本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池及其制造方法、太陽(yáng)能電池模塊。

背景技術(shù)：
一般，在使用半導(dǎo)體晶體基板的塊型太陽(yáng)能電池的電極的形成中，使用成本優(yōu)點(diǎn)大的絲網(wǎng)印刷法。在絲網(wǎng)印刷法中，使用例如由銀粒子、樹脂、玻璃料(glassfrit)以及溶劑等構(gòu)成的電極膏。在絲網(wǎng)印刷法中，電極膏被供給到形成了預(yù)定的圖案的印刷掩模上，利用印刷掩模上的印刷刮板的移動(dòng)，通過(guò)印刷掩模將電極膏轉(zhuǎn)印從而印刷到被印刷物(半導(dǎo)體基板)。然后，對(duì)被印刷到半導(dǎo)體基板的電極膏在與該電極膏的材料對(duì)應(yīng)的預(yù)定的溫度下進(jìn)行燒制，從而得到具有期望的圖案的電極。在太陽(yáng)能電池的電極形成中，為了在受光面中大量導(dǎo)入陽(yáng)光，要求減小電極面積在半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊拿娣e中所占的比值。進(jìn)而，為了形成低電阻率的電極，需要增大電極的剖面積。因此，在太陽(yáng)能電池的電極形成中，要求形成電極寬度細(xì)且電極高度高的寬高比高的電極。為了使用絲網(wǎng)印刷法來(lái)得到寬高比高的電極，有多次印刷電極膏來(lái)形成多層電極的方法。在該方法中，首先在基板上印刷成為第一層的電極膏并在預(yù)定的溫度下燒制或者干燥。之后，在第一層的電極膏上重疊成為第二層的電極膏而進(jìn)行印刷，再次在預(yù)定的溫度下進(jìn)行燒制或者干燥。以后，反復(fù)重疊印刷直至得到期望的電極高度為止，形成多層電極。另一方面，在使用重疊印刷來(lái)形成電極部分的太陽(yáng)能電池構(gòu)造中有選擇性發(fā)射極構(gòu)造。在該構(gòu)造中，為了提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，在比半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊碾姌O更寬的區(qū)域中形成高濃度的摻雜層(低電阻擴(kuò)散層、以下有時(shí)稱為平臺(tái))來(lái)降低薄層電阻，從而提高導(dǎo)電性。另外，在半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊钠脚_(tái)以外的區(qū)域形成低濃度的摻雜層(高電阻擴(kuò)散層)來(lái)抑制電子的再結(jié)合。在選擇性發(fā)射極構(gòu)造的情況下，在低電阻擴(kuò)散層上面重疊印刷受光面?zhèn)入姌O形成用的電極膏而形成受光面?zhèn)入姌O。在一般地進(jìn)行電極膏的重疊印刷的情況下，使用某特定形狀的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志。例如，在2次重疊印刷電極膏的情況下，預(yù)先在圖像印刷裝置中作為參照?qǐng)D像登記第二層的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的形狀數(shù)據(jù)和位置數(shù)據(jù)。然后，在將第一層的印刷物(電極膏)印刷到半導(dǎo)體基板的表面的同時(shí)，將與上述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志相同的形狀的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志印刷到半導(dǎo)體基板的表面。接下來(lái)，在印刷第二層的電極膏時(shí)，首先對(duì)印刷載置臺(tái)進(jìn)行微調(diào)整以使預(yù)先存儲(chǔ)在圖像印刷裝置中的第二層的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的位置數(shù)據(jù)、和與第一層的電極膏一起印刷的同一形狀的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的位置數(shù)據(jù)一致，之后印刷第二層的電極膏。此時(shí)，重疊在第一層的電極膏上的第二層的電極膏的印刷位置從由對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志的位置決定的定位基準(zhǔn)點(diǎn)起相匹配。將該動(dòng)作反復(fù)進(jìn)行任意的次數(shù)而形成電極部分。然后，以重疊電極膏的任意的次數(shù)反復(fù)進(jìn)行該動(dòng)作，從而形成電極。在進(jìn)行這樣的重疊印刷來(lái)形成電極的情況下，如果接下來(lái)印刷的電極膏部分(上層電極膏部分)從低電阻擴(kuò)散層(平臺(tái))或者之前所印刷的電極膏部分(下層電極膏部分)露出(印刷偏移)，則太陽(yáng)能電池單元的光電轉(zhuǎn)換效率降低。即，如果受光面?zhèn)入姌O從低電阻擴(kuò)散層(平臺(tái))露出而覆蓋高電阻擴(kuò)散層，則受光面?zhèn)入姌O和基板的接觸電阻增加而引起太陽(yáng)能電池單元的特性降低，太陽(yáng)能電池單元的光電轉(zhuǎn)換效率降低。另外，在上層電極膏部分從下層電極膏部分露出的情況下，受光面積減少，太陽(yáng)能電池單元的光電轉(zhuǎn)換效率降低。因此，在下層電極膏部分和上層電極膏部分中需要高的重疊印刷精度。因此，抑制妨礙該高的重疊印刷精度的誤差是重要的。另一方面，完全去除重疊印刷精度的誤差在現(xiàn)實(shí)上不可能。因此，針對(duì)現(xiàn)實(shí)上產(chǎn)生的誤差，設(shè)置似然度(余量)來(lái)進(jìn)行處理以使重疊自身不破壞也同樣地重要。在產(chǎn)生重疊印刷精度的誤差的要素中，存在設(shè)計(jì)誤差、制造誤差等各種要素。但是，重疊印刷精度的誤差存在如下傾向：與距某特定點(diǎn)的位置關(guān)系這樣的要素具有相關(guān)、例如與距在印刷時(shí)使用的印刷的基準(zhǔn)點(diǎn)的距離等具有相關(guān)。作為這樣的要素，可以舉出例如與反復(fù)使用相伴的印刷掩模的延伸(伸展)和旋轉(zhuǎn)誤差。這些都根據(jù)與在印刷位置對(duì)準(zhǔn)時(shí)作為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)點(diǎn)的距離而增減。前者是由于在反復(fù)使用印刷掩模的期間，絲網(wǎng)的彈性變形的極其一部分無(wú)法返回而不可逆化而產(chǎn)生的，基本上每單位長(zhǎng)度的變形率與距基準(zhǔn)點(diǎn)的距離具有相關(guān)關(guān)系。另外，后者是重疊的電極膏的圖案整體從旋轉(zhuǎn)方向的角度觀察時(shí)可能具有的誤差，其與產(chǎn)生的角度誤差以及基準(zhǔn)點(diǎn)至各點(diǎn)的距離成比例。一般地，這些都在距基準(zhǔn)點(diǎn)的距離近的地點(diǎn)誤差變小，在距基準(zhǔn)點(diǎn)的距離遠(yuǎn)的地點(diǎn)誤差變大。由于具有這樣的性質(zhì)，所以具有根據(jù)場(chǎng)所而使誤差飛躍性地增大的危險(xiǎn)性，與其他種類的誤差因子相比，適當(dāng)?shù)奶幚碜兊弥匾ａ槍?duì)這樣的問題，在例如專利文獻(xiàn)1中提出了抑制印刷掩模的伸展、歪斜的方法。在專利文獻(xiàn)1中，在具有合成樹脂系絲網(wǎng)網(wǎng)眼和金屬系等剛性材料系絲網(wǎng)網(wǎng)眼的組合印刷掩模中，通過(guò)使剛性材料系絲網(wǎng)網(wǎng)眼的面積比值成為絲網(wǎng)網(wǎng)眼面積整體的40％以下，抑制印刷次數(shù)增加所致的印刷掩模的伸展、歪斜等。這是抑制誤差自身的嘗試?！緦＠墨I(xiàn)1】日本特開2011-240623號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
但是，在上述專利文獻(xiàn)1的方法中，也存在如下問題：無(wú)法完全抑制印刷掩模的伸展、歪斜，產(chǎn)生與反復(fù)使用相伴的印刷掩模的延伸。如上所述，如果通過(guò)絲網(wǎng)印刷法反復(fù)進(jìn)行重疊印刷，則由于印刷掩模的伸展、歪斜或者角度誤差等而產(chǎn)生印刷誤差。低電阻擴(kuò)散層(平臺(tái))或者下層電極膏部分和上層電極膏部分的定位是從定位基準(zhǔn)點(diǎn)側(cè)起相匹配的。因此，即使發(fā)生印刷掩模的伸展、歪斜等，在定位基準(zhǔn)點(diǎn)側(cè)、即接近定位基準(zhǔn)點(diǎn)的位置，重疊印刷精度高且上層電極膏部分的印刷偏移小。但是，隨著從定位基準(zhǔn)點(diǎn)遠(yuǎn)離，由于這些誤差而上層電極膏部分的印刷位置的偏移逐漸變大，印刷偏移的風(fēng)險(xiǎn)提高。一般，太陽(yáng)能電池的受光面?zhèn)入姌O包括幾條匯流電極和多條柵電極。以往，與柵電極的下部相當(dāng)?shù)牡碗娮钄U(kuò)散層(平臺(tái))或者下層電極的印刷寬度以完全相同的寬度進(jìn)行印刷。因此，如果使低電阻擴(kuò)散層(平臺(tái))或者下層電極膏部分的寬度變細(xì)，則在遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)的場(chǎng)所中發(fā)生印刷偏移而重疊自身破壞。在該情況下，太陽(yáng)能電池的特性降低。如果為了防止這樣的印刷偏移而將似然度取得較大，則這反而會(huì)成為約束，即使在定位基準(zhǔn)點(diǎn)側(cè)的低電阻擴(kuò)散層(平臺(tái))或者下層電極膏部分中有細(xì)線化的余地，也不得不使低電阻擴(kuò)散層(平臺(tái))或者下層電極膏部分具有不必要的印刷寬度。另外，低電阻擴(kuò)散層(平臺(tái))的不必要的寬度部分、即從受光面?zhèn)入姌O露出的部分成為半導(dǎo)體基板中的電子的再結(jié)合增加的主要原因，成為太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率降低的原因。另外，下層電極膏部分的不必要的寬度部分成為半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊碾姌O面積增加的主要原因，成為太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率降低的原因。本發(fā)明是鑒于上述而完成的，其目的在于得到一種防止電極的印刷偏移而光電轉(zhuǎn)換效率優(yōu)良的太陽(yáng)能電池及其制造方法、太陽(yáng)能電池模塊。為了解決上述課題并達(dá)成目的，本發(fā)明的太陽(yáng)能電池的特征在于，具備：第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板，在作為受光面?zhèn)鹊囊幻鎮(zhèn)染哂斜粩U(kuò)散了第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素的雜質(zhì)擴(kuò)散層；多條受光面?zhèn)入姌O，是通過(guò)電極材料膏的印刷而形成于所述一面?zhèn)炔⑴c所述雜質(zhì)擴(kuò)散層電連接的膏電極，并且在所述半導(dǎo)體基板的面方向的特定方向上平行地延伸而具有線狀形狀；以及背面?zhèn)入姌O，形成于所述半導(dǎo)體基板的另一面?zhèn)龋鲭s質(zhì)擴(kuò)散層具有多個(gè)第一雜質(zhì)擴(kuò)散層和第二雜質(zhì)擴(kuò)散層，該多個(gè)第一雜質(zhì)擴(kuò)散層在所述半導(dǎo)體基板的面方向中在所述特定方向上平行地延伸，是所述受光面?zhèn)入姌O的下部區(qū)域以及從該下部區(qū)域變寬的周邊區(qū)域并且以第一濃度包含所述雜質(zhì)元素并具有線狀形狀，該第二雜質(zhì)擴(kuò)散層以比所述第一濃度低的第二濃度包含所述雜質(zhì)元素，在所述多個(gè)第一雜質(zhì)擴(kuò)散層中，隨著在所述第一雜質(zhì)擴(kuò)散層的寬度方向上接近特定的基準(zhǔn)位置，各個(gè)所述第一雜質(zhì)擴(kuò)散層的寬度變細(xì)。根據(jù)本發(fā)明，起到得到防止電極的印刷偏移而光電轉(zhuǎn)換效率優(yōu)良的太陽(yáng)能電池這樣的效果。附圖說(shuō)明圖1-1是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元的結(jié)構(gòu)的圖，是從受光面?zhèn)扔^察的太陽(yáng)能電池單元的俯視圖。圖1-2是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元的結(jié)構(gòu)的圖，是從背面(與受光面相反的一側(cè)的面)側(cè)觀察的太陽(yáng)能電池單元的仰視圖。圖1-3是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元的結(jié)構(gòu)的圖，是圖1-1的A-A方向的太陽(yáng)能電池單元的主要部分剖面圖。圖2-1是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元的制造工序的一個(gè)例子的剖面圖。圖2-2是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元的制造工序的一個(gè)例子的剖面圖。圖2-3是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元的制造工序的一個(gè)例子的剖面圖。圖2-4是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元的制造工序的一個(gè)例子的剖面圖。圖2-5是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元的制造工序的一個(gè)例子的剖面圖。圖2-6是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元的制造工序的一個(gè)例子的剖面圖。圖2-7是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元的制造工序的一個(gè)例子的剖面圖。圖2-8是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元的制造工序的一個(gè)例子的剖面圖。圖2-9是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元的制造工序的一個(gè)例子的剖面圖。圖3-1是示出在半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)扔∷⒘薾型摻雜膏(dopingpaste)的狀態(tài)的平面圖。圖3-2是將圖3-1中的特定區(qū)域放大而示出的主要部分放大圖。圖4是示出在實(shí)施方式1中用于膏的印刷的可重疊印刷的絲網(wǎng)印刷裝置的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5是示出作為半導(dǎo)體基板的位置對(duì)準(zhǔn)用的參照?qǐng)D像在圖像處理裝置中登記的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部的圖。圖6-1是示出在半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)刃纬闪说谝籲型雜質(zhì)擴(kuò)散層的狀態(tài)的平面圖。圖6-2是將圖6-1中的特定區(qū)域放大而示出的主要部分放大圖。圖7-1是示出在半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)扔∷⒘算y膏的狀態(tài)的平面圖。圖7-2是將圖7-1中的特定區(qū)域放大而示出的主要部分放大圖。圖8-1是示出在半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)刃纬闪说谝籲型雜質(zhì)擴(kuò)散層的其他狀態(tài)的平面圖。圖8-2是將圖8-1中的特定區(qū)域放大而示出的主要部分放大圖。圖8-3是示出在圖8-1中的特定區(qū)域中印刷了銀膏的狀態(tài)的平面圖。圖9-1是示出在半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)扔∷⒘说谝粚拥你y膏的狀態(tài)的平面圖。圖9-2是將圖9-1中的特定區(qū)域放大而示出的主要部分放大圖。圖10-1是示出在半導(dǎo)體基板的一面?zhèn)扔∷⒘说诙拥你y膏的狀態(tài)的平面圖。圖10-2是將圖10-1中的特定區(qū)域放大而示出的主要部分放大圖。(符號(hào)說(shuō)明)1：太陽(yáng)能電池單元；2：半導(dǎo)體基板；3：n型雜質(zhì)擴(kuò)散層；3a：第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層；3aL：位于左端的梳齒狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案(左端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層)；3aR：位于右端的梳齒狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案(右端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層)；3aC：位于中央的梳齒狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案(中央第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層)；3b：第二n型雜質(zhì)擴(kuò)散層；3aL3：左數(shù)第三條的梳齒狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層；4：防反射膜；5：表面銀柵電極；5a：銀膏；5aC：位于中央的梳齒狀的表面銀柵電極的印刷圖案(中央印刷圖案)；5aL：位于左端的梳齒狀的表面銀柵電極的印刷圖案(左端印刷圖案)；5aR：位于右端的梳齒狀的表面銀柵電極的印刷圖案(右端印刷圖案)；6：表面銀匯流電極；7：背面鋁電極；7a：鋁膏；8：背面銀電極；8a：銀膏；11：半導(dǎo)體基板；12：受光面?zhèn)入姌O；12a：銀膏；13：背面?zhèn)入姌O；21：n型摻雜膏；21C：位于中央的梳齒狀的n型摻雜膏的印刷圖案(中央印刷圖案)；21L：位于左端的梳齒狀的n型摻雜膏的印刷圖案(左端印刷圖案)；21R：位于右端的梳齒狀的n型摻雜膏的印刷圖案(右端印刷圖案)；22L、22R：對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部；31：印刷載置臺(tái)；32：被印刷物；33：固定照相機(jī)；34：圖像處理裝置；35：參照?qǐng)D像；35L、35R、41L、41R、42La、42Lb、42L3、51L、51R：對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部；61：第一層的銀膏；61L：位于左端的梳齒狀的第一層的銀膏的印刷圖案(左端印刷圖案)；61R：位于右端的梳齒狀的第一層的銀膏的印刷圖案(右端印刷圖案)；62L、62R：對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部；63：第二層的銀膏；63L：位于左端的梳齒狀的第二層的銀膏的印刷圖案(左端印刷圖案)；63R：位于右端的梳齒狀的第二層的銀膏的印刷圖案(右端印刷圖案)；64L、64R：對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部；a：左端印刷圖案21L以及右端印刷圖案21R的寬度、左端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aL以及右端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aR的寬度；b：中央印刷圖案21C的寬度、中央第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aC的寬度；c：表面銀柵電極的銀膏的印刷寬度；d：印刷偏移量；e：左端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aL的寬度；f：右端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aR的寬度；g：印刷偏移量；h：左端印刷圖案61L以及右端印刷圖案61R的寬度；i：中央印刷圖案61C的寬度；j：表面銀柵電極的第二層的銀膏的印刷寬度；k：印刷偏移量。具體實(shí)施方式以下，根據(jù)附圖，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的太陽(yáng)能電池及其制造方法、太陽(yáng)能電池模塊的實(shí)施方式。另外，本發(fā)明不限于以下的記述，能夠在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)適宜地變更。另外，在以下所示的附圖中，為了易于理解，各部件的比例尺有時(shí)與實(shí)際不同。在各附圖之間也是同樣的。另外，即使是平面圖，為了易于觀察附圖，有時(shí)也附加陰影線。實(shí)施方式1.圖1-1～圖1-3是示出實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元的結(jié)構(gòu)的圖，圖1-1是從受光面?zhèn)扔^察的太陽(yáng)能電池單元的俯視圖，圖1-2是從背面(與受光面相反的一側(cè)的面)側(cè)觀察的太陽(yáng)能電池單元的仰視圖，圖1-3是圖1-1的A-A方向的太陽(yáng)能電池單元的主要部分剖面圖。在本實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池單元1中，在作為第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板2的p型多晶硅基板的受光面?zhèn)龋瑸榱说玫蕉O管特性，通過(guò)磷擴(kuò)散以厚度0.2μm左右形成第二導(dǎo)電類型的n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3，從而形成具有pn結(jié)的半導(dǎo)體基板11。在n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3上面形成由氮化硅膜(SiN膜)構(gòu)成的防反射膜4。另外，作為第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板2，不限于p型多晶體的硅基板，也可以使用p型單晶體的硅基板、n型的多晶體的硅基板、n型的單晶硅基板、能夠用于太陽(yáng)能電池用基板的其他半導(dǎo)體基板。另外，在半導(dǎo)體基板11(n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3)的受光面?zhèn)鹊谋砻?，為了提高光利用率，作為紋理構(gòu)造以10μm左右的深度形成微小凹凸(未圖示)。微小凹凸成為如下構(gòu)造：在受光面中增加吸收來(lái)自外部的光的面積，抑制受光面中的反射率，并封入光。防反射膜4包括氮化硅膜(SiN膜)、氧化硅膜(SiO2膜)、氧化鈦膜(TiO2膜)等絕緣膜。另外，在半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)扰帕性O(shè)置了多個(gè)細(xì)長(zhǎng)條的線狀形狀的表面銀柵電極5，與該表面銀柵電極5導(dǎo)通的粗的表面銀匯流電極6被設(shè)置成與該表面銀柵電極5大致正交。表面銀柵電極5以及表面銀匯流電極6分別在底面部中與n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3電連接。表面銀柵電極5以及表面銀匯流電極6由銀材料構(gòu)成。表面銀柵電極5以及表面銀匯流電極6是被防反射膜4包圍而形成的。表面銀柵電極5以預(yù)定的寬度以及預(yù)定間隔大致平行地被配置了多條，對(duì)在半導(dǎo)體基板11的內(nèi)部所產(chǎn)生的電進(jìn)行集電。另外，表面銀匯流電極6具有比表面銀柵電極5粗的預(yù)定的寬度，并且針對(duì)每1個(gè)太陽(yáng)能電池單元配置例如2條～4條，將由表面銀柵電極5收集的電取出到外部。在實(shí)施方式1中，表面銀匯流電極6的條數(shù)為4條。另外，由表面銀柵電極5和表面銀匯流電極6構(gòu)成作為梳形形狀的膏電極(第一電極)的受光面?zhèn)入姌O12。受光面?zhèn)入姌O12遮蔽入射到半導(dǎo)體基板11的陽(yáng)光，所以從提高發(fā)電效率的觀點(diǎn)來(lái)看最好盡可能減小面積。此處，在太陽(yáng)能電池單元1中，作為n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3形成2種層而形成選擇性發(fā)射極構(gòu)造。即，在半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)鹊谋韺硬恐校谑芄饷鎮(zhèn)入姌O12的下部區(qū)域及其附近區(qū)域中形成第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a，該第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a是n型的雜質(zhì)元素以高濃度(第一濃度)被擴(kuò)散了的高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層(低電阻擴(kuò)散層)。受光面?zhèn)入姌O12是在第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a上面不從該第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a露出地形成的。另外，所有表面銀柵電極5是在第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a上面以相同的寬度形成的。另外，在半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)鹊谋韺硬恐?，在未形成第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的區(qū)域中形成第二n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3b，該第二n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3b是n型的雜質(zhì)元素以比第一濃度低的低濃度(第二濃度)被擴(kuò)散了的低濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層(高電阻擴(kuò)散層)。通過(guò)形成這樣的選擇性發(fā)射極構(gòu)造，能夠降低受光面?zhèn)入姌O12和n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3的接觸電阻，能夠提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。另一方面，在半導(dǎo)體基板11的背面(與受光面相反的一側(cè)的面)，整體地設(shè)置由鋁材料構(gòu)成的背面鋁電極7，另外，在例如與表面銀柵電極5大致相同的方向上延伸地設(shè)置由銀材料構(gòu)成的背面銀電極8作為取出電極。另外，由背面鋁電極7和背面銀電極8構(gòu)成作為第二電極的背面?zhèn)入姌O13。另外，在半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)鹊谋韺硬壳冶趁驿X電極7的下部形成燒制而成的鋁(Al)和硅(Si)的合金層(未圖示)，在其下方形成包含利用鋁擴(kuò)散的高濃度雜質(zhì)的p+層(BSF：BackSurfaceField(背面場(chǎng)))(未圖示)。p+層(BSF)是為了得到BSF效果而設(shè)置的，為了使p型層(半導(dǎo)體基板2)中的電子不消滅，在帶構(gòu)造的電場(chǎng)中提高p型層(半導(dǎo)體基板2)的電子濃度。在這樣構(gòu)成的太陽(yáng)能電池單元1中，如果從太陽(yáng)能電池單元1的受光面?zhèn)葘?duì)半導(dǎo)體基板11的pn結(jié)面(半導(dǎo)體基板2和n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3的接合面)照射陽(yáng)光，則生成空穴和電子。由于pn結(jié)部的電場(chǎng)，生成的電子朝向n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3移動(dòng)，空穴朝向p+層移動(dòng)。由此，在n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3中電子變得過(guò)剩，在p+層中空穴變得過(guò)剩，其結(jié)果，產(chǎn)生光電動(dòng)勢(shì)。該光電動(dòng)勢(shì)在使pn結(jié)向正向偏置的朝向產(chǎn)生，與n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3連接的受光面?zhèn)入姌O12為負(fù)極，與p+層連接的背面鋁電極7為正極，在未圖示的外部電路中流過(guò)電流。在上述實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元1中，關(guān)于第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案，在圖1-1中的X方向上，隨著接近定位基準(zhǔn)點(diǎn)，與梳齒狀的表面銀柵電極5對(duì)應(yīng)的梳齒狀的圖案分別變細(xì)。在圖1-1中，透過(guò)防反射膜4而示出第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a。在圖1-1中，用×標(biāo)記表示定位基準(zhǔn)點(diǎn)(以下在附圖中也同樣)。此處，半導(dǎo)體基板11的面內(nèi)的中央部成為定位基準(zhǔn)點(diǎn)。因此，位于圖1-1中的X方向的左端的梳齒狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案3aL的寬度、以及位于圖1-1中的X方向的右端的梳齒狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案3aR的寬度最粗。另外，位于圖1-1中以及圖1-3中的X方向的中央的梳齒狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案3aC的寬度最細(xì)。另外，關(guān)于定位基準(zhǔn)點(diǎn)以及第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案的詳情將后述。另外，表面銀柵電極5全部以相同的寬度形成。另外，鄰接的表面銀柵電極5間隔全部成為相同的間隔。另外，所有表面銀柵電極5不從在該表面銀柵電極5的下部形成的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a露出地形成。另外，在圖1-1中的X方向的左端的表面銀柵電極5中，在延伸方向的中央部的區(qū)域B中，利用銀膏印刷形成了對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部51L。另外，在圖1-1中的X方向的右端的表面銀柵電極5，在延伸方向的中央部的區(qū)域D中，利用銀膏印刷形成了對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部51R。以下，依照附圖，說(shuō)明如上所述構(gòu)成的本實(shí)施方式的太陽(yáng)能電池單元1的制造方法。圖2-1～圖2-9是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的太陽(yáng)能電池單元1的制造工序的一個(gè)例子的剖面圖。首先，作為半導(dǎo)體基板2，準(zhǔn)備例如幾百μm厚的p型單晶硅基板，并將基板洗凈(圖2-1)。p型單晶硅基板是用線鋸對(duì)將熔融的硅冷卻固化而形成的錠(ingot)進(jìn)行切片而制造的，所以在表面殘留切片時(shí)的損傷。因此，將p型單晶硅基板浸漬到氫氟酸等酸或者加熱的堿溶液中、例如氫氧化鈉水溶液中而將表面蝕刻掉15μm左右的厚度，從而去除在硅基板的切出時(shí)產(chǎn)生而存在于p型單晶硅基板的表面附近的損傷區(qū)域。之后，用氫氟酸將p型單晶硅基板的表面洗凈。之后，用純水洗凈。在損傷去除之后，例如將p型單晶硅基板浸漬到氫氧化鈉和異丙醇(IPA)的混合溶液中來(lái)進(jìn)行該p型單晶硅基板的各向異性蝕刻。由此，在p型單晶硅基板的受光面?zhèn)鹊谋砻嫘纬捎衫?0μm左右的深度的微小凹凸(未圖示)構(gòu)成的紋理構(gòu)造。通過(guò)將這樣的紋理構(gòu)造設(shè)置于p型單晶硅基板的受光面?zhèn)?，在太?yáng)能電池單元1的表面?zhèn)犬a(chǎn)生光的多重反射，能夠高效地在半導(dǎo)體基板11的內(nèi)部吸收入射到太陽(yáng)能電池單元1的光，能夠有效地降低反射率而提高轉(zhuǎn)換效率。在用堿溶液進(jìn)行損傷層的去除以及紋理構(gòu)造的形成的情況下，有時(shí)將堿溶液的濃度調(diào)整為與各個(gè)目的對(duì)應(yīng)的濃度，進(jìn)行連續(xù)處理。另外，也可以通過(guò)反應(yīng)性離子蝕刻(RIE：ReactiveIonEtching)等干蝕刻工藝，在p型多晶硅基板的表面形成1μm～3μm左右的深度的微小凹凸。接下來(lái)，進(jìn)行擴(kuò)散處理而在半導(dǎo)體基板2中形成pn結(jié)。即，通過(guò)使磷(P)等V族元素?cái)U(kuò)散到半導(dǎo)體基板2等，在半導(dǎo)體基板2中形成幾百nm厚的n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3。首先，在成為半導(dǎo)體基板2的受光面?zhèn)鹊囊幻鎮(zhèn)?，將n型摻雜膏21涂覆到在后面的工序中形成受光面?zhèn)入姌O12的區(qū)域(圖2-2)。n型摻雜膏21是由包括作為n型的摻雜材料包含幾個(gè)百分比的磷(P)等V族元素及其化合物的樹脂和有機(jī)溶劑的膏而構(gòu)成的。在本實(shí)施方式中，n型摻雜膏21包含磷(P)作為摻雜材料。在n型摻雜膏21的涂覆中，使用例如絲網(wǎng)印刷法。關(guān)于在絲網(wǎng)印刷中使用的印刷掩模，在由例如鋁合金等構(gòu)成的印刷掩模框之間，以預(yù)定的張力架設(shè)·支撐金屬網(wǎng)眼。即，印刷掩?？蜓刂∷⒀谀５耐庵芏辉O(shè)置在印刷掩模的外周緣部，來(lái)保持金屬網(wǎng)眼。關(guān)于金屬網(wǎng)眼，在除了與印刷圖案對(duì)應(yīng)的開口部以外的部分包覆感光性樹脂膜(乳劑)。此處的開口部的形狀是在半導(dǎo)體基板2的面方向上包含受光面?zhèn)入姌O12的圖案而構(gòu)成的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案。如圖3-1以及圖3-2所示，按照梳形形狀印刷n型摻雜膏21。該梳形形狀的圖案成為在半導(dǎo)體基板2的面方向上包含受光面?zhèn)入姌O12的圖案的圖案，該受光面?zhèn)入姌O12包括在后面的工序中形成的多條表面銀柵電極5和幾條表面銀匯流電極6。即，該梳形形狀的圖案包括受光面?zhèn)入姌O12的下部區(qū)域以及從該下部區(qū)域擴(kuò)展的周邊區(qū)域。圖3-1是示出在半導(dǎo)體基板2的一面?zhèn)扔∷⒘薾型摻雜膏21的狀態(tài)的平面圖。圖3-2是將圖3-1中的區(qū)域B、區(qū)域C、區(qū)域D放大而示出的主要部分放大圖。在圖3-2中，(a)放大示出區(qū)域B，(b)放大示出區(qū)域C，(c)放大示出區(qū)域D。此處，n型摻雜膏21是以隨著接近表面銀柵電極5的寬度方向(圖3-1中的X方向)上的特定的位置，與表面銀柵電極5對(duì)應(yīng)的梳齒狀的部分的寬度分別變細(xì)的圖案被印刷的。在實(shí)施方式1中，在n型摻雜膏21的印刷圖案中，位于圖3-1中的X方向上的中央的梳齒狀的n型摻雜膏的印刷圖案21C(以下有時(shí)稱為中央印刷圖案21C)被設(shè)為特定的位置。另外，在圖3-1中的X方向上，n型摻雜膏21的印刷圖案中的其他梳齒狀的部分隨著接近中央印刷圖案21C，梳齒狀的印刷圖案分別變細(xì)。因此，位于圖3-1中的X方向上的左端的梳齒狀的n型摻雜膏的印刷圖案21L(以下有時(shí)稱為左端印刷圖案21L)以及位于X方向的右端的梳齒狀的n型摻雜膏的印刷圖案21R(以下有時(shí)稱為右端印刷圖案21R)的印刷寬度最粗。即，左端印刷圖案21L以及右端印刷圖案21R的寬度a最粗。另外，中央印刷圖案21C的寬度b最細(xì)。另外，在印刷n型摻雜膏21時(shí)，如圖3-1以及圖3-2所示，位于沿著半導(dǎo)體基板2的相向的一對(duì)的2邊形成的梳齒狀的部分的左端的梳齒狀的部分即左端印刷圖案21L中的延伸方向的中央部的區(qū)域B中，利用n型摻雜膏21印刷對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部22L。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部22L利用n型摻雜膏21而被印刷成例如從左端印刷圖案21L突出的特定的形狀。另外，在印刷n型摻雜膏21時(shí)，如圖3-1以及圖3-2所示，位于沿著半導(dǎo)體基板2的相向的一對(duì)的2邊形成的梳齒狀的部分的右端的梳齒狀的部分即右端印刷圖案21R中的延伸方向的中央部的區(qū)域D中，利用n型摻雜膏21印刷對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部22R。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部22R利用n型摻雜膏21而被印刷成例如從右端印刷圖案21R突出的特定的形狀。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部22L以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部22R在后面的電極印刷工序中被用于在摻雜膏印刷部分高精度地重疊電極。在n型摻雜膏21的印刷之后，將半導(dǎo)體基板2投入到干燥爐，使該n型摻雜膏21在例如250℃下干燥。圖4是示出在實(shí)施方式1中用于膏的印刷的可重疊印刷的絲網(wǎng)印刷裝置的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。在該絲網(wǎng)印刷裝置中，在可動(dòng)式的印刷載置臺(tái)31上面載置被印刷物32(半導(dǎo)體基板2)。印刷載置臺(tái)31在圖4所示的X方向、Y方向、θ方向上自如地可動(dòng)。此處，X方向與圖3-1中的X方向?qū)?yīng)。X方向和Y方向是在印刷載置臺(tái)31的面方向上正交的方向。通常，在四邊形形狀的半導(dǎo)體基板2中，相向的二對(duì)邊的延伸方向分別在X方向和Y方向?qū)?zhǔn)，將印刷面向上地載置到印刷載置臺(tái)31上面。另外，θ方向是印刷載置臺(tái)31的面方向中的旋轉(zhuǎn)方向。在半導(dǎo)體基板2的一個(gè)面上，如上所述印刷對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部22L以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部22R。另外，在該絲網(wǎng)印刷裝置中，在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部22L以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部22R各自的上部分別配置識(shí)別各對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部的固定照相機(jī)33。固定照相機(jī)33與圖像處理裝置34連接。圖像處理裝置34存儲(chǔ)用固定照相機(jī)33攝影的圖像。在圖像處理裝置34中，如圖5所示，預(yù)先登記對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部35L以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部35R的形狀數(shù)據(jù)和位置數(shù)據(jù)作為半導(dǎo)體基板2的位置對(duì)準(zhǔn)用的參照?qǐng)D像35。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部35L對(duì)應(yīng)于后面的與電極膏同時(shí)印刷的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部51L，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部35R對(duì)應(yīng)于后面的與電極膏同時(shí)印刷的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部51R。圖5是示出作為半導(dǎo)體基板2的位置對(duì)準(zhǔn)用的參照?qǐng)D像35登記在圖像處理裝置34中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部的圖。接下來(lái)，將涂覆了n型摻雜膏21的半導(dǎo)體基板2投入到熱擴(kuò)散爐，進(jìn)行摻雜物(磷)的熱擴(kuò)散工序。在該工序中，在三氯氧磷(POCl3)氣體中，通過(guò)氣相擴(kuò)散法在高溫下進(jìn)行熱擴(kuò)散從而使磷擴(kuò)散。此處，在n型摻雜膏21中，相比于三氯氧磷(POCl3)氣體，以更高濃度含有摻雜物(磷)。因此，在半導(dǎo)體基板2的一面?zhèn)龋谟∷⒘薾型摻雜膏21的區(qū)域的下部進(jìn)行比其他區(qū)域更大量的摻雜物(磷)的熱擴(kuò)散。由此，使摻雜物(磷)從半導(dǎo)體基板2的一面?zhèn)鹊谋砻嬷械膎型摻雜膏21向n型摻雜膏21的印刷區(qū)域的下部區(qū)域高濃度(第一濃度)地?zé)釘U(kuò)散，而形成第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a(圖2-3)。即，半導(dǎo)體基板2的一面?zhèn)鹊谋砻嬷械牡谝籲型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案成為半導(dǎo)體基板2的一面?zhèn)鹊谋砻嬷械膎型摻雜膏21的印刷圖案。另外，通過(guò)該熱擴(kuò)散工序，在半導(dǎo)體基板2的表面中的除了n型摻雜膏21的印刷區(qū)域以外的區(qū)域、即半導(dǎo)體基板2的露出區(qū)域中，以比第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的濃度低的低濃度(第二濃度)使摻雜物(磷)熱擴(kuò)散而形成第二n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3b(圖2-3)。由此，作為n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3，在半導(dǎo)體基板2的受光面?zhèn)鹊玫接傻谝籲型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a和第二n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3b構(gòu)成的選擇性發(fā)射極構(gòu)造。關(guān)于半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)鹊谋与娮?，例如成為受光面?zhèn)入姌O12的下部區(qū)域的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a為20～40Ω/□，成為受光面的第二n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3b為80～120Ω/□。圖6-1是示出在半導(dǎo)體基板2的一面?zhèn)刃纬闪说谝籲型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的狀態(tài)的平面圖。圖6-2是將圖6-1中的區(qū)域B、區(qū)域C、區(qū)域D放大而示出的主要部分放大圖。在圖6-2中，(a)放大示出區(qū)域B，(b)放大示出區(qū)域C，(c)放大示出區(qū)域D。如圖6-1所示，半導(dǎo)體基板2的一面?zhèn)鹊谋砻嬷械牡谝籲型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案成為半導(dǎo)體基板2的一面?zhèn)鹊谋砻嬷械膎型摻雜膏21的印刷圖案(梳形形狀)。因此，如圖6-2所示，按照中央印刷圖案21C的形狀來(lái)形成位于圖6-1中的X方向上的中央的梳齒狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案3aC(以下有時(shí)稱為中央第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aC)。按照左端印刷圖案21L的形狀來(lái)形成位于圖6-1中的X方向上的左端的梳齒狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案3aL(以下有時(shí)稱為左端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aL)。按照右端印刷圖案21R的形狀來(lái)形成位于圖6-1中的X方向上的右端的梳齒狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案3aR(以下有時(shí)稱為右端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aR)。另外，關(guān)于第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案中的其他梳齒狀的部分，在圖6-1中的X方向上隨著接近中央第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aC，梳齒狀的圖案分別變細(xì)。因此，左端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aL以及右端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aR的寬度a最粗。另外，中央第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aC的寬度b最細(xì)。此處，例如將左端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aL以及右端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aR的寬度a設(shè)為200μm，將最接近定位基準(zhǔn)點(diǎn)的中央第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aC的寬度b設(shè)為120μm。另外，按照利用n型摻雜膏21而被印刷的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部22L的形狀來(lái)形成第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部41L。另外，按照利用n型摻雜膏21而被印刷的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部22R的形狀來(lái)形成第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部41R。此時(shí)的要擴(kuò)散的磷濃度能夠通過(guò)n型摻雜膏21中的摻雜物(磷)的濃度、三氯氧磷(POCl3)氣體的濃度以及環(huán)境溫度、加熱時(shí)間來(lái)控制。另外，在緊接著熱擴(kuò)散工序之后的半導(dǎo)體基板2的表面形成在擴(kuò)散處理中堆積在表面的玻璃質(zhì)(磷硅酸玻璃，PSG：Phospho-SilicateGlass)層(未圖示)。接下來(lái)，進(jìn)行pn分離(未圖示)。第二n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3b均勻地形成在半導(dǎo)體基板2的表面，所以半導(dǎo)體基板2的一面?zhèn)群土硪幻鎮(zhèn)忍幱诒浑娺B接的狀態(tài)。因此，當(dāng)在該狀態(tài)下直接形成背面鋁電極7(p型電極)和受光面?zhèn)入姌O12(n型電極)的情況下，背面鋁電極7(p型電極)和受光面?zhèn)入姌O12(n型電極)被電連接。為了切斷該電連接，通過(guò)例如干蝕刻、激光來(lái)去除形成在半導(dǎo)體基板2的端面區(qū)域的第二n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3b而進(jìn)行pn分離。接下來(lái)，通過(guò)將半導(dǎo)體基板2浸漬到例如氫氟酸溶液中，之后進(jìn)行水洗處理，從而在熱擴(kuò)散工序中在半導(dǎo)體基板2的表面形成的玻璃質(zhì)層以及作為n型摻雜膏21的殘存物的玻璃質(zhì)層(磷化合物溶解之后的塊)被去除(圖2-4)。由此，得到由第一導(dǎo)電類型層即p型硅構(gòu)成的半導(dǎo)體基板2和在該半導(dǎo)體基板2的受光面?zhèn)刃纬傻牡诙?dǎo)電類型層即n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3構(gòu)成pn結(jié)的半導(dǎo)體基板11。接下來(lái)，以均勻的厚度、例如60～80nm的厚度在半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)?n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3側(cè))形成例如氮化硅(SiN)膜作為防反射膜4(圖2-5)。在防反射膜4的形成中，使用例如等離子體CVD法，將硅烷(SiH4)氣體和氨(NH3)氣體的混合氣體用作原材料。接下來(lái)，通過(guò)絲網(wǎng)印刷形成電極。首先，通過(guò)絲網(wǎng)印刷形成背面?zhèn)入姌O13(燒制前)。即，為了形成作為取得與外部的導(dǎo)通的外部取出電極的背面銀電極，按照期望的背面銀電極的圖案在半導(dǎo)體基板11的背面印刷作為包含銀粒子的電極材料膏的銀膏8a并使其干燥(圖2-6)。接下來(lái)，在除了背面銀電極8的圖案部分以外的半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)鹊拿嬷?，按照背面鋁電極7的形狀印刷涂覆作為包含鋁粒子的電極材料膏的鋁膏7a并使其干燥(圖2-7)。接下來(lái)，通過(guò)絲網(wǎng)印刷形成受光面?zhèn)入姌O12(燒制前)。即，在半導(dǎo)體基板11的受光面的防反射膜4上，通過(guò)絲網(wǎng)印刷按照表面銀柵電極5和表面銀匯流電極6的形狀涂覆作為包含玻璃料和銀粒子的電極材料膏的銀膏12a，之后使銀膏干燥(圖2-8)。另外，在圖2-8中，僅示出了銀膏12a中表面銀柵電極5形成用的銀膏5a部分。此處，受光面?zhèn)入姌O12形成用的銀膏被重疊印刷到半導(dǎo)體基板11的一面?zhèn)鹊膿诫s膏印刷部分、即在半導(dǎo)體基板11的一面?zhèn)鹊谋砻嬷行纬傻牡谝籲型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a。圖7-1是示出在半導(dǎo)體基板11的一面?zhèn)扔∷⒘算y膏12a的狀態(tài)的平面圖。圖7-2是將圖7-1中的區(qū)域B、區(qū)域C、區(qū)域D放大示出的主要部分放大圖。在圖7-2中，(a)放大示出區(qū)域B，(b)放大示出區(qū)域C，(c)放大示出區(qū)域D。如以下那樣向第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a重疊印刷銀膏的印刷圖案。首先，對(duì)載置半導(dǎo)體基板11的印刷載置臺(tái)31進(jìn)行微調(diào)整，以使預(yù)先作為參照?qǐng)D像35登記在圖像處理裝置34中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部35L的位置(數(shù)據(jù))、和第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部41L的位置(數(shù)據(jù))在預(yù)定的誤差的范圍內(nèi)一致。另外，對(duì)載置半導(dǎo)體基板11的印刷載置臺(tái)31進(jìn)行微調(diào)整，以使預(yù)先作為參照?qǐng)D像35登記在圖像處理裝置34中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部35R的位置(數(shù)據(jù))、和第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部41R的位置(數(shù)據(jù))在預(yù)定的誤差的范圍內(nèi)一致。然后，如圖7-1以及圖7-2所示，在第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a上面印刷銀膏12a。因此，如圖7-2所示，在中央第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aC上面印刷位于圖7-1中的X方向的中央的梳齒狀的表面銀柵電極的印刷圖案5aC(以下有時(shí)稱為中央印刷圖案5aC)。在左端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aL上面印刷位于圖7-1中的X方向的左端的梳齒狀的表面銀柵電極的印刷圖案5aL(以下有時(shí)稱為左端印刷圖案5aL)。在右端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aR上面印刷位于圖7-1中的X方向的右端的梳齒狀的表面銀柵電極的印刷圖案5aR(以下有時(shí)稱為右端印刷圖案5aR)。另外，表面銀柵電極5形成用的銀膏5a的印刷圖案中的其他梳齒狀的部分也同樣地印刷于梳形形狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a上面。另外，表面銀匯流電極6形成用的銀膏12a也印刷于對(duì)應(yīng)的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a上面。表面銀柵電極的銀膏的印刷寬度c是以完全相同的印刷寬度進(jìn)行印刷的。在實(shí)施方式1中，將表面銀柵電極的銀膏的印刷寬度c設(shè)為例如100μm。另外，表面銀柵電極5的銀膏的印刷間隔是以完全相同的印刷間隔進(jìn)行印刷。另外，在銀膏12a的印刷時(shí)，如圖7-1以及圖7-2所示，位于沿著半導(dǎo)體基板2的相向的一對(duì)的2邊形成的梳齒狀的部分的左端的梳齒狀的部分即左端印刷圖案5aL中的延伸方向的中央部的區(qū)域B中，利用銀膏12a印刷對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部51L。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部51L成為從例如左端印刷圖案5aL突出的特定的形狀，成為與第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部41L對(duì)應(yīng)的形狀。另外，在銀膏12a的印刷時(shí)，如圖7-1以及圖7-2所示，位于沿著半導(dǎo)體基板2的相向的一對(duì)的2邊形成的梳齒狀的部分的右端的梳齒狀的部分即右端印刷圖案5aR中的延伸方向的中央部的區(qū)域D中，利用銀膏12a印刷對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部51R。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部51R成為從例如右端印刷圖案5aR突出的特定的形狀，成為與第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部41R對(duì)應(yīng)的形狀。此處，使銀膏12a印刷用的印刷載置臺(tái)的位置(銀膏12a的印刷位置)對(duì)準(zhǔn)而進(jìn)行銀膏12a的印刷，以使第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部41L的位置和對(duì)應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部35L的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部51L的位置、以及第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部41R的位置和對(duì)應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部35R的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部51R的位置一致。此時(shí)，將最高精度地重疊的點(diǎn)稱為定位基準(zhǔn)點(diǎn)，此處，在左端印刷圖案5aL中的延伸方向的中央部的區(qū)域B以及右端印刷圖案5aR中的延伸方向的中央部的區(qū)域D分別設(shè)置了對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志，所以半導(dǎo)體基板11的面內(nèi)的中央部成為定位基準(zhǔn)點(diǎn)。在圖7-1中，用×標(biāo)記表示定位基準(zhǔn)點(diǎn)。銀膏12a印刷用的印刷掩模是以同一間隔并列地具有比在第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的寬度方向上最接近定位基準(zhǔn)點(diǎn)的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的寬度細(xì)的同一寬度的多個(gè)開口圖案的印刷掩模。另外，在第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的寬度方向上最接近定位基準(zhǔn)點(diǎn)的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a和對(duì)應(yīng)于該第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的位置的開口圖案被最高精度地位置對(duì)準(zhǔn)。第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a部分和銀膏12a的印刷位置從定位基準(zhǔn)點(diǎn)側(cè)起相匹配(從定位基準(zhǔn)點(diǎn)側(cè)起高精度地重疊)。因此，即使發(fā)生銀膏12a印刷用的印刷掩模的伸展、歪斜等，在定位基準(zhǔn)點(diǎn)側(cè)也印刷精度高且不產(chǎn)生印刷偏移。另一方面，隨著遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)，印刷位置逐漸偏移而發(fā)生印刷偏移。因此，遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)的位置的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的寬度具有某種程度的寬度，以使在銀膏12a的印刷工序中銀膏12a不從第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a露出。即，關(guān)于第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案中的梳齒狀的部分，隨著遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)，梳齒狀的圖案分別變粗。另外，在接近定位基準(zhǔn)點(diǎn)的位置，銀膏12a的印刷精度高，所以使第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的寬度變細(xì)。由此，能夠減小n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3中的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a(高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層)所占的面積，降低半導(dǎo)體基板11中的電子的再結(jié)合而提高太陽(yáng)能電池的電氣特性。此處，如上所述，例如將在表面銀柵電極5的寬度方向上最遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)的左端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aL以及右端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aR的寬度a設(shè)為200μm，將最接近定位基準(zhǔn)點(diǎn)的中央第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aC的寬度b設(shè)為120μm。如以上那樣，以使銀膏12a的圖案重疊于n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3上的方式進(jìn)行印刷。此處，即使在銀膏12a印刷用的印刷掩模的伸展、歪斜等所致的印刷偏移量d為例如50μm的情況下，寬度100μm的左端印刷圖案5aL以及右端印刷圖案5aR也不從最遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)的寬度200μm的左端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aL以及右端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aR露出地被印刷。這樣，即使在表面銀柵電極5的寬度方向上遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)的位置的表面銀柵電極5中，也不會(huì)產(chǎn)生與第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的印刷偏移，而能夠減小定位基準(zhǔn)點(diǎn)側(cè)的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a(高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層)的面積。由此，除了通過(guò)選擇性發(fā)射極構(gòu)造提高特性以外，還能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)一步的特性提高和用于形成第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a(高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層)的成本的削減。即，通過(guò)防止表面銀柵電極5與第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的印刷偏移，能夠防止由于受光面?zhèn)入姌O12從第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a露出而覆蓋第二n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3b而引起的受光面?zhèn)入姌O12和半導(dǎo)體基板11(n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3)的接觸電阻的增加，從而防止太陽(yáng)能電池的特性降低，能夠提高太陽(yáng)能電池單元1的光電轉(zhuǎn)換效率。在表面銀柵電極5與第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a發(fā)生了印刷偏移的情況下，不對(duì)提高與表面銀柵電極5的導(dǎo)電性作出貢獻(xiàn)而成為半導(dǎo)體基板11中的電子的再結(jié)合增加的主要原因的不需要的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a(高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層)的面積增加。另外，通過(guò)減小定位基準(zhǔn)點(diǎn)側(cè)的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a(高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層)的面積，能夠減小第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a(高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層)在n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3中所占的面積，降低半導(dǎo)體基板11中的電子的再結(jié)合來(lái)提高太陽(yáng)能電池的電氣特性。之后，通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體基板11的表面以及背面的電極膏同時(shí)進(jìn)行燒制，在半導(dǎo)體基板11的表面?zhèn)?，在由于銀膏中包含的玻璃材料而防反射膜4熔融的期間，銀材料與硅接觸而再凝固。由此，得到作為受光面?zhèn)入姌O12的表面銀柵電極5以及表面銀匯流電極6，受光面?zhèn)入姌O12和n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3被電連接(圖2-9)。這樣的工藝被稱為燒穿(fire-through)法。由此，n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3能夠得到與受光面?zhèn)入姌O12良好的電阻性接合。使用例如紅外線加熱爐在750℃～800℃以上進(jìn)行燒制。另一方面，在半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)?，燒制鋁膏7a以及銀膏8a而形成背面鋁電極7和背面銀電極8，進(jìn)而兩者的連接部形成為合金部。另外，與其并行地，鋁膏7a還與半導(dǎo)體基板11的背面的硅產(chǎn)生合金化反應(yīng)，在其再固化的過(guò)程中在背面鋁電極7的正下方形成將鋁作為摻雜物包含的BSF層(未圖示)。由此，能夠使形成在半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)鹊膎型雜質(zhì)擴(kuò)散層3反轉(zhuǎn)為p型層而使半導(dǎo)體基板11的背面的pn結(jié)無(wú)效化。另外，定位基準(zhǔn)點(diǎn)的取法不限于上述例子。例如，也可以如圖8-1以及圖8-2所示，在梳形形狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的寬度方向(圖8-1中的X方向)上的一端側(cè)的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a、和梳形形狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的寬度方向(圖8-1中的X方向)上的端部側(cè)以外的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a中設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部。另外，在表面銀柵電極5形成用的銀膏5a的印刷圖案中，在與該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部。圖8-1是示出在半導(dǎo)體基板2的一面?zhèn)刃纬傻谝籲型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的其他狀態(tài)的平面圖。圖8-2是將圖8-1中的區(qū)域E、區(qū)域F、區(qū)域G、區(qū)域H放大而示出的主要部分放大圖。在圖8-2中，(a)放大示出區(qū)域E，(b)放大示出區(qū)域F，(c)放大示出區(qū)域G，(d)放大示出區(qū)域H。圖8-3是示出在圖8-1中的區(qū)域H中印刷了銀膏5a的狀態(tài)的平面圖。如圖8-1所示，半導(dǎo)體基板2的一面?zhèn)鹊谋砻嬷械牡谝籲型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案成為半導(dǎo)體基板2的一面?zhèn)鹊谋砻嬷械膎型摻雜膏21的印刷圖案(梳形形狀)。如圖8-1以及圖8-2所示，在左端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aL中形成第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部42La和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部42Lb。另外，在梳形形狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的寬度方向(圖8-1中的X方向)上的左數(shù)第三條的梳齒狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aL3中形成第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部42L3。在該情況下，圖8-1中的半導(dǎo)體基板2的左下部成為定位基準(zhǔn)點(diǎn)。另外，關(guān)于第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案中的其他梳齒狀的部分，在圖8-1中的X方向上，隨著接近左端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aL，梳齒狀的圖案分別變細(xì)。因此，右端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aR的寬度f(wàn)最粗。另外，左端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aL的寬度e最細(xì)。在該情況下，例如將在梳形形狀的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的寬度方向(圖8-1中的X方向)上最接近定位基準(zhǔn)點(diǎn)的左端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aL的寬度e設(shè)為120μm，將最遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)的右端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aR的寬度f(wàn)設(shè)為200μm。此處，即使在銀膏12a印刷用的印刷掩模的伸展、歪斜等所致的印刷偏移量g為例如50μm的情況下，寬度100μm的右端印刷圖案5aR也不從最遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)的寬度200μm的右端第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3aR露出地被印刷。如上所述，在實(shí)施方式1中，在表面銀柵電極5的寬度方向上遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)的位置的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的寬度具有存在某種程度的富余的寬度，以使在銀膏12a的印刷工序中銀膏12a不從第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a露出。即，關(guān)于第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的圖案中的梳齒狀的部分，隨著遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)，梳齒狀的圖案分別變粗。另外，在接近定位基準(zhǔn)點(diǎn)的位置，銀膏12a的印刷精度高，所以使第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a的寬度變細(xì)。因此，不會(huì)在表面銀柵電極5的寬度方向上遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)的位置的表面銀柵電極5中產(chǎn)生印刷偏移，而能夠減小定位基準(zhǔn)點(diǎn)側(cè)的第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a(高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層)的面積。由此，除了通過(guò)選擇性發(fā)射極構(gòu)造提高特性以外，還能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)一步的特性提高和用于形成第一n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3a(高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層)的成本的削減。因此，根據(jù)實(shí)施方式1，能夠得到防止由于受光面?zhèn)入姌O的印刷偏移而引起的光電轉(zhuǎn)換效率降低的、光電轉(zhuǎn)換效率優(yōu)良的太陽(yáng)能電池。實(shí)施方式2.在上述實(shí)施方式1中，示出了如下情況：在選擇性發(fā)射極構(gòu)造中在n型雜質(zhì)擴(kuò)散層(高濃度雜質(zhì)擴(kuò)散層)部分中印刷電極膏而不引起印刷偏移地形成受光面?zhèn)入姌O。在實(shí)施方式2中，示出多次重疊印刷電極膏而形成多層構(gòu)造的電極的情況。在該情況下，在受光面?zhèn)入姌O形成用的銀膏的印刷工序中，重疊地進(jìn)行多次該銀膏的印刷。此處，說(shuō)明在受光面?zhèn)入姌O形成用的銀膏的印刷工序中進(jìn)行2次該銀膏的印刷的情況。首先，實(shí)施直至上述實(shí)施方式1中的圖2-7所示的工序?yàn)橹沟墓ば?。另外，以在三氯氧?POCl3)氣體中通過(guò)氣相擴(kuò)散法在高溫下利用熱擴(kuò)散而使磷擴(kuò)散從而使n型的雜質(zhì)元素的濃度變得均勻的方式，形成n型雜質(zhì)擴(kuò)散層3。接下來(lái)，通過(guò)絲網(wǎng)印刷在半導(dǎo)體基板11的受光面的防反射膜4上涂覆第一層的銀膏61，之后使第一層的銀膏61干燥。第一層的銀膏61的印刷圖案與實(shí)施方式1的情況同樣地，是表面銀柵電極5和表面銀匯流電極6的形狀。圖9-1是示出在半導(dǎo)體基板11的一面?zhèn)扔∷⒘说谝粚拥你y膏61的狀態(tài)的平面圖。圖9-2是將圖9-1中的區(qū)域B、區(qū)域C、區(qū)域D放大而示出的主要部分放大圖。在圖9-2中，(a)放大示出區(qū)域B，(b)放大示出區(qū)域C，(c)放大示出區(qū)域D。此時(shí)，第一層的銀膏61是按照與上述實(shí)施方式1中的n型摻雜膏21的印刷同樣的印刷方法以及印刷圖案而被印刷的。即，在圖9-1中的X方向上，隨著接近位于X方向的中央的梳齒狀的第一層的銀膏的印刷圖案61C(以下有時(shí)稱為中央印刷圖案61C)，梳齒狀的印刷圖案分別變細(xì)。因此，位于圖9-1中的X方向的左端的梳齒狀的第一層的銀膏的印刷圖案61L(以下有時(shí)稱為左端印刷圖案61L)以及位于X方向的右端的梳齒狀的第一層的銀膏的印刷圖案61R(以下有時(shí)稱為右端印刷圖案61R)的印刷寬度最粗。即，左端印刷圖案61L以及右端印刷圖案61R的寬度h最粗。另外，中央印刷圖案61C的寬度i最細(xì)。然后，在印刷第一層的銀膏61之后，使該第一層的銀膏61干燥。在第一層的銀膏61的印刷圖案中，如圖9-1以及圖9-2所示，在位于圖9-1中的X方向上的左端的左端印刷圖案61L中的延伸方向的中央部的區(qū)域B中，利用第一層的銀膏61印刷對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部62L。按照例如從左端印刷圖案61L突出的特定的形狀，利用第一層的銀膏61印刷對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部62L。另外，在第一層的銀膏61的印刷圖案中，如圖9-1以及圖9-2所示，在位于圖9-1中的X方向上的右端的右端印刷圖案61R中的延伸方向的中央部的區(qū)域D中，利用第一層的銀膏61印刷對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部62R。按照例如從右端印刷圖案61R突出的特定的形狀，利用第一層的銀膏61印刷對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部62R。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部62L以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部62R在后面的第二層的銀膏63的印刷工序中被用于對(duì)第一層的銀膏61高精度地重疊第二層的銀膏63。接下來(lái)，印刷第二層的銀膏63。圖10-1是示出在半導(dǎo)體基板11的一面?zhèn)扔∷⒘说诙拥你y膏63的狀態(tài)的平面圖。圖10-2是將圖10-1中的區(qū)域B、區(qū)域C、區(qū)域D放大而示出的主要部分放大圖。在圖10-2中，(a)放大示出區(qū)域B，(b)放大示出區(qū)域C，(c)放大示出區(qū)域D。另外，在印刷第二層的銀膏63時(shí)，在位于圖10-1中的X方向的左端的梳齒狀的第二層的銀膏的印刷圖案63L(以下有時(shí)稱為左端印刷圖案63L)中的延伸方向的中央部的區(qū)域B中，利用第二層的銀膏63印刷對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部64L。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部64L成為例如從左端印刷圖案63L突出的特定的形狀，成為與左端印刷圖案61L的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部62L對(duì)應(yīng)的形狀。另外，在印刷第二層的銀膏63時(shí)，在位于圖10-1中的X方向的右端的梳齒狀的第二層的銀膏的印刷圖案63R(以下有時(shí)稱為右端印刷圖案63R)中的延伸方向的中央部的區(qū)域D中，利用第二層的銀膏63印刷對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部64R。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部64R成為例如從右端印刷圖案63R突出的特定的形狀，成為與右端印刷圖案61R的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部62R對(duì)應(yīng)的形狀。另外，第二層的銀膏63的印刷是按照與上述實(shí)施方式1中的銀膏12a的印刷同樣的印刷方法以及印刷圖案而被印刷的。即，以使第一層的銀膏61的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志和第二層的銀膏63的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志一致的方式進(jìn)行印刷。即，使第二層的銀膏63印刷用的印刷載置臺(tái)的位置(第二層的銀膏63的印刷位置)對(duì)準(zhǔn)而進(jìn)行印刷，以使對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部62L的位置和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部64L的位置、以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部62R的位置和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志部64R的位置一致。此時(shí)，作為最高精度地重疊的點(diǎn)的定位基準(zhǔn)點(diǎn)為半導(dǎo)體基板11的面內(nèi)的中央部。在圖10-1中，用×標(biāo)記表示定位基準(zhǔn)點(diǎn)。第二層的銀膏63印刷用的印刷掩模是以同一間隔并列地具有比在表面銀柵電極5的寬度方向上最接近定位基準(zhǔn)點(diǎn)的第一層的銀膏61的圖案的寬度細(xì)的同一寬度的多個(gè)開口圖案的印刷掩模。另外，在表面銀柵電極5的寬度方向上最接近定位基準(zhǔn)點(diǎn)的第一層的銀膏61的圖案和對(duì)應(yīng)于該第一層的銀膏61的圖案的位置的開口圖案被最高精度地位置對(duì)準(zhǔn)。另外，第二層的銀膏63的印刷圖案中的梳齒狀的部分也同樣地被印刷于梳形形狀的第一層的銀膏61上面。另外，表面銀匯流電極6形成用的銀膏63圖案也被印刷于對(duì)應(yīng)的第一層的銀膏61上面。表面銀柵電極的第二層的銀膏63的印刷寬度j是以完全相同的印刷寬度進(jìn)行印刷的。另外，表面銀柵電極5的第二層的銀膏63的印刷間隔是以完全相同的印刷間隔進(jìn)行印刷的。第一層的銀膏61的印刷部分和第二層的銀膏63的印刷位置從定位基準(zhǔn)點(diǎn)側(cè)起相匹配(從定位基準(zhǔn)點(diǎn)側(cè)起高精度地重疊)。因此，即使發(fā)生第二層的銀膏63印刷用的印刷掩模的伸展、歪斜等，在定位基準(zhǔn)點(diǎn)側(cè)也印刷精度高且不產(chǎn)生印刷偏移。另一方面，隨著遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)，印刷位置逐漸偏移而發(fā)生印刷偏移。因此，遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)的位置的第一層的銀膏61的寬度具有某種程度的寬度，以使在第二層的銀膏63的印刷工序中第二層的銀膏63不從第一層的銀膏61露出。即，關(guān)于第一層的銀膏61的圖案中的梳齒狀的部分，隨著遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)，梳齒狀的圖案分別變粗。由此，即使在產(chǎn)生了第二層的銀膏印刷用的印刷掩模的伸展、歪斜等所致的印刷偏移量k的情況下，也不從第一層的銀膏61的印刷部分露出第二層的銀膏63的印刷部分地進(jìn)行印刷。另外，在接近定位基準(zhǔn)點(diǎn)的位置，第二層的銀膏63的印刷精度高，所以使第一層的銀膏61的寬度變細(xì)。由此，不從第一層的銀膏61的印刷部分露出第二層的銀膏63的印刷部分地進(jìn)行印刷。這樣，即使在表面銀柵電極5的寬度方向上遠(yuǎn)離定位基準(zhǔn)點(diǎn)的位置的表面銀柵電極5中，也能夠不產(chǎn)生第二層的銀膏63的印刷部分與第一層的銀膏61的印刷部分的印刷偏移而印刷電極，能夠減少定位基準(zhǔn)點(diǎn)側(cè)的電極面積。因此，能夠防止受光面?zhèn)入姌O所致的受光面積減小而提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)太陽(yáng)能電池的特性提高和用于形成受光面?zhèn)入姌O的成本的削減。因此，根據(jù)實(shí)施方式2，能夠得到防止了由于受光面?zhèn)入姌O的印刷偏移而引起的光電轉(zhuǎn)換效率降低的光電轉(zhuǎn)換效率優(yōu)良的太陽(yáng)能電池。另外，在上述內(nèi)容中，說(shuō)明了在不具有選擇性發(fā)射極構(gòu)造的太陽(yáng)能電池中多次重疊印刷電極膏來(lái)形成多層電極的情況，但還能夠應(yīng)用于具有實(shí)施方式1的選擇性發(fā)射極構(gòu)造的太陽(yáng)能電池的電極形成。另外，通過(guò)形成多個(gè)具有在上述實(shí)施方式中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池單元，并將鄰接的太陽(yáng)能電池單元彼此串聯(lián)或者并聯(lián)地電連接，能夠?qū)崿F(xiàn)光電轉(zhuǎn)換效率優(yōu)良的太陽(yáng)能電池模塊。在該情況下，將例如鄰接的太陽(yáng)能電池單元的一方的受光面?zhèn)入姌O12和另一方的背面?zhèn)入姌O13電連接即可。產(chǎn)業(yè)上的可利用性如以上那樣，本發(fā)明的太陽(yáng)能電池對(duì)防止了電極的印刷偏移的光電轉(zhuǎn)換效率優(yōu)良的太陽(yáng)能電池的實(shí)現(xiàn)是有用的。