晶圓回收方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種晶圓回收方法，包括：提供一待回收晶圓；對所述待回收晶圓執(zhí)行第一次濕法清洗；對所述待回收晶圓執(zhí)行第二次濕法清洗；在所述待回收晶圓的表面上沉積氧化硅薄膜；對所述氧化硅薄膜進(jìn)行化學(xué)機械研磨。在本發(fā)明提供的晶圓回收方法中，通過濕法清洗和氧化硅薄膜沉積能夠有效地降低待回收晶圓上的缺陷數(shù)量，使得所述待回收晶圓重新達(dá)到使用要求，再次被利用，由此降低了制造成本。
【專利說明】晶圓回收方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及集成電路制造【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種晶圓回收方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路制造過程中，通常會選取光片晶圓用于生產(chǎn)調(diào)試，所述光片晶圓是只有硅襯底，表面無其他膜層的晶圓。所述光片晶圓在使用之后由于存在大量缺陷一般直接報廢。
[0003]例如，離子注入工藝過程中為監(jiān)控離子注入程序的效果會選取光片晶圓進(jìn)行離子注入，并測量所述光片晶圓在離子注入前后的電阻變化。測量電阻時，電阻量測儀通過探針扎入所述光片晶圓中，探針會造成深度大于4微米、直徑為幾十微米的空洞。電阻測量之后，所述光片晶圓上通常會有超過50000個以上的空洞，缺陷數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過合格的范圍。而且，探針采用的材料一般為金屬，例如鎢、銀、鉬或其他合金材料等，探針與所述光片晶圓接觸會使得金屬殘留于所述光片晶圓上。電阻測量之后，所述光片晶圓的表面污染嚴(yán)重。因此，所述光片晶圓在使用之后一般直接報廢處理。
[0004]由于集成電路制造工藝復(fù)雜而且苛刻，選取光片晶圓進(jìn)行生產(chǎn)調(diào)試是必不可少的步驟，光片晶圓在使用之后報廢的數(shù)量非常多，這大大地增加了制造成本。
[0005]因此，如何解決現(xiàn)有的集成電路制造過程中因生產(chǎn)調(diào)試造成光片晶圓在使用之后報廢使得制造成本 增加的問題成為當(dāng)前亟需解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓回收方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中因生產(chǎn)調(diào)試造成光片晶圓在使用之后報廢使得制造成本增加的問題。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種晶圓回收方法，所述晶圓回收方法包括:
[0008]提供一待回收晶圓；
[0009]對所述待回收晶圓執(zhí)行第一次濕法清洗；
[0010]對所述待回收晶圓執(zhí)行第二次濕法清洗；
[0011 ] 在所述待回收晶圓的表面上沉積氧化硅薄膜；
[0012]對所述氧化硅薄膜進(jìn)行化學(xué)機械研磨。
[0013]優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中，所述待回收晶圓的表面上具有探針造成的缺陷。
[0014]優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中所述探針采用的材料為鎢。
[0015]優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中，所述第一次濕法清洗的藥液采用雙氧水和氨水的混合劑，所述雙氧水和氨水的摩爾比在1:2到2:1之間。
[0016]優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中，所述第一次濕法清洗的溫度范圍在50°C到80°C之間。
[0017]優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中，所述第二次濕法清洗的藥液采用氫氟酸。[0018]優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中，其特征在于，所述第二次濕法清洗的溫度在20°C到30°C之間。
[0019]優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中，其特征在于，所述氧化硅薄膜的沉積厚度在10微米到20微米之間。
[0020]優(yōu)選的，在所述的晶圓回收方法中，所述化學(xué)機械研磨的研磨量在3微米到6微米之間。
[0021]在本發(fā)明提供的晶圓回收方法中，通過濕法清洗和氧化硅薄膜沉積能夠有效地降低待回收晶圓上的缺陷數(shù)量，使得所述待回收晶圓重新達(dá)到使用要求，再次被利用，由此降低了制造成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是本發(fā)明實施例的晶圓回收方法的工藝流程圖；
[0023]圖2是本發(fā)明實施例的待回收晶圓在回收前后的表面缺陷的對照示意圖。
【具體實施方式】
[0024]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的晶圓回收方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0025]請參考圖1，其為本發(fā)明實施例的晶圓回收方法的工藝流程圖。如圖1所示，所述晶圓回收方法包括:
[0026]步驟SlO:提供一待回收晶圓；
[0027]步驟Sll:對所述待回收晶圓執(zhí)行第一次濕法清洗；
[0028]步驟S12:對所述待回收晶圓執(zhí)行第二次濕法清洗；
[0029]步驟S13:在所述待回收晶圓的表面上沉積氧化硅薄膜；
[0030]步驟S14:對所述有氧化硅薄膜進(jìn)行化學(xué)機械研磨。
[0031]具體的，首先，提供一待回收晶圓。所述待回收晶圓只有硅襯底，表面沒有其他膜層，同時所述待回收晶圓表面上具有在電性測試過程中因探針而造成的缺陷，所述待回收晶圓上的缺陷數(shù)量一般在50000個以上。所述探針為金屬探針，所述金屬探針在所述待回收晶圓表面上造成多個空洞和金屬殘留。所述空洞的深度一般超過4微米，所述空洞的直徑范圍一般在10微米到100微米之間。
[0032]本實施例中，所述金屬探針采用的材料為鎢。因此，所述待回收晶圓表面上殘留的金屬為鎢。在本發(fā)明的其他實施例中，所述金屬探針可以采用其他金屬材料，例如銀、鉬或合金材料等。所述待回收晶圓表面上殘留的金屬材料與所述金屬探針采用的材料相同。
[0033]接著，對所述待回收晶圓執(zhí)行第一次濕法清洗。所述第一次濕法清洗的溫度范圍在50°C到80°C之間，采用的藥液是雙氧水(H2O2)和氨水(NH3)的混合劑，雙氧水(H2O2)和氨水(NH3)摩爾比在1:2到2:1之間。所述第一次濕法清洗能夠去除所述待回收晶圓上的金屬殘留物。
[0034]優(yōu)選的，所述第一次濕法清洗的溫度為55°C、60°C、65°C、70°C或75°C。
[0035]然后，對所述待回收晶圓執(zhí)行第二次濕法清洗。所述第二次濕法清洗采用常溫清洗，第二次濕法清洗的溫度范圍在20°C到30°C之間，采用的藥液為氫氟酸(HF)。所述第二次濕法清洗能夠去除所述待回收晶圓上的各種顆粒物(Particle)。
[0036]優(yōu)選的，所述第二次濕法清洗的溫度為23°C、24°C、25°C或26°C。
[0037]之后，通過化學(xué)氣相沉積工藝在所述待回收晶圓的表面上沉積一層氧化硅薄膜。所述氧化硅薄膜的沉積厚度一般在10微米到20微米之間。在此過程中，所述待回收晶圓表面上的多個空洞均被所述氧化硅薄膜所填滿，所述氧化硅薄膜不會影響晶圓的品質(zhì)。
[0038]優(yōu)選的，所述氧化硅薄膜的沉積厚度為14微米、15微米、16微米、17微米或18微米。
[0039]最后，對所述有氧化硅薄膜進(jìn)行化學(xué)機械研磨，以完成對所述待回收晶圓的平坦化處理。所述化學(xué)機械研磨的研磨量一般在3微米到6微米之間。
[0040]優(yōu)選的，所述化學(xué)機械研磨的研磨量為4微米或5微米。
[0041]至此，所述待回收晶圓的表面缺陷基本修復(fù)，重新達(dá)到使用要求。
[0042]請參考圖2，其為本發(fā)明實施例的待回收晶圓在回收前后的表面缺陷的對照示意圖。如圖2所示，待回收晶圓經(jīng)過本發(fā)明實施例的晶圓回收方法處理之后，缺陷數(shù)量明顯減少，能夠達(dá)到再次使用的要求。采用本發(fā)明實施例的晶圓回收方法，待回收晶圓上的缺陷數(shù)量可以下降3個數(shù)量級。
[0043]由此可見，采用本發(fā)明實施例的晶圓回收方法回收可以有效地修復(fù)因探針?biāo)斐傻娜毕荨?br> [0044]用于生產(chǎn)調(diào)試的光片晶圓在電性測試過程中因探針造成的大量缺陷，通過所述晶圓回收方法可以得到修復(fù)，修復(fù)之后可以繼續(xù)用于結(jié)構(gòu)測試等生產(chǎn)性目的。
[0045]綜上，在本發(fā)明實施例提供的晶圓回收方法中，通過兩次濕法清洗有效地去除了待回收晶圓上殘留的金屬和顆粒物，濕法清洗之后在所述待回收晶圓的表面上沉積氧化硅薄膜以填充由探針?biāo)斐傻目斩?，由此修?fù)所述待回收晶圓上的缺陷，使得所述待回收晶圓在回收之后重新達(dá)到使用要求，進(jìn)而能夠再次得到利用，從而降低制造成本。
[0046]上述描述僅是對本發(fā)明較佳實施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種晶圓回收方法，其特征在于，包括: 提供一待回收晶圓； 對所述待回收晶圓執(zhí)行第一次濕法清洗； 對所述待回收晶圓執(zhí)行第二次濕法清洗； 在所述待回收晶圓的表面上沉積氧化硅薄膜； 對所述氧化硅薄膜進(jìn)行化學(xué)機械研磨。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述待回收晶圓的表面上具有探針造成的缺陷。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述探針采用的材料為鎢。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述第一次濕法清洗的藥液采用雙氧水和氨水的混合劑，所述雙氧水和氨水的摩爾比在1:2到2:1之間。
5.如權(quán)利要求4所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述第一次濕法清洗的溫度范圍在50。。到80°C之間。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述第二次濕法清洗的藥液采用氫氟酸。
7.如權(quán)利要求6所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述第二次濕法清洗的溫度在20°C到30°C之間。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述氧化硅薄膜的沉積厚度在10微米到20微米之間。
9.如權(quán)利要求1所述的晶圓回收方法，其特征在于，所述化學(xué)機械研磨的研磨量在3微米到6微米之間。
【文檔編號】H01L21/02GK103972049SQ201410164593
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月22日
【發(fā)明者】丁弋, 朱也方 申請人:上海華力微電子有限公司