薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示面板及其制造方法。本發(fā)明的技術(shù)方案是在薄膜晶體管液晶顯示面板的平坦化層中劃分出移除區(qū)，將該移除區(qū)內(nèi)的所有有機(jī)光阻材料完全去除，把框膠直接涂布在更易粘牢的保護(hù)層上，從而獲得更好的框膠粘合效果。這樣，本發(fā)明提供的薄膜晶體管液晶顯示面板的整體結(jié)構(gòu)粘合得更加牢固，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)可以有效地提高產(chǎn)品良率，且其制造方法簡(jiǎn)單易行。
【專利說明】薄膜晶體管陣列基板及其制造方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]多媒體社會(huì)的急速進(jìn)步多半是受惠于半導(dǎo)體元件及顯示裝置的飛躍性進(jìn)步。就顯示面板而言，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低功耗、無輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯不面板(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)已經(jīng)逐漸成為市場(chǎng)的主流。
[0003]一般來說，薄膜晶體管液晶顯示面板是由薄膜晶體管陣列基板、液晶層以及彩色濾光基板所構(gòu)成。在制造過程中，通常會(huì)在薄膜晶體管陣列基板上涂布一層框膠(sealant)，利用框膠的粘性將薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光基板貼合，并將液晶層封裝在薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光基板之間。
[0004]請(qǐng)參閱圖1，現(xiàn)有的薄膜晶體管液晶顯示面板制程中，薄膜晶體管陣列基板的制造方法一般包括以下步驟:
[0005]一、形成薄膜晶體管。具體方法是首先在一基板主體110的上表面使用導(dǎo)電材料(例如金屬等)形成薄膜晶體管的柵極111，然后使用絕緣材料(例如氧化硅或氮化硅等)在所述基板主體110的上表面上形成絕緣層112，該絕緣層112在業(yè)內(nèi)一般稱為柵極保護(hù)層或柵介電層，將所述基板主體110的上表面連同所述柵極111 一同覆蓋。接下來，采用半導(dǎo)體材料在所述第一保護(hù)層112的上表面上與所述柵極111對(duì)應(yīng)的位置形成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層113，該半導(dǎo)體層113用作薄膜晶體管的通道區(qū)。然后在該半導(dǎo)體層113上用導(dǎo)電材料(例如金屬)堆疊形成薄 膜晶體管的漏極114和源極115。
[0006]二、使用絕緣材料(例如氧化硅或氮化硅等)在所述絕緣層112的上表面上形成保護(hù)層120，該保護(hù)層120將所述絕緣層112的上表面以及形成于所述絕緣層112的上表面上的上述半導(dǎo)體層113、漏極114和源極115 —同覆蓋。
[0007]三、使用有機(jī)光阻材料在所述保護(hù)層120的上表面上形成平坦化層130。
[0008]四、使用光罩140蓋住所述平坦化層130的上表面，然后對(duì)所述光罩140的上表面進(jìn)行曝光。在曝光過程中，所述平坦化層130的被光罩140覆蓋的部分不會(huì)受到影響，對(duì)應(yīng)于所述光罩140上的開孔的部分則會(huì)在光照下變性。例如，圖1所示的所述光罩140上設(shè)有開孔141，因此在曝光時(shí)，所述平坦化層130正對(duì)所述開孔141的部分會(huì)受到光線照射而變性，從而可以被后續(xù)的蝕刻制程移除；其他部分則保持原有的化學(xué)性質(zhì)，不會(huì)被后續(xù)的蝕刻制程移除。該曝光過程的目的是為了形成從上述漏極114或源極115引出配線的引線孔，因此在將所述光罩140蓋在所述平坦化層130上時(shí)，所述開孔141應(yīng)該垂直地對(duì)準(zhǔn)所述漏極114或源極115。圖1的例子中，所述開孔141是對(duì)準(zhǔn)所述源極115。
[0009]五、曝光后，對(duì)所述平坦化層130進(jìn)行光阻顯影。在該光阻顯影的過程中，所述平坦化層130正對(duì)所述開孔141的部分由于化學(xué)性質(zhì)在光照下發(fā)生了改變，因此會(huì)被蝕刻藥劑溶解及移除。所述平坦化層130的其他部分并未受到光線照射，因此不會(huì)被蝕刻藥劑溶解，仍然覆蓋在所述保護(hù)層120上方。這樣，就在所述平坦化層130上形成了與所述光罩140的開孔141相對(duì)準(zhǔn)，也就是垂直地對(duì)準(zhǔn)所述源極115的連通孔150。所述保護(hù)層120的一部分從所述連通孔150底部暴露出來。
[0010]六、在所述平坦化層130上形成上述連通孔后，進(jìn)行蝕刻，將所述保護(hù)層120通過所述連通孔150暴露出來的部分去除，在所述保護(hù)層120上形成和所述連通孔150相通的引線孔160，所述源極115通過所述連通孔150和所述引線孔160部分地暴露出來。這樣，從所述源極115引出的配線(圖未示)即可通過所述連通孔150和所述引線孔160與外界的其他電子元件建立電性連接，使所述薄膜晶體管發(fā)揮功能。
[0011]七、在剩余的所述平坦化層130的上表面上涂上框膠，即可利用框膠的粘性將薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光基板貼合，同時(shí)將所述薄膜晶體管封裝在基板主體110與彩色濾光基板之間。
[0012]但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，框膠與構(gòu)成平坦化層130的有機(jī)光阻材料之間的粘合力一般較差，難以取得足夠牢固的粘接效果。因此，當(dāng)采用上述方法制造的薄膜晶體管陣列基板被用于制造薄膜晶體管顯示面板時(shí)，經(jīng)常會(huì)由于粘接不牢而導(dǎo)致薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光基板之間出現(xiàn)縫隙甚至完全脫離，對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量造成很大影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]鑒于上述狀況，有必要提供一種具有更好的框膠粘合效果，便于組裝，有利于提高產(chǎn)品良率的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。
[0014]本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，該方法包括以下步驟:
[0015]SI，在基板主體上形成薄膜晶體管，使用絕緣材料形成覆蓋所述基板主體與所述薄膜晶體管的保護(hù)層，使用有機(jī)光阻材料在所述保護(hù)層表面形成平坦化層；
[0016]S2，將所述平坦化層劃分為顯示區(qū)與移除區(qū)，對(duì)所述顯示區(qū)的選定區(qū)域進(jìn)行完全曝光，對(duì)整個(gè)所述移除區(qū)進(jìn)行不完全曝光；
[0017]S3，進(jìn)行光阻顯影，在所述顯示區(qū)的所述選定區(qū)域形成連通孔，同時(shí)使所述移除區(qū)被部分地移除而在所述保護(hù)層上形成厚度比所述平坦化層薄的遮蔽層；
[0018]S4，進(jìn)行蝕刻，在所述保護(hù)層上形成和所述連通孔相通，用于引出所述薄膜晶體管的配線的引線孔；
[0019]S5，形成所述引線孔后，將所述遮蔽層移除，使所述保護(hù)層部分地暴露出來形成粘合區(qū)，然后在所述粘合區(qū)上涂上框膠。
[0020]優(yōu)選地，所述步驟S2包括以下子步驟:
[0021]S21,提供光罩,所述光罩為灰階光罩或半透膜光罩,包括不透光的遮光區(qū)與允許光線部分地透過的半透光區(qū)，且所述遮光區(qū)開設(shè)有位置對(duì)準(zhǔn)所述顯示區(qū)的所述選定區(qū)域的開孔；使用所述遮光區(qū)遮住所述顯示區(qū)，使用所述半透光區(qū)遮住所述移除區(qū)；
[0022]S22，對(duì)所述遮光區(qū)與所述半透光區(qū)的表面同時(shí)進(jìn)行曝光，使所述顯示區(qū)的所述選定區(qū)域在穿過所述開孔的曝光光線的照射下受到完全曝光，而整個(gè)所述移除區(qū)在部分地透過所述半透光區(qū)的曝光光線照射下受到不完全曝光。
[0023]優(yōu)選地，所述步驟S4中，形成所述引線孔的方法為干式蝕刻。
[0024]優(yōu)選地，所述步驟S4中，采用的蝕刻反應(yīng)氣體為氯氣或六氟化硫。[0025]優(yōu)選地，所述步驟S5中，將所述遮蔽層移除的方法為灰化處理。
[0026]優(yōu)選地，所述步驟SI中，在所述基板主體上形成薄膜晶體管的操作包括以下子步驟:
[0027]S11，在所述基板主體的表面上形成薄膜晶體管的柵極；
[0028]S12，形成將所述基板主體與所述柵極一同覆蓋的絕緣層；
[0029]S13，采用半導(dǎo)體材料在所述絕緣層的表面上形成用作所述薄膜晶體管的通道區(qū)的半導(dǎo)體層；
[0030]S14，在所述半導(dǎo)體層上形成所述薄膜晶體管的漏極和源極。
[0031]優(yōu)選地，所述步驟S3中形成的所述連通孔和所述步驟S4中形成的所述引線孔均對(duì)準(zhǔn)所述漏極或源極，使所述漏極或源極通過所述引線孔部分地暴露出來。
[0032]優(yōu)選地，所述子步驟S12中，形成所述絕緣層的方法為化學(xué)氣相沉積法。
[0033]優(yōu)選地，所述步驟SI中，形成所述保護(hù)層的方法為化學(xué)氣相沉積法。
[0034]本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板主體、形成在所述基板主體表面上的薄膜晶體管、使用絕緣材料形成的覆蓋所述基板主體與所述薄膜晶體管的保護(hù)層、以及使用有機(jī)光阻材料形成在所述保護(hù)層的一部分表面上的平坦化層；所述保護(hù)層的另一部分表面上涂設(shè)有框膠，形成與所述平坦化層相鄰的框膠層。
[0035]本發(fā)明提供的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法在平坦化層中劃分出移除區(qū)，將該移除區(qū)內(nèi)的所有有機(jī)光阻材料完全去除，把框膠直接涂布在更易粘牢的保護(hù)層上，從而獲得更好的框膠粘合效果。這樣，本發(fā)明提供的薄膜晶體管液晶顯示面板的整體結(jié)構(gòu)粘合得更加牢固，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)可以有效地提高產(chǎn)品良率，且制造方法簡(jiǎn)單易行。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]圖1是現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板的制造過程示意圖。
[0037]圖2是本發(fā)明較佳實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板的制造過程示意圖。
[0038]圖3是本發(fā)明較佳實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板的橫截面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0040]請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例提供一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，用于制造一種具有更好的框膠粘合效果，便于組裝，有利于提高產(chǎn)品良率的薄膜晶體管陣列基板。該方法具體包括以下步驟。
[0041]一、在基板主體上形成薄膜晶體管。首先，提供一基板主體210，該基板主體210材料可以為玻璃，材料的具體類型可以根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)選用。然后，在基板主體210的上表面使用導(dǎo)電材料(例如金屬等)形成薄膜晶體管的柵極211，然后使用絕緣材料(例如氧化硅或氮化硅等)在所述基板主體210的上表面上形成絕緣層212，該絕緣層212在業(yè)內(nèi)一般稱為柵極保護(hù)層或柵介電層，將所述基板主體210的上表面連同所述柵極211 —同覆蓋。在本實(shí)施例中，該絕緣層212采用化學(xué)氣相沉積法形成。接下來，采用半導(dǎo)體材料在所述絕緣層212的上表面上與所述柵極211對(duì)應(yīng)的位置形成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層213，該半導(dǎo)體層213用作薄膜晶體管的通道區(qū)。然后在該半導(dǎo)體層213上用導(dǎo)電材料(例如金屬)堆疊形成薄膜晶體管的漏極214和源極215。
[0042]這里需要指出的是，薄膜晶體管陣列基板中包含的薄膜晶體管數(shù)量顯然應(yīng)為多個(gè)，但由于該多個(gè)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)均相同，只要清楚地顯示出其中任意一個(gè)的結(jié)構(gòu)示意圖，就足以讓本領(lǐng)域技術(shù)人員明白所有薄膜晶體管的基本構(gòu)造。因此，本實(shí)施例中僅是為了顯示得更加清楚簡(jiǎn)明，在圖2中僅繪出了一個(gè)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，但本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然應(yīng)當(dāng)知道所述薄膜晶體管的數(shù)量實(shí)際上應(yīng)為多個(gè)，并不限定為一個(gè)。
[0043]另外，圖2及圖3所示的薄膜晶體管陣列基板并非完全以實(shí)際的大小比例繪制，其中所述薄膜晶體管的柵極211、漏極214和源極215遠(yuǎn)比實(shí)際尺寸更大，但其僅用于清楚說明本實(shí)施例的技術(shù)方案，并非實(shí)際的大小比例。
[0044]二、使用絕緣材料(例如氧化硅或氮化硅等)在所述絕緣層212的上表面上形成保護(hù)層220，該保護(hù)層220將所述絕緣層212的上表面以及形成于所述絕緣層212的上表面上的上述半導(dǎo)體層213、漏極114和源極215 —同覆蓋。在本實(shí)施例中，該保護(hù)層220也采用化學(xué)氣相沉積法形成。
[0045]三、使用有機(jī)光阻材料在所述保護(hù)層220的上表面上形成平坦化層230。該平坦化層230的材料及形成方法都可以是現(xiàn)有技術(shù)，此處無需贅述。
[0046]四、將所述平坦化層230劃分為顯示區(qū)231和移除區(qū)232。在本實(shí)施例中，顯示區(qū)231設(shè)置在基板主體210的中心區(qū)域，所述薄膜晶體管整體完全被所述顯示區(qū)231覆蓋。在后續(xù)制程中，薄膜晶體管陣列基板成品中的液晶層(圖未示)可以形成在所述顯示區(qū)231的上方。由于該液晶層及其形成方法均屬于現(xiàn)有技術(shù)，此處不再贅述。移除區(qū)232設(shè)置在基板主體210的外圍區(qū)域，其形狀及位置與薄膜晶體管陣列基板成品中的框膠涂布區(qū)域的形狀及位置一致。
[0047]五、提供一光罩24，所述光罩24為灰階光罩或半透膜光罩，包括不允許任何光線透過的遮光區(qū)240與允許光線部分地透過的半透光區(qū)242。在灰階光罩或半透膜光罩中形成上述遮光區(qū)240與半透光區(qū)242的技術(shù)屬于現(xiàn)有技術(shù)，本領(lǐng)域技術(shù)人員不需要實(shí)施任何創(chuàng)造性勞動(dòng)即可實(shí)現(xiàn)，因此本實(shí)施例中無需贅述。
[0048]在所述遮光區(qū)240中開設(shè)開孔241，所述開孔241的位置對(duì)準(zhǔn)所述顯示區(qū)231的選定區(qū)域。該選定區(qū)域可以是所述顯示區(qū)231上位置與所述薄膜晶體管的漏極214或源極215相對(duì)準(zhǔn)的部分。在本實(shí)施例中，該選定區(qū)域是所述顯示區(qū)231上位置與所述薄膜晶體管的源極215相對(duì)準(zhǔn)的部分，即所述開孔241的位置垂直地對(duì)準(zhǔn)所述源極215。
[0049]調(diào)整光罩24的位置，使得所述遮光區(qū)240遮住所述顯示區(qū)231的上表面，同時(shí)所述半透光區(qū)242遮住所述移除區(qū)232的上表面。
[0050]這里需要指出的是，由于薄膜晶體管陣列基板中的薄膜晶體管數(shù)量為多個(gè)，因此所述遮光區(qū)240上開設(shè)的開孔241的數(shù)量也應(yīng)該是多個(gè)，每個(gè)開孔241的位置與一個(gè)薄膜晶體管的漏極214或源極215對(duì)準(zhǔn)。本實(shí)施例中僅是為了顯示得更加清楚簡(jiǎn)明，在圖2所示的遮光區(qū)240上僅繪出了一個(gè)與一薄膜晶體管的源極215對(duì)準(zhǔn)的開孔241，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然應(yīng)當(dāng)知道所述開孔241數(shù)量實(shí)際上應(yīng)為多個(gè)，并不限定為一個(gè)。
[0051]根據(jù)灰階光罩或半透膜光罩的基本特性，曝光光線照射到所述半透光區(qū)242上之后，可以部分地透過所述半透光區(qū)242，使得半透光區(qū)242之下遮蔽的有機(jī)光阻材料不完全曝光。[0052]六、當(dāng)遮光區(qū)240和半透光區(qū)242安放到正確的遮蔽位置后，同時(shí)對(duì)所述遮光區(qū)240的上表面與所述半透光區(qū)242的上表面進(jìn)行曝光。在曝光過程中，所述顯示區(qū)231的被所述遮光區(qū)240覆蓋的部分不會(huì)受到影響，保持原有的化學(xué)性質(zhì)，在后續(xù)的蝕刻制程不會(huì)被移除；所述選定區(qū)域，即正對(duì)所述遮光區(qū)240上的開孔241的部分則會(huì)在穿過開孔241的曝光光線的照射下完全曝光，化學(xué)性質(zhì)發(fā)生完全的改變，在后續(xù)的光阻顯影制程中會(huì)被完全移除。而所述移除區(qū)232中，曝光光線部分地透過所述半透光區(qū)242，以較低的光強(qiáng)對(duì)整個(gè)移除區(qū)232進(jìn)行照射，即對(duì)整個(gè)移除區(qū)232進(jìn)行不完全曝光。在不完全曝光的作用下，移除區(qū)232的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生不徹底的改變，在后續(xù)的光阻顯影制程中，其在蝕刻藥劑中的溶解度比所述顯示區(qū)231中完全曝光的部分在蝕刻藥劑中的溶解度低，因此只會(huì)被部分移除，使移除區(qū)232的厚度減小，但不會(huì)將整個(gè)移除區(qū)232完全移除。
[0053]七、上述曝光制程之后，對(duì)所述平坦化層230進(jìn)行光阻顯影。在本實(shí)施例中，該光阻顯影的方法為干式蝕刻，具體方法可以是例如等離子蝕刻、濺射蝕刻、氣相腐蝕等等。本實(shí)施例中優(yōu)選氣相腐蝕方法。
[0054]在該光阻顯影制程中，所述顯示區(qū)231的所述選定區(qū)域，即正對(duì)所述開孔241的部分由于化學(xué)性質(zhì)在光照下發(fā)生了改變，因此會(huì)被蝕刻藥劑溶解及移除。所述顯示區(qū)231的其他部分并未受到光線照射，因此不會(huì)被蝕刻藥劑溶解，仍然覆蓋在所述保護(hù)層220上方。這樣，就在所述顯示區(qū)231中形成了與所述遮光區(qū)240的開孔241相對(duì)準(zhǔn)，也就是垂直地對(duì)準(zhǔn)所述源極215的連通孔250。所述保護(hù)層220的一部分從所述連通孔250底部暴露出來。與此同時(shí)，所述移除區(qū)232在該光阻顯影制程中被蝕刻藥劑部分地溶解及移除，使得所述移除區(qū)232厚度減小，在所述保護(hù)層220上殘留下來一層厚度比原先的平坦化層230薄的遮蔽層232a。
[0055]本實(shí)施例中，該光阻顯影制程可以使用同一個(gè)光罩24同時(shí)完成兩項(xiàng)操作，即形成所述連通孔250與移除移除區(qū)232的部分有機(jī)光阻材料。因此，若是在兩個(gè)獨(dú)立的工藝中分別進(jìn)行形成所述連通孔250及移除移除區(qū)232的全部或部分有機(jī)光阻材料這兩項(xiàng)操作，則顯然會(huì)比本實(shí)施例提供的技術(shù)方案消耗更多的時(shí)間及成本。
[0056]八、形成所述連通孔250與遮蔽層232a之后，進(jìn)行蝕刻，將所述保護(hù)層220通過所述連通孔250暴露出來的部分去除，在所述保護(hù)層220上形成和所述連通孔250相通，且同樣對(duì)準(zhǔn)所述源極215的引線孔260，所述源極215通過所述連通孔250和所述引線孔260部分地暴露出來。這樣，從所述源極215引出的配線即可通過所述連通孔250和所述引線孔260與外界的其他電子元件建立電性連接，使所述薄膜晶體管發(fā)揮功能。與此同時(shí)，所述保護(hù)層220中被所述遮蔽層232a遮蔽在其下方的部分則受到所述遮蔽層232a的保護(hù)，不會(huì)被蝕刻制程移除。本實(shí)施例中，該步驟中蝕刻的方法是干式蝕刻，具體方法可以是例如等離子蝕刻、濺射蝕刻、氣相腐蝕等等。本實(shí)施例中優(yōu)選氣相腐蝕方法，采用的蝕刻氣體優(yōu)選為氯氣或六氟化硫。
[0057]九、形成引線孔260后，通入灰化反應(yīng)氣體(例如氧氣)并對(duì)所述遮蔽層232a加熱，從而對(duì)所述遮蔽層232a在氧氣中進(jìn)行灰化處理?；一幚碇蠹纯蓪⒄麄€(gè)被灰化遮蔽層232a完全移除，使保護(hù)層220中原先被平坦化層230的移除區(qū)232覆蓋的部分完全暴露出來，形成粘合區(qū)220a。在本實(shí)施例中，在上一個(gè)步驟的蝕刻制程完成后，可以不必移動(dòng)該薄膜晶體管陣列基板，只要向同一個(gè)反應(yīng)室中通入氧氣即可緊接著進(jìn)行該步驟的灰化處理，十分有利于節(jié)省時(shí)間和勞力。
[0058]十、在所述粘合區(qū)220a上涂上框膠，即可利用框膠的粘性將薄膜晶體管陣列基板與現(xiàn)有的彩色濾光基板貼合，同時(shí)將所述薄膜晶體管封裝在基板主體210與彩色濾光基板之間，即制成薄膜晶體管陣列基板。根據(jù)現(xiàn)在廣泛使用的框膠材料很容易得知，在通常情況下，框膠和構(gòu)成平坦化層230的有機(jī)光阻材料之間的粘合力較小，而框膠與構(gòu)成保護(hù)層220的氧化硅或氮化硅等絕緣材料之間的粘合力較大。因此，采用本實(shí)施例提供的方法制造的薄膜晶體管陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)相比具有更好的框膠粘合效果，可以有效地提高產(chǎn)品良率。
[0059]請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例提供一種薄膜晶體管陣列基板，該薄膜晶體管陣列基板可以通過上述方法實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板制造方法制得。具體地，該薄膜晶體管陣列基板包括基板主體210，所述基板主體210表面上設(shè)有薄膜晶體管的柵極211，所述柵極211及所述基板主體210表面的其他部分均被絕緣層212覆蓋。在所述絕緣層212的上表面上與所述柵極211對(duì)應(yīng)的位置設(shè)有薄膜晶體管的半導(dǎo)體層213。在半導(dǎo)體層213的上表面上設(shè)有薄膜晶體管的漏極214和源極215。該基板主體210、絕緣層212、以及薄膜晶體管的柵極211、半導(dǎo)體層213、漏極214和源極215的材料和形成方法均與上述方法實(shí)施例所采用的方案完全相同，因此這里不再贅述。
[0060]在絕緣層212的上表面上設(shè)有保護(hù)層220，且該保護(hù)層220將絕緣層212的上表面以及形成于絕緣層212的上表面上的半導(dǎo)體層213、漏極114和源極215 —同覆蓋。另外，保護(hù)層220上與薄膜晶體管的漏極214或源極215對(duì)應(yīng)的位置上開設(shè)有引線孔260，薄膜晶體管的漏極214或源極215通過引線孔260部分地暴露出來。本實(shí)施例中通過引線孔260部分地暴露出來的是源極215。該保護(hù)層220的材料和形成方法均與上述方法實(shí)施例所采用的方案完全相同，因此這里不再贅述。
[0061]在該保護(hù)層220的一部分上表面上設(shè)有平坦化層230，且該平坦化層230的布設(shè)區(qū)域與薄膜晶體管的布設(shè)區(qū)域一致。平坦化層230上開設(shè)有連通孔250，該連通孔250與引線孔260垂直地相互對(duì)準(zhǔn)，且連通孔250的底部與引線孔260相通。該平坦化層230的材料和形成方法，以及該連通孔250的形成方法均與上述方法實(shí)施例所采用的方案完全相同，因此這里不再贅述。
[0062]連通孔250與引線孔260中設(shè)有配線270，該配線270 —端連接到薄膜晶體管的源極215從引線孔260底部暴露出來的部分，另一端延伸到平坦化層230的表面，用于與外界的其他電子元件(圖未示)建立電性連接，使所述薄膜晶體管發(fā)揮功能。在其他實(shí)施例中，如果是薄膜晶體管的漏極214通過引線孔260及連通孔250部分地暴露出來，則該配線270也可用于將漏極214與其他電子元件電性連接。如果是薄膜晶體管的漏極214和源極215分別通過兩個(gè)引線孔260及與該兩個(gè)引線孔260分別連通的兩個(gè)連通孔250部分地暴露出來，則也可以對(duì)應(yīng)地設(shè)置兩根配線270，用于將漏極214和源極215分別與其他電子元件電性連接。
[0063]這里需要指出的是，薄膜晶體管陣列基板中包含的薄膜晶體管及其對(duì)應(yīng)的配線270數(shù)量顯然都應(yīng)該為多個(gè)，但由于該多個(gè)薄膜晶體管及其對(duì)應(yīng)的配線270結(jié)構(gòu)均相同，只要清楚地顯示出其中任意一個(gè)的結(jié)構(gòu)示意圖，就足以讓本領(lǐng)域技術(shù)人員明白所有薄膜晶體管的基本構(gòu)造。因此，本實(shí)施例中僅是為了顯示得更加清楚簡(jiǎn)明，在圖3中僅繪出了一個(gè)薄膜晶體管及其對(duì)應(yīng)的一根配線270的結(jié)構(gòu)示意圖，但本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然應(yīng)當(dāng)知道所述薄膜晶體管及其對(duì)應(yīng)的配線270的數(shù)量實(shí)際上應(yīng)為多個(gè)，并不限定為一個(gè)。
[0064]在該保護(hù)層220的另一部分上表面上涂設(shè)有框膠，形成與平坦化層230相鄰的框膠層280。根據(jù)現(xiàn)在廣泛使用的框膠材料很容易得知，在通常情況下，框膠和構(gòu)成平坦化層230的有機(jī)光阻材料之間的粘合力較小，而框膠與構(gòu)成保護(hù)層220a的氧化硅或氮化硅等絕緣材料之間的粘合力較大。因此，與現(xiàn)有技術(shù)中將框膠與有機(jī)光阻材料構(gòu)成的平坦化層粘接的薄膜陣列基板相比，本實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板具有更好的框膠粘合效果，制造時(shí)可以有效地提聞廣品良率。
[0065]本實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板還包括彩色濾光基板300和保護(hù)面板400。彩色濾光基板300可以是現(xiàn)有的彩色濾光片，而保護(hù)面板400可以是現(xiàn)有的玻璃基板，這里無需贅述。該彩色濾光基板300粘合在框膠層280的上表面，將所述薄膜晶體管封裝在基板主體210與彩色濾光基板300之間.保護(hù)面板400固定在彩色濾光基板300的上表面，對(duì)彩色濾光基板300、平坦化層230及薄膜晶體管加以保護(hù)。在本實(shí)施例中，該框膠層280的厚度大于該平坦化層230的厚度，因此使得彩色濾光基板300與平坦化層230之間相隔一定距離，形成一個(gè)裝配空間290。該裝配空間290可用于封裝薄膜晶體管陣列基板的液晶層(圖未示)及其他必要的裝配結(jié)構(gòu)。該液晶層及其他裝配結(jié)構(gòu)均為現(xiàn)有技術(shù)，因此這里不再贅述。
[0066]本發(fā)明提供的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法在平坦化層230中劃分出移除區(qū)232，通過兩個(gè)步驟將該移除區(qū)232內(nèi)的所有有機(jī)光阻材料完全去除，把框膠直接涂布在更易粘牢的保護(hù)層220上，從而獲得更好的框膠粘合效果。這樣，本發(fā)明提供的薄膜晶體管陣列基板的整體結(jié)構(gòu)粘合得更加牢固，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)可以有效地提高產(chǎn)品良率。另外，在用于移除該移除區(qū)232內(nèi)的有機(jī)光阻材料的兩個(gè)步驟中，前一個(gè)步驟可以與用于在平坦化層230上形成連通孔250的蝕刻制程合并起來，使整體制程得到簡(jiǎn)化，整個(gè)方法簡(jiǎn)單易行。
[0067]以上所述僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容做出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，該方法包括以下步驟: SI，在基板主體(210)上形成薄膜晶體管，使用絕緣材料形成覆蓋所述基板主體(210)與所述薄膜晶體管的保護(hù)層(220)，使用有機(jī)光阻材料在所述保護(hù)層(220)表面形成平坦化層(230)； S2，將所述平坦化層(230)劃分為顯示區(qū)(231)與移除區(qū)(232)，對(duì)所述顯示區(qū)(231)的選定區(qū)域進(jìn)行完全曝光，對(duì)整個(gè)所述移除區(qū)(232)進(jìn)行不完全曝光； S3，進(jìn)行光阻顯影，在所述顯示區(qū)(231)的所述選定區(qū)域形成連通孔(250)，同時(shí)使所述移除區(qū)(232)被部分地移除而在所述保護(hù)層(220)上形成厚度比所述平坦化層(230)薄的遮蔽層(232a)； S4，在所述保護(hù)層(220)上形成和所述連通孔(250)相通，用于引出所述薄膜晶體管的配線的引線孔(260)； S5，形成所述引線孔(260)后，將所述遮蔽層(232a)移除，使所述保護(hù)層(220)部分地暴露出來形成粘合區(qū)(220a)，然后在所述粘合區(qū)(220a)上涂上框膠。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2包括以下子步驟: S21，提供光罩(24)，所述光罩(24)為灰階光罩或半透膜光罩，包括不透光的遮光區(qū)(240)與允許光線部分地透過的半透光區(qū)(242)，且所述遮光區(qū)(240)開設(shè)有位置對(duì)準(zhǔn)所述顯示區(qū)(231)的所述選定區(qū)域的開孔(241);使用所述遮光區(qū)(240)遮住所述顯示區(qū)(231)，使用所述半透光區(qū)(242)遮住所述移除區(qū)(232)； S22，對(duì)所述遮光區(qū)(240)與所述半透光區(qū)(242)的表面同時(shí)進(jìn)行曝光，使所述顯示區(qū)(231)的所述選定區(qū)域在穿過所述開孔(241)的曝光光線的照射下受到完全曝光，而整個(gè)所述移除區(qū)(232)在部分地透過所述半透光區(qū)(242)的曝光光線照射下受到不完全曝光。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述步驟S4中，形成所述引線孔(260)的方法為干式蝕刻。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于:所述步驟S4中，采用的蝕刻反應(yīng)氣體為氯氣或六氟化硫。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述步驟S5中，將所述遮蔽層(232a)移除的方法為灰化處理。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟SI中，在所述基板主體(210)上形成薄膜晶體管的操作包括以下子步驟: S11，在所述基板主體(210)的表面上形成薄膜晶體管的柵極(211)； S12，形成將所述基板主體(210)與所述柵極(211) —同覆蓋的絕緣層(212)； S13，采用半導(dǎo)體材料在所述絕緣層(212)的表面上形成用作所述薄膜晶體管的通道區(qū)的半導(dǎo)體層(213)； S14，在所述半導(dǎo)體層(213)上形成所述薄膜晶體管的漏極(214)和源極(215)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于:所述步驟S3中形成的所述連通孔(250)和所述步驟S4中形成的所述引線孔(260)均對(duì)準(zhǔn)所述漏極(214)或源極(215)，使所述漏極(214)或源極(215)通 過所述引線孔(260)部分地暴露出來。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于:所述子步驟S12中，形成所述絕緣層(212)的方法為化學(xué)氣相沉積法。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:所述步驟SI中，形成所述保護(hù)層(220)的方法為化學(xué)氣相沉積法。
10.一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板主體(210)、形成在所述基板主體(210)表面上的薄膜晶體管、使用絕緣材料形成的覆蓋所述基板主體(210)與所述薄膜晶體管的保護(hù)層(220)、以及使用有機(jī)光阻材料形成在所述保護(hù)層(220)的一部分表面上的平坦化層(230);其特征在于:所述保護(hù)層(220)的另一部分表面上涂設(shè)有框膠，形成與所述平坦化層(230)相鄰的 框膠層(280)。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK103824810SQ201410063283
【公開日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2014年2月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月24日
【發(fā)明者】蘇長(zhǎng)義, 鄭揚(yáng)霖 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司