對人體有傷害的短波長的藍紫光，435nm以下的藍紫光可抑制30%,438nm以下的藍紫光可抑制40%。
[0070]本發(fā)明的OLED的其它實施例的測試結(jié)果與圖2、3相類似，故在此省去相關測試結(jié)果的描述。
[0071]除非特別限定，本發(fā)明所用術語均為本領域技術人員通常理解的含義。
[0072]本發(fā)明所描述的實施方式僅出于示例性目的，并非用以限制本發(fā)明的保護范圍，本領域技術人員可在本發(fā)明的范圍內(nèi)作出各種其他替換、改變和改進，因而，本發(fā)明不限于上述實施方式，而僅由權利要求限定。
【權利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括， 第一電極層； 有機功能層，位于所述第一電極層上； 第二電極層，位于所述有機功能層上；以及 無機層，位于所述第二電極層上； 其中，所述無機層為二氧化鈦層或碳化硅層。
2.根據(jù)權利要求1的有機電致發(fā)光器件，其中所述無機層的厚度為1nm?20nm。
3.根據(jù)權利要求2的有機電致發(fā)光器件，其中所述無機層的厚度為15nm。
4.根據(jù)權利要求1的有機電致發(fā)光器件，其中還包括覆蓋層，所述覆蓋層位于所述第二電極層和所述無機層之間。
5.根據(jù)權利要求4的有機電致發(fā)光器件，其中所述覆蓋層的材質(zhì)選自Alq3、Bphen或BCP。
6.根據(jù)權利要求4的有機電致發(fā)光器件，其中所述覆蓋層的厚度為40nm?80nm。
7.根據(jù)權利要求1至6中任一項的有機電致發(fā)光器件，其中所述有機功能層包括依次設置的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層，所述空穴注入層位于所述第一電極層上。
8.根據(jù)權利要求7的有機電致發(fā)光器件，其中所述第一電極層選自氧化銦錫層、氧化銦鋅層、氧化錫層或氧化鋅層。
9.根據(jù)權利要求7的有機電致發(fā)光器件，其中所述第二電極層為合金電極或金屬氟化物與金屬的復合電極。
10.根據(jù)權利要求9的有機電致發(fā)光器件，其中所述金屬選自鋰、鎂、鋁、鈣、鍶或銦。
11.根據(jù)權利要求9的有機電致發(fā)光器件，其中所述合金為鋰、鎂、鋁、鈣、鍶、銦中的一種與銅、金、銀中的一種形成的合金。
12.—種顯示器，包括權利要求1至11中任一項的有機電致發(fā)光器件。
【文檔編號】H01L51/52GK104201288SQ201410464474
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年9月12日 優(yōu)先權日:2014年9月12日
【發(fā)明者】祝文秀, 鄒忠哲, 黃初旺, 高衍品 申請人:上海和輝光電有限公司