一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法，降低液晶顯示器的串擾現(xiàn)象，提高液晶顯示器的畫面質(zhì)量。該陣列基板，包括：多個亞像素列；同層設(shè)置的多條金屬線，包括公共電極連接線和數(shù)據(jù)傳輸線；絕緣層，所述絕緣層上設(shè)置有過孔，用于連接公共電極連接線和公共電極；亞像素列中包括至少一個由相鄰的第一亞像素列和第二亞像素列形成的亞像素列組合；對應于每一個亞像素列組合，金屬線中與第一亞像素列和第二亞像素列一一對應設(shè)置的數(shù)據(jù)傳輸線位于第一亞像素列和第二亞像素列之間；對應于每一個亞像素列組合，金屬線中對應的公共電極連接線位于亞像素列組合和與亞像素列組合相鄰的亞像素列之間。本發(fā)明提高了液晶顯示器的畫面質(zhì)量。
【專利說明】一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制 作方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,簡稱TFT-IXD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。
[0003] TFT-LCD由于其低成本、高良率以及良好的顯示效果，使得其在中小尺寸領(lǐng)域，占 據(jù)著絕大部分的市場份額。盡管TFT-IXD的工藝已經(jīng)日漸成熟，但畫面品質(zhì)仍需要不斷 提高，以滿足消費者的需求。比如現(xiàn)有的寬視角技術(shù)包括邊緣場切換開關(guān)技術(shù)和（Fringe Field Switching，簡稱 FFS)和高級超維場開關(guān)技術(shù)（Advanced-Super Dimensional Switching，簡稱 AD-SDS)。
[0004] AD-SDS通過同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極層與公共 電極層間產(chǎn)生的縱向電場形成多維空間復合電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方以 及液晶盒上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效 率并增大了透光效率，可以提高TFT-LCD畫面品質(zhì)，具有寬視角、高開口率、低響應時間等 優(yōu)點。
[0005] 高開口率邊緣場切換開關(guān)技術(shù)（High aperture ratio Fringe Field Switching， 簡稱HFFS)和高開口率高級超維場開關(guān)技術(shù)（High Aperture Ratio AD-SDS,簡稱 HAD-SDS)，主要應用于中小尺寸的TFT-IXD。HFFS或HAD-SDS型陣列基板的典型結(jié)構(gòu)是包 括襯底基板，襯底基板上形成有橫縱交叉圍設(shè)形成多個像素單元的數(shù)據(jù)線和柵線，每個像 素單元中包括開關(guān)元件、像素電極和具有狹縫的公共電極。
[0006] 上述的像素電極和公共電極同基板分層設(shè)置的各種類型的陣列基板中，公共電極 通常都采用ΙΤ0(氧化銦錫）制作而成。而ΙΤ0的電阻率較大，因此由ΙΤ0形成的公共電極 的電阻很大，由此帶來的信號延遲會在一定程度上影響顯示器的畫面品質(zhì)。
[0007] 為了改善公共電極電阻較大帶來的畫面品質(zhì)降低的問題，現(xiàn)有技術(shù)中通過增加公 共電極材料ΙΤ0的厚度來減小公共電極的電阻，這種方法隨著ΙΤ0厚度的增加，液晶面板的 透過率下降。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明實施例的目的在于提供一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制作方法， 降低液晶顯示器的串擾現(xiàn)象，提高液晶顯示器的畫面質(zhì)量。
[0009] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括：
[0010] 多個亞像素列，每個亞像素列中包括多個亞像素單元，每個亞像素單元包括像素 電極和公共電極；
[0011] 同層設(shè)置的多條金屬線，所述多條金屬線中包括公共電極連接線和用于傳輸數(shù)據(jù) 驅(qū)動信號的數(shù)據(jù)傳輸線；
[0012] 位于所述金屬線所在層與所述公共電極所在層之間的絕緣層，所述絕緣層上設(shè)置 有過孔，用于連接所述公共電極連接線和公共電極；
[0013] 所述多個亞像素列中，包括至少一個由相鄰的第一亞像素列和第二亞像素列形成 的亞像素列組合；
[0014] 對應于每一個亞像素列組合，所述金屬線中與所述第一亞像素列和第二亞像素列 一一對應設(shè)置的數(shù)據(jù)傳輸線位于所述第一亞像素列和第二亞像素列之間；
[0015] 對應于每一個亞像素列組合，所述金屬線中對應的公共電極連接線位于所述亞像 素列組合和與所述亞像素列組合相鄰的亞像素列之間。
[0016] 上述的陣列基板，其中，所述公共電極為具有狹縫且布設(shè)在像素區(qū)域中的整塊圖 案。
[0017] 上述的陣列基板，其中，每個亞像素單元還包括薄膜晶體管TFT，所述第一亞像素 列和第二亞像素列中位于同一行的兩個亞像素對應的TFT分為兩行設(shè)置。
[0018] 上述的陣列基板，其中，每個亞像素單元還包括薄膜晶體管TFT，所述第一亞像素 列和第二亞像素列中位于同一行的兩個亞像素對應的TFT同行設(shè)置。
[0019] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0020] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，包括：
[0021] 形成柵線和柵絕緣層；
[0022] 形成同層設(shè)置的多條金屬線的步驟，所述多條金屬線中包括至少一組金屬線組 合，所述金屬線組合中包括與相鄰的第一亞像素列和第二亞像素列一一對應設(shè)置，位于所 述第一亞像素列和第二亞像素列之間的用于傳輸數(shù)據(jù)驅(qū)動信號的數(shù)據(jù)傳輸線，以及至少一 根位于由第一亞像素列和第二亞像素列形成的亞像素列組合和與所述亞像素列組合相鄰 的亞像素列之間的公共電極連接線。
[0023] 本發(fā)明實施例具有如下的有益效果：
[0024] 和現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板相比，本發(fā)明實施例的陣列基板中，以兩個相鄰的亞像素 列為單位，將兩個相鄰的亞像素列組合在一起，并將兩個相鄰的亞像素列對應的兩條數(shù)據(jù) 線設(shè)置于相鄰的亞像素列之間。通過上述的設(shè)置，則亞像素列組合和與所述亞像素列組合 相鄰的亞像素列之間不再需要再設(shè)置數(shù)據(jù)線，因此，可以利用該空出來的位置設(shè)置金屬線， 并將該金屬線通過過孔連接到公共電極。
[0025] 上述的連接相當于在公共電極上并聯(lián)了上述的金屬線，因此能夠減小了公共電極 的電阻，從而減小公共電極的RC信號延遲，提高公共電壓（Vcom)信號的負荷能力，因此，本 發(fā)明實施例可以減弱串擾現(xiàn)象，提高液晶顯示器的畫面質(zhì)量。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026] 圖1表示本發(fā)明實施例的陣列基板的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖2表示本發(fā)明實施例的陣列基板中的亞像素列組合的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖3a和圖3b表不本發(fā)明實施例的陣列基板的其他結(jié)構(gòu)不意圖；
[0029] 圖4表示本發(fā)明實施例的陣列基板中TFT的一種設(shè)置方式對應的基板結(jié)構(gòu)示意 圖；
[0030] 圖5表示本發(fā)明實施例的陣列基板中TFT的另一種設(shè)置對應的基板結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0031] 本發(fā)明實施例的一種陣列基板，結(jié)合圖1和圖2所示，包括：
[0032] 多個亞像素列10,每個亞像素列10中包括多個亞像素單元101，每個亞像素單元 101包括像素電極1011和公共電極（圖中未示出）；
[0033] 同層設(shè)置的多條金屬線20,所述多條金屬線中包括公共電極連接線201和用于傳 輸數(shù)據(jù)驅(qū)動信號的數(shù)據(jù)傳輸線202 ;
[0034] 位于所述金屬線20所在層與所述公共電極所在層之間的絕緣層，所述絕緣層上 設(shè)置有過孔，用于連接所述公共電極連接線201和公共電極；
[0035] 所述多個亞像素列中，存在至少一個由相鄰的第一亞像素列和第二亞像素列形成 的亞像素列組合30 ;
[0036] 對應于每一個亞像素列組合30,所述金屬線20中與所述第一亞像素列和第二亞 像素列一一對應設(shè)置的用于傳輸數(shù)據(jù)驅(qū)動信號的數(shù)據(jù)傳輸線202,所述數(shù)據(jù)傳輸線202位 于所述第一亞像素列和第二亞像素列之間；
[0037] 對應于每一個亞像素列組合30,所述金屬線中包括的公共電極連接線201位于所 述亞像素列組合和與所述亞像素列組合相鄰的亞像素列之間。
[0038] 結(jié)合圖1和圖2可以發(fā)現(xiàn)，和現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板相比，本發(fā)明實施例的陣列基板 中，以兩個相鄰的亞像素列10為單位，將兩個相鄰的亞像素列10組合在一起，并將兩個相 鄰的亞像素列10對應的兩條數(shù)據(jù)線202設(shè)置于相鄰的亞像素列10之間。通過上述的設(shè)置， 則亞像素列組合30和與所述亞像素列組合相鄰的亞像素列10之間不再需要設(shè)置數(shù)據(jù)線， 因此，可以利用該空出來的位置設(shè)置公共電極連接線201，并將該公共電極連接線201通過 過孔連接到公共電極。
[0039] 上述的連接相當于在公共電極上并聯(lián)了上述的公共電極連接線201，因此能夠減 小了公共電極的電阻，從而減小公共電極的RC信號延遲，提高公共電壓（Vcom)信號的負荷 能力，因此，本發(fā)明實施例可以減弱串擾現(xiàn)象，提高液晶顯示器的畫面質(zhì)量。
[0040] 在本發(fā)明的具體實施例中，上述的亞像素列組合的數(shù)量可以根據(jù)實際需要進行靈 活的設(shè)置，舉例如下。
[0041] 如圖1和圖2所示，在本發(fā)明的具體實施例中，可以針對每兩個相鄰亞像素列形成 一個亞像素列組合30,每個亞像素列組合30中設(shè)置一個和公共電極并聯(lián)的公共電極連接 線 201。
[0042] 當然，在本發(fā)明的具體實施例中，也可以部分亞像素列按照現(xiàn)有技術(shù)的方式設(shè)置， 而僅在需要設(shè)置和公共電極并聯(lián)的金屬線的位置利用本發(fā)明實施例的設(shè)計，這種方式如圖 3a所示。
[0043] 可以發(fā)現(xiàn)，在圖3a中，第3、4、5和6列的亞像素按照傳統(tǒng)方式進行設(shè)置，而第1列 和第2列的亞像素按照本發(fā)明實施例的方法進行設(shè)置，形成亞像素列組合30,其中設(shè)置有 一條和公共電極并聯(lián)的公共電極連接線201。
[0044] 當然，本發(fā)明的具體實施例中，還可以是以兩個亞像素列為單位進行分組設(shè)置，但 形成的亞像素列組合中只有部分亞像素列組合設(shè)置有和公共電極并聯(lián)的公共電極連接線 201，這種情形如圖3b所示。
[0045] 當然，以上的各種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖僅僅是舉例說明，但本發(fā)明具體實施例 并不限定陣列基板的其他結(jié)構(gòu)。
[0046] 本發(fā)明具體實施例的陣列基板可以是任何具有如下特征的陣列基板：
[0047] 1、像素電極和公共電極設(shè)置于同一塊基板；
[0048] 2、像素電極和公共電極分層設(shè)置，其間具有絕緣層隔離。
[0049] 也就是說，本發(fā)明實施例的陣列基板可以是FFS類型的陣列基板或者ADS類型的 陣列基板，也可以是HFFS類型的陣列基板或者HADS類型的陣列基板。
[0050] 在此，需要說明的是，本發(fā)明具體實施例的陣列基板中，像素電極可以是板狀電 極，而公共電極為狹縫狀電極，同時，也可以是像素電極為狹縫狀狀電極，而公共電極為板 電極。
[0051] 在本發(fā)明的具體實施例的多條金屬線中，作為數(shù)據(jù)線之外的公共電極連接線需要 和公共電極電連接，一種常見的連接方式是通過位于數(shù)據(jù)線和公共電極之間的絕緣層上的 過孔來實現(xiàn)連接。
[0052] 因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例中，需要在制作數(shù)據(jù)線和公共電極之間的絕 緣層時制作過孔結(jié)構(gòu)。但應當理解的是，因為通常陣列基板的顯示區(qū)域周邊本身就需要制 作過孔，因此只需要在原來的掩膜版中增加上述過孔的圖形即可實現(xiàn)，而不需要另外增加 額外的掩膜（Mask)制作過程。
[0053] 在圖1-圖3b所示的結(jié)構(gòu)中，每個亞像素單元都包括薄膜晶體管TFT1012,所述第 一亞像素列和第二亞像素列中位于同一行的兩個亞像素對應的TFT同行設(shè)置。
[0054] 上述的方式下，可以實現(xiàn)如圖4所示的單根柵線驅(qū)動一行亞像素的陣列基板。
[0055] 如圖4所示，每一行亞像素只需要使用一根柵線40即可實現(xiàn)驅(qū)動。
[0056] 而另一種方式下，也可以將所述第一亞像素列和第二亞像素列中位于同一行的兩 個亞像素對應的TFT分為兩行設(shè)置，此時，一行亞像素則需要兩根柵線進行驅(qū)動，對應的陣 列基板的結(jié)構(gòu)如圖5所示。
[0057] 但應當理解的是，上述圖5中對應的兩根柵線與柵極驅(qū)動器相連的端口是一樣 的，即本行的亞像素對應的TFT是同時打開的，如圖5所示，同一行亞像素對應的柵線傳輸 的是同一個信號，即 G(N)、G(N+l)、G(N+2)或 G(N+3)。
[0058] 為了提高陣列基板的開口率，在本發(fā)明具體實施例中，對上述的金屬線的制作采 用新工藝和細線化設(shè)計，實現(xiàn)相鄰的兩條數(shù)據(jù)線的間距為3um，線寬為2um，進而使得遮擋 數(shù)據(jù)線的黑矩陣的寬度變細，提高開口率。
[0059] 本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述任意的陣列基板。
[0060] 以下對本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法說明如下。
[0061] 本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法，包括：
[0062] 形成柵線和柵絕緣層；
[0063] 形成多條的金屬線的步驟，所述多條金屬線中包括至少一組金屬線組合，所述金 屬線組合中包括與相鄰的第一亞像素列和第二亞像素列一一對應設(shè)置，位于所述第一亞像 素列和第二亞像素列之間的用于傳輸數(shù)據(jù)驅(qū)動信號的數(shù)據(jù)傳輸線，以及至少一根位于由第 一亞像素列和第二亞像素列形成的亞像素列組合和與所述亞像素列組合相鄰的亞像素列 之間的公共電極連接線。
[0064] 以下以圖4為例對本發(fā)明實施例的陣列基板的詳細制作過程說明如下。
[0065] 首先在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成包括柵線和柵電極的圖案。
[0066] 在本步驟中，首先在襯底基板上沉積柵金屬薄膜（膜層厚度在200-400nm)，涂覆 光刻膠，采用單色調(diào)掩膜板對光刻膠進行曝光顯影，刻蝕所述柵金屬薄膜形成包括柵線和 柵電極3的圖案后，剝離剩余的光刻膠。
[0067] 在形成上述柵線和柵電極的圖案的襯底基板上形成柵極絕緣層（厚度在 300-500nm)，然后在形成有柵絕緣層的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、公共電 極線、源電極、漏電極和有源層的圖案；
[0068] 該步驟可以為一次光刻過程：在形成上述圖案的襯底基板上通過一次構(gòu)圖工藝形 成包括數(shù)據(jù)線、公共電極線、源電極、漏電極和有源層的圖案，詳細過程如下所述。
[0069] 在形成柵極絕緣層的襯底基板上形成有源層薄膜（厚度在140_300nm)和數(shù)據(jù)線 金屬薄膜，涂覆光刻膠，采用雙色調(diào)掩膜板對光刻膠進行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū) 域、半保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；
[0070] 首先，刻蝕完全去除區(qū)域?qū)乃鲇性磳颖∧ず蛿?shù)據(jù)線金屬薄膜，保留預定形 成多條金屬線、金屬公共電極線和TFT的區(qū)域的圖案；
[0071] 其中，上述的多條金屬線中包括至少一組金屬線組合，所述金屬線組合中包括與 相鄰的第一亞像素列和第二亞像素列一一對應設(shè)置，位于所述第一亞像素列和第二亞像素 列之間的用于傳輸數(shù)據(jù)驅(qū)動信號的數(shù)據(jù)傳輸線，以及至少一根位于由第一亞像素列和第二 亞像素列形成的亞像素列組合和與所述亞像素列組合相鄰的亞像素列之間的公共電極連 接線。
[0072] 然后再刻蝕半保留區(qū)域?qū)臄?shù)據(jù)線金屬薄膜和有源層，形成包括TFT溝道、源 電極和漏電極的圖案，最后剝離剩余的光刻膠。
[0073] 當然以上的過程也可以通過兩次光刻過程來實現(xiàn)，說明如下：
[0074] 在形成有柵絕緣層的襯底基板上形成有源層薄膜，涂覆光刻膠，采用單色調(diào)掩膜 板對光刻膠進行曝光顯影，刻蝕所述有源層薄膜形成包括有源層的圖案，然后剝離剩余的 光刻膠；
[0075] 在形成有源層的襯底基板上形成數(shù)據(jù)線金屬薄膜，涂覆光刻膠，采用單色調(diào)掩膜 板對光刻膠進行曝光顯影，刻蝕所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜，形成包括上述的金屬線、源電極和漏 電極的圖案，然后剝離剩余的光刻膠。
[0076] 在形成有金屬線、源電極和漏電極的圖案的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成包括像 素電極，其中所述像素電極與所述漏電極搭接連通，詳細過程如下所述：
[0077] 首先在形成有金屬線、源電極和漏電極的圖案的襯底基板上形成第一層透明導電 薄膜（厚度在30- 70nm)，涂覆光刻膠后，采用單色調(diào)掩膜板對光刻膠進行曝光顯影，刻蝕 所述第一層透明導電薄膜形成像素電極，所述像素電極與所述漏電極搭接連通，然后剝離 剩余的光刻膠。
[0078] 在形成像素電極的襯底基板上形成鈍化層（也可稱之為絕緣層，厚度在 300-600nm)，通過構(gòu)圖工藝形成包括接觸過孔的圖案，詳細過程如下所述：
[0079] 在形成像素電極的襯底基板上形成鈍化層后，涂覆光刻膠，采用單色調(diào)掩膜板對 光刻膠進行曝光顯影，刻蝕所述鈍化層，形成包括接觸過孔的圖案，然后剝離剩余的光刻 膠。
[0080] 最后，在形成鈍化層的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成包括公共電極的圖案，所述 公共電極通過所述過孔與所述多條數(shù)據(jù)線中的部分連通，詳細過程如下所述：
[0081] 在形成鈍化層的襯底基板上形成第二層透明導電薄膜，涂覆光刻膠，采用單色調(diào) 掩膜板對光刻膠進行曝光顯影，刻蝕所述第二層透明導電薄膜形成公共電極的圖案，所述 公共電極所述公共電極通過鈍化層上的所述過孔與所述多條數(shù)據(jù)線中的部分連通，然后剝 離剩余的光刻膠。
[0082] 應當理解的是，上述的過程僅僅是舉例說明，本發(fā)明實施例只要保證形成的基板 具有如圖1-5所示的任意一種金屬線結(jié)構(gòu)即可。而形成上述的金屬線結(jié)構(gòu)僅僅與掩膜版的 形狀有關(guān)，與制作過程無關(guān)，因此本發(fā)明具體實施例并不限定具體采用何種制作流程來制 作上述的基板。
[0083] 此外，現(xiàn)有技術(shù)為了降低顯示的串擾現(xiàn)象，采用的處理方法與本發(fā)明實施例的方 案對比如下。
[0084] 如現(xiàn)有技術(shù)中，增加公共電極材料ΙΤ0的厚度，減小公共電極的電阻，這種方法隨 著ΙΤ0厚度的增加，液晶面板的透過率下降。相比較而言，本發(fā)明實施例的方法并不改變已 有面板的層級結(jié)構(gòu)，因此不影響液晶面板的透過率。
[0085] 再如現(xiàn)有技術(shù)中，在鈍化層上涂覆一層低介電常數(shù)的樹脂（Resin)，以降低公共電 極與像素電極之間的電容，這種方法需要在原來的基礎(chǔ)上多一張光刻（Mask)，工藝制程復 雜，成本提高，并且由于樹脂層的作用，液晶的驅(qū)動電壓要隨之增加，液晶面板的能耗增加。 相比較而言，本發(fā)明實施例的方法并不改變已有面板的制作過程，只需要改變MASK的形狀 即可實現(xiàn)，因此成本不會發(fā)生變化，同時，各個層之間的相互關(guān)系也沒有發(fā)生變化，也不會 增加面板的能耗。
[0086] 以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也 應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板，其特征在于，包括： 多個亞像素列，每個亞像素列中包括多個亞像素單元，每個亞像素單元包括像素電極 和公共電極； 同層設(shè)置的多條金屬線，所述多條金屬線中包括公共電極連接線和用于傳輸數(shù)據(jù)驅(qū)動 信號的數(shù)據(jù)傳輸線； 位于所述金屬線所在層與所述公共電極所在層之間的絕緣層，所述絕緣層上設(shè)置有過 孔，用于連接所述公共電極連接線和公共電極； 所述多個亞像素列中，包括至少一個由相鄰的第一亞像素列和第二亞像素列形成的亞 像素列組合； 對應于每一個亞像素列組合，所述金屬線中與所述第一亞像素列和第二亞像素列一一 對應設(shè)置的數(shù)據(jù)傳輸線位于所述第一亞像素列和第二亞像素列之間； 對應于每一個亞像素列組合，所述金屬線中對應的公共電極連接線位于所述亞像素列 組合和與所述亞像素列組合相鄰的亞像素列之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極為具有狹縫且布設(shè)在 像素區(qū)域中的整塊圖案。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，每個亞像素單元還包括薄膜晶體管 TFT，所述第一亞像素列和第二亞像素列中位于同一行的兩個亞像素對應的TFT分為兩行 設(shè)置。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，每個亞像素單元還包括薄膜晶體管 TFT，所述第一亞像素列和第二亞像素列中位于同一行的兩個亞像素對應的TFT同行設(shè)置。
5. -種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-4中任意一項所述的陣列基板。
6. -種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括： 形成柵線和柵絕緣層； 形成同層設(shè)置的多條金屬線的步驟，所述多條金屬線中包括至少一組金屬線組合，所 述金屬線組合中包括與相鄰的第一亞像素列和第二亞像素列一一對應設(shè)置，位于所述第一 亞像素列和第二亞像素列之間的用于傳輸數(shù)據(jù)驅(qū)動信號的數(shù)據(jù)傳輸線，以及至少一根位于 由第一亞像素列和第二亞像素列形成的亞像素列組合和與所述亞像素列組合相鄰的亞像 素列之間的公共電極連接線。
【文檔編號】H01L21/77GK104122725SQ201410325878
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月9日
【發(fā)明者】許睿 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司