一種背透反射式像素單元以及平板傳感器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種背透反射式像素單元以及平板傳感器，其中，所述背透反射式像素單元包括：數(shù)據(jù)線、與數(shù)據(jù)線交叉絕緣的掃描線、開關(guān)結(jié)構(gòu)、光電二極管結(jié)構(gòu)以及第一金屬層，其中所述第一金屬層構(gòu)成所述背透反射式像素單元的不透光區(qū)域，用于沿透光方向遮擋光進入所述開關(guān)結(jié)構(gòu)和所述光電二極管結(jié)構(gòu)，并且所述背透反射式像素單元的不被所述第一金屬層遮擋的區(qū)域構(gòu)成所述背透反射式像素單元的透光區(qū)域。本發(fā)明在保證像素單元具有要求尺寸的透光區(qū)的同時將透光區(qū)集中在像素單元的一邊，可以避免透光區(qū)域發(fā)生光的衍射現(xiàn)象，從而保證了圖像的正確性；此外，還能使背透反射式像素單元的電容變大，從而使其動態(tài)范圍變大以能夠滿足應(yīng)用。
【專利說明】一種背透反射式像素單元以及平板傳感器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及傳感器【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種背透反射式像素單元以及平板傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著數(shù)字影像技術(shù)的發(fā)展，平板圖像傳感器在醫(yī)療、工業(yè)及其它領(lǐng)域得到了越來越廣泛的應(yīng)用，其原理是光照射并透過被檢測物體，由于被檢測物體的各組織對光的衰減不一樣，所以透過被檢測物體不同區(qū)域的光照射到平板傳感器的強度是不一樣的，最終形成一個與物體組織相應(yīng)的灰階圖。平板傳感器包括由若干像素單元構(gòu)成的像素陣列，像素單元將光轉(zhuǎn)換為電荷之后，在驅(qū)動電路的作用下，存儲在像素單元中的電荷被傳輸?shù)阶x出電路，讀出電路會對電信號作進一步的放大、模/數(shù)轉(zhuǎn)換等處理，最終獲得圖像信息。平板傳感器通過與柔性印刷電路板(Flexible Printed Circuit,簡稱FPC)、集成電路(Integrated Circuit,簡稱IC)等外部元件的接合即可實現(xiàn)與驅(qū)動電路、讀出電路的連接。
[0003]目前的平板傳感器的應(yīng)用有透射式光路和背透反射式光路。如果需要平板傳感器檢測物體的表面結(jié)構(gòu)(如指紋檢測、無損檢測等)，則需要用背透反射式光路進行檢測。圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的平板傳感器的背透反射式光路圖。參見圖1，背光源發(fā)出的光透過平板傳感器的基板11照射到被檢測物體12，再經(jīng)被檢測物體12的表面反射至平板傳感器的像素單元13上，通過位于像素單元13中的光電二極管結(jié)構(gòu)(在圖1中未示出)轉(zhuǎn)換為光電荷，最終形成一個與被檢測物體12的表面相應(yīng)的灰階圖。
[0004]平板傳感器的背透反射式應(yīng)用需要背透反射式像素單元，此像素單元有一定的透光區(qū)域，如果透光區(qū)域的尺寸過小或與入射光的尺寸相當(dāng)，那么入射光會很容易產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，從而影響圖像的正確性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實施例提供一種背透反射式像素單元以及平板傳感器，解決了現(xiàn)有技術(shù)中背透反射式像素單元由于小尺寸的透光區(qū)域而發(fā)生光的衍射現(xiàn)象并影響圖像的正確性的技術(shù)問題。
[0006]一方面，本發(fā)明實施例提供了一種背透反射式像素單元，包括:
[0007]數(shù)據(jù)線、與數(shù)據(jù)線交叉絕緣的掃描線、開關(guān)結(jié)構(gòu)、光電二極管結(jié)構(gòu)以及第一金屬層，其中所述第一金屬層構(gòu)成所述背透反射式像素單元的不透光區(qū)域，用于沿透光方向遮擋光進入所述開關(guān)結(jié)構(gòu)和所述光電二極管結(jié)構(gòu)，并且所述背透反射式像素單元的不被所述第一金屬層遮擋的區(qū)域構(gòu)成所述背透反射式像素單元的透光區(qū)域。
[0008]進一步地，所述透光區(qū)域位于所述像素單元的一側(cè)，所述不透光區(qū)域位于所述像素單元的另一側(cè)。
[0009]進一步地，所述透光區(qū)域和不透光區(qū)域沿著所述像素單元的長邊方向排列。
[0010]進一步地，所述開關(guān)結(jié)構(gòu)為TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)；[0011]所述光電二極管結(jié)構(gòu)包括第一電極，其中，所述第一電極與所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的漏極相連接；
[0012]所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的源極與所述數(shù)據(jù)線相連接，所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的柵極與所述掃描線相連接，所述柵極與所述第一金屬層電性絕緣，所述柵極與所述第一電極電性絕緣。
[0013]進一步地，所述第一金屬層位于所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的柵極下方，所述光電二極管結(jié)構(gòu)位于所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)上方。
[0014]進一步地，所述背透反射式像素單元還包括:位于所述第一電極與所述第一金屬層之間的絕緣層，所述第一電極和所述第一金屬層構(gòu)成所述背透反射式像素單元的存儲電容的兩個電極。
[0015]進一步地，所述絕緣層的材料為氮化硅或二氧化硅。
[0016]進一步地，所述光電二極管結(jié)構(gòu)還包括:與所述第一電極對應(yīng)的第二電極以及位于所述第一電極與所述第二電極之間的光電導(dǎo)層，其中，所述第二電極的材料為透明導(dǎo)電材料。
[0017]進一步地，所述第一電極的材料為金屬。
[0018]進一步地，所述第一金屬層的材料與所述第一電極的材料相同。
[0019]第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種平板傳感器，包括上述第一方面的背透反射式像素單元。
[0020]本發(fā)明實施例提出的背透反射式像素單元以及平板傳感器，通過在背透反射式像素單元中設(shè)置第一金屬層，該第一金屬層構(gòu)成像素單元的不透光區(qū)域，用于沿透光方向遮擋光進入像素單元的開關(guān)結(jié)構(gòu)和光電二極管結(jié)構(gòu)，并且使透光區(qū)域位于像素單元的一側(cè)而不透光區(qū)域位于像素單元的另一側(cè)，可以避免透光區(qū)域發(fā)生光的衍射現(xiàn)象，從而保證了圖像的正確性；此外，第一金屬層與光電二極管結(jié)構(gòu)的第一電極構(gòu)成存儲電容的兩極，使像素單元的電容變大，從而使其動態(tài)范圍變大以能夠滿足應(yīng)用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯:
[0022]圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的平板傳感器的背透反射式光路示意圖；
[0023]圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的背透反射式像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3是包含了兩個圖2中的背透反射式像素單元結(jié)構(gòu)的剖面圖。
【具體實施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0026]本發(fā)明實施例提供一種背透反射式像素單元。所述背透反射式像素單元包括:數(shù)據(jù)線、與數(shù)據(jù)線交叉絕緣的掃描線、開關(guān)結(jié)構(gòu)、光電二極管結(jié)構(gòu)以及第一金屬層，其中所述第一金屬層構(gòu)成所述背透反射式像素單元的不透光區(qū)域，用于沿透光方向遮擋光進入所述開關(guān)結(jié)構(gòu)和所述光電二極管結(jié)構(gòu)，并且所述背透反射式像素單元的不被所述第一金屬層遮擋的區(qū)域構(gòu)成所述背透反射式像素單元的透光區(qū)域。
[0027]圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的背透反射式像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖2，在本發(fā)明的一個具體示例中，所述背透反射式像素單元包括:數(shù)據(jù)線21、與數(shù)據(jù)線21交叉絕緣的掃描線22、開關(guān)結(jié)構(gòu)23、光電二極管結(jié)構(gòu)24以及第一金屬層25,其中所述第一金屬層25構(gòu)成所述背透反射式像素單元的不透光區(qū)域(圖中以左斜線表示的陰影區(qū)域)，用于沿透光方向遮擋光進入所述開關(guān)結(jié)構(gòu)23和所述光電二極管結(jié)構(gòu)24，并且所述背透反射式像素單元的不被所述第一金屬層25遮擋的區(qū)域構(gòu)成所述背透反射式像素單元的透光區(qū)域(圖中數(shù)據(jù)線21和掃描線22圍成的區(qū)域中陰影區(qū)域之外的區(qū)域)。
[0028]需要說明的是，第一金屬層25對沿透光方向進入開關(guān)結(jié)構(gòu)23和光電二極管結(jié)構(gòu)24的光起遮擋作用，是為了防止光可能對開關(guān)結(jié)構(gòu)23的開關(guān)狀態(tài)的影響以及對光電二極管結(jié)構(gòu)24在將被檢測物體表面反射的光轉(zhuǎn)換成光電荷時的影響。
[0029]還需要說明的是，因為第一金屬層可以是獨立的一層金屬，所以不受設(shè)計與制程的限制，可以根據(jù)需要調(diào)整其大小和位置，這樣可以根據(jù)需要調(diào)整透光區(qū)域的位置以及大小，以避免小尺寸的透光區(qū)域的存在。
[0030]參見圖2，可選地，所述透光區(qū)域位于所述像素單元的一側(cè)，所述不透光區(qū)域位于所述像素單元的另一側(cè)。由于透光區(qū)域集中在像素單元的一側(cè)，所以在設(shè)計第一金屬層25的尺寸時，可以根據(jù)需要，盡量讓透光區(qū)域大一些，使透光區(qū)域的尺寸大于背光源所發(fā)出的光的波長，從而可以避免由于透光區(qū)域的尺寸與背光源所發(fā)出的光的波長相當(dāng)而發(fā)生光的衍射現(xiàn)象，保證了圖像的正確性。
[0031]可選地，所述透光區(qū)域和不透光區(qū)域沿著所述像素單元的長邊方向排列。參見圖2，由于掃描線22為像素單元的長邊，于是透光區(qū)域和不透光區(qū)域沿著像素單元的掃描線22的方向排列，因此，可以更容易將透光區(qū)域做得大一些，從而可以避免發(fā)生光的衍射現(xiàn)象，確保了圖像的正確性。
[0032]進一步地，參見圖2，所述開關(guān)結(jié)構(gòu)23為TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)；所述光電二極管結(jié)構(gòu)24包括第一電極241，其中，所述第一電極241與所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的漏極232相連接；所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的源極233與所述數(shù)據(jù)線21相連接，所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的柵極231與所述掃描線22相連接，所述柵極231與所述第一金屬層25電性絕緣，所述柵極231與所述第一電極241電性絕緣。
[0033]需要說明的是，開關(guān)結(jié)構(gòu)23采用TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)，與一般的開關(guān)結(jié)構(gòu)相比，可以使開關(guān)結(jié)構(gòu)23能夠有效地節(jié)省體積、達到一定的精確度以及非常高的反應(yīng)速度等。另外，TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的漏極232與第一電極241相連接，并且兩者位于TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的同一層，在制程上，可以一并形成，從而可以減少制作工藝的步驟以及制作成本。
[0034]此外，數(shù)據(jù)線21通過與TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的源極233連接，用于讀出光電二極管結(jié)構(gòu)
24轉(zhuǎn)換的光電荷。掃描線22與TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的柵極231連接，用于控制TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的開與關(guān)，從而控制背透反射式像素單元的開與關(guān)。
[0035]另外，因為柵極231與第一金屬層25以及第一電極241之間不能短接，因此柵極231與第一金屬層25以及第一電極241之間是電性絕緣的。
[0036]圖3是包含了兩個圖2中的背透反射式像素單元結(jié)構(gòu)的剖面圖。進一步地，參見圖3，在本發(fā)明的一個具體示例中，所述第一金屬層25位于所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的柵極231下方，所述光電二極管結(jié)構(gòu)24 (在圖3中，光電二極管結(jié)構(gòu)24包括:第一電極241、第二電極242和光電導(dǎo)層243，相關(guān)的內(nèi)容在下面會給出)位于所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)上方。由于第一金屬層25用于沿透光方向遮擋光進入TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)和光電二極管結(jié)構(gòu)24，因此，第一金屬層
25要設(shè)置在TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)和光電二級管結(jié)構(gòu)24的下方。又因為TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)采用了底柵結(jié)構(gòu)，所以第一金屬層25要設(shè)置在TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的柵極231下方。
[0037]此外，由于TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的漏極232與光電二極管結(jié)構(gòu)24的第一電極241連接，并且可以一并形成，因此，第一電極241與漏極232的材料可以相同，并優(yōu)選為金屬材料。進一步地，參見圖3，在本發(fā)明的一個具體示例中，所述背透反射式像素單元還包括:位于所述第一電極241與所述第一金屬層25之間的絕緣層26，所述第一電極241和所述第一金屬層25構(gòu)成所述背透反射式像素單元的存儲電容的兩個電極。也就是說，第一電極241、位于第一電極241與第一金屬層25之間的絕緣層26以及第一金屬層25形成像素單元的存儲電容。在實際工作中，可以將像素單元陣列中的每一列所有像素單元的存儲電容的第一金屬層連接起來并連接到外圍公共電極環(huán)上，以保證與光電二極管結(jié)構(gòu)的兩個電極的電位保持一致，即實現(xiàn)存儲電容與光電二極管結(jié)構(gòu)的電容并聯(lián)，總電容為兩電容之和，該總電容即是像素單元的電容，于是像素單元的電容增大；由于像素單元的動態(tài)范圍與像素單元的電容以及其兩端的電壓有關(guān)，在電壓不變的情況下，像素單元的電容增大，會使動態(tài)范圍也增大以能夠滿足應(yīng)用，這是本實施例在解決技術(shù)問題時，進一步帶來的輔助效果。
[0038]參見圖3，所述絕緣層26包括第一絕緣層261和柵極絕緣層262，其中，第一絕緣層261用于對柵極231和第一金屬層25進行隔離并電性絕緣，柵極絕緣層262主要用于使柵極231與源極233、漏極232進行隔離并電性絕緣。此外，位于第一電極241下方的柵極絕緣層262與第一絕緣層261用于使第一電極241與第一金屬層25隔離并電性絕緣。
[0039]進一步地，所述絕緣層的材料可以為氮化硅或二氧化硅。采用氮化硅或二氧化硅作為絕緣層的材料，不僅具有良好的絕緣效果，而且制作成本比較低。
[0040]參見圖2或圖3，在本發(fā)明的一個具體示例中，所述光電二極管結(jié)構(gòu)24還包括:與所述第一電極241對應(yīng)的第二電極242以及位于所述第一電極241與所述第二電極242之間的光電導(dǎo)層243，其中，所述第二電極242的材料可以為透明導(dǎo)電材料，用于透光。在圖2或圖3中，第一電極241位于光電二極管結(jié)構(gòu)24的下方，第二電極242位于光電二級管結(jié)構(gòu)24的上方。由于背光源發(fā)出的光經(jīng)像素單元的透光區(qū)域后照射到被檢測物體，再經(jīng)被檢測物體表面反射的光照射到光電二極管結(jié)構(gòu)24上,其中，該光在光電二極管結(jié)構(gòu)24中的光路為先經(jīng)過位于光電二極管結(jié)構(gòu)24上方的第二電極242，再經(jīng)過光電導(dǎo)層243，并通過光電導(dǎo)層243轉(zhuǎn)換為光電荷，最終形成一個與該被檢測物體表面相應(yīng)的灰階圖，因此，需要第二電極242的材料為透明導(dǎo)電材料，以使被檢測物體表面反射的光能夠進入光電二級管結(jié)構(gòu)24。其中，透明導(dǎo)電材料可以為銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(IZO)中的任意一種或它們的組合。
[0041 ] 具體地，參見圖3，所述光電二極管結(jié)構(gòu)24還可以包括位于第二電極242上并與第二電極242電連接的偏置電壓線27，且由于偏置電壓線27也位于被檢測物體表面反射的光照射到光電二極管結(jié)構(gòu)24的光路上，因此，為了不使其對該光的強度有影響，偏置電壓線27的材料也為透明導(dǎo)電材料。對于由像素單元構(gòu)成的像素單元陣列而言，由于每個像素單元包含一個光電二極管結(jié)構(gòu)，各個光電二極管結(jié)構(gòu)之間是彼此獨立的，于是每個光電二極管結(jié)構(gòu)進行工作所需要的偏置電壓由與外部電路相連的偏置電壓線來提供，并且該偏置電壓線與每個光電二極管結(jié)構(gòu)的第二電極電連接。
[0042]進一步地，在本發(fā)明的一個具體示例中，所述第一電極241的材料優(yōu)選為金屬。將位于光電二極管結(jié)構(gòu)24下方的第一電極241用金屬材料來制作,其中，金屬材料可以選用Mo,Mu,Al-Nd合金、Cu、Cr、Ta和Ti等，這樣可以使得被檢測物體表面反射的光不會穿過光電二級管結(jié)構(gòu)24，而是被光電二級管結(jié)構(gòu)24將該光全部轉(zhuǎn)換為光電荷，以能夠清晰地形成與該被檢測物體表面相應(yīng)的灰階圖。
[0043]進一步地，本發(fā)明的一個具體示例中，所述第一金屬層25的材料可以與所述第一電極241的材料相同。第一金屬層25的材料與第一電極241的材料相同,這樣不僅在制作第一金屬層25時可以減少選材的時間和成本,而且還可以使包含第一電極241和第一金屬層25的存儲電容的性能更加可靠。
[0044]本發(fā)明實施例還提供一種平板傳感器，該平板傳感器中包含了背透反射式像素單元。其中，所述平板傳感器為上述任一實施例所述的背透反射式像素單元。
[0045]本發(fā)明實施例提出的背透反射式像素單元以及平板傳感器，通過在背透反射式像素單元中設(shè)置第一金屬層，該第一金屬層構(gòu)成像素單元的不透光區(qū)域，用于沿透光方向遮擋光進入像素單元的開關(guān)結(jié)構(gòu)和光電二極管結(jié)構(gòu)，并且使透光區(qū)域位于像素單元的一側(cè)而不透光區(qū)域位于像素單元的另一側(cè)，可以避免透光區(qū)域發(fā)生光的衍射現(xiàn)象，從而保證了圖像的正確性；此外，本發(fā)明實施例還帶來了進一步的輔助性效果，第一金屬層與光電二極管結(jié)構(gòu)的第一電極構(gòu)成存儲電容的兩極，使像素單元的電容變大，從而使其動態(tài)范圍變大以能夠滿足應(yīng)用。
[0046]注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
【權(quán)利要求】
1.一種背透反射式像素單元，其特征在于，包括: 數(shù)據(jù)線、與數(shù)據(jù)線交叉絕緣的掃描線、開關(guān)結(jié)構(gòu)、光電二極管結(jié)構(gòu)以及第一金屬層，其中所述第一金屬層構(gòu)成所述背透反射式像素單元的不透光區(qū)域，用于沿透光方向遮擋光進入所述開關(guān)結(jié)構(gòu)和所述光電二極管結(jié)構(gòu)，并且所述背透反射式像素單元的不被所述第一金屬層遮擋的區(qū)域構(gòu)成所述背透反射式像素單元的透光區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述透光區(qū)域位于所述像素單元的一側(cè)，所述不透光區(qū)域位于所述像素單元的另一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述透光區(qū)域和不透光區(qū)域沿著所述像素單元的長邊方向排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述開關(guān)結(jié)構(gòu)為TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)； 所述光電二極管結(jié)構(gòu)包括第一電極，其中，所述第一電極與所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的漏極相連接； 所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的源極與所述數(shù)據(jù)線相連接，所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的柵極與所述掃描線相連接，所述柵極與所述第一金屬層電性絕緣，所述柵極與所述第一電極電性絕緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述第一金屬層位于所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)的柵極下方，所述光電二極管結(jié)構(gòu)位于所述TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)上方。
6.根據(jù)利要求4所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述背透反射式像素單元還包括:位于所述第一電極與所述第一金屬層之間的絕緣層，所述第一電極和所述第一金屬層構(gòu)成所述背透反射式像素單元的存儲電容的兩個電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述絕緣層的材料為氮化硅或二氧化硅。
8.根據(jù)利要求4所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述光電二極管結(jié)構(gòu)還包括:與所述第一電極對應(yīng)的第二電極以及位于所述第一電極與所述第二電極之間的光電導(dǎo)層，其中，所述第二電極的材料為透明導(dǎo)電材料。
9.根據(jù)利要求4所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述第一電極的材料為金屬。
10.根據(jù)利要求9所述的背透反射式像素單元，其特征在于，所述第一金屬層的材料與所述第一電極的材料相同。
11.一種平板傳感器，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-10中任一項所述的背透反射式像素單元。
【文檔編號】H01L27/146GK103928477SQ201310714171
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月20日
【發(fā)明者】鄭婭潔 申請人:上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司