半導(dǎo)體裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，其具有轉(zhuǎn)換器電路、測功器電路、逆變器電路，并且抑制制造工藝的復(fù)雜性。半導(dǎo)體裝置(10)具有：多個芯片座(102、104a、105a、106a、108a、109a、110a、111a、112a、116a、116b、117a、209a)；IGBT(21～26、62)、二極管(41～46、61)、續(xù)流二極管(31～36)以及HVIC(51)、LVIC(52、53)，它們安裝在多個芯片座上；多個引腳；以及封裝樹脂體，其覆蓋這些元件。在制造工序中，能夠準(zhǔn)備連接上述的多個芯片座和引腳的單板的引腳框架。只要使用該單板的引腳框架制造半導(dǎo)體裝置(10)即可。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前，例如日本特開2012-256803號公報所公開地，已知將逆變器驅(qū)動用電路集中在I個封裝體中的半導(dǎo)體裝置。具體而言，提出一種功率模塊，其將轉(zhuǎn)換器電路、測功器電路、逆變器電路、以及對這些電路進行驅(qū)動、控制的控制基板收容在I個封裝體中而形成。將轉(zhuǎn)換器(Converter)電路、測功器(Brake)電路、以及逆變器(Inverter)電路集中在I個裝置中而形成的模塊，通常也被稱為CIB功率模塊。
[0003]專利文獻1:日本特開2012-256803號公報
[0004]專利文獻2:日本特開2008-277433號公報
[0005]上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置同時使用引腳框架和控制基板。即，在引腳框架上芯片接合有功率半導(dǎo)體元件，在控制基板上安裝有控制集成電路。這里所說的控制基板是指在絕緣基板上設(shè)置電路圖案從而能夠安裝控制集成電路的各種公知的控制基板。如上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置，在同時使用引腳框架和控制基板的情況下，存在下述問題，即，需要用于處理控制基板和引腳框架這兩者的裝配工序，使制造工藝復(fù)雜化。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于，提供一種具有轉(zhuǎn)換器電路、測功器電路、以及逆變器電路，并且使制造工藝簡化的半導(dǎo)體裝置。
[0007]本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有:多個芯片座；逆變器電路元件、轉(zhuǎn)換器電路元件、測功器電路元件、以及集成電路，它們安裝在所述多個芯片座上；多個引腳，它們通過導(dǎo)線分別與所述逆變器電路元件、所述轉(zhuǎn)換器電路元件、所述測功器電路元件以及所述集成電路連接；以及封裝樹脂體，其覆蓋所述多個引腳的一部分、所述逆變器電路元件、所述轉(zhuǎn)換器電路元件、所述測功器電路元件、以及所述集成電路，并且不覆蓋所述多個引腳的其余部分。
[0008]發(fā)明的效果
[0009]根據(jù)本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置，具有轉(zhuǎn)換器電路、測功器電路、以及逆變器電路，并且使制造工藝簡化。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明的實施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
[0011]圖2是本發(fā)明的實施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置的電路圖。
[0012]圖3是表示本發(fā)明的實施方式2涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
[0013]圖4是表示本發(fā)明的實施方式2涉及的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
[0014]標(biāo)號的說明
[0015]10,210 半導(dǎo)體裝置，31、32、33、34、35、36 續(xù)流二極管，101、103、104、105、106、107、108、109、110、111、I12、I13、I14、115、116、I17、I18、119、120、209 引腳，102、104a、105a、106a、108a、109a、110a、llla、112a、116a、116b、117a、209a 芯片座，209b 彎曲部，209c外引腳部，14,214封裝樹脂體，214a上表面，214b底面，214c、214d側(cè)面，234散熱用銅箔，240絕緣片，1091芯片座區(qū)域，1092芯片座區(qū)域，INV逆變器電路部，BRK測功器電路部，CV轉(zhuǎn)換器電路部，ICU控制集成電路部，INK IN2、IN3輸入端子，0UT1、0UT2、0UT3輸出端子，GND1、GND2、GND3接地端子，RA、RB引腳組，S高度差。

【具體實施方式】
[0016]實施方式I
[0017]圖1是表示本發(fā)明的實施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置10的俯視圖。半導(dǎo)體裝置10是將CIB電路元件芯片接合到后述的多個芯片座上，并導(dǎo)線接合至引腳上而得到的裝置。這里所說的CIB電路元件是轉(zhuǎn)換器逆變器測功器電路(CIB電路)的電路要素。
[0018](多個芯片座以及CIB電路元件)
[0019]半導(dǎo)體裝置10在其內(nèi)部具有轉(zhuǎn)換器電路部CV、測功器電路部BRK、逆變器電路部INV、以及控制集成電路部ICU。如圖1所示，在半導(dǎo)體裝置10的一側(cè)，轉(zhuǎn)換器電路部CVjlJ功器電路部BRK、逆變器電路部INV排列為一列，在與其相反的另一側(cè)設(shè)有控制集成電路部ICU。逆變器電路部INV和測功器電路部BRK包含有絕緣柵極型雙極型晶體管(IGBT)作為電路元件。
[0020]在轉(zhuǎn)換器電路部CV中，半導(dǎo)體裝置10具有用于安裝轉(zhuǎn)換器電路元件的芯片座102和芯片座104a、105a、106a。在芯片座102上芯片接合有3個二極管41、42、43的背面電極。芯片座102與引腳101連接。
[0021]在芯片座104a、芯片座105a、芯片座106a上分別芯片接合有二極管44的背面電極、二極管45的背面電極、二極管46的背面電極。二極管41、42、43的表面電極分別與芯片座104a、105a、106a導(dǎo)線接合。這些半導(dǎo)體元件是轉(zhuǎn)換器電路元件。
[0022]在測功器電路部BRK中，半導(dǎo)體裝置10具有用于安裝測功器電路元件的芯片座108a和芯片座區(qū)域1091。芯片座區(qū)域1091是芯片座109a的一部分。在芯片座108a、芯片座區(qū)域1091上分別芯片接合有IGB62的背面電極、二極管61的背面電極。二極管61的表面電極與芯片座108a導(dǎo)線接合。這些半導(dǎo)體元件為測功器電路元件。
[0023]在逆變器電路部INV中，半導(dǎo)體裝置10具有用于安裝逆變器電路元件的芯片座區(qū)域1092、110a、llla、112a。芯片座區(qū)域1092是芯片座109a中除了芯片座區(qū)域1091之外的部分。在芯片座區(qū)域1092芯片接合有IGBT21、22、23的背面電極和續(xù)流二極管31、32、33的背面電極。這些半導(dǎo)體元件是逆變器電路元件。
[0024]IGBT21的表面電極與續(xù)流二極管31的表面電極導(dǎo)線接合。IGBT22的表面電極與續(xù)流二極管32的表面電極導(dǎo)線接合。IGBT23的表面電極與續(xù)流二極管33的表面電極導(dǎo)線接合。
[0025]在芯片座IlOa上芯片接合有IGBT24和續(xù)流二極管34各自的背面電極。在芯片座Illa上芯片接合有IGBT25和續(xù)流二極管35各自的背面電極。在芯片座112a上芯片接合有IGBT26和續(xù)流二極管36各自的背面電極。
[0026]IGBT24的表面電極與續(xù)流二極管34的表面電極導(dǎo)線接合。IGBT25的表面電極與續(xù)流二極管35的表面電極導(dǎo)線接合。IGBT26的表面電極與續(xù)流二極管36的表面電極導(dǎo)線接合。
[0027]在控制集成電路部ICU中，半導(dǎo)體裝置10具有芯片座116a、116b以及芯片座117a。芯片座116a、116b與引腳116 —體化。在芯片座116a上芯片接合有高耐壓集成電路(HVIC) 51，在芯片座116b上芯片接合有低耐壓集成電路(LVIC) 52。芯片座117a是引腳117的一部分，低耐壓集成電路(LVIC) 53與芯片座117a芯片接合。
[0028]如上述地，在上述列舉的多個芯片座上安裝有:作為逆變器電路元件的IGBT21?26和續(xù)流二極管31?36、作為轉(zhuǎn)換器電路元件的二極管41?46、作為測功器電路元件的二極管61和IGBT62、以及作為集成電路的HVIC51和LVIC52、53。
[0029](引腳)
[0030]半導(dǎo)體裝置10具有用于將上述的CIB電路的各電路元件及集成電路與封裝體外部電連接的多個引腳。
[0031]在轉(zhuǎn)換器電路部CV中，半導(dǎo)體裝置10具有引腳101、103、104、105、106。引腳101與芯片座102連接。引腳103與二極管44、45、46的表面電極導(dǎo)線接合。引腳104與芯片座104a連接，引腳105與芯片座105a連接，引腳106與芯片座106a連接。
[0032]在測功器電路部BRK中，半導(dǎo)體裝置10具有引腳107、108。引腳107與IGBT62的表面電極導(dǎo)線接合。引腳108與芯片座108a連接。
[0033]在逆變器電路部INV中，半導(dǎo)體裝置10具有引腳109、110、111、112、113、114、115。引腳109與芯片座109a連接。引腳110與芯片座IlOa連接，并且與續(xù)流二極管31的表面電極導(dǎo)線接合。
[0034]引腳111與芯片座Illa連接，并且與續(xù)流二極管32的表面電極導(dǎo)線接合。引腳112與芯片座112a連接，并且與續(xù)流二極管33的表面電極導(dǎo)線接合。
[0035]引腳113與續(xù)流二極管34的表面電極導(dǎo)線接合。引腳114與續(xù)流二極管35的表面電極導(dǎo)線接合。引腳115與續(xù)流二極管36的表面電極導(dǎo)線接合。
[0036]在控制集成電路部I⑶中，半導(dǎo)體裝置10具有引腳116、117和多個引腳118、119、120。引腳116是與芯片座116a、116b連接，并與它們一體化的引腳。引腳117與芯片座117a連接。
[0037]多個引腳118由在引腳116的附近排列的多個引腳構(gòu)成，分別與在LVIC52的表面設(shè)置的電極端子導(dǎo)線接合。多個引腳119由在多個引腳118的附近排列的多個引腳構(gòu)成，分別與在HVIC51的表面設(shè)置的電極端子導(dǎo)線接合。多個引腳120由在引腳117的附近排列的多個引腳構(gòu)成，分別與在LVIC53的表面設(shè)置的電極端子導(dǎo)線接合。
[0038]HVIC51與IGBT21、22、23各自的控制端子(S卩，柵極端子)導(dǎo)線接合。LVIC52與IGBT24、25、26各自的控制端子(即，柵極端子)導(dǎo)線接合。LVIC53與IGBT62的控制端子(即柵極端子)導(dǎo)線接合。
[0039]在圖1中，將半導(dǎo)體裝置10所具有的多個引腳劃分為引腳組RA和引腳組RB。弓丨腳組RA是在半導(dǎo)體裝置10的封裝體一個側(cè)面排列的引腳組。引腳組RA由引腳101、116?120構(gòu)成。引腳組RB是在半導(dǎo)體裝置10的封裝體的另一個側(cè)面排列的引腳組。引腳組RB由引腳103?115構(gòu)成。
[0040]在制造工序中，能夠準(zhǔn)備將上述多個芯片座102、104a?112a、116a、116b、117a和引腳101、103?120利用外框連接的、由同一金屬材料構(gòu)成的單板的引腳框架。只要通過使用該單板的引腳框架并進行公知的安裝工序、樹脂封裝工序、外框的引腳切割工序，而制造半導(dǎo)體裝置10即可。
[0041]具體而言，在圖1中，引腳組RA、RB分別通過在封裝樹脂體14的側(cè)面延伸的長條的框架部連接。該部分在樹脂模塑成型工序之后，在產(chǎn)品化之前被切斷。
[0042](封裝樹脂體)
[0043]通過所謂的傳遞模塑法，將封裝樹脂體14設(shè)置為覆蓋圖1中所示的芯片座、IGBT2UHVIC51等的內(nèi)部構(gòu)造。該封裝樹脂體14覆蓋上述列舉的多個引腳的內(nèi)側(cè)端部、逆變器電路元件、轉(zhuǎn)換器電路元件、測功器電路元件以及集成電路，并且不覆蓋上述列舉的多個引腳的外側(cè)端部。該封裝樹脂體為熱固化樹脂。
[0044]【實施方式I的電路】
[0045]圖2是本發(fā)明的實施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置10的電路圖。對于與圖1相同的電路要素，標(biāo)注相同的標(biāo)號。
[0046]半導(dǎo)體裝置10具有輸入端子INl、IN2、IN3。輸入端子INl、IN2、IN3與轉(zhuǎn)換器電路部CV連接。
[0047]在轉(zhuǎn)換器電路部CV中，半導(dǎo)體裝置10具有下面的電路。首先，輸入端子INl與二極管41的陽極和二極管44的陰極的連接點連接。輸入端子IN2與二極管42的陽極和二極管45的陰極的連接點連接。輸入端子IN3與二極管43的陽極和二極管46的陰極的連接點連接。
[0048]二極管44、45、46的陽極彼此電連接，與接地端子GNDl連接。二極管41、42、43的陰極彼此電連接，與圖2中的端子A連接。
[0049]在測功器電路部BRK中，二極管61的陰極與圖2的端子B連接。二極管61的陽極與IGBT62的集電極連接。IGBT62的發(fā)射極與接地端子GND2連接。
[0050]在逆變器電路部INV中，半導(dǎo)體裝置10具有3個橋臂電路。第I橋臂電路是由IGBT21和IGBT24串聯(lián)構(gòu)成的橋臂。IGBT21的集電極與端子B連接，該端子B與二極管61的陰極電連通。IGBT21的發(fā)射極與IGBT24的集電極連接。在IGBT21的發(fā)射極和IGBT24的集電極的連接點連接有輸出端子OUTl。
[0051]第2橋臂電路是由IGBT22和IGBT25串聯(lián)構(gòu)成的橋臂。IGBT22的集電極也與端子B連接。IGBT22的發(fā)射極與IGBT25的集電極連接。在IGBT22的發(fā)射極和IGBT25的集電極的連接點連接有輸出端子0UT2。
[0052]第3橋臂電路是由IGBT23和IGBT26串聯(lián)構(gòu)成的橋臂。IGBT23的集電極也與端子B連接。IGBT23的發(fā)射極與IGBT26的集電極連接。在IGBT23的發(fā)射極和IGBT26的集電極的連接點連接有輸出端子0UT3。
[0053]IGBT24、25、26各自的發(fā)射極與接地端子GND3、GND4、GND5連接。
[0054]HVIC51能夠向作為上橋臂的IGBT21、22、23各自的柵極G發(fā)送控制信號。LVIC52能夠向作為下橋臂的IGBT24、25、26各自的柵極G發(fā)送控制信號。這些控制信號通常是進行占空比控制的PWM信號。
[0055]LVIC53能夠向測功器電路部BRK的IGBT62的柵極G發(fā)送控制信號。
[0056]如以上說明，根據(jù)本實施方式，將多個電路元件和集成電路安裝并樹脂封裝在引腳框架上，沒有使用絕緣基板，所以提供一種裝配工序簡單化，并且廉價的封裝體。
[0057]此外，由于沒有使用控制基板，所以也易于實現(xiàn)模塊整體的小型化。此外，由于控制基板自身通常成本較高，所以能夠通過不使用控制基板而降低成本。此外，控制基板中，印刷電路基板(PCB基板)等尤其存在耐濕性較差的缺點。相對于此，與在絕緣材料上形成配線圖案等而制造的控制基板相比，金屬制的引腳框架通常耐濕性較高。
[0058]另外，在本實施方式中使用了 IGBT，但也可以使用M0SFET。
[0059]實施方式2
[0060]圖3是表示本發(fā)明的實施方式2涉及的半導(dǎo)體裝置210的俯視圖。但是，在圖3的俯視圖中，將轉(zhuǎn)換器電路部CV、測功器電路部BRK、逆變器電路部INV、以及控制集成電路部ICU簡略地表示為電路塊。
[0061]轉(zhuǎn)換器電路部CV、測功器電路部BRK、逆變器電路部INV、以及控制集成電路部ICU的內(nèi)部與圖1中所示的實施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置10為相同構(gòu)造。此外，半導(dǎo)體裝置210的芯片座、引腳在圖3中也省略圖示。俯視半導(dǎo)體裝置210的芯片座、引腳時的構(gòu)造與實施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置10相同。
[0062]半導(dǎo)體裝置210具有利用傳遞模塑法形成的封裝樹脂體214。封裝樹脂體214具有彼此相反朝向的側(cè)面214c、214d。以封裝樹脂體214的中央為界，在側(cè)面214c側(cè)設(shè)置有控制集成電路部ICU，在側(cè)面214d側(cè)，轉(zhuǎn)換器電路部CV、測功器電路部BRK、逆變器電路部INV排列為一列并偏向一邊配置。如上述地，能夠?qū)⒖刂萍呻娐凡縄⑶和設(shè)有IGBT等功率半導(dǎo)體元件的電路部(功率部)分開。
[0063]半導(dǎo)體裝置210具有絕緣片240。絕緣片240具有遍及整個轉(zhuǎn)換器電路部CV、測功器電路部BRK、逆變器電路部INV的程度的面積。此外，絕緣片240沒有到達控制集成電路部I⑶。絕緣片240為環(huán)氧樹脂制。
[0064]絕緣片240與屬于轉(zhuǎn)換器電路部CV的芯片座102、104a、105a、106a的背面接觸。絕緣片240與屬于測功器電路部BRK的芯片座108a、109a的背面接觸。絕緣片240與屬于逆變器電路部INV的芯片座110a、11 la、112a的背面以及后述的芯片座209a的背面接觸。
[0065]圖4(a)是表示本發(fā)明的實施方式2涉及的半導(dǎo)體裝置210的剖視圖，表示沿圖3的K-K線的截面。在圖4(a)中所示的XYZ軸中，將Z軸設(shè)為半導(dǎo)體裝置210的厚度方向，將X軸和Y軸設(shè)為半導(dǎo)體裝置210的平面方向。
[0066]半導(dǎo)體裝置210具有引腳116和HVIC51這點與實施方式I相同。但是，在半導(dǎo)體裝置210具有引腳209、絕緣片240、以及散熱用銅箔234這一點上，實施方式I涉及的半導(dǎo)體裝置10和半導(dǎo)體裝置210不同。
[0067]半導(dǎo)體裝置210被封裝在封裝樹脂體214中。封裝樹脂體214具有上表面214a、底面214b、以及側(cè)面214c、214d，其外形為平面體。
[0068]引腳209具有:芯片座209a ;從該芯片座209a開始向厚度方向彎曲的彎曲部209b ;以及與彎曲部209b連接的外引腳部209c。在芯片座209a上芯片接合有IGBT21和續(xù)流二極管31，進一步在IGBT21和續(xù)流二極管31之間也進行導(dǎo)線接合。通過彎曲部209b，使芯片座209a在厚度方向具有高度差。
[0069]芯片座209a和芯片座116a在厚度方向彼此錯開。所謂“厚度方向”是指芯片座209a和芯片座116a的厚度方向，是圖4(a)的Z軸方向。
[0070]如果以封裝樹脂體214的底面214b作為基準(zhǔn)，則芯片座209a的表面具有高度hl，芯片座116a的表面具有高度h2，hi < h2。
[0071]在芯片座209a的表面和芯片座116a的表面之間產(chǎn)生了高度差S。圖4(b)是為了說明高度差S而表示的放大剖視圖。高度差S的高度為h3。
[0072]從IGBT21的表面至芯片座116a的背面為止的高度為h4。該高度h4優(yōu)選大到成為能夠用芯片座116a可靠地屏蔽由IGBT21的開關(guān)引起的噪聲的程度。
[0073]芯片座209a的背面與絕緣片240和散熱用銅箔234的層疊構(gòu)造的上面接觸。絕緣片240為具有高散熱性以及絕緣性的環(huán)氧樹脂制。散熱用銅箔234是使底面214b側(cè)的單面露出的薄銅箔。芯片座209a比芯片座116a接近底面214b。因此，芯片座209a上的IGBT21和續(xù)流二極管31等也接近底面214b而配置。
[0074]此處，說明本實施方式的效果。以下方便起見，將IGBT21?26、62、二極管41?46、61、續(xù)流二極管31?36統(tǒng)稱為“IGBT21等”。
[0075]如果在IGBT21等附近配置HVIC51、LVIC52、53，則由于伴隨著IGBT21等的動作(具體而言，IGBT的開關(guān)動作)而產(chǎn)生的噪聲，HVIC51、LVIC52、53有可能會產(chǎn)生誤動作。
[0076]為了不受噪聲的影響，需要將IGBT21等與HVIC51、LVIC52、53充分間隔開地設(shè)置。如果在平面方向設(shè)置該間隔，則會使功率模塊大型化。
[0077]在這方面，在實施方式2涉及的半導(dǎo)體裝置210中，在HVIC51、LVIC52、53與IGBT21等之間設(shè)有高度差S。通過具有該高度差S，從而搭載有HVIC51、LVIC52、53的金屬制的引腳框架(芯片座)實現(xiàn)屏蔽的作用。因此，能夠使HVIC51、LVIC52、53不易受到由IGBT21等的動作而產(chǎn)生的噪聲的影響。
[0078]由于有通過高度差S而產(chǎn)生的屏蔽作用，所以能夠使HVIC51、LVIC52、53與IGBT21等之間的平面方向距離(圖4(b)的距離D)變近。因此，能夠使模塊的平面方向尺寸小型化。
[0079]此外，由于將IGBT21等集中在側(cè)面214d側(cè)并排列為I列，所以在側(cè)面214d側(cè)只要設(shè)置長方形的絕緣片240即可。通過這樣，與隨意排列IGBT21等的情況相比，能夠抑制絕緣片240的必需面積，也能夠?qū)崿F(xiàn)成本下降。
[0080]此外，由于能夠減薄芯片座209a與絕緣片240和散熱用銅箔234的層疊構(gòu)造的合計厚度，所以能夠?qū)GBT21等產(chǎn)生的熱量以較短的路徑向底面214b側(cè)傳遞，能夠確保較優(yōu)的散熱性。
[0081]另外，在實施方式2中，在圖4(a)中，在芯片座209a和芯片座116a之間設(shè)置高度差S。但是，本發(fā)明不限于此。
[0082]也可以進行如下設(shè)置，即，使實施方式I中的、屬于轉(zhuǎn)換器電路部CV的芯片座102、104a、105a、106a、屬于測功器電路部BRK的芯片座108a、109a、以及屬于逆變器電路部INV的芯片座110a、111a、112a的一部分或者全部與芯片座209a同樣地設(shè)置彎曲部209b。由此，也可以在各個芯片座116a、116b、117a和屬于轉(zhuǎn)換器電路部CV、測功器電路部BRK、以及逆變器電路部INV的各芯片座之間設(shè)置高度差S。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有: 多個芯片座； 逆變器電路元件、轉(zhuǎn)換器電路元件、測功器電路元件、以及集成電路，它們安裝在所述多個芯片座上； 多個引腳，它們通過導(dǎo)線分別與所述逆變器電路元件、所述轉(zhuǎn)換器電路元件、所述測功器電路元件以及所述集成電路連接；以及 封裝樹脂體，其覆蓋所述多個引腳的一部分、所述逆變器電路元件、所述轉(zhuǎn)換器電路元件、所述測功器電路元件、以及所述集成電路，并且不覆蓋所述多個引腳的其余部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述多個芯片座包括: 集成電路芯片座，其在表面安裝有所述集成電路；以及 元件芯片座，其與所述集成電路芯片座平行地設(shè)置在所述集成電路芯片座的旁邊，在表面安裝有所述轉(zhuǎn)換器電路元件、所述測功器電路元件、以及所述逆變器電路元件中的某一個， 所述元件芯片座和所述集成電路芯片座在厚度方向彼此錯開。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述多個芯片座包括: 第1芯片座，其在表面安裝有所述逆變器電路元件； 第2芯片座，其在表面安裝有所述轉(zhuǎn)換器電路元件；以及 第3芯片座，其在表面安裝有所述測功器電路元件， 所述第1、2、3芯片座在所述封裝樹脂體的一個側(cè)面?zhèn)扰帕袨橐涣校? 該半導(dǎo)體裝置還具有與所述第1芯片座的背面、所述第2芯片座的背面、以及所述第3芯片座的背面接觸的絕緣片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述絕緣片具有表面和背面， 所述絕緣片的所述表面與所述第1、2、3芯片座的背面接觸， 該半導(dǎo)體裝置設(shè)置覆蓋所述絕緣片的所述背面的金屬箔， 所述封裝樹脂體使所述金屬箔露出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述多個芯片座及所述多個引腳是通過對同一材料的單板的引腳框架進行引腳切割而形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述逆變器電路元件具有多個橋臂電路，每一個橋臂電路由多個第1開關(guān)元件串聯(lián)連接構(gòu)成， 所述轉(zhuǎn)換器電路元件將多個串聯(lián)電路并聯(lián)連接，每一個串聯(lián)電路是將多個第1 二極管彼此串聯(lián)連接而形成的， 所述測功器電路元件包含第2 二極管和第2開關(guān)元件的串聯(lián)電路， 所述集成電路包含高耐壓集成電路和低耐壓集成電路， 所述逆變器電路元件、所述測功器電路元件、以及所述轉(zhuǎn)換器電路元件在所述封裝樹脂體的一個側(cè)面?zhèn)纫来闻帕袨橐涣校? 所述高耐壓集成電路和所述低耐壓集成電路在所述封裝樹脂體的另一個側(cè)面?zhèn)扰帕袨橐涣校龅湍蛪杭呻娐吩O(shè)置在所述另一個側(cè)面?zhèn)鹊闹醒?，并且，所述高耐壓集成電路設(shè)置在所述另一個側(cè)面?zhèn)戎械乃瞿孀兤麟娐吩囊粋?cè)， 所述高耐壓集成電路向所述第1開關(guān)元件供給控制信號， 所述低耐壓集成電路向所述第2開關(guān)元件供給控制信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 不具有用于安裝所述逆變器電路元件、所述轉(zhuǎn)換器電路元件、所述測功器電路元件以及所述集成電路的控制基板。
8.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有: 準(zhǔn)備單板并且為同一材料的金屬制的引腳框架的工序，其中，該引腳框架具有由外框部連接的多個引腳以及與所述引腳連接的多個芯片座； 在所述多個芯片座上分別安裝逆變器電路元件、轉(zhuǎn)換器電路元件、測功器電路元件、以及集成電路的工序； 將在所述多個芯片座上安裝的所述逆變器電路元件、所述轉(zhuǎn)換器電路元件、所述測功器電路元件、以及所述集成電路，利用導(dǎo)線分別與所述多個引腳連接的工序； 將封裝樹脂體設(shè)置為覆蓋所述多個引腳的一部分、所述逆變器電路元件、所述轉(zhuǎn)換器電路元件、所述測功器電路元件、以及所述集成電路，并且不覆蓋所述多個引腳的其余部分的工序；以及 通過對所述外框部進行切割，從而形成彼此分開的多個引腳的引腳切割工序。
【文檔編號】H01L25/18GK104465641SQ201410409348
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年8月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月25日
【發(fā)明者】張洪波, 川藤壽, 商明, 中川信也 申請人:三菱電機株式會社