電接觸墊的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及電接觸墊，其中該電接觸墊被劃分為至少兩個(gè)相互電分離的區(qū)域。這些區(qū)域能夠首先處于不同的電勢(shì)。通過(guò)施加接合線或夾子，兩個(gè)電勢(shì)又被短路。
【專(zhuān)利說(shuō)明】電接觸墊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電接觸墊。
【背景技術(shù)】
[0002]在電子開(kāi)關(guān)電路或半導(dǎo)體殼體的情況下外部可見(jiàn)的連接端子(管腳)通過(guò)在殼體的內(nèi)部中的接合線與芯片連接端子(接合島或墊)連接。該墊在其側(cè)是金屬接觸，該接觸借助歐姆接觸與半導(dǎo)體電連接。接合線的任務(wù)是原本的集成電路或裸露的組件和殼體之間的電連接。在制造芯片期間和之后必須測(cè)試該芯片。在測(cè)試中，在芯片上執(zhí)行必需的特殊測(cè)量，用于驗(yàn)證該芯片的無(wú)缺陷的工作方式。為此用于測(cè)量的經(jīng)常被分離的電勢(shì)是必要的，然而這些電勢(shì)之后在芯片的“正常的”運(yùn)行中不再需要。為此通常提供附加的接合墊，于是該接合墊在測(cè)試之后例如與接合線連接并且因此被電短路。這種解決方案有缺點(diǎn)，即必須提供至少兩個(gè)接合墊和一條接合線。這造成對(duì)芯片面積的較高的需求和較高的材料成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]因此本發(fā)明的任務(wù)是克服該缺點(diǎn)并且因此提供一種電接觸墊，通過(guò)該電接觸墊能夠節(jié)省芯片面積和成本。
[0004]該任務(wù)通過(guò)獨(dú)立權(quán)利要求1的主題來(lái)解決。從屬權(quán)利要求分別描述本發(fā)明的有利的實(shí)施方式。
[0005]在一個(gè)有利的實(shí)施方式中，該電接觸墊被劃分為至少兩個(gè)相互電分離的區(qū)域。這些區(qū)域能夠首先處于不同的電勢(shì)。通過(guò)施加接合線或夾子，兩個(gè)電勢(shì)(Potentialhjilften)又被短路。該解決方案的優(yōu)點(diǎn)在于，該芯片在其生產(chǎn)應(yīng)用中不需要兩個(gè)或更多個(gè)也作為接合墊而已知的接觸墊，該接觸墊隨后借助接合線被短路。由此所需的芯片面積能夠被顯著地減小并且材料成本能夠被節(jié)省。
[0006]在另一個(gè)實(shí)施方式中，電接觸墊的至少兩個(gè)相互分離的區(qū)域能夠借助電導(dǎo)體在接觸區(qū)中相互接觸。接觸區(qū)優(yōu)選地沿著電接觸墊的至少兩個(gè)區(qū)域的地形上的分界線形成，因?yàn)樵谀抢锉环蛛x的區(qū)域緊密相鄰并且因此很容易被跨接，并且因此能夠被電接觸。
[0007]在另一個(gè)實(shí)施方式中，用于接觸電接觸墊的電分離的區(qū)域的電導(dǎo)體是接合線。接合線是能夠容易獲得的并且是能夠低成本地制造的。接合線大多由金或也由制成合金的或摻雜的金構(gòu)成，但是具有(小的)硅含量(AlSiI)的鋁和銅也被使用。
[0008]在一個(gè)擴(kuò)展實(shí)施方式中，該接合線在接合時(shí)形成在接觸墊的表面上的接觸面，該接觸面將至少兩個(gè)相互分離的電區(qū)域相互電連接。在半導(dǎo)體器件的順序的接觸或接合情況下的不同的方法變形方案可以是熱壓接合(TC接合)、熱聲波球一楔接合(TS接合)和/或超聲波楔一楔接合(US接合)。首先提及的方法通常利用金線來(lái)工作，該US接合能夠利用鋁或鋁硅線(AlSil)來(lái)執(zhí)行。接合的另一種有利的變形方案是雙針(Double Stich)方法中的接合。在此，該接合線被固定在例如IC (集成電路)的接觸上，隨后被拉到該IC的另一個(gè)接觸并在那里同樣被固定，隨后從該IC離開(kāi)被拉到外部的接觸上并被固定。[0009]在另一個(gè)實(shí)施方式中，至少兩個(gè)相互電分離的區(qū)域在地形上通過(guò)直線和/或通過(guò)曲折狀或蛇線狀走向的線被布置在非導(dǎo)電材料之內(nèi)，相互電分離。該布置提供如下優(yōu)點(diǎn)，即電接觸墊的區(qū)域之間的潛在的接觸區(qū)的數(shù)量借助分離區(qū)域(沒(méi)有金屬化，即不導(dǎo)電)的線走向是可調(diào)節(jié)的。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1示出一個(gè)電接觸墊，其中線示出兩個(gè)區(qū)域之間的電分離。在此該線例如被實(shí)施為直的，或附加地具有彎曲。
[0011]圖2示出一個(gè)電接觸墊，其中線示出兩個(gè)區(qū)域之間的電分離。在此該線例如以多個(gè)彎曲曲線狀地被實(shí)施。
[0012]圖3通過(guò)下述基本上區(qū)別于圖1和2，即在該實(shí)施方式中該線以很多的螺旋和/或轉(zhuǎn)彎彎曲狀或蛇形狀來(lái)實(shí)現(xiàn)。
【具體實(shí)施方式】
[0013]本發(fā)明的實(shí)施例下面參考附圖進(jìn)一步被說(shuō)明。但是本發(fā)明不局限于具體所描述的實(shí)施方式，而是能夠以合適的方式被修改和被改變。以下處于本發(fā)明的范圍內(nèi)，即，將一個(gè)實(shí)施方式的各個(gè)特征和特征組合與另一個(gè)實(shí)施方式的特征和特征組合適當(dāng)?shù)亟M合，以便得到其它的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0014]在下面借助圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例之前，要指出，圖中的相同的元件配備有相同或相似的附圖標(biāo)記，并且這些元件的重復(fù)性的描述被省略。此外，該圖不是必然是比例正確的。重點(diǎn)更確切地在于基本原理的說(shuō)明。
[0015]圖1示出一個(gè)電接觸墊100，其中線150示出兩個(gè)區(qū)域110、120之間的電分離。該電接觸墊的分離有利地在制造集成開(kāi)關(guān)電路時(shí)在前端中實(shí)現(xiàn)。在那里于是可以在被分離的接觸墊100上執(zhí)行特殊測(cè)量。因?yàn)檫@些特殊測(cè)量之后不必再被執(zhí)行，所以電接觸墊100的區(qū)域110、120又被短路。在此電接觸墊100的區(qū)域110、120可以位于相同的或不同的電勢(shì)上，該電勢(shì)隨后被短路。該線150 (或也可稱(chēng)作間隙)顯示導(dǎo)電材料的缺少。優(yōu)選地，該區(qū)域可以具有聚酰亞胺、酰亞胺或氧化物或者至少部分地利用模制復(fù)合物來(lái)填充。替代地，該中間區(qū)域或間隙區(qū)域可以具有空腔。該線150或該間隙可以?xún)?yōu)選地具有從幾個(gè)nm直到100μ m的寬度。有利地，該線150可以具有在I μπι到2μπι的范圍中的寬度，或該線150可以具有在2μπι到5μπι的范圍中的寬度，或該線150可以具有在5μπι到10 μπι的范圍中的寬度，或該線150可以具有在ΙΟμπι到20 μπι的范圍中的寬度，或該線150可以具有在20 μ m到50 μ m的范圍中的寬度，或該線150可以具有大于50 μ m的范圍中的寬度。在此，該線例如被實(shí)施為直的，或附加地具有彎曲。此外，圖1示出用于電接觸該接觸墊的兩個(gè)區(qū)域110、120的接觸區(qū)300的例子。該接觸區(qū)300沿著線走向150延伸，并且在此可以具有不同的尺寸和/或形狀。在該實(shí)施方式中僅提供小的潛在的接觸區(qū)300。接合線在接觸區(qū)之外被接合305以及因此電接觸墊的區(qū)域110、120沒(méi)有電接觸的風(fēng)險(xiǎn)是高的。接合線或夾子大多數(shù)具有金或者也具有制成合金的或摻雜的金，但是具有硅含量的鋁(AlSil)和銅也被使用。在此，較細(xì)的接合線允許較窄的墊幾何形狀并且因此允許較高的封裝密度。在功率電子領(lǐng)域中應(yīng)用純的(99.99% Al含量和更高的)鋁材料，在分立的半導(dǎo)體(二極管、晶體管)中大多使用高純金(當(dāng)前銅線處于測(cè)試階段中)。在用于使用高電流負(fù)載的功率半導(dǎo)體中使用直徑在100 μ m到500 μ m之間的粗線或粗線小帶。如果這不夠用，那么多倍接合。
[0016]圖2示出一個(gè)電接觸墊100，其中線150示出兩個(gè)區(qū)域110、120之間的分離。在此，該線150例如以多個(gè)彎曲曲線狀地被實(shí)施。此外，圖2示出用于電接觸該接觸墊的兩個(gè)區(qū)域110、120的接觸區(qū)的例子。接觸墊有利地可以具有銅、銅合金、金、金合金、鋁、鋁合金。該接觸區(qū)300在這里也沿著線走向150延伸。在該實(shí)施方式中提供明顯更多的潛在的接觸區(qū)300用于區(qū)域110、120的電接觸。接合線造成電接觸墊的兩個(gè)區(qū)域110、120之間沒(méi)有短路305的風(fēng)險(xiǎn)被減小。
[0017]圖3與圖1和2的區(qū)別基本上在于，在該實(shí)施方式中該線150以很多的螺旋和/或彎曲曲折狀或蛇狀地被實(shí)施。接觸區(qū)300在這里也沿著線走向150延伸。在該實(shí)施方式中，因此用于電接觸區(qū)域110、120的潛在的接觸區(qū)300的數(shù)量幾乎被最大化。接合線造成電接觸墊的兩個(gè)區(qū)域110、120之間沒(méi)有短路的風(fēng)險(xiǎn)幾乎被最小化。接觸區(qū)300也引起區(qū)域110、120的電接觸。特別有利的是電接觸墊的利用，該電接觸墊至少一半已經(jīng)處于所顯示的電勢(shì)上，例如在MOSFET中并且作為源極傳感器，抽頭已經(jīng)被安裝在芯片上。在區(qū)域110、120的電接觸之后整個(gè)區(qū)域處于源極電勢(shì)。因此用于接觸的附加的芯片面積不是必要的。此外，在此所描述的被劃分成區(qū)域的接觸墊可以有利地在如下處被采用，在該處不同的金屬線路應(yīng)該被相互電短路。特別是在被實(shí)現(xiàn)在芯片上(芯片上(ON-Chip))的傳感器結(jié)構(gòu)中，在溝槽中的多個(gè)電極(每個(gè)溝槽3個(gè)多晶硅(Polys)或更多)中或在溝槽到溝槽的有針對(duì)性地想要的連接中，電連接可以借助電接觸墊100的區(qū)域110、120的電接觸來(lái)實(shí)現(xiàn)。具有相互電分離的區(qū)域110、120的電接觸墊100能夠在極大不同的組件類(lèi)型中被使用，例如在二極管、MOS、IGBT、IC中被使用，但是也可以在垂直導(dǎo)通MOS和在溝槽中具有一個(gè)或多個(gè)電極的相/溝槽晶體管中被使用。在雙多晶(DualPoly)和溝槽MOS中該采用或使用也是特別有利的。
【權(quán)利要求】
1.電接觸墊，其中所述電接觸墊具有至少兩個(gè)相互電分離的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電接觸墊，其中至少兩個(gè)相互分離的區(qū)域借助電導(dǎo)體在接觸區(qū)中相互接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電接觸墊，其中所述電導(dǎo)體是接合線或夾子。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電接觸墊，其中所述接合線在接合時(shí)在分離的區(qū)域的接觸范圍中形成接觸面，所述接觸面將至少兩個(gè)相互分離的電區(qū)域相互電連接。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的電接觸墊，其中地形上基本上通過(guò)直線和/或通過(guò)曲折狀走向的線和/或通過(guò)蛇線狀走向的線示出至少兩個(gè)相互電分離的區(qū)域的分離。
6.多個(gè)根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的電接觸墊，其中多個(gè)電接觸墊借助電導(dǎo)體在接觸區(qū)中相互電接觸。
【文檔編號(hào)】H01L23/488GK103779301SQ201310466705
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2013年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月9日
【發(fā)明者】E.J.福格爾, M.溫克勒, M.聰?shù)聽(tīng)? 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司