氧化硅的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種氧化硅的制備方法，通過該方法可以控制氧化硅中氧的量。所述氧化硅的制備方法可以包括：將硅和二氧化硅混合并放入反應(yīng)室內(nèi)、降低反應(yīng)室的壓力以獲得高真空度同時(shí)將反應(yīng)室內(nèi)的溫度升高到反應(yīng)溫度、以及在還原氣氛下使硅和二氧化硅的混合物反應(yīng)。
【專利說明】氧化硅的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種氧化硅的制備方法，通過該法可以控制氧化硅中氧的量。
【背景技術(shù)】
[0002]鋰二次電池是一種能量?jī)?chǔ)存裝置，其中，電能儲(chǔ)存在電池中，同時(shí)，在放電過程中，鋰離子從陽極向陰 極移動(dòng)，而在充電過程中，鋰離子從陰極向陽極移動(dòng)。當(dāng)與其他電池相比時(shí)，鋰二次電池具有更高的能量密度和更低的自放電率，因此，鋰二次電池廣泛地用于各種行業(yè)。
[0003]鋰二次電池的部件可以分為陰極、陽極、電解質(zhì)和隔膜。在早期的鋰二次電池中，鋰金屬用作陽極活性材料。然而，由于當(dāng)重復(fù)充放電時(shí)可能發(fā)生安全問題，所以，鋰金屬已經(jīng)被碳基材料(例如，石墨)取代。由于碳基陽極活性材料具有類似于鋰金屬的與鋰離子的電化學(xué)反應(yīng)電位，并且在鋰離子連續(xù)的嵌入和脫嵌過程中晶體結(jié)構(gòu)的變化較小，因此，連續(xù)充放電成為可能。因此，能夠提供優(yōu)異的充放電壽命。
[0004]然而，由于鋰二次電池市場(chǎng)最近從移動(dòng)設(shè)備中使用的小型鋰二次電池?cái)U(kuò)展到車輛中使用的大型二次電池，故需要開發(fā)高容量和高功率的陽極活性材料的技術(shù)。因此，基于比碳基陽極活性材料具有更高理論容量的材料，例如，硅、錫、鍺、鋅、鉛，開發(fā)了非碳基陽極活性材料。
[0005]上述陽極活性材料可以通過提高充放電容量來提高能量密度。然而，由于反復(fù)充放電時(shí)電極上會(huì)產(chǎn)生枝晶或非導(dǎo)電化合物，因此，充放電特性會(huì)變差，或者在鋰離子的嵌入和脫嵌過程中膨脹和收縮會(huì)增加。因此，就使用上述陽極活性材料的二次電池而言，根據(jù)反復(fù)的充放電，放電容量的保持(下文中稱為“壽命特性”)會(huì)不足，并且制備后的首次放電容量與首次充電容量之比(放電容量/充電容量，后文稱作“首次效率”)也會(huì)不足。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]技術(shù)問題
[0007]本發(fā)明提供一種氧化硅的制備方法，通過該法可以控制氧化硅中氧的量。
[0008]技術(shù)方案
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種氧化硅的制備方法，該方法包括:將硅和二氧化硅混合并放入在反應(yīng)室內(nèi)、降低反應(yīng)室的壓力以獲得高真空度同時(shí)將反應(yīng)室內(nèi)的溫度升高到反應(yīng)溫度、以及在還原氣氛下使硅和二氧化硅的混合物反應(yīng)。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種陽極活性材料，其包括由上述方法制備的氧化硅。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種陽極，其包括上述陽極活性材料。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種鋰二次電池，其包括上述陽極。
[0013]有益效果
[0014]根據(jù)本發(fā)明，由于在還原氣氛中可以控制氧化硅中氧的量，所以，二次電池的首次效率可以提高，并且由于SiOJP鋰原子之間可以進(jìn)行反應(yīng)同時(shí)維持SiOx結(jié)構(gòu)，所以，壽命特性可以改善。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是示意圖，示出了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所述的氧化硅的制備裝置。
【具體實(shí)施方式】
[0016]本發(fā)明提供一種氧化硅的制備方法，該方法包括將硅和二氧化硅混合并放入反應(yīng)室內(nèi)、降低反應(yīng)室的壓力以獲得高真空度同時(shí)將反應(yīng)室內(nèi)的溫度升高到反應(yīng)溫度、以及在還原氣氛下使硅和二氧化硅的混合物反應(yīng)。[0017]圖1是示意圖，示出了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所述的氧化硅的制備裝置。參照?qǐng)D1，本發(fā)明的該實(shí)施例所述的氧化硅的制備裝置包括反應(yīng)室1、反應(yīng)器2、電爐4、真空泵5和收集器6。反應(yīng)器2設(shè)置在反應(yīng)室I內(nèi)，而硅和二氧化硅的混合物則放在反應(yīng)器2內(nèi)。利用電爐4可以將反應(yīng)室I內(nèi)的溫度升高到反應(yīng)溫度，而利用真空泵5 (例如，旋轉(zhuǎn)泵、渦輪分子泵等)可以提聞反應(yīng)室I的真空度以獲得聞?wù)婵斩??？梢栽诜磻?yīng)室I內(nèi)的壓力達(dá)到聞?wù)婵斩群蠼?jīng)氣嘴7向反應(yīng)室I內(nèi)通入能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體來產(chǎn)生或形成反應(yīng)室I內(nèi)的還原氣氛(見圖1(a))，也可以通過在反應(yīng)室I內(nèi)的單獨(dú)容器3內(nèi)放入從活性炭、鎂(Mg)、招(Al)、鉭(Ta)、鑰(Mo)、鈣(Ca)和鋅(Zn)所構(gòu)成的組里選擇的一種或多種來產(chǎn)生或形成還原氣氛(見圖1(b))。反應(yīng)室I內(nèi)制備的氧化硅為SiOx(其中，0<x< I)，該氧化硅收集在反應(yīng)室I內(nèi)所包含的收集器6中。
[0018]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所述的氧化硅的制備方法中，可以利用機(jī)械攪拌設(shè)備(例如，涂料振動(dòng)裝置)來進(jìn)行硅和二氧化硅的混合。但是，本發(fā)明不限于此，只要可以將硅和二氧化硅均勻混合，可以使用任何方法?？梢詫⒐韬投趸枰?.5:2到2:0.5的摩爾比進(jìn)行混合。在硅和二氧化硅以超出上述范圍的摩爾比進(jìn)行混合的情況下，未反應(yīng)的硅或者未反應(yīng)的二氧化硅的數(shù)量會(huì)增加，因此，產(chǎn)率會(huì)降低。按上述制備的硅和二氧化硅的混合物可以放入反應(yīng)室內(nèi)。
[0019]另外，本發(fā)明實(shí)施例所述的氧化硅的制備方法可以包括:降低反應(yīng)室的壓力來獲得高真空度，同時(shí)將反應(yīng)室內(nèi)的溫度升高到反應(yīng)溫度。
[0020]反應(yīng)溫度可以在1300°C到1500°C的范圍內(nèi)。在反應(yīng)溫度低于1300°C的情況下，硅和二氧化硅的反應(yīng)會(huì)減少，因此，氧化硅的產(chǎn)率會(huì)降低。在反應(yīng)溫度高于1500°C的情況下，硅和二氧化硅會(huì)熔化。另外，反應(yīng)溫度可以維持2小時(shí)到4小時(shí)。限制反應(yīng)溫度維持時(shí)間的原因與限制反應(yīng)溫度的原因相同。
[0021]在本發(fā)明的實(shí)施例所述的氧化硅的制備方法中，高真空度可以在10_4托到KT1托的范圍內(nèi)?？梢允褂眯D(zhuǎn)泵和渦輪分子泵形成高真空度。但是，本發(fā)明不限于此。由于在高真空度下反應(yīng)活性在熱力學(xué)上較高并且可以發(fā)生低溫反應(yīng)，因此，維持高真空度是有益的。在高真空度高于ΙΟ—1托的情況下，硅和二氧化硅的反應(yīng)會(huì)降低，因此，氧化硅的產(chǎn)率會(huì)降低且氧化硅中氧的量會(huì)增加。就設(shè)備和工藝而言，不便于獲得低于10_4托的真空度。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以維持高真空度，直到硅和二氧化硅的反應(yīng)完成，并且可以使能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體從反應(yīng)室的一側(cè)連續(xù)注入并從反應(yīng)室的另一側(cè)去除。[0023]可以以I標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘(sccm)到1000sccm的流速將能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體通入反應(yīng)室內(nèi)。在流速低于Isccm的情況下，不會(huì)產(chǎn)生還原氣氛，因此，氧化硅中氧的量會(huì)增加。在流速高于lOOOsccm的情況下，會(huì)提供過量的氣體，因此，制備過程效率低。
[0024] 另外，能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體可以包括從H2、冊(cè)13、和CO構(gòu)成的組里選擇的一種或多種、以及惰性氣體和112、順3、或CO的混合氣體?；旌蠚怏w可以包括Ivol %到5vol %的H2、NH3、或 CO。
[0025]希望在反應(yīng)完成前一直維持能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體，以減少氧的量。能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體可以是包括2vol%到5vol% H2的含H2氣體。
[0026]特別地，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，反應(yīng)完成前一直維持10_4托到10—1托的高真空度，同時(shí)向反應(yīng)室內(nèi)注入并流入能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體，因此，可以有效控制氧化硅中氧的量。
[0027]在本發(fā)明的實(shí)施例所述的氧化硅的制備方法中，還原氣氛可以通過向反應(yīng)室內(nèi)通入能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體來產(chǎn)生或形成，以及可以通過在反應(yīng)室內(nèi)的單獨(dú)容器內(nèi)加入例如活性炭等材料來產(chǎn)生或形成。
[0028]可以通過在反應(yīng)室內(nèi)的單獨(dú)容器內(nèi)加入從活性炭、鎂、鋁、鉭、鑰、鈣和鋅所構(gòu)成的組里選擇的一種或多種來形成還原氣氛。
[0029]在硅和二氧化硅反應(yīng)過程中，能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體或者加在反應(yīng)室內(nèi)的單獨(dú)容器內(nèi)的例如活性炭等材料會(huì)與氧反應(yīng)，從而降低所制備的氧化硅中所包括的氧的量。
[0030]另外，本發(fā)明可以提供一種包括氧化硅的陽極活性材料，所述氧化硅通過下述氧化硅的制備方法來制備，該方法包括:將硅和二氧化硅混合并放入反應(yīng)室內(nèi)、降低反應(yīng)室的壓力以獲得高真空度同時(shí)將反應(yīng)室內(nèi)的溫度升高到反應(yīng)溫度、以及在還原氣氛下使硅和二氧化硅的混合物反應(yīng)。
[0031]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所述的氧化硅可以是SiOx,在這種情況下，X可滿足O ^ X ^ 2，例如，O < X < I。
[0032]另外，氧化硅中的硅可以是晶態(tài)的或非晶態(tài)的。在氧化硅中包括的硅是晶態(tài)的情況下，娃的晶體尺寸為300nm或更小，可以是IOOnm或更小，例如，可以在0.05nm到50nm范圍內(nèi)。在這種情況下，可以通過X射線衍射(XRD)分析或電子顯微鏡(例如，掃描電子顯微鏡(SEM)，透射電子顯微鏡(TEM))來測(cè)量晶體尺寸。
[0033]通常使用的硅顆粒在電化學(xué)性地吸收、儲(chǔ)存、及釋放鋰原子的反應(yīng)中可以伴隨著非常復(fù)雜的晶體變化。當(dāng)電化學(xué)性地吸收、儲(chǔ)存、及釋放鋰原子的反應(yīng)進(jìn)行時(shí)，硅顆粒的組成和晶體結(jié)構(gòu)改變?yōu)镾i (晶體結(jié)構(gòu):Fd3m) ,LiSi (晶體結(jié)構(gòu):I41/a)、Li2Si (晶體結(jié)構(gòu):C2/m) ,Li7Si2 (Pbam)、以及Li22Si5 (F23)。另外，根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)的復(fù)雜變化，硅顆粒的體積膨脹到約四倍。然而，本發(fā)明的實(shí)施例所述的SiOx與鋰原子之間可以進(jìn)行反應(yīng)，同時(shí)維持SiOx的結(jié)構(gòu)。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，通過在高真空度和還原氣氛下使硅和二氧化硅反應(yīng)，可以控制SiOx中X的范圍，因此，可以有效控制氧化硅中氧的量。于是，可以提高二次電池的首次效率。
[0035]另外，本發(fā)明提供一種二次電池，其包括含陰極活性材料的陰極、隔膜、含陽極活性材料的陽極、以及電解質(zhì)。[0036]陽極活性材料可以制備為陽極。例如，本發(fā)明的陽極活性材料與粘合劑、溶劑、導(dǎo)電劑、以及分散劑(必要的話)進(jìn)行混合，并進(jìn)行攪拌以制成漿體。然后，可以用所述漿體涂布集流體并進(jìn)行壓制來制備陽極。
[0037]粘合劑的例子可以是偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物(PVDF-co-HEP)、聚偏氟乙烯、聚丙烯腈、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、羧甲基纖維素(CMC)、淀粉、羥丙基纖維素、再生纖維素、聚乙烯吡咯烷酮、四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯酸酯、三元乙丙橡膠(EPDM)、磺化三元乙丙橡膠、丁苯橡膠(SBR)、氟橡膠、或各種共聚物。
[0038]可以用N-甲基-2-吡咯烷酮、丙酮或水作溶劑。
[0039]導(dǎo)電劑不加特別限制，只要其不引起電池內(nèi)化學(xué)變化并且具有導(dǎo)電性即可。導(dǎo)電劑的例子可以是石墨(例如，天然石墨和人造石墨)；炭黑(例如，乙炔黑、科琴黑、槽法炭黑、爐黑、燈黑、和熱炭黑)；導(dǎo)電纖維(例如，碳纖維和金屬纖維)；金屬粉末(例如，氟碳粉、鋁粉、鎳粉)；導(dǎo)電晶須(例如，氧化鋅晶須和鈦酸鉀晶須)；導(dǎo)電金屬氧化物(例如，氧化鈦)；以及導(dǎo)電材料(例如，聚苯類衍生物)。
[0040]可以使用水基分散劑或有機(jī)分散劑(例如N-甲基-2-吡咯烷酮)作為所述分散劑。
[0041]與陽極的制備類似，將陰極活性材料、導(dǎo)電劑、粘合劑、以及溶劑進(jìn)行混合來制備漿體，然后，可以通過用所述漿體直接涂布金屬集流體，或者通過將所述漿體澆注在單獨(dú)支撐體上、然后將從該支撐體上分離 的陰極活性材料膜層壓在金屬集流體上來制備陰極。
[0042]陰極活性材料的例子可以是層狀化合物，例如，鋰鈷氧化物(LiCoO2)或鋰鎳氧化物(LiNiO2)、或用一種或多種過渡金屬取代的化合物；鋰錳氧化物，例如，Li1+yMn2_y04(其中，y為O到0.33)、LiMnO3' LiMn2O3'以及LiMnO2 ;鋰銅氧化物(Li2CuO2);釩氧化物，例如，LiV308、LiFe304、V205、以及Cu2V2O7 ;鎳位型鋰鎳氧化物，用化學(xué)式LiNipxMyO2表示(其中，M為鈷(Co)、錳(Mn)、Al、銅(Cu)、鐵(Fe)、鎂(Mg)、硼(B)、或鎵(Ga)，而 y 為 0.01 到 0.3);鋰錳復(fù)合氧化物，用化學(xué)式LiMn2_yMy02 (其中，M為Co、N1、Fe、鉻(Cr)、Zn、或Ta，而y為0.01到0.1)、或1^鄭^08(其中，11為？6、(:0、附、(:11、或211)表示；以及部分鋰(Li)被堿土金屬離子取代的LiMn204。然而，陰極活性材料不限于此。
[0043]用作典型隔膜的典型多孔聚合物膜(例如，由聚烯烴基聚合物(如乙烯均聚物、丙烯均聚物、乙烯/ 丁烯共聚物、乙烯/己烯共聚物、以及乙烯/丙烯酸甲酯共聚物)制備的多孔聚合物膜)可以單獨(dú)使用，也可以通過層壓為所述隔膜來使用。可以使用典型的多孔無紡織物，例如，由高熔點(diǎn)玻璃纖維或聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯纖維制成的無紡織物。然而，所述隔膜不限于此。
[0044]在本發(fā)明使用的電解質(zhì)溶液中，可以不加限制地使用鋰鹽(鋰鹽可以用作電解質(zhì))，只要其通常用在二次電池的電解質(zhì)中即可。例如，可以使用從廠、(:1'1'勵(lì)31妳)2'BF4'ClO4'PF6' (CF3)2PF4' (CF3)3PF3' (CF3)4PF2' (CF3)5PF' (CF3)6P' CF3SO3' CF3CF2SO3'(CF3SO2)2N' (FSO2)2N' CF3CF2(CF3)2CO' (CF3SO2)2CH' (SF5)3C' (CF3SO2)3C' CF3(CF2)7SO3'CF3CO2' CH3CO2' SCN_、以及(CF3CF2SO2)2N_所構(gòu)成的組里選擇的一種作為鋰鹽的陰離子。
[0045]在本發(fā)明使用的電解質(zhì)中，加入電解質(zhì)中的有機(jī)溶劑可以不加限制地使用，只要它是常用的即可，通常，可以使用從碳酸丙烯酯、碳酸乙烯酯、碳酸二乙酯、碳酸二甲酯、碳酸甲乙酯、碳酸甲丙酯、碳酸二丙酯、二甲基亞砜、乙腈、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、碳酸亞乙烯酯、環(huán)丁砜、Y-丁內(nèi)酯、亞硫酸丙烯酯以及四氫呋喃所構(gòu)成組里選擇的一種或多種。
[0046]特別地，碳酸乙烯酯和碳酸丙烯酯(碳酸酯基有機(jī)溶劑中的環(huán)型碳酸酯)，由于其作為高粘度有機(jī)溶劑具有高介電常數(shù)之故，能很好地離解電解質(zhì)中的鋰鹽，因此，可以使用環(huán)型碳酸酯。由于當(dāng)環(huán)型碳酸酯以合適的比例與低粘度、低介電常數(shù)的直鏈碳酸酯(例如，碳酸二甲酯和碳酸二乙酯)混合時(shí)可以制備出具有高電導(dǎo)率的電解質(zhì)，因此，可以使用，例如，環(huán)型碳酸酯。
[0047]選擇性地，根據(jù)本發(fā)明存儲(chǔ)的電解質(zhì)可以進(jìn)一步包括典型電解質(zhì)中所包括的添加劑，例如，過充抑制劑。
[0048]在陰極和陽極之間設(shè)置隔膜，從而形成電池結(jié)構(gòu)，將該電池結(jié)構(gòu)彎曲或折疊，并放在圓柱形電池殼或棱柱形電池殼內(nèi)，然后，當(dāng)向其中注入電解質(zhì)時(shí)就形成了二次電池。另外，所述電池結(jié)構(gòu)堆疊為雙電池結(jié)構(gòu)，并用電解質(zhì)浸潰，然后，當(dāng)將由此得到的產(chǎn)品裝進(jìn)盒里并密封時(shí)就形成了二次電池。
[0049]后文中，將根據(jù)具體例子詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)解釋為限于這里所闡述的實(shí)施例。[0050]<SiOx 的制備 >
[0051]例I
[0052]將40g Si和86g SiO2放在瓶子內(nèi)，并用涂料振動(dòng)裝置以300rpm的速度將其充分混合3小時(shí)或更長(zhǎng)時(shí)間。然后，將含有12.5g的Si和SiO2混合物的氧化鋁舟皿放在一端封閉的氧化鋁內(nèi)管中，而該氧化鋁內(nèi)管則放在反應(yīng)器的氧化鋁外管內(nèi)。加熱到1400°C，同時(shí)運(yùn)行旋轉(zhuǎn)泵和渦輪分子泵，從而提高反應(yīng)器內(nèi)的真空度。溫度從室溫升高到800°C的時(shí)間為I小時(shí)30分鐘，而從800°C到1400°C (即反應(yīng)溫度)的時(shí)間為2小時(shí)30分鐘。反應(yīng)在1400°C的反應(yīng)溫度下進(jìn)行3小時(shí)。以800sccm的流速通入H2/N2(H2:2% )混合氣體，并且壓力降至1.2 X IO-1托。壓力維持在1.2 X IO-1托直到反應(yīng)結(jié)束，同時(shí)連續(xù)通入H2/N2混合氣體。當(dāng)反應(yīng)結(jié)束后，自然冷卻升華器。當(dāng)升華器的溫度為300°C或更低時(shí)，停止通入氣體，從而制備出SiOx (其中，O < X < I)。
[0053]例2
[0054]除了在氧化鋁舟皿內(nèi)放入0.83g活性炭而不是通入H2/N2(H2:2% )混合氣體以及壓力降至8.8X 10_2托以外，以與例I相同的方式制備SiOx。
[0055]對(duì)比例I
[0056]除了運(yùn)行旋轉(zhuǎn)泵提高反應(yīng)器的真空度而不是通入H2/N2-合氣體以及壓力降至
2.6X 10_2托同時(shí)升高溫度以外，以與例I相同的方式制備SiOx。
[0057]對(duì)比例2
[0058]除了不使用H2/N2混合氣體以及壓力降至1.1XlO-4托以外，以與例I相同的方式制備SiOx。
[0059]下面的表1列出了例I和例2以及對(duì)比例I和對(duì)比例2中的硅和二氧化硅的摩爾比、反應(yīng)溫度、維持時(shí)間、以及高真空度。
[0060]表1
[0061]
【權(quán)利要求】
1.一種氧化娃的制備方法，該方法包括: 將硅和二氧化硅混合并放入反應(yīng)室內(nèi)； 降低所述反應(yīng)室的壓力以獲得高真空度，同時(shí)將所述反應(yīng)室的溫度升高到反應(yīng)溫度；以及 在還原氣氛下使硅和二氧化硅的混合物反應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1 所述的方法，其中，所述還原氣氛通過能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體形成，并且在所述反應(yīng)室內(nèi)的壓力達(dá)到高真空度后向所述反應(yīng)室內(nèi)通入所述能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，以I標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘(sccm)到1000sccm的流速向所述反應(yīng)室內(nèi)通入所述能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體包括從H2、NH3和CO所構(gòu)成的組里選擇的一種或多種，或者惰性氣體與H2、NH3或CO的混合氣體。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述還原氣氛通過在所述反應(yīng)室中的獨(dú)立容器內(nèi)放入從活性炭、鎂、鋁、鉭、鑰、鈣和鋅所構(gòu)成的組里選擇的一種或多種來形成。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述反應(yīng)溫度在1300°C到1500°C的范圍內(nèi)并維持2小時(shí)到4小時(shí)。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述高真空度在10_4托到KT1托的范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，維持所述高真空度直到硅和二氧化硅的反應(yīng)結(jié)束，并且，使所述能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體從所述反應(yīng)室的一側(cè)連續(xù)注入并從該反應(yīng)室的另一側(cè)連續(xù)去除。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述能夠產(chǎn)生還原氣氛的氣體為包含2vol%到5vol% H2的含H2氣體。
10.一種陽極活性材料，包括由權(quán)利要求1的制備方法制備的氧化硅。
11.如權(quán)利要求10所述的陽極活性材料，其中，所述氧化硅為SiOx(其中，O< X < 2)。
12.如權(quán)利要求10所述的陽極活性材料，其中，所述氧化硅中的硅為晶態(tài)或非晶態(tài)。
13.如權(quán)利要求12所述的陽極活性材料，其中，當(dāng)所述硅為晶態(tài)時(shí)，硅的晶體尺寸為300nm或更小。
14.一種陽極，包括如權(quán)利要求10所述的陽極活性材料。
15.一種二次電池，包括如權(quán)利要求14所述的陽極。
【文檔編號(hào)】H01M10/05GK103958407SQ201380004034
【公開日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2013年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月16日
【發(fā)明者】鄭相允, 鄭漢納, 樸哲凞, 金賢撤, 林炳圭 申請(qǐng)人:Lg化學(xué)株式會(huì)社