一種陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置，用以解決為了避免在對導電薄膜進行刻蝕處理時刻蝕液接觸到有源層，需要在有源層和導電薄膜之間設置刻蝕阻擋層，從而增大了陣列基板的厚度的問題。本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制作方法，包括：在表層為有源層的基板上沉積用于形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的導電薄膜；將導電薄膜的表面劃分為源極對應的第一區(qū)域，漏極對應的第二區(qū)域，數(shù)據(jù)線對應的第三區(qū)域，以及除第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域以外的第四區(qū)域；將第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜；以及，將第一區(qū)域的導電薄膜作為源極，將第二區(qū)域的導電薄膜作為漏極，將第三區(qū)域的導電薄膜作為數(shù)據(jù)線。
【專利說明】一種陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置。

【背景技術】
[0002] 顯示裝置中需要在陣列基板上設置TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管）來 驅(qū)動實現(xiàn)畫面顯示。目前，對于高解析度、大尺寸和高幀頻的顯示裝置，其包含的陣列基 板上設置的TFT -般為具有遷移率高和在大尺寸范圍內(nèi)具有較好均一性等優(yōu)點的氧化物 TFT，S卩，有源層的材料為氧化物的TFT。
[0003] 目前，包含氧化物TFT的陣列基板的制作方法，包括：步驟一、在基板上形成TFT的 有源層，其中，所述有源層的材料為氧化物；步驟二、在所述有源層上沉積用于形成數(shù)據(jù)線、 以及TFT的源極和漏極的導電薄膜；步驟三、采用刻蝕液，對所述導電薄膜進行刻蝕處理， 以形成所述數(shù)據(jù)線、以及TFT的源極和漏極。
[0004] 由于所述有源層和導電薄膜鄰層設置，因此，在對所述導電薄膜進行刻蝕處理時， 刻蝕液會接觸到材料為氧化物的所述有源層，而由于氧化物對刻蝕液敏感，因此，制作出的 TFT的性能比較差。目前，在所述有源層上沉積導電薄膜之前，一般會在所述有源層上形成 刻蝕阻擋層，這樣，所述刻蝕阻擋層和導電薄膜鄰層設置，在對所述導電薄膜進行刻蝕處理 時，刻蝕液只會接觸到所述刻蝕阻擋層，而不會接觸到所述有源層，從而可以保證制作出的 TFT具有較好的性能。
[0005] 綜上所述，目前，為了避免在對所述導電薄膜進行刻蝕處理時刻蝕液接觸到所述 有源層，需要在所述有源層和導電薄膜之間設置刻蝕阻擋層，從而增大了陣列基板的厚度， 進而增大了包含所述陣列基板的顯示裝置的體積。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術中 存在的為了避免在對所述導電薄膜進行刻蝕處理時刻蝕液接觸到所述有源層，需要在所述 有源層和導電薄膜之間設置刻蝕阻擋層，從而增大了陣列基板的厚度的問題。
[0007] 第一方面，本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，包括：
[0008] 在表層為有源層的基板上沉積用于形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的導電薄膜；
[0009] 將所述導電薄膜的表面劃分為所述源極對應的第一區(qū)域，所述漏極對應的第二區(qū) 域，所述數(shù)據(jù)線對應的第三區(qū)域，以及除所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域以外的第四區(qū) 域；將所述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜；以及，將所述第一區(qū)域的導電薄膜 作為所述源極，將所述第二區(qū)域的導電薄膜作為所述漏極，將所述第三區(qū)域的導電薄膜作 為所述數(shù)據(jù)線。
[0010] 較佳地，所述將第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜，包括：
[0011] 在所述導電薄膜上涂布光刻膠，并對所述光刻膠進行曝光和顯影處理，以保留所 述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的光刻膠，并去除所述第四區(qū)域的光刻膠；
[0012] 對所述第四區(qū)域的導電薄膜進行處理，使所述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電 的薄膜。
[0013] 較佳地，所述導電薄膜為金屬薄膜，所述對第四區(qū)域的導電薄膜進行處理，使所述 第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜，包括：
[0014] 在形成有所述光刻膠的基板表面上產(chǎn)生氧化氣體的等離子體，使所述氧化氣體的 等離子體與所述第四區(qū)域的導電薄膜發(fā)生化學反應，生成不導電的金屬化合物薄膜；其中， 所述氧化氣體包括氧氣、一氧化氮和一氧化二氮中的一種。
[0015] 較佳地，所述導電薄膜為鋁薄膜，所述氧化氣體還包括氮氣。
[0016] 較佳地，所述對第四區(qū)域的導電薄膜進行處理，使所述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化 為不導電的薄膜之后，還包括：
[0017] 去除所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的光刻膠。
[0018] 較佳地，在表層為有源層的基板上沉積所述導電薄膜，包括：
[0019] 采用濺射的方法，在表層為有源層的基板上沉積所述導電薄膜。
[0020] 較佳地，所述有源層的材料為氧化物。
[0021] 較佳地，所述有源層的材料包括氧化鋅、氧化銦鎵鋅、氧化銦錫鋅和氧化銦鋅鉿中 的一種。
[0022] 第二方面，本發(fā)明提供一種陣列基板，其中：所述陣列基板是采用本發(fā)明實施例提 供的所述的制作陣列基板的方法制作的。
[0023] 第三方面，本發(fā)明提供一種顯示裝置，其中：所述顯示裝置包括本發(fā)明實施例提供 的所述陣列基板。
[0024] 在本發(fā)明中，在表層為有源層的基板上沉積用于形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的導電 薄膜；將所述導電薄膜的表面劃分為所述源極對應的第一區(qū)域，所述漏極對應的第二區(qū)域， 所述數(shù)據(jù)線對應的第三區(qū)域，以及除所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域以外的第四區(qū)域； 將所述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜；以及，將所述第一區(qū)域的導電薄膜作為 所述源極，將所述第二區(qū)域的導電薄膜作為所述漏極，將所述第三區(qū)域的導電薄膜作為所 述數(shù)據(jù)線；
[0025] 與現(xiàn)有技術相比，在本發(fā)明中，通過將所述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的 薄膜，實現(xiàn)所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形化；即，不需要對所述導電薄膜進行濕法刻蝕處 理，即可實現(xiàn)所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形化，從而無需在所述有源層和導電薄膜之間設 置刻蝕阻擋層，進而減小了制作出的陣列基板的厚度，進一步地，減小了包含所述陣列基板 的顯示裝置的體積。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026] 圖1為本發(fā)明實施例制作陣列基板的方法流程示意圖；
[0027] 圖2A?圖2F為本發(fā)明實施例中的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0028] 為了清楚說明本發(fā)明實施例的方案，下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實施例作進一 步詳細描述。
[0029] 需要說明的是，本發(fā)明所提到的方向用語，如表示方向的"上"、"下"，僅是參考附 圖的方向以說明及理解本發(fā)明，而不用于限制本發(fā)明實施例；而且，附圖中各層膜層的厚度 和形狀不反映真實比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0030] 較佳地，如圖1所示，本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法，包括：
[0031] 步驟101、在表層為有源層的基板上沉積用于形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的導電薄 膜；
[0032] 步驟102、將所述導電薄膜的表面劃分為所述源極對應的第一區(qū)域，所述漏極對應 的第二區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線對應的第三區(qū)域，以及除所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域以外 的第四區(qū)域；將所述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜；以及，將所述第一區(qū)域的 導電薄膜作為所述源極，將所述第二區(qū)域的導電薄膜作為所述漏極，將所述第三區(qū)域的導 電薄膜作為所述數(shù)據(jù)線。
[0033] 實施中，與現(xiàn)有技術相比，在本發(fā)明實施例中，通過將所述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn) 化為不導電的薄膜，實現(xiàn)所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形化；即，不需要對所述導電薄膜進 行濕法刻蝕處理，即可實現(xiàn)所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形化，從而無需在所述有源層和導 電薄膜之間設置刻蝕阻擋層；
[0034] 因此，減小了制作出的陣列基板的厚度，進一步地，減小了包含所述陣列基板的顯 示裝置的體積；另外，由于節(jié)省了工藝步驟，可以提高陣列基板的生產(chǎn)效率、以及降低陣列 基板的制作成本。
[0035] 較佳地，在步驟101之前，還包括：
[0036] 在襯底基板上形成柵極和柵線；
[0037] 在柵極和柵線所在膜層上形成柵極絕緣層；
[0038] 在所述柵極絕緣層上形成有源層。
[0039] 具體實施中，本發(fā)明實施例的在襯底基板上形成柵極和柵線的實施方式與現(xiàn)有技 術中在襯底基板上形成柵極和柵線的實施方式類似。
[0040] 較佳地，在襯底基板上形成柵極和柵線，包括：
[0041] 采用濺射或者熱蒸發(fā)的方法，在襯底基板上沉積柵金屬層；
[0042] 通過對柵金屬層進行刻蝕，在襯底基板上形成柵極和柵線。
[0043] 具體實施中，本發(fā)明實施例的襯底基板的實施方式與現(xiàn)有技術中襯底基板的實施 方式類似，較佳地，襯底基板為透明玻璃基板或者石英。
[0044] 具體實施中，本發(fā)明實施例的柵金屬層的實施方式與現(xiàn)有技術中柵金屬層的實施 方式類似。
[0045] 較佳地，柵金屬層的厚度范圍為500入~ 4000A。
[0046] 較佳地，柵金屬層的材料包括Cr (鉻）、W (鎢）、Ti (鈦）、Ta (鉭）、Mo (鑰）、A1 (鋁）、 Nd(釹）和Cu(銅）的金屬或合金中的一種。
[0047] 較佳地，柵金屬層可以為一層或多層。
[0048] 具體實施中，本發(fā)明實施例的在柵極和柵線所在膜層上形成柵極絕緣層的實施方 式與現(xiàn)有技術中在柵極和柵線所在膜層上形成柵極絕緣層的實施方式類似。
[0049] 較佳地，在柵極和柵線所在膜層上形成柵極絕緣層，包括：
[0050]通過PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition，等離子體增強化學氣 相沉積）方法，在柵極和柵線所在膜層上形成柵極絕緣層。
[0051] 具體實施中，本發(fā)明實施例的柵絕緣層的實施方式與現(xiàn)有技術中柵極絕緣層的實 施方式類似。
[0052] 較佳地，柵極絕緣層的厚度范圍為2000A ~ 5000A。
[0053] 較佳地，柵極絕緣層對應的反應氣體可以為SiH4(硅烷）、NH3(氨氣）和N 2的混合 氣體，或者為SiH2Cl2 (二氯硅烷）、NH3和N2的混合氣體，柵極絕緣層的材料包括氧化物（比 如，二氧化硅）、氮化物（比如，硅的氮化物）和氧氮化合物中的一種。
[0054] 具體實施中，本發(fā)明實施例的在所述柵極絕緣層上形成有源層的實施方式與現(xiàn)有 技術中在所述柵極絕緣層上形成有源層的實施方式類似。
[0055] 較佳地，在所述柵極絕緣層上形成有源層，包括：
[0056] 采用濺射或者熱蒸發(fā)的方法，在所述柵極絕緣層上沉積有源薄膜；
[0057] 通過對所述有源薄膜進行刻蝕，形成所述有源層。
[0058] 具體實施中，本發(fā)明實施例的有源薄膜的實施方式與現(xiàn)有技術中用于形成有源層 的有源薄膜的實施方式類似。
[0059] 較佳地，有源薄膜的材料包括半導體材料和氧化物中的一種。
[0060] 較佳地，所述半導體材料包括非晶硅、多晶硅和單晶硅中的一種。
[0061] 較佳地，所述氧化物為金屬氧化物，比如，Ζη0(氧化鋅），IGZ0(氧化銦鎵鋅）， ΙΤΖ0 (氧化銦錫鋅），或者ΗΙΖ0 (氧化銦鋅鉿）。
[0062] 較佳地，有源薄膜可以為一層或多層。
[0063] 具體實施中，本發(fā)明實施例的在表層為有源層的基板上沉積導電薄膜的實施方式 與現(xiàn)有技術中在有源層上沉積導電薄膜的實施方式類似。
[0064] 較佳地，在步驟101中，在表層為有源層的基板上沉積用于形成源極、漏極和數(shù)據(jù) 線的導電薄膜，包括：
[0065] 采用濺射的方法，在表層為有源層的基板上沉積所述導電薄膜。
[0066] 較佳地，所述導電薄膜可以為現(xiàn)有技術中任一種能夠?qū)щ姷谋∧ぁ?br> [0067] 較佳地，所述導電薄膜的材料包括0、1、11、1&、制、1〇、41和(：11的金屬或合金中 的一種。
[0068] 較佳地，所述導電薄膜的材料還包括非金屬材料，比如，石墨烯。
[0069] 較佳地，所述導電薄膜可以是單層，也可以是多層。
[0070] 需要說明的是，任一種能夠?qū)崿F(xiàn)將所述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜 的實施方式均適用于本發(fā)明實施例。
[0071] 較佳地，在步驟102中，需要對所述第四區(qū)域的導電薄膜進行處理，以使其轉(zhuǎn)化為 不導電的薄膜；另外，為了實現(xiàn)僅對所述第四區(qū)域的導電薄膜進行處理，可以在遮擋住所述 第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的導電薄膜，并露出所述第四區(qū)域的導電薄膜后，對所述第 四區(qū)域的導電薄膜進行處理。
[0072] 需要說明的是，任一種能夠?qū)崿F(xiàn)遮擋住所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的導 電薄膜，并露出所述第四區(qū)域的導電薄膜的實施方式均適用于本發(fā)明實施例；比如，將制作 所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的掩膜版放置在所述導電薄膜上，其中，所述掩膜版的透光區(qū)域與 所述第四區(qū)域?qū)换蛘?，在所述導電薄膜上制作位于所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域 的遮擋部件，其中，所述遮擋部件可以為任一種起到遮擋作用的部件，比如，光刻膠。
[0073] 較佳地，在步驟102中，將第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜，包括：
[0074] 在所述導電薄膜上涂布光刻膠，并對所述光刻膠進行曝光和顯影處理，以保留所 述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的光刻膠，并去除所述第四區(qū)域的光刻膠；
[0075] 對所述第四區(qū)域的導電薄膜進行處理，使所述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電 的薄膜。
[0076] 實施中，通過對所述光刻膠進行曝光和顯影處理后，即可實現(xiàn)遮擋住所述第一區(qū) 域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的導電薄膜，并露出所述第四區(qū)域的導電薄膜；與其他遮擋部件相 t匕，不需要進行刻蝕處理，從而降低了將第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜的復雜 度。
[0077] 實施中，在所述導電薄膜上制作的位于所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的光 刻膠與所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的導電薄膜緊密接觸，能夠在對所述第四區(qū)域 的導電薄膜進行處理時，最大程度地避免影響所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的導電 薄膜。
[0078] 較佳地，對所述光刻膠進行曝光和顯影處理，以保留所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第 三區(qū)域的光刻膠，并去除所述第四區(qū)域的光刻膠，包括：
[0079] 采用掩膜版，對所述光刻膠進行曝光處理；其中，在所述光刻膠為正性光刻膠時， 所述掩膜版的透光區(qū)域與所述第四區(qū)域?qū)辉谒龉饪棠z為負性光刻膠時，所述掩膜版 的不透光區(qū)域與所述第四區(qū)域?qū)?br> [0080] 對經(jīng)過曝光處理的所述光刻膠進行顯影處理，保留所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第 三區(qū)域的光刻膠，并去除所述第四區(qū)域的光刻膠。
[0081] 需要說明的是，在所述導電薄膜的材料不同時，對所述第四區(qū)域的導電薄膜進行 處理以使其轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜的方法也不同；比如，在所述導電薄膜的材料為石墨烯時， 可以通過使所述第四區(qū)域的導電薄膜在發(fā)生物理反應后，轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜。
[0082] 較佳地，所述導電薄膜為金屬薄膜；對第四區(qū)域的導電薄膜進行處理，使所述第四 區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜，包括：
[0083] 在形成有所述光刻膠的基板表面上產(chǎn)生氧化氣體的等離子體，使所述氧化氣體的 等離子體與所述第四區(qū)域的導電薄膜發(fā)生化學反應，生成不導電的金屬化合物薄膜；其中， 所述氧化氣體包括氧氣、一氧化氮和一氧化二氮中的一種。
[0084] 實施中，氧化氣體的等離子體會與暴露出的所述第四區(qū)域的導電薄膜發(fā)生化學反 應，生成不導電的金屬化合物薄膜，以實現(xiàn)將所述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄 膜，以節(jié)省在所述有源層和導電薄膜之間設置刻蝕阻擋層的工藝步驟。
[0085] 需要說明的是，任一種能夠?qū)崿F(xiàn)在形成有所述光刻膠的基板表面上產(chǎn)生氧化氣體 的等離子體的實施方式均適用于本發(fā)明實施例；比如，將形成有所述光刻膠的基板放置于 干刻設備或者PECVD設備的腔體內(nèi)，由所述干刻設備或者PECVD設備在形成有所述光刻膠 的基板表面上產(chǎn)生氧化氣體的等離子體。
[0086] 較佳地，可以通過控制氧化氣體的等離子體的沉積功率、濃度、以及溫度，以控制 所述氧化氣體的等離子體與所述第四區(qū)域的導電薄膜發(fā)生化學反應的速度和充分程度。 [0087] 較佳地，產(chǎn)生氧化氣體的等離子體的設備的腔體內(nèi)的溫度不大于200°C。
[0088] 較佳地，產(chǎn)生氧化氣體的等離子體的設備的腔體內(nèi)的溫度為室溫。
[0089] 較佳地，所述導電薄膜可以為任一種金屬薄膜。
[0090] 較佳地，所述導電薄膜為鋁薄膜，所述氧化氣體還包括氮氣。
[0091] 實施中，金屬鋁的導電性比較強，在所述導電薄膜為鋁薄膜時，可以增強制作出的 源極、漏極和數(shù)據(jù)線的導電性。
[0092] 較佳地，對第四區(qū)域的導電薄膜進行處理，使所述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不 導電的薄膜之后，還包括：
[0093] 去除所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的光刻膠。
[0094] 實施中，去除所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的光刻膠，可以減小制作出的陣 列基板的厚度，進一步地，減小了包含所述陣列基板的顯示裝置的體積。
[0095] 較佳地，在步驟102之后，還包括：
[0096] 形成覆蓋源極、漏極和數(shù)據(jù)線的鈍化層；
[0097] 刻蝕掉漏極對應位置的鈍化層，以形成暴露出漏極的過孔；
[0098] 在鈍化層上形成通過過孔與漏極進行電性連接的像素電極。
[0099] 具體實施中，本發(fā)明實施例的形成覆蓋源極、漏極和數(shù)據(jù)線的鈍化層的實施方式 與現(xiàn)有技術中形成覆蓋源極、漏極和數(shù)據(jù)線的鈍化層的實施方式類似。
[0100] 較佳地，形成覆蓋源極、漏極和數(shù)據(jù)線的鈍化層，包括：
[0101] 通過PECVD方法，形成覆蓋源極、漏極和數(shù)據(jù)線的鈍化層。
[0102] 具體實施中，本發(fā)明實施例的鈍化層的實施方式與現(xiàn)有技術中鈍化層的實施方式 類似。
[0103] 較佳地，鈍化層的厚度范圍為2000A ~ 5000A。
[0104] 較佳地，鈍化層對應的反應氣體可以為SiH4、NHjP N2的混合氣體，或者為SiH2Cl2、 見13和隊的混合氣體，鈍化層的材料包括氧化物（比如，二氧化硅）、氮化物（比如，硅的氮 化物）或者氧氮化合物中的一種。
[0105] 較佳地，鈍化層可以為一層，也可以為多層。
[0106] 具體實施中，本發(fā)明實施例的在鈍化層上形成像素電極的實施方式與現(xiàn)有技術中 在鈍化層上形成像素電極的實施方式類似。
[0107] 較佳地，通過濺射或者熱蒸發(fā)方法，在鈍化層上沉積透明導電層；
[0108] 對透明導電層進行刻蝕，在像素區(qū)域形成通過過孔與漏極進行電性連接的像素電 極。
[0109] 具體實施中，本發(fā)明實施例的透明導電層的實施方式與現(xiàn)有技術中透明導電層的 實施方式類似。
[0110] 較佳地，透明導電層的厚度范圍為300A?1500A。
[0111] 較佳地，透明導電層的材料包括氧化銦錫、氧化銦鋅和氧化鋁鋅中的一種或多種。
[0112] 實施例一
[0113] 在本發(fā)明實施例一中，將以陣列基板包括的TFT為底柵結(jié)構(gòu)的氧化物TFT為例，對 本發(fā)明實施例中的陣列基板的制作方法進行詳細介紹。
[0114] 較佳地，本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法，包括：
[0115] 步驟一、如圖2A所示，在襯底基板（圖2A中未示出）上形成柵極11和柵線12 ;
[0116] 步驟二、在柵極和柵線所在膜層上形成柵極絕緣層；
[0117] 步驟三、如圖2B所示，在所述柵極絕緣層（圖2B中未示出）上形成有源層20 ;
[0118] 步驟四、如圖2C所示，在有源層20上沉積用于形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的A1金屬 薄膜1〇〇 ;
[0119] 步驟五、將所述A1金屬薄膜的表面劃分為所述源極對應的第一區(qū)域，所述漏極對 應的第二區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線對應的第三區(qū)域，以及除所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域以 外的第四區(qū)域；
[0120] 步驟六、在所述A1金屬薄膜上涂布光刻膠，并對所述光刻膠進行曝光和顯影處 理，以保留所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的光刻膠，并去除所述第四區(qū)域的光刻膠；
[0121] 步驟七、在形成有所述光刻膠的基板表面上產(chǎn)生氧氣（02)等離子體，使所述0 2等 離子體與所述第四區(qū)域的A1金屬薄膜發(fā)生化學反應，生成不導電的A1203 (氧化鋁）薄膜；
[0122] 步驟八、去除所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的光刻膠；
[0123] 步驟九、如圖2D所示，將所述第一區(qū)域的A1金屬薄膜100作為所述源極31，將所 述第二區(qū)域的A1金屬薄膜100作為所述漏極32,將所述第三區(qū)域的A1金屬薄膜100作為 所述數(shù)據(jù)線33 ;
[0124] 其中，如圖2D所示，所述第四區(qū)域的不導電的A1A薄膜200實現(xiàn)了所述源極31、 漏極32和數(shù)據(jù)線33的圖形化。
[0125] 步驟十、形成覆蓋源極、漏極和數(shù)據(jù)線的鈍化層；
[0126] 步驟十一、如圖2E所示，刻蝕掉漏極對應位置的鈍化層（圖2E中未示出），以形成 暴露出漏極的過孔40 ;
[0127] 步驟十二、如圖2F所示，在鈍化層（圖2F中未示出）上形成通過過孔40與漏極 32進行電性連接的像素電極50。
[0128] 較佳地，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，其中：所述陣列基板是采用本發(fā)明實施 例提供的所述的制作陣列基板的方法制作的。
[0129] 實施中，采用本發(fā)明實施例提供的所述制作陣列基板的方法制作出的陣列基板不 包括位于所述有源層和源極、漏極和數(shù)據(jù)線所在膜層之間的刻蝕阻擋層，因此，減小了陣列 基板的厚度，進一步地，減小了包含所述陣列基板的顯示裝置的體積。
[0130] 較佳地，本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括所述的陣列基板。
[0131] 實施中，由于本發(fā)明實施例的陣列基板的厚度減小了，因而包括本發(fā)明實施例的 陣列基板的顯示裝置的體積減小了。
[0132] 較佳地，所述顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、OLED (Organic Light Emitting Diode，有機發(fā)光二極管）面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導 航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0133] 盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領域內(nèi)的技術人員一旦得知了基本創(chuàng)造 性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權利要求意欲解釋為包括優(yōu) 選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0134] 顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權利要求】
1. 一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括： 在表層為有源層的基板上沉積用于形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的導電薄膜； 將所述導電薄膜的表面劃分為所述源極對應的第一區(qū)域，所述漏極對應的第二區(qū)域， 所述數(shù)據(jù)線對應的第三區(qū)域，以及除所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域以外的第四區(qū)域； 將所述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜；以及，將所述第一區(qū)域的導電薄膜作為 所述源極，將所述第二區(qū)域的導電薄膜作為所述漏極，將所述第三區(qū)域的導電薄膜作為所 述數(shù)據(jù)線。
2. 如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述將第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電 的薄膜，包括： 在所述導電薄膜上涂布光刻膠，并對所述光刻膠進行曝光和顯影處理，以保留所述第 一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的光刻膠，并去除所述第四區(qū)域的光刻膠； 對所述第四區(qū)域的導電薄膜進行處理，使所述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄 膜。
3. 如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述導電薄膜為金屬薄膜，所述對第四區(qū)域 的導電薄膜進行處理，使所述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜，包括： 在形成有所述光刻膠的基板表面上產(chǎn)生氧化氣體的等離子體，使所述氧化氣體的等離 子體與所述第四區(qū)域的導電薄膜發(fā)生化學反應，生成不導電的金屬化合物薄膜；其中，所述 氧化氣體包括氧氣、一氧化氮和一氧化二氮中的一種。
4. 如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述導電薄膜為鋁薄膜，所述氧化氣體還包 括氮氣。
5. 如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對第四區(qū)域的導電薄膜進行處理，使所 述第四區(qū)域的導電薄膜轉(zhuǎn)化為不導電的薄膜之后，還包括： 去除所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的光刻膠。
6. 如權利要求1所述的方法，其特征在于，在表層為有源層的基板上沉積所述導電薄 膜，包括： 采用濺射的方法，在表層為有源層的基板上沉積所述導電薄膜。
7. 如權利要求1?6任一項所述的方法，其特征在于，所述有源層的材料為氧化物。
8. 如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述有源層的材料包括氧化鋅、氧化銦鎵 鋅、氧化銦錫鋅和氧化銦鋅鉿中的一種。
9. 一種陣列基板，其特征在于，采用如權利要求1?8任一項所述的方法制作。
10. -種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求9所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L23/50GK104091782SQ201410283614
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年6月23日 優(yōu)先權日:2014年6月23日
【發(fā)明者】李旭遠, 成軍 申請人:京東方科技集團股份有限公司