一種倒裝結(jié)構(gòu)led cob光源散熱基板裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種倒裝結(jié)構(gòu)LED?COB光源散熱基板裝置，包括線路層、導(dǎo)熱絕緣層和散熱基層以及覆在線路層之上的絕緣反射層；在絕緣反射層上對(duì)應(yīng)每一LED芯片安裝位置開有兩個(gè)通孔，線路層對(duì)應(yīng)通孔部分區(qū)域裸露，形成基板電極焊盤；兩個(gè)通孔的橫截面積一致，且與LED芯片的兩個(gè)電極焊盤的橫截面積一致。本發(fā)明提高封裝的成品率，降低生產(chǎn)成本，提高封裝效率。
【專利說明】一種倒裝結(jié)構(gòu)LED COB光源散熱基板裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED芯片封裝技術(shù)，尤其是指一種倒裝結(jié)構(gòu)LED COB光源散熱基板裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]大功率LED封裝的關(guān)鍵問題在于散熱和出光，較早時(shí)，大功率LED的制備只是把芯片尺寸、支架以及管殼等放大，其發(fā)光效率、光衰等并沒有改善。然而，隨著芯片尺寸的放大，電流聚集效應(yīng)變得嚴(yán)重。
[0003]覆晶結(jié)構(gòu)LED芯片(倒裝芯片)電極倒置于散熱熱沉上，光線直接從藍(lán)寶石表面出射，在散熱、出光方面較傳統(tǒng)正裝的芯片有較大優(yōu)勢(shì)。為使電流分布均勻，進(jìn)一步提高LED內(nèi)量子效率，大多數(shù)倒裝芯片的η型歐姆接觸電極以孔洞的形式均勻分布在發(fā)光面內(nèi)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，倒裝結(jié)構(gòu)LED COB光源散熱基板裝置包括散熱基層、導(dǎo)熱絕緣層、線路層及絕緣反射層；線路層通過導(dǎo)熱絕緣層附在散熱基層上；在線路層上形成絕緣反射層，并在絕緣反射層上對(duì)應(yīng)每一貼裝LED倒裝芯片位置預(yù)留形成兩個(gè)通孔，LED倒裝芯片的兩極安裝在所述兩個(gè)通孔中，與線路層電連接。
[0005]倒裝芯片η型歐姆接觸電極一般以孔洞的形式分布在芯片發(fā)光面內(nèi)，為了連接所有η型歐姆接觸層，芯片η型金屬焊墊層的面積一般比P型金屬焊墊層大，對(duì)應(yīng)地，基板上η型焊墊層較P型焊墊層大，導(dǎo)致芯片錫焊過程中，焊墊上的液體狀錫膏在固化之前內(nèi)聚力會(huì)有差異，在后續(xù)錫膏固化的一系列操作過程，芯片容易移位，導(dǎo)致焊接失敗，使得產(chǎn)品不良率較大。
[0006]在貼裝步驟中，倒裝LED芯片利用錫膏的附著力(adhesive force)暫時(shí)固定于基板，液態(tài)錫膏本身的內(nèi)聚力(cohesive force)所形成的浮力與附著力(adhesive force)將同時(shí)作用于覆晶芯片，基板正負(fù)電極焊盤大小不一致時(shí)，正負(fù)電極之上的液態(tài)錫膏內(nèi)聚力(cohesive force)所形成的浮力就會(huì)不同，在錫膏固化過程，芯片容易發(fā)生移位。因此，由于LED倒裝芯片正負(fù)電極焊盤大小差異較大，基板電極焊盤尺寸也不一致，錫膏固化過程發(fā)生芯片移位的比例高達(dá)30%-40%。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種提高封裝效率且降低產(chǎn)品不良率的倒裝結(jié)構(gòu)LED COB光源散熱基板裝置。
[0008]為達(dá)成上述目的，本發(fā)明的解決方案為:
一種倒裝結(jié)構(gòu)LED COB光源散熱基板裝置，包括線路層、導(dǎo)熱絕緣層和散熱基層以及覆在線路層之上的絕緣反射層；在絕緣反射層上對(duì)應(yīng)每一 LED芯片安裝位置開有兩個(gè)通孔，線路層對(duì)應(yīng)通孔部分區(qū)域裸露，形成基板電極焊盤；兩個(gè)通孔的橫截面積一致，且與LED芯片的兩個(gè)電極焊盤的橫截面積一致。
[0009]進(jìn)一步,基板電極焊盤及芯片電極焊盤的材料選自Au、Sn、Cu、Ag、Al或其組合。[0010]進(jìn)一步，LED芯片的兩個(gè)電極焊盤之間的間距大于等于80um。
[0011]采用上述方案后，本發(fā)明兩個(gè)通孔的橫截面積一致，且與LED芯片的兩個(gè)電極焊盤的橫截面積一致。采用錫焊工藝的倒裝結(jié)構(gòu)LED COB光源，在貼裝步驟中，倒裝LED芯片利用錫膏的附著力暫時(shí)固定于基板，液態(tài)錫膏本身的內(nèi)聚力所形成的浮力與附著力，同時(shí)作用于覆晶芯片，由于基板正負(fù)電極焊盤大小一致，正負(fù)電極之上的液態(tài)錫膏內(nèi)聚力所形成的浮力相同，在錫膏固化過程，覆晶芯片兩極所受到的力較為均衡，芯片不容易發(fā)生移位。
[0012]絕緣反射層上對(duì)應(yīng)每顆LED芯片安裝位置開有兩個(gè)通孔，使線路層部分裸露，做為電極焊盤，通孔尺寸一致，使得與LED芯片電性連接的正負(fù)電極焊盤尺寸一致，相同尺寸的電極焊盤，保證了錫膏內(nèi)聚力相同，可以防止LED芯片在固化錫膏的一系列操作中移位，提聞封裝的成品率，降低生廣成本，提聞封裝效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明的俯視圖；
圖2為本發(fā)明的側(cè)視圖。
[0014]標(biāo)號(hào)說明
散熱基層I導(dǎo)熱絕緣層2
線路層3絕緣反射層4
通孔41LED芯片5
芯片電極焊盤51。
【具體實(shí)施方式】
[0015]以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做詳細(xì)的說明。
[0016]參閱圖1及圖2所示，本發(fā)明揭示的一種倒裝結(jié)構(gòu)LED COB光源散熱基板裝置，包括散熱基層1、導(dǎo)熱絕緣層2、線路層3及絕緣反射層4。線路層3通過導(dǎo)熱絕緣層2附在散熱基層I上，在線路層3形成絕緣反射層4。散熱基層I的材料選自Al，Cu，F(xiàn)e，DLC、AlN或其組合。
[0017]在絕緣反射層4上對(duì)應(yīng)每一 LED芯片安裝位置開有兩個(gè)通孔(基板電極焊盤)41，線路層3對(duì)應(yīng)通孔部分區(qū)域裸露，形成基板電極焊盤。兩個(gè)通孔41的橫截面積一致，即尺寸大小一致，且與LED芯片5的兩個(gè)電極焊盤51的橫截面積一致。
[0018]基板電極焊盤及LED芯片5電極焊盤51的材料選自Au、Sn、Cu、Ag、Al或其組合。LED芯片5的兩個(gè)電極焊盤51之間的間距大于等于80um。
[0019]絕緣反射層4上對(duì)應(yīng)每顆LED芯片5安裝位置開有兩個(gè)通孔41，使線路層3部分裸露，作為基板電極焊盤，通孔41尺寸一致，使得與LED芯片5電性連接的正負(fù)電極焊盤51尺寸一致，相同尺寸的基板電極焊盤及LED芯片5電極焊盤51，保證了錫膏內(nèi)聚力相同，可以防止LED芯片5在固化錫膏的一系列操作中移位，提高封裝的成品率，降低生產(chǎn)成本，提高封裝效率。
[0020]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本案設(shè)計(jì)的限制，凡依本案的設(shè)計(jì)關(guān)鍵所做的等同變化，均落入本案的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種倒裝結(jié)構(gòu)LED COB光源散熱基板裝置，包括線路層、導(dǎo)熱絕緣層和散熱基層以及覆在線路層之上的絕緣反射層；其特征在于:在絕緣反射層上對(duì)應(yīng)每一 LED芯片安裝位置開有兩個(gè)通孔，線路層對(duì)應(yīng)通孔部分區(qū)域裸露，形成基板電極焊盤；兩個(gè)通孔的橫截面積一致，且與LED芯片的兩個(gè)電極焊盤的橫截面積一致。
2.如權(quán)利要求1所述的一種倒裝結(jié)構(gòu)LEDCOB光源散熱基板裝置，其特征在于:基板電極焊盤及芯片電極焊盤的材料選自Au、Sn、Cu、Ag、Al或其組合。
3.如權(quán)利要求1所述的一種倒裝結(jié)構(gòu)LEDCOB光源散熱基板裝置，其特征在于:LED芯片的兩個(gè)電極焊盤之間的間距大于等于80um。
【文檔編號(hào)】H01L33/64GK103545439SQ201310466271
【公開日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2013年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月9日
【發(fā)明者】廖泳, 房寧 申請(qǐng)人:廈門吉瓦特照明科技有限公司