Oled發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種OLED發(fā)光器件及其制備方法。該OLED發(fā)光器件包括：第一電極；形成于第一電極上的有機功能層；形成于所述有機功能層上的第二電極；形成于所述第二電極上的光程調(diào)整層，用于調(diào)整所述OLED發(fā)光器件的光學(xué)長度；以及，形成于所述光程調(diào)整層上的半反半透層，用于調(diào)整從所述光程調(diào)整層出射的光反射時產(chǎn)生的相位差。本發(fā)明可降低器件的調(diào)整難度，提高生產(chǎn)良率以及降低成本。而且，器件中電光轉(zhuǎn)換部分的厚度比現(xiàn)有技術(shù)中結(jié)構(gòu)的厚度小很多，這樣整個器件的驅(qū)動電壓會變得更小，進而在降低功耗的同時提高器件的電光轉(zhuǎn)換效率，增加器件的使用壽命。此外，通過本發(fā)明所提供的OLED發(fā)光器件對于色偏也有所改善。
【專利說明】OLED發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本公開涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種0LED發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 相比傳統(tǒng)技術(shù)中的液晶顯示面板，OLED (Organic Light Emitting Diode,有機 發(fā)光二極管）顯示裝置具有反應(yīng)速度更快、色純度和亮度更優(yōu)、對比度更高、視角更廣等特 點。因此，逐漸得到了顯示技術(shù)開發(fā)商日益廣泛的關(guān)注。在現(xiàn)有技術(shù)中，為了提高0LED顯示 裝置的色純度和光強，并且得到一個比較好的色坐標(biāo)值，通常會使用頂發(fā)射式結(jié)構(gòu)的0LED 發(fā)光器件，以方便通過調(diào)節(jié)其微腔結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)對發(fā)光效果的調(diào)節(jié)。
[0003] 如圖1中所述，為現(xiàn)有技術(shù)中一種常見的頂發(fā)射式0LED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意 圖；其主要包括依次設(shè)置的陽極基板110、有機功能層100、陰極層160以及光取出層 170(Capping Layer)。其中，有機功能層100又包括：依次形成在陽極基板110上的第一空 穴注入層121、第二空穴注入層122、第三空穴注入層123、空穴傳輸層130、有機發(fā)光層140 以及電子傳輸層150。從有機發(fā)光層140出射的光線在陽極基板110和陰極層160形成的 微腔結(jié)構(gòu)中發(fā)生光的相消干涉和相長干涉，最終只保持預(yù)定波長的光的強度而降低其它波 長的光的強度。
[0004] 其中，調(diào)節(jié)0LED發(fā)光器件的微腔結(jié)構(gòu)的主要是指通過調(diào)節(jié)第一空穴注入層121、 第二空穴注入層122、第三空穴注入層123、空穴傳輸層130、有機發(fā)光層140以及電子傳輸 層150中一層或是幾層的厚度，以實現(xiàn)微腔結(jié)構(gòu)腔長的調(diào)節(jié)，從而可以改變光程，得到滿足 要求的發(fā)光譜的光色參數(shù)。
[0005] 上述的0LED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)以及制備方法雖然成熟，但仍存在一些問題。例如， 陽極基板110、有機功能層100以及陰極層160既作為電光轉(zhuǎn)換部分，又作為光學(xué)調(diào)整部分， 這樣由于有機材料的載子遷移率非常低，如果有機功能層的總厚度發(fā)生變化，則0LED發(fā)光 器件的驅(qū)動電壓也會隨之發(fā)生變化，導(dǎo)致器件的電學(xué)性能發(fā)生變化，因此會增加器件性能 的調(diào)節(jié)難度；而且，如果調(diào)節(jié)有機功能層中某一層或某幾層的厚度，可能會導(dǎo)致0LED發(fā)光 器件中的空穴和電子載子數(shù)量變的不平衡，導(dǎo)致器件電光轉(zhuǎn)換效率下降。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本公開的目的在于上述的一個或者多個問題，提供一種0LED發(fā)光器件、0LED發(fā)光 器件制備方法以及0LED顯示裝置，用于至少在一定程度上克服上述的一個或者多個問題。
[0007] 本公開的其他特性和優(yōu)點將通過下面的詳細描述變得顯然，或部分地通過本公開 的實踐而習(xí)得。
[0008] 根據(jù)本公開的第一方面，一種0LED發(fā)光器件，包括：
[0009] 第一電極；
[0010] 形成于第一電極上的有機功能層；
[0011] 形成于所述有機功能層上的第二電極；
[0012] 形成于所述第二電極上的光程調(diào)整層，用于調(diào)整所述0LED發(fā)光器件的光學(xué)長度； 以及，
[0013] 形成于所述光程調(diào)整層上的半反半透層，用于調(diào)整從所述光程調(diào)整層出射的光反 射時產(chǎn)生的相位差。
[0014] 在本公開的一種示例實施方式中，所述光程調(diào)整層的材質(zhì)為基于芳胺的有機材 料。
[0015] 在本公開的一種不例實施方式中，所述有機功能層包括依次設(shè)置于所述第一電極 上的空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層以及電子傳輸層；所述光程調(diào)整層的材質(zhì)與所述 空穴傳輸層的材質(zhì)相同。
[0016] 在本公開的一種示例實施方式中，所述半反半透層的材質(zhì)為金屬銀。
[0017] 在本公開的一種示例實施方式中，所述半反半透層以及光程調(diào)整層的面積均小于 所述第二電極的面積。
[0018] 在本公開的一種示例實施方式中，還包括：
[0019] 形成于所述半反半透層之上的光取出層。
[0020] 根據(jù)本公開的第二方面，一種0LED發(fā)光器件制備方法，包括：
[0021] 于一基板上形成第一電極；
[0022] 于所述第一電極上形成有機功能層；
[0023] 于所述有機功能層上形成第二電極；
[0024] 于所述第二電極上形成光程調(diào)整層；所述光程調(diào)整層用于調(diào)整所述0LED發(fā)光器 件的光學(xué)長度；以及，
[0025] 于所述光程調(diào)整層上形成半反半透層，所述半反半透層用于調(diào)整從所述光程調(diào)整 層出射的光反射時產(chǎn)生的相位差。
[0026] 在本公開的一種示例實施方式中，形成所述光程調(diào)整層的材質(zhì)為基于芳胺的有機 材料。
[0027] 在本公開的一種示例實施方式中，于所述第一電極上形成有機功能層包括：
[0028] 于所述第一電極上依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層以及電子傳輸 層；形成所述光程調(diào)整層的材質(zhì)與所述空穴傳輸層的材質(zhì)相同。
[0029] 在本公開的一種示例實施方式中，形成所述半反半透層的材質(zhì)為金屬銀。
[0030] 在本公開的一種示例實施方式中，所述半反半透層以及光程調(diào)整層的面積均小于 所述第二電極的面積。
[0031] 在本公開的一種示例實施方式中，還包括：
[0032] 于所述半反半透層之上形成光取出層。
[0033] 根據(jù)本公開的第三方面，一種0LED顯示面板，包括上述的任意一種0LED發(fā)光器 件。
[0034] 在本公開所提供的0LED發(fā)光器件中，通過將電光轉(zhuǎn)換部分和光學(xué)調(diào)整部分獨立 起來，從而可以分別單獨地調(diào)節(jié)器件的電學(xué)性能和光學(xué)性能，使整個器件的電學(xué)性能和光 學(xué)性能分別達到最佳狀態(tài)。由于在調(diào)節(jié)器件的光學(xué)性能時并不會影響器件的電學(xué)性能，因 此可降低器件的調(diào)整難度，提高生產(chǎn)良率以及降低成本。而且，由于電光轉(zhuǎn)換部分和光學(xué)調(diào) 整部分分別相對獨立，因此器件中電光轉(zhuǎn)換部分的厚度比現(xiàn)有技術(shù)中結(jié)構(gòu)的厚度小很多， 這樣整個器件的驅(qū)動電壓會變得更小，進而在降低功耗的同時提高器件的電光轉(zhuǎn)換效率， 增加器件的使用壽命。此外，通過本公開所提供的OLED發(fā)光器件對于色偏也有所改善。
[0035] 為使能更進一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說 明與附圖，但是這里的詳細說明以及附圖僅是用來說明本發(fā)明，而非對本發(fā)明的權(quán)利要求 范圍作任何的限制。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0036] 通過參照附圖詳細描述其示例實施方式，本公開的上述和其它特征及優(yōu)點將變得 更加明顯。
[0037] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種0LED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038] 圖2是本公開不例實施方式中一種0LED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0039] 圖3是現(xiàn)有技術(shù)中0LED發(fā)光器件的模擬實驗結(jié)果曲線圖；
[0040] 圖4是本公開中0LED發(fā)光器件的模擬實驗結(jié)果曲線圖；
[0041] 圖5是本公開示例實施方式中一種0LED發(fā)光器件制備方法的流程示意圖。
[0042] 附圖標(biāo)記說明：
[0043] 【【背景技術(shù)】】
[0044] 110:陽極基板
[0045] 121 :第一空穴注入層
[0046] 122 :第二空穴注入層
[0047] 123 :第三空穴注入層
[0048] 130 :空穴傳輸層
[0049] 140 :有機發(fā)光層
[0050] 150:電子傳輸層
[0051] 160:陰極層
[0052] 170 :光取出層
[0053] 100 :有機功能層
[0054] 【【具體實施方式】】
[0055] 210:第一電極
[0056] 220 :空穴注入層
[0057] 230 :空穴傳輸層
[0058] 240 :有機發(fā)光層
[0059] 250 :電子傳輸層
[0060] 260:第二電極
[0061] 270:光取出層
[0062] 280 :光程調(diào)整層
[0063] 290 :半透半反層
[0064] 200 :有機功能層
[0065] S1-S6 :步驟

【具體實施方式】
[0066] 現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形 式實施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實施方式；相反，提供這些實施方式使得本公開將 全面和完整，并將示例實施方式的構(gòu)思全面地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中，為了清 晰，夸大了區(qū)域和層的厚度。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略它 們的詳細描述。
[0067] 此外，所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以任何合適的方式結(jié)合在一個或更多實施 例中。在下面的描述中，提供許多具體細節(jié)從而給出對本公開的實施例的充分理解。然而， 本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到，可以實踐本公開的技術(shù)方案而沒有所述特定細節(jié)中的一個或更 多，或者可以采用其它的方法、組元、材料等。在其它情況下，不詳細示出或描述公知結(jié)構(gòu)、 材料或者操作以避免模糊本公開的各方面。
[0068] 本不例實施方式中首先提供了一種0LED發(fā)光器件。如圖2中所不，該0LED發(fā)光 器件為頂發(fā)射式結(jié)構(gòu)，其包括第一電極210、形成于第一電極210上的有機功能層200、形成 于所述有機功能層200上的第二電極260、形成于第二電極260上的光程調(diào)整層280以及形 成于所述光程調(diào)整層280上的半反半透層290。當(dāng)然，其也可以為底發(fā)射式結(jié)構(gòu)、雙面發(fā)射 結(jié)構(gòu)等等；其中，第一電極210、有機功能層200以及第二電極260作為電光轉(zhuǎn)換部分，光程 調(diào)整層280和半反半透層290作為光學(xué)調(diào)整部分。舉例而言：
[0069] 所述第一電極210可以作為陰極，而對應(yīng)的所述第二電極260為陽極；或者，所述 第一電極210可以作為陽極，而對應(yīng)的所述第二電極260為陰極。本示例實施方式中，所述 第一電極210為全反射陽極，所述第二電極260為透明陰極。
[0070] 所述第一電極210可以由具有較大逸出功的材料制成，從而可以將空穴容易的注 入到有機功能層200中，其材料具體可以包括：金屬，例如銀、鋅、金等及其合金；金屬氧化 物，例如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)等；金屬與氧化物的復(fù)合物或者 導(dǎo)電聚合物等等。此外，在頂部發(fā)光型有機發(fā)光器件中，為了使透過頂部發(fā)出的光的輸出最 大化，可以在第一電極210的下部設(shè)置反光層，或者利用第一電極210本身作為反光層。
[0071] 所述第二電極260可以由具有較小逸出功的材料制成，從而可以將電子容易的注 入到有機功能層200中，其材料具體可以包括金屬，例如鎂、鈣、鈉、鉀、銀及其合金；或者復(fù) 合材料，例如LiF/Al或者Li0 2/Al等等。然而，在所述第二電極260由不透明材料（例如 金屬）制成的情況下，必須將所述第二電極260形成為具有較薄厚度且透明的膜層。
[0072] 所述有機功能層200可以具有多層結(jié)構(gòu)。例如，其可以包括空穴注入層220、空穴 傳輸層230、有機發(fā)光層240、電子傳輸層250等。所述空穴注入層220的材料優(yōu)選為在低 電壓下能夠理想地接受來自所述第一電極210的空穴的材料。所述空穴傳輸層230的材 料優(yōu)選為具有高空穴遷移率的合適材料，以能夠從空穴注入層220傳輸空穴至有機發(fā)光層 240。所述空穴傳輸層230的材料具體可以包括但并不限于：基于芳胺的有機材料、導(dǎo)電聚 合物和同時具有共軛部分和非共軛部分的嵌段共聚物等等。所述有機發(fā)光層240的材料優(yōu) 選為能夠通過接受和復(fù)合來自空穴傳輸層230的空穴和來自電子傳輸層250的電子發(fā)出可 見光的材料。所述電子傳輸層250的材料優(yōu)選為具有高電子遷移率的合適材料，其能夠從 第二電極260傳輸電子至有機發(fā)光層240。
[0073] 所述光程調(diào)整層280用于調(diào)整所述0LED發(fā)光器件的光學(xué)長度，所述半反半透層 290用于調(diào)整從所述光程調(diào)整層280出射的光反射時產(chǎn)生的相位差。從有機發(fā)光層240出 射的光線在所述第一電極210和半反半透層290之間被反射，即第一電極210和半反半透 層290形成微腔結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生微腔效應(yīng)，導(dǎo)致發(fā)生光的相消干涉和相長干涉，最終只保持預(yù) 定波長的光的強度而降低其它波長的光的強度。在進行OLED發(fā)光器件微腔結(jié)構(gòu)調(diào)整時，一 方面，可以通過調(diào)節(jié)半反半透層290的厚度，控制光在半反半透層290中的反射率和透過 率，從而調(diào)節(jié)光在半反半透層290中反射時產(chǎn)生的相位差；另一方面，可以通過調(diào)節(jié)光程調(diào) 整層280的厚度，從而很容易地調(diào)節(jié)整個OLED發(fā)光器件的光學(xué)長度。這樣，通過調(diào)節(jié)光在 半反半透層290中的反射相位差和調(diào)節(jié)光程調(diào)整層280的厚度就可以得到滿足需要的微腔 結(jié)構(gòu)。
[0074] 本示例實施方式中，所述光程調(diào)整層280的材料可以與所述空穴傳輸層230的材 料相同。所述光程調(diào)整層280的材料與所述空穴傳輸層230的材料相同一方面在實際生產(chǎn) 時不用再引入新的材料，可提高良率等；另一方面，空穴傳輸層230的材料的折射率也比較 合適。例如，其具體實例可以包括但并不限于：基于芳胺的有機材料、導(dǎo)電聚合物和同時具 有共軛部分和非共軛部分的嵌段共聚物等等。當(dāng)然，光程調(diào)整層280的材質(zhì)也可以為其他 有機物質(zhì)或者無機物質(zhì)，例如，其具體還可以包括氮化硅、氧氮化硅等等。本示例實施方式 中，所述半反半透層290的材料優(yōu)選為金屬銀，這是由于金屬銀的折射率η較?。╪〈l)，且吸 收系數(shù)k較大（k>l)，因此在經(jīng)過整個器件的微腔效應(yīng)作用后，可以得到更加純正的光譜。
[0075] 除此之外，本示例實施方式中的0LED發(fā)光器件還可以包括形成于所述半反半透 層290之上的光取出層270。光取出層270用于取出限制在所述微腔結(jié)構(gòu)內(nèi)傳播的光束，增 加從所述半反半透層290出射的光，從而進一步提升0LED發(fā)光器件的電光轉(zhuǎn)換效率。所述 光取出層270可以包括一微透鏡陣列薄膜以及至少一光學(xué)薄膜等等。
[0076] 本示例實施方式中，通過將0LED發(fā)光器件的電光轉(zhuǎn)換部分和光學(xué)調(diào)整部分獨立 起來，至少可以實現(xiàn)以下優(yōu)點：
[0077] 第一，可以分別單獨地調(diào)節(jié)器件的電學(xué)性能和光學(xué)性能，使整個器件的電學(xué)性能 和光學(xué)性能分別達到最佳狀態(tài)。具體調(diào)節(jié)方法可以為：首先調(diào)整器件的電光轉(zhuǎn)換部分，使其 電光轉(zhuǎn)換效率達到最佳值，然后再調(diào)整器件的光學(xué)調(diào)整部分，使器件出射的光色達到最佳 值。整個過程中，在調(diào)節(jié)器件的光學(xué)性能時并不會影響器件的電學(xué)性能，因此可降低器件的 調(diào)整難度，提高生產(chǎn)良率以及降低成本。
[0078] 第二，由于電光轉(zhuǎn)換部分和光學(xué)調(diào)整部分分別相對獨立，因此器件中電光轉(zhuǎn)換部 分的厚度比現(xiàn)有技術(shù)中結(jié)構(gòu)的厚度小很多（例如，圖1中額外設(shè)置多個空穴注入層122U23 的目的之一即為了調(diào)整器件的發(fā)光效果，而本公開中則可以省去對應(yīng)膜層），這樣整個器件 的驅(qū)動電壓會變得更小，進而在降低功耗的同時提高器件的電光轉(zhuǎn)換效率，增加器件的使 用壽命。
[0079] 第三，對比圖3和圖4中的實驗?zāi)M結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，在色飽和度一致的情況下，本 示例實施方式中0LED發(fā)光器件除了光效比原有的結(jié)構(gòu)有明顯地提高之外，并且對于色偏 也有所改善。
[0080] 進一步的,本示例實施方式中還提供了一種制備上述0LED發(fā)光器件的方法。如圖 5中所示，該0LED發(fā)光器件制備方法主要包括 ：
[0081] S1.于一基板上形成第一電極210 ;該基板可以為形成有開關(guān)薄膜晶體管以及驅(qū) 動薄膜晶體管等像素驅(qū)動電路的陣列基板。該步驟可以具體包括：
[0082] 通過真空蒸鍍或者磁控濺射成膜再加上蝕刻等方法中的一種或多種在所述基板 上形成一層圖案化的第一電極210。本不例實施方式中以所述第一電極210為全反射陽極， 所述第二電極260為透明陰極為例，形成所述第一電極210的材料優(yōu)選具有較大逸出功的 材料，從而可以將空穴容易的注入到有機功能層200中，其材料具體可以包括：金屬（例如 銀），金屬氧化物（例如ΙΤ0)，金屬與氧化物的復(fù)合物或者導(dǎo)電聚合物等等。此外，為了使 透過頂部發(fā)出的光的輸出最大化，可以在第一電極210的下部形成反光層，或者利用第一 電極210本身作為反光層。
[0083] S2.于所述第一電極210上形成有機功能層200。該步驟可以具體包括：
[0084] 通過真空蒸鍍、旋涂、噴墨或者狹縫涂布等方法中的一種或多種在所述第一電極 210上依次形成圖案化的空穴注入層220、空穴傳輸層230、有機發(fā)光層240以及電子傳輸 層250 ;形成所述光程調(diào)整層280的材質(zhì)與所述空穴傳輸層230的材質(zhì)相同。所述空穴注 入層220的材料優(yōu)選為在低電壓下能夠理想地接受來自所述第一電極210的空穴的材料。 所述空穴傳輸層230的材料優(yōu)選為具有高空穴遷移率的合適材料。所述空穴傳輸層230的 材料具體可以包括但并不限于：基于芳胺的有機材料、導(dǎo)電聚合物和同時具有共軛部分和 非共軛部分的嵌段共聚物等等。所述有機發(fā)光層240的材料優(yōu)選為能夠通過接受和復(fù)合來 自空穴傳輸層230的空穴和來自電子傳輸層250的電子發(fā)出可見光的材料。所述電子傳輸 層250的材料優(yōu)選為具有高電子遷移率的合適材料。
[0085] S3.于所述有機功能層200上形成第二電極260 ;
[0086] 通過真空蒸鍍或者磁控濺射等方法中的一種或多種在所述有機功能層200上形 成一層圖案化的第二電極260。本不例實施方式中形成所述第二電極260的材料優(yōu)選為具 有較小逸出功的材料，從而可以將電子容易的注入到有機功能層200中，其材料具體可以 包括金屬（例如鎂、銀及其合金）以及復(fù)合材料等等。然而，在所述第二電極260由不透明 材料（例如金屬）制成的情況下，必須將所述第二電極260形成為具有較薄厚度且透明的 膜層。
[0087] S4.于所述第二電極260上形成光程調(diào)整層280 ;該步驟可以具體包括：
[0088] 通過真空蒸鍍、旋涂、噴墨或者狹縫涂布等方法中的一種或多種在所第二電極260 上形成圖案化的光程調(diào)整層280。本示例實施方式中，形成所述光程調(diào)整層280的材料可以 與形成所述空穴傳輸層230的材料相同。當(dāng)然，光程調(diào)整層280的材質(zhì)也可以為其他有機 物質(zhì)或者無機物質(zhì)。
[0089] S5.于所述光程調(diào)整層280上形成半反半透層290 ;該步驟可以具體包括：
[0090] 通過真空蒸鍍或者磁控濺射等方法中的一種或多種在所述光程調(diào)整層280上形 成一層半反半透層290。本示例實施方式中，形成所述半反半透層290的材料優(yōu)選為金屬 銀，這是由于金屬銀的折射率η較?。╪〈l)，且吸收系數(shù)k較大（k>l)，因此在經(jīng)過整個器件 的微腔效應(yīng)作用后，可以得到更加純正的光譜。
[0091] 需要注意的是，在形成所述光程調(diào)整層280以及半反半透層290的過程中，所使用 的掩模板（例如金屬遮罩或精密金屬遮罩）的開口小于在形成第二電極260的過程中所使 用的掩模板的開口，以使形成的光程調(diào)整層280以及半反半透層290的面積小于所述第二 電極260的面積，從而避免光程調(diào)整層280以及半反半透層290完全遮蓋第二電極260而 造成第二電極260無法引出與其他電路連接。當(dāng)然，也可以是形成第二電極260的過程中 所使用的掩模板的開口大于形成其他層所使用的掩模板的開口，從而方便第二電極260的 引出等等。
[0092] 本示例實施方式中的0LED制備方法還可以包括：
[0093] S6.于所述半反半透層290之上形成光取出層270。該步驟可以具體包括：
[0094] 通過真空蒸鍍、旋涂、噴墨、狹縫涂布或者光刻工藝等方法中的一種或多種在所半 反半透層290上形成光取出層270,從而進一步提升0LED發(fā)光器件的電光轉(zhuǎn)換效率。
[0095] 進一步的，本示例實施方式中還提供了一種0LED面板。該0LED包括上述示例實 施方式中所提供的0LED發(fā)光器件。由于包括上述的0LED發(fā)光器件，因此可以分別單獨地 調(diào)節(jié)器件的電學(xué)性能和光學(xué)性能，使整個器件的電學(xué)性能和光學(xué)性能分別達到最佳狀態(tài)， 降低器件的調(diào)整難度，提高生產(chǎn)良率以及降低成本。而且，獨立電光轉(zhuǎn)換部分和光學(xué)調(diào)整部 分分別相對獨立，使得器件中電光轉(zhuǎn)換部分的厚度比現(xiàn)有技術(shù)中結(jié)構(gòu)的厚度小很多，從而 減少了驅(qū)動電壓，進而在降低功耗的同時提高器件的電光轉(zhuǎn)換效率，增加器件的使用壽命。 此外，在該0LED面板中，對于色偏也有所改善。
[0096] 本公開已由上述相關(guān)實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本公開的范例。 必需指出的是，已揭露的實施例并未限制本公開的范圍。相反地，在不脫離本公開的精神和 范圍內(nèi)所作的變動與潤飾，均屬本公開的專利保護范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種OLED發(fā)光器件，其特征在于，包括： 第一電極； 形成于第一電極上的有機功能層； 形成于所述有機功能層上的第二電極； 形成于所述第二電極上的光程調(diào)整層，用于調(diào)整所述0LED發(fā)光器件的光學(xué)長度；以 及， 形成于所述光程調(diào)整層上的半反半透層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的0LED發(fā)光器件，其特征在于，所述光程調(diào)整層的材質(zhì)為基于 芳胺的有機材料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的0LED發(fā)光器件，其特征在于，所述半反半透層的材質(zhì)為金屬 銀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的0LED發(fā)光器件，其特征在于，所述半反半透層以及光程調(diào)整 層的面積均小于所述第二電極的面積。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的0LED發(fā)光器件，其特征在于，所述半反半透層以及光程調(diào)整 層的面積均小于所述第二電極的面積。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的0LED發(fā)光器件，其特征在于，還包括： 形成于所述半反半透層之上的光取出層。
7. -種0LED發(fā)光器件制備方法，其特征在于，包括： 于一基板上形成第一電極； 于所述第一電極上形成有機功能層； 于所述有機功能層上形成第二電極； 于所述第二電極上形成光程調(diào)整層；所述光程調(diào)整層用于調(diào)整所述0LED發(fā)光器件的 光學(xué)長度；以及， 于所述光程調(diào)整層上形成半反半透層，所述半反半透層用于調(diào)整從所述光程調(diào)整層出 射的光反射時產(chǎn)生的相位差。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的0LED發(fā)光器件制備方法，其特征在于，形成所述光程調(diào)整層 的材質(zhì)為基于芳胺的有機材料。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的0LED發(fā)光器件制備方法，其特征在于，形成所述半反半透層 的材質(zhì)為金屬銀。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的0LED發(fā)光器件制備方法，其特征在于，所述半反半透層以及 光程調(diào)整層的面積均小于所述第二電極的面積。
【文檔編號】H01L51/52GK104157793SQ201410409398
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年8月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月19日
【發(fā)明者】何志江, 黃初旺, 祝文秀, 張琨 申請人:上海和輝光電有限公司