吩氧雜膦化合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種組合物，其包括至少一種化合物，所述化合物選自:A)(式A),其中，對于式A，所述R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8和R9各自獨(dú)立地為烴基，或者取代的烴基;和其中，任選地，選自R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，和R9的2個或更多個R基團(tuán)可形成一個或多個環(huán)結(jié)構(gòu);B)(式B)，其中，對于式B，所述R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8和R9各自獨(dú)立地為烴基，或者取代的烴基;和其中，任選地，選自R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，和R9的2個或更多個R基團(tuán)可形成一個或多個環(huán)結(jié)構(gòu);或C)其組合。
【專利說明】吩氧雜膦化合物
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及吩氧雜膦化合物(phenoxaphosphine compound)以及包含其的組合物。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光器件(OLEDs)是顯示設(shè)備，其使用含有有機(jī)芳族化合物的膜堆疊作為電發(fā)光層。這些化合物通常分類為電致發(fā)光材料和電荷傳輸材料。這種電致發(fā)光和電荷傳輸化合物所需的幾種性質(zhì)包括在固態(tài)的高熒光量子產(chǎn)率，電荷和空穴的高遷移率，在真空氣相沉積期間的化學(xué)穩(wěn)定性，和形成穩(wěn)定的膜的能力。
[0003]OLEDs的通常問題包括快速老化/短的生命周期，不期望地高的操作電壓，或者效率不夠。用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLEDs)中的電子傳輸層(ETL)和空穴傳輸層(HTL)的新材料的探索一直以來的目標(biāo)是改善器件性能和壽命。在HTL層的情況下，最新的技術(shù)利用基于三芳基胺的材料，其滿足許多目前的發(fā)冷光和發(fā)磷光的OLED設(shè)計(jì)。在發(fā)磷光的OLED設(shè)計(jì)中，設(shè)備效率,壽命,和亮度仍然是對于藍(lán)色發(fā)磷光OLEDs的大規(guī)模生產(chǎn)而言存在的問題。因此，需要具有相對于現(xiàn)有技術(shù)而言提高的性能的空穴傳輸層。此外，需要空穴傳輸材料，該材料將會更快地將電荷傳輸給發(fā)光層，并且使得能夠獲得持久和高效率的器件。這些需要和其它需要已經(jīng)通過以下的發(fā)明得到了滿足。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種組合物，其包括至少一種化合物，所述化合物選自:
[0005]A)
[0006]`
【權(quán)利要求】
1.一種組合物，其包括至少一種化合物，所述化合物選自:
2.權(quán)利要求1的組合物，其中，對于式A，所述Rl,R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8和R9各自獨(dú)立地為氫，烷基，取代的烷基，芳基，取代的芳基，雜芳基，或者取代的雜芳基；和 其中，對于式B，所述Rl，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8和R9各自獨(dú)立地為氫，烷基，取代的烷基，芳基，取代的芳基，雜芳基，或者取代的雜芳基。
3.權(quán)利要求1或2的組合物，其中，對于式八，1?2，1?4，1?5，1?6，1?7和1?9各自為氫；和對于式B，R2, R4, R5, R6, R7和R9各自為氫。
4.權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的組合物，其中，對于式A，R3和R8各自獨(dú)立地為烷基；和對于式B，R3和R8各自為烷基。
5.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其中，對于式A，R1包括至少6個碳原子；和其中對于式B，Rl包括至少6個碳原子。
6.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物,其中所述組合物包括式A的化合物和式B的化合物。
7.權(quán)利要求1的組合物，其中所述至少一種組合物選自以下:
8.權(quán)利要求1的組合物，其中所述至少一種化合物選自式A。
9.權(quán)利要求8的組合物，其中，對于式A，所述Rl,R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8和R9各自獨(dú)立地為氫，烷基，取代的烷基，芳基，取代的芳基，雜芳基，或者取代的雜芳基。
10.權(quán)利要求8的組合物，其中所述至少一種化合物選自以下:
11.權(quán)利要求1的組合物，其中所述至少一種化合物選自式B。
12.權(quán)利要求11的組合物，其中，對于式B，所述Rl,R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8和R9各自獨(dú)立地為氫，烷基，取代的烷基，芳基，取代的芳基，雜芳基，或者取代的雜芳基。
13.權(quán)利要求11的組合物，其中所述至少一種化合物選自以下:
14.一種膜，其包括由前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物形成的至少一個層。
15.電子器件，其包括由權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)的組合物形成的至少一個組件。
【文檔編號】H01L51/46GK103880885SQ201310714058
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月21日
【發(fā)明者】L.P.斯潘塞, D.D.德沃爾, R.D.弗洛斯 申請人:陶氏環(huán)球技術(shù)有限責(zé)任公司