固體攝像裝置及其方法以及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種固體攝像裝置及其方法以及電子設(shè)備。所述固體攝像裝置，包括：多個(gè)像素，其每一個(gè)包括有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；密封層，覆蓋多個(gè)像素；以及第一透鏡部分，對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置并且設(shè)置于密封層的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層所在的一側(cè)上。第一透鏡部分與密封層整體形成。
【專利說(shuō)明】固體攝像裝置及其方法以及電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開(kāi)涉及包括光電轉(zhuǎn)換元件作為像素的固體攝像裝置、制造這樣固體攝像裝置的方法以及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于包括電荷耦合裝置(CXD)和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)成像傳感器的固體攝像裝置，提出了其中從單一像素獲得三個(gè)顏色(例如，R、G和B)信號(hào)的結(jié)構(gòu)，該單個(gè)像素包含用于多個(gè)顏色的堆疊的光電轉(zhuǎn)換層(例如，見(jiàn)日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)第2011-29337號(hào))。在此文件中描述的固體攝像裝置中，例如，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分設(shè)置在硅基板上，并且光敏二極管(無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分)設(shè)置于其中。此外，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分探測(cè)綠光以根據(jù)探測(cè)到綠光產(chǎn)生信號(hào)電荷，而光敏二極管分別探測(cè)紅光和藍(lán)光。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]對(duì)于如上所述的固體攝像裝置，需要一種結(jié)構(gòu)能使其提高有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層的集光效率而不因有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的劣化而降低其自身的可靠性。
[0004]希望提供一種能夠提高有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層的集光效率同時(shí)保證可靠性固體攝像裝置、制造這樣的固體攝像裝置的方法以及電子設(shè)備。
[0005]根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的固體攝像裝置包括:多個(gè)像素，其每一個(gè)包括有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；密封層，覆蓋多個(gè)像素；以及第一透鏡部分，對(duì)像素的每一個(gè)設(shè)置并且設(shè)置在密封層的的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層所在的一側(cè)上。第一透鏡部分與密封層整體形成。
[0006]根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的制造固體攝像裝置的方法包括:形成多個(gè)像素，每一個(gè)像素包括有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；以及形成密封層，其覆蓋多個(gè)像素，形成密封層包括形成第一透鏡部分，第一透鏡部分對(duì)像素的每一個(gè)設(shè)置且設(shè)置于密封層的設(shè)置有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層所在的一側(cè)上。第一透鏡部分與密封層整體形成。
[0007]根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的電子設(shè)備提供有固體攝像裝置，固體攝像裝置包括:多個(gè)像素，其每一個(gè)包括有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；密封層，覆蓋多個(gè)像素；以及第一透鏡部分，對(duì)像素的每一個(gè)設(shè)置并且設(shè)置于密封層的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層所在的一側(cè)上。第一透鏡部分與密封層整體形成。
[0008]在根據(jù)本公開(kāi)的上述實(shí)施例的固體攝像裝置、制造固體攝像裝置的方法和電子設(shè)備中，第一透鏡部分與密封層整體形成在密封層的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層側(cè)。具有這樣的構(gòu)造，減少了在制造工藝期間對(duì)有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層的損壞，并且改善了密封層的覆蓋性。
[0009]根據(jù)本公開(kāi)的上述實(shí)施例的固體攝像裝置、制造固體攝像裝置的方法和電子設(shè)備，在密封層的其上設(shè)置有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層的一側(cè)上，第一透鏡部分與密封層整體形成。因此，此構(gòu)造使得能夠增加有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層的集光效率同時(shí)保證可靠性。
[0010]應(yīng)理解前面的總體描述和下面的詳細(xì)描述二者都是示范性的，并且旨在對(duì)所要求保護(hù)的本技術(shù)提供進(jìn)一步的說(shuō)明?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0011]包括的附圖提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且附圖并入說(shuō)明書(shū)中且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分。附圖示出了實(shí)施例，并且與說(shuō)明書(shū)一起用于說(shuō)明本技術(shù)的原理。
[0012]圖1是根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件(像素)的示范性總體構(gòu)造的截面圖。
[0013]圖2是根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件的主要部分構(gòu)造的截面圖。
[0014]圖3A和3B是無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分的示范性構(gòu)造的截面圖。
[0015]圖4是有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分中電荷(電子)存儲(chǔ)層的示范性構(gòu)造的截面圖。
[0016]圖5是圖2的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分的堆疊結(jié)構(gòu)的放大圖。
[0017]圖6是制造圖1或2的光電轉(zhuǎn)換元件的方法的說(shuō)明性截面圖。
[0018]圖7是示出圖6之后的工藝步驟的截面圖。
[0019]圖8A和8B分別是示出圖7和8A之后的工藝步驟的截面圖。
[0020]圖9A和9B分別是示出圖8B和9A之后的工藝步驟的截面圖。
[0021]圖10是示出圖9B之后的工藝步驟的截面圖。
[0022]圖11是示出圖10之后的工藝步驟的截面圖。
[0023]圖12是示出圖11之后的工藝步驟的截面圖。
[0024]圖13是示出圖12之后的工藝步驟的截面圖。
[0025]圖14是示出圖13之后的工藝步驟的截面圖。
[0026]圖15是根據(jù)對(duì)比例的光電轉(zhuǎn)換元件的集光效率的說(shuō)明性示意截面圖。
[0027]圖16是圖1或2的光電轉(zhuǎn)換元件的集光效率的說(shuō)明性示意截面圖。
[0028]圖17是根據(jù)變型I的光電轉(zhuǎn)換元件(像素)的主要部分的構(gòu)造的截面圖。
[0029]圖18是根據(jù)變型3的光電轉(zhuǎn)換元件(像素)的主要部分的構(gòu)造的截面圖。
[0030]圖19是示出固體攝像裝置的功能模塊圖。
[0031]圖20是示出根據(jù)示范性應(yīng)用的電子設(shè)備的功能模塊圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]在下文，將參考附圖詳細(xì)描述本公開(kāi)的實(shí)施例等。描述將以下面的順序給出。
[0033]1.實(shí)施例(光電轉(zhuǎn)換元件的示例，其中下凸透鏡部分與密封層整體形成)
[0034]2.變型I (考慮接收光波長(zhǎng)和折射率之間的關(guān)系生成設(shè)計(jì)的情況的示例)
[0035]3.變型2 (做出瞳孔校正的情況的示例)
[0036]4.固體攝像裝置的示范性總體構(gòu)造
[0037]5.示范性應(yīng)用(電子設(shè)備的示例(照相機(jī)))
[0038][實(shí)施例]
[0039](構(gòu)造)
[0040]圖1示出了在根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的固體攝像裝置中的像素(光電轉(zhuǎn)換元件10)橫截面的整體構(gòu)造。固體攝像裝置可用作，例如，電荷耦合裝置(CCD)或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器，且其細(xì)節(jié)將在后面描述。在光電轉(zhuǎn)換元件10中，像素晶體管(包括后面要描述的轉(zhuǎn)移晶體管Trl至Tr3)形成在半導(dǎo)體基板的前表面(或者表面S2，位于光接收表面的相反側(cè))上，并且多層配線層(多層配線層51)設(shè)置于其上。[0041]光電轉(zhuǎn)換元件10可具有這樣的結(jié)構(gòu)，例如，其中有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOa和無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOb豎向堆疊。此外，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOa和無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOb選擇性探測(cè)不同波長(zhǎng)的光以光電轉(zhuǎn)換該光。有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOa形成在半導(dǎo)體基板11上,并且包括有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層(有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17)。同時(shí),無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOb形成在半導(dǎo)體基板11中。由于這樣的結(jié)構(gòu)，后面描述的固體攝像裝置從每個(gè)像素獲得多顏色的信號(hào)而不采用彩色濾光片。
[0042]在此實(shí)施例中，如圖2所示，光電轉(zhuǎn)換元件10其中單一有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG和兩個(gè)無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB和IlR豎向堆疊的結(jié)構(gòu)。具有此結(jié)構(gòu)，獲得紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的顏色信號(hào)。有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IIG提供有有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G，其例如可探測(cè)綠光(S卩，光電轉(zhuǎn)換綠光)。無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOb提供有無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB和I IR，其例如可分別探測(cè)藍(lán)光和紅光。
[0043](半導(dǎo)體基板11)
[0044]半導(dǎo)體基板11可具有這樣的結(jié)構(gòu)，例如，其中無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB和IlR以及綠存儲(chǔ)層IlOG埋設(shè)在n型硅(Si)層110的各個(gè)預(yù)定區(qū)域中。另外，導(dǎo)電塞120al也埋設(shè)在半導(dǎo)體基板11中。導(dǎo)電塞120al為從有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IIG傳送的電荷(電子或空穴)產(chǎn)生傳送通道。在此實(shí)施例中，半導(dǎo)體基板11的背表面(表面SI)用作光接收表面。另外，多個(gè)像素晶體管(包括轉(zhuǎn)移晶體管Trl至Tr3)和包括邏輯電路的周邊電路形成在半導(dǎo)體基板11的前表面(表面S2)上。像素晶體管分別對(duì)應(yīng)于有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG和無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層 IlB 和 IlR0
[0045]每個(gè)像素晶體管的示例可包括轉(zhuǎn)移晶體管、復(fù)位晶體管、放大晶體管和選擇晶體管。如上所述，每個(gè)像素晶體管例如可由MOS晶體管構(gòu)造，并且形成在表面S2上的p型半導(dǎo)體阱區(qū)中。包括像素晶體管的電路形成為對(duì)應(yīng)于紅、綠和藍(lán)的光電轉(zhuǎn)換部分。每個(gè)電路除了上面的像素晶體管外例如可采用包括轉(zhuǎn)移晶體管、復(fù)位晶體管和放大晶體管的三晶體管構(gòu)造，或者除這三個(gè)晶體管之外還包括選擇晶體管的四晶體管構(gòu)造。這里，在上面的像素晶體管當(dāng)中，僅示出了轉(zhuǎn)移晶體管Tr I至Tr3。具體而言，圖1中僅示出了轉(zhuǎn)移晶體管Tr I至Tr3的各個(gè)柵極電極(柵極電極TGl至TG3)。每個(gè)像素晶體管(除了轉(zhuǎn)移晶體管)可由多個(gè)光電轉(zhuǎn)換部分或像素共享。而且，其中浮置擴(kuò)散共享的結(jié)構(gòu)，或者所謂的像素共享結(jié)構(gòu)可以是可采用的。
[0046]轉(zhuǎn)移晶體管Trl至Tr3的每一個(gè)包括柵極電極(柵極電極TG1、TG2或TG3)和浮置擴(kuò)散(FD113、FD114或FD116)。轉(zhuǎn)移晶體管Trl將在有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG中產(chǎn)生且存儲(chǔ)在綠存儲(chǔ)層IlOG中的對(duì)應(yīng)于綠色的信號(hào)電荷(本實(shí)施例中為電子)傳送到后面要描述的豎向信號(hào)線Lsig。轉(zhuǎn)移晶體管Tr2將產(chǎn)生且存儲(chǔ)在無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB中的對(duì)應(yīng)于藍(lán)色的信號(hào)電荷(本實(shí)施例中的電子)傳送到后面描述的豎向信號(hào)線Lsig。同樣,轉(zhuǎn)移晶體管Tr3將產(chǎn)生且存儲(chǔ)在無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層I IR中的對(duì)應(yīng)于紅色的信號(hào)電荷(本實(shí)施例中的電子)傳送到后面要描述的豎向信號(hào)線Lsig。
[0047]無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB和IlR的每一個(gè)是具有pn結(jié)的光敏二極管。例如，無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB和IlR可從表面SI (光入射側(cè))以此順序形成在半導(dǎo)體基板11中。在這些層中，無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB選擇性地探測(cè)藍(lán)光且存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于藍(lán)色的信號(hào)電荷。例如，無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB可形成為從沿著半導(dǎo)體基板11的表面SI的選擇區(qū)域延伸到臨近與多層配線層51的界面的區(qū)域。同時(shí)，無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlR選擇性地探測(cè)紅光且存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于紅色的信號(hào)電荷。例如，無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層I IR可形成在相對(duì)于無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB的下層區(qū)域中(在表面S2側(cè))。注意，藍(lán)(B)和紅(R)例如可分別對(duì)應(yīng)于波長(zhǎng)范圍為450nm至495nm的光和波長(zhǎng)范圍為620nm至750nm的光。無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB和IlR的每一個(gè)僅需探測(cè)部分的對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)范圍的光或完全覆蓋對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)范圍的光。
[0048]圖3A和3B的每一個(gè)示出了無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IIB和IlR的示范性詳細(xì)構(gòu)造。在圖3A和3B中，示出了不同的截面構(gòu)造。注意，在此實(shí)施例中，關(guān)于其中由于光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電子空穴對(duì)當(dāng)中電子讀作信號(hào)電荷情況(或者n型半導(dǎo)體區(qū)域用作光電轉(zhuǎn)換層的情況)，將給出描述。在圖3A和3B的每一個(gè)中，用于“p”或“n”的上角標(biāo)“ + ”表示高雜質(zhì)濃度的p型或n型。此外，圖3A和3B的每一個(gè)中還分別示出了像素晶體管當(dāng)中的轉(zhuǎn)移晶體管Tr2和Tr3的柵極電極TG2和TG3。
[0049]無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB包括:例如，用作空穴存儲(chǔ)層的p型半導(dǎo)體區(qū)域Illp (在下文，簡(jiǎn)稱為P型區(qū)域，并且這也適用于半導(dǎo)體區(qū)域Illp為n型的情況);以及作電子存儲(chǔ)層的n型光電轉(zhuǎn)換層Illn (n型區(qū)域)。p型區(qū)域Illp和n型光電轉(zhuǎn)換層Illn形成在靠近表面SI的各自的選擇區(qū)域中，并且它們的每一個(gè)形成為使其部分地彎曲并且彎曲部分延伸到與表面S2的界面。p型區(qū)域Illp連接到表面SI上的p型半導(dǎo)體阱區(qū)(未示出)。同時(shí)，n型光電轉(zhuǎn)換層Illn連接到用于藍(lán)色的轉(zhuǎn)移晶體管Tr2的FD113 (n型區(qū)域)。此外，p型區(qū)域113p (空穴存儲(chǔ)層)形成在表面S2與p型區(qū)域Illp和n型光電轉(zhuǎn)換層Illn的每一個(gè)的在表面S2側(cè)的端部之間的界面附近。
[0050]無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlR例如可通過(guò)在p型區(qū)域112pl和112p2(空穴存儲(chǔ)層)之間夾設(shè)n型光電轉(zhuǎn)換層112n (電子存儲(chǔ)層)而形成(即具有p-n-p堆疊結(jié)構(gòu))。n型光電轉(zhuǎn)換層112n形成為使其部分地彎曲，并且彎曲部分延伸到表面S2的界面。n型光電轉(zhuǎn)換層112n連接到紅轉(zhuǎn)移晶體管Tr3的FD114 (n型區(qū)域)。而且，另一個(gè)p型區(qū)域113p (空穴存儲(chǔ)層)至少形成在表面S2和n型光電轉(zhuǎn)換層112n的在表面S2側(cè)的端部之間的界面附近。
[0051]圖4示出了綠存儲(chǔ)層IlOG的示范性詳細(xì)構(gòu)造。這里，關(guān)于有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG中產(chǎn)生的電子空穴對(duì)當(dāng)中，從下電極14讀取電子作為信號(hào)電荷的情況，將給出描述。在圖4中還示出了像素晶體管當(dāng)中的轉(zhuǎn)移晶體管Trl的柵極電極TG1。
[0052]綠存儲(chǔ)層IlOG包括用作電子存儲(chǔ)層的n型區(qū)域115n。部分的n型區(qū)域115n連接到導(dǎo)電塞120al，并且通過(guò)導(dǎo)電塞120al存儲(chǔ)從下電極14提供的電子。n型區(qū)域115n還連接到用于綠色的轉(zhuǎn)移晶體管Trl的FD116 (n型區(qū)域)。此外，p型區(qū)域115p (空穴存儲(chǔ)層)形成在n型區(qū)域115n和表面S2之間的界面附近。
[0053]導(dǎo)電塞120al用作連接有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG和半導(dǎo)體基板11的連接器，并且導(dǎo)電塞120al與后面描述的導(dǎo)電塞120a2相結(jié)合產(chǎn)生用于有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG中產(chǎn)生的電子或空穴的傳送通道。在此情況下，導(dǎo)電塞120al與有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG的下電極14建立電連續(xù)性，并且連接到綠存儲(chǔ)層110G。
[0054]如上所述的導(dǎo)電塞120al例如可由導(dǎo)電半導(dǎo)體層構(gòu)造，并且形成且埋設(shè)在半導(dǎo)體基板11中。在此情況下，優(yōu)選導(dǎo)電塞120al具有n型，從而用作電子的傳送通道?？商鎿Q地，導(dǎo)電塞120al例如可具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中由鎢等制成的導(dǎo)電膜材料填充在通孔中。在此情況下，希望通孔的側(cè)表面由絕緣膜覆蓋，絕緣膜例如由氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)制成，目的在于避免導(dǎo)電膜材料與硅之間的短路。
[0055]例如由硅制成的支撐基板53通過(guò)多層配線層51連接到如上所述的半導(dǎo)體基板11的表面S2。在多層配線層51中，多個(gè)配線51a通過(guò)層間絕緣膜52設(shè)置。在光電轉(zhuǎn)換元件10中，如上所述，多層配線層51形成在光接收表面的相反側(cè)。因此，光電轉(zhuǎn)換元件10構(gòu)造為能夠?qū)崿F(xiàn)所謂的背側(cè)照明型固體攝像裝置。
[0056](有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分)
[0057]有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOa (在此情況下，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分11G)是有機(jī)光電轉(zhuǎn)換元件，其采用有機(jī)半導(dǎo)體吸收選擇的波長(zhǎng)的光(這里，綠光)，產(chǎn)生電子空穴對(duì)。有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOa (IlG)具有這樣的構(gòu)造，其中有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17 (17G)夾設(shè)在電極對(duì)(或下電極14和上電極18)之間，信號(hào)電荷從電極對(duì)取出。下電極14 (第一電極)電連接到埋設(shè)在半導(dǎo)體基板11中的導(dǎo)電塞120al。同時(shí)，上電極18 (第二電極)通過(guò)例如在固體攝像裝置的外緣部分中的接觸部分(未示出)連接到多層配線層51中的配線51a。采用此構(gòu)造放掉電荷(這里，空穴)。
[0058]有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG通過(guò)層間絕緣膜12A和12B形成在半導(dǎo)體基板11的表面SI上。導(dǎo)電塞120a2埋設(shè)在層間絕緣膜12A的與導(dǎo)電塞120al相對(duì)的區(qū)域中，并且配線層13a埋設(shè)在層間絕緣膜12B的與導(dǎo)電塞120a2相對(duì)的區(qū)域中。下電極14設(shè)置在層間絕緣膜12B上，并且具有開(kāi)口 Hl的絕緣膜15設(shè)置在下電極14上。
[0059]有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G和上電極18按此順序設(shè)置在絕緣膜15上。下電極14的表面在絕緣膜15的開(kāi)口 Hl之上暴露，并且有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G與開(kāi)口 Hl內(nèi)的下電極14接觸。在本實(shí)施例中在信號(hào)電荷從下電極14取出的情況下，為每個(gè)像素提供下電極14，并且各個(gè)下電極14通過(guò)絕緣膜15彼此電隔離。如上所述，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G和上電極18通過(guò)絕緣膜15形成在下電極14上。因此，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G和上電極18的每一個(gè)具有形成為對(duì)應(yīng)于絕緣膜15的開(kāi)口 Hl的凹陷。換言之，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G和上電極18的每一個(gè)的上表面(光入射表面)形成為與絕緣膜15的不平坦形狀(由開(kāi)口 Hl產(chǎn)生的臺(tái)階)相符(或者反映絕緣膜15的不平坦形狀)。此外，施加膜19設(shè)置于上電極18上，并且密封層20形成為相鄰于施加膜19。密封層20的具體構(gòu)造將后面描述。
[0060]如上所述，導(dǎo)電塞120a2與導(dǎo)電塞120al —起用作連接器，并且導(dǎo)電塞120a2與導(dǎo)電塞120al和配線層13a聯(lián)合形成從下電極14延伸到綠存儲(chǔ)層IlOG的電荷(電子)的傳送通道。導(dǎo)電塞120a2還可用作光屏蔽膜。在此情況下，希望導(dǎo)電塞120a2由堆疊層膜構(gòu)造，堆疊層膜由金屬材料制造，包括鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)和鎢。
[0061]希望層間絕緣膜12A由具有低界面態(tài)的絕緣膜構(gòu)造，以便降低與半導(dǎo)體基板11(硅層110)的界面態(tài)，并且防止在與硅層110的界面處產(chǎn)生暗電流。對(duì)于如上所述的絕緣膜，例如，可采用例如包括氧化鉿(HfO2)膜和氧化硅(SiO2)膜的堆疊層膜。層間絕緣膜12B可由單一層膜或堆疊層膜構(gòu)造，單一層膜例如由氧化硅、氮化硅和氧氮化硅(SiON)之一制成，堆疊層膜由它們其中的兩種或更多種制成。
[0062]下電極14設(shè)置于一區(qū)域中，該區(qū)域覆蓋形成于半導(dǎo)體基板11中的無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB和IlR的各自的光接收表面,從而與光接收表面相對(duì)。下電極14展不出透光性,并且例如可由折射率約為1.8至2.0的導(dǎo)電膜制成，例如銦錫氧化物(ITO)膜。另外，也可采用添加摻雜劑至氧化錫而形成的基于氧化錫(T0)、氧化錫(SnO2)的材料，或者通過(guò)添加摻雜劑至氧化鋅而形成的基于氧化鋅(ZnO)的材料?；谘趸\的材料的示例包括通過(guò)添加作為摻雜劑的鋁(Al)而形成的鋁鋅氧化物(AZ0)、通過(guò)添加作為摻雜劑的鎵(Ga)而形成的鎵鋅氧化物(GZO)和通過(guò)添加作為摻雜劑的銦(In)而形成的銦鋅氧化物(IZ0)。另外,可采用Cu1、InSbO4^ZnMgO,CuInO2,MgIN2O4^ CdO或ZnSnO3等。如上所述，在此實(shí)施例中，信號(hào)電荷(電子)從下電極14取出。因此，在后面描述的其中光電轉(zhuǎn)換元件10用作每個(gè)像素的固體攝像裝置中，下電極14由絕緣膜15彼此分開(kāi)以對(duì)應(yīng)于各個(gè)像素。
[0063]絕緣膜15可由單一層膜或堆疊層膜構(gòu)造，單一層膜例如由氧化硅、氮化硅和氧氮化硅(SiON)之一制成，堆疊層膜由它們之中的兩種或更多種制成。當(dāng)光電轉(zhuǎn)換元件10用作固體攝像裝置的每個(gè)像素時(shí)，絕緣膜15具有使下電極14彼此電隔離的功能，從而對(duì)應(yīng)于各個(gè)像素。此外，絕緣膜15在開(kāi)口 Hl的邊緣部分成錐形。此部分的錐角(后面要描述的錐角0 )可根據(jù)密封層20中下凸透鏡20B的必需曲率適當(dāng)設(shè)定，如后面將描述的。作為示例，希望錐角9為30度或更小。 [0064]有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17包括吸收選擇的波長(zhǎng)范圍的光以將其光電轉(zhuǎn)換的并進(jìn)而允許另一波長(zhǎng)范圍的光從其通過(guò)的有機(jī)半導(dǎo)體。希望此有機(jī)半導(dǎo)體包括P型和n型有機(jī)半導(dǎo)體其中之一或二者。對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體，例如，可適當(dāng)采用喹吖啶酮、萘、蒽、菲、并四苯、芘、茈和熒蒽衍生物中的一個(gè)。作為選擇，也可采用例如亞苯基亞乙烯基聚合物、氟聚合物、咔唑聚合物、吲哚聚合物、芘聚合物、吡咯聚合物、皮考啉聚合物、噻吩聚合物、乙炔聚合物或聯(lián)乙炔聚合物或其衍生物。而且，可適當(dāng)采用金屬絡(luò)合物染料、羅丹明類染料、花青類染料、部花青類染料、苯基咕噸類染料、三苯甲烷類染料、若丹菁類染料、咕噸類染料、大環(huán)氮雜奧類染料、奧類染料、萘醌、蒽醌類染料、通過(guò)縮合大環(huán)多環(huán)芳族化合物如蒽或芘和芳族或雜環(huán)化合物形成的鏈化合物、諸如具有方酸和chlochonic基團(tuán)作為結(jié)合鏈的喹諾酮、苯并噻唑或苯并噁唑的包含二個(gè)氮的雜環(huán)化合物、或其中方酸和chlochonic基團(tuán)鍵接的花青類染料。優(yōu)選上面的金屬絡(luò)合物染料為雙硫醇金屬絡(luò)合物染料、金屬酞花青染料、金屬卟啉染料或釕絡(luò)合物染料。然而，對(duì)金屬絡(luò)合物染料沒(méi)有限制。在此實(shí)施例中，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G具有光電轉(zhuǎn)換部分或全部覆蓋例如從495nm至570nm的波長(zhǎng)范圍的綠光的能力，并且由上述材料中的一種或多種構(gòu)造。另外，如上構(gòu)成的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G例如可為50nm至500nm的厚度。
[0065]對(duì)于有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17，可采用有機(jī)共蒸鍍膜，其為通過(guò)同時(shí)蒸鍍兩種或多種類型的有機(jī)半導(dǎo)體(例如，P型和n型有機(jī)半導(dǎo)體)而形成的有機(jī)半導(dǎo)體化合物膜。此外，附加層(未不出)可設(shè)置于有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17和下電極14之間以及有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17和上電極18之間。例如，底涂膜、電子阻擋膜、有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17、空穴阻擋膜、緩沖膜和功函調(diào)整膜等可以以此順序堆疊在下電極14上。
[0066]上電極18由顯示透光性的有機(jī)導(dǎo)電膜構(gòu)造，與下電極14類似。如本實(shí)施例中在從下電極14取出信號(hào)電荷的情況下，上電極18設(shè)置為由多個(gè)像素共享。
[0067]施加膜19例如可由諸如旋涂玻璃(S0G)、光致抗蝕劑或旋涂電介質(zhì)(SOD)的低k(低介電常數(shù))材料或者諸如聚酰亞胺或聚苯并惡唑的施加類型的材料(通過(guò)施加方法能形成膜的材料)制造。此外，希望施加膜19由折射率低于密封層20的材料(后面要描述的無(wú)機(jī)材料)的材料制成。具有這樣的構(gòu)造，提高了下凸透鏡部分20B的集光效率。在此實(shí)施例中，施加膜19形成為覆蓋上電極18的上表面，并且密封層20相鄰于施加膜19的上表面設(shè)置。施加膜19的厚度可根據(jù)密封層20中下凸透鏡20B的必需曲率來(lái)設(shè)定，如后面所要描述的。作為示例，此厚度可為約IOOnm。
[0068]密封層20例如可為單一層膜或堆疊層膜，單一層膜由包括諸如氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鉿、氧化鉭、氧化鋯或氧化鈦的金屬氧化物和金屬氮化物以及硅樹(shù)脂的展示透光性能的無(wú)機(jī)材料之一制成、堆疊層膜由這些材料中的兩種或更多種制成。然而，對(duì)密封層20的材料上沒(méi)有限制?？商鎿Q地，密封層20可為單一層膜或堆疊層膜，單一層膜例如可由展示透光性能的包括聚酰亞胺、聚苯并惡唑、丙烯酸樹(shù)脂和聚苯乙烯的有機(jī)材料制成，堆疊層膜可由這些材料中的兩種或多種制成。而且，密封層20可通過(guò)堆疊上述材料制成的無(wú)機(jī)和有機(jī)膜而形成。在此實(shí)施例中，上凸透鏡20A和下凸透鏡20B與密封層20整體提供(或者密封層20的各個(gè)部分構(gòu)成上凸透鏡20A和下凸透鏡20B)。上凸透鏡20A對(duì)應(yīng)于所謂的芯片上透鏡，并且形成在密封層20的上表面(或者光入射側(cè)上的表面)上。同時(shí)，下凸透鏡20B形成在密封層20的下表面(或者有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G側(cè)的表面)上。換言之,密封層20的上表面具有在光入射側(cè)上的凸透鏡形狀，而其下表面具有在有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G側(cè)的凸透鏡形狀。
[0069]圖5以放大方式不出了部分的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG的堆疊層結(jié)構(gòu)。施加膜19形成為覆蓋如上所述的具有不平坦形狀的上電極18，并且施加膜19的上表面(光入射表面)具有彎曲形狀，形成為基本反映出上電極18的上表面。具體而言，施加膜19的上表面由光滑的彎曲表面形成，而總體上沒(méi)有任何的成角度或翹曲部分。因此，密封層20相鄰于施加膜19形成的下表面(或者下凸透鏡部分20B的表面)具有與施加膜19的彎曲形狀相符的彎曲形狀。這里，施加膜19的彎曲形狀根據(jù)設(shè)計(jì)條件決定，包括開(kāi)口 Hl的形狀、大小和錐角9，絕緣膜15、有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17和上電極18的各自厚度，以及施加膜19的厚度和粘性。在這些條件當(dāng)中，特別是，施加膜19的厚度可實(shí)現(xiàn)控制施加膜19的彎曲形狀。因此，控制施加膜19的厚度使得能夠提供具有希望的表面形狀(曲率)的下凸透鏡部分20B。
[0070]上凸透鏡20A和下凸透鏡20B收集向下入射的光到有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G和無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IIB和IlR的各個(gè)光接收表面。在此實(shí)施例中，多層配線層51形成在半導(dǎo)體基板11的表面S2上(如果采用背側(cè)照明型)。因此，在有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G與無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IIB和IlR的每一個(gè)的光接收表面之間的距離減小。根據(jù)上凸透鏡20A的焦比(F-number)，該構(gòu)造成功地減小了顏色響應(yīng)上的差別。此外，除了上凸透鏡20A之外，提供下凸透鏡20B促進(jìn)每個(gè)顏色的光的集光效率的提高。上凸透鏡20A和下凸透鏡20B可具有相同的集光點(diǎn)；然而，希望單獨(dú)地設(shè)定它們的集光點(diǎn)，以最優(yōu)化集光效率。例如，上凸透鏡20A和下凸透鏡20B可設(shè)計(jì)為，使它們之一具有對(duì)有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G最優(yōu)化的集光點(diǎn)，而另一個(gè)具有對(duì)無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IIB和I IR最優(yōu)化的集光點(diǎn)。而且，與后面要描述的變型一樣，基于集光點(diǎn)取決于波長(zhǎng)的事實(shí)，可采用其中用于對(duì)應(yīng)顏色的光電轉(zhuǎn)換層被不同地堆疊的構(gòu)造。
[0071](制造方法)
[0072]如上構(gòu)造的光電轉(zhuǎn)換元件10可通過(guò)下面的示范性工藝步驟來(lái)制造。圖6至14的每一個(gè)以工藝步驟的順序示出了制造光電轉(zhuǎn)換元件10的方法。然而，僅示出了光電轉(zhuǎn)換元件10的主要部分的構(gòu)造，并且將給出工藝步驟的描述，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分HG、施加膜19和密封層20通過(guò)這些工藝步驟形成在半導(dǎo)體基板11的表面SI上。
[0073]盡管沒(méi)有示出，但是在形成有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG之前形成具有無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlB和IlR的半導(dǎo)體基板11，然后多層配線層51和支撐基板53形成在半導(dǎo)體基板11的表面S2上。更具體而言，首先，硅層110形成在例如由氧化硅膜制成的臨時(shí)基板上，然后例如利用離子注入在的硅層110中埋設(shè)導(dǎo)電塞120al、綠存儲(chǔ)層IlOG和無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB和IlR而形成半導(dǎo)體基板11。其后，包括轉(zhuǎn)移晶體管Trl至Tr3的像素晶體管、包括邏輯電路的周邊電路和多層配線層51形成在半導(dǎo)體基板11的表面S2上。接著，在支撐基板53接合到多層配線層51之后，上面的臨時(shí)基板從半導(dǎo)體基板11的表面SI去除，從而暴露半導(dǎo)體基板11的表面SI。
[0074]如圖6所示，作為第一工藝步驟，層間絕緣膜12A和12B形成在半導(dǎo)體基板11的表面SI上。更具體而言，首先，在半導(dǎo)體基板11的表面SI上形成層間絕緣膜12A，其由包括如上所述的氧化鉿膜和氧化硅膜的堆疊層膜形成。具體而言，例如在利用原子層沉積(ALD)法形成氧化鉿膜后，例如利用等離子體CVD法形成氧化硅膜。然后，在層間絕緣膜12A的與導(dǎo)電塞120al相對(duì)的區(qū)域被開(kāi)口，并且在開(kāi)口中形成由上述材料制成的導(dǎo)電塞120a2。接著，例如利用等離子體CVD法在層間絕緣膜12A上形成由上述材料制成的層間絕緣膜12B。同樣，在層間絕緣膜12B的與導(dǎo)電塞120a2相對(duì)的區(qū)域被開(kāi)口，并且在開(kāi)口中形成由上述材料制成的配線層13a。
[0075]接下來(lái)，如圖7所示，下電極14形成在層間絕緣膜12B上。更具體而言，在層間絕緣膜12B的整個(gè)表面上形成上述的透明導(dǎo)電膜。形成此膜的方法的示例包括溶膠-凝膠、旋涂、噴射、滾涂、離子束沉積、電子束沉積、激光消融、CVD和濺射法。在上面的方法當(dāng)中，特別是，希望采用濺射法，以便在大的區(qū)域上均勻地形成下電極14。然后，例如通過(guò)采用光刻法中的干(或濕)蝕刻的圖案化來(lái)形成下電極14。在此情況下，下電極14形成在與配線層13a相對(duì)的區(qū)域中，使得下電極14通過(guò)配線層13a以及導(dǎo)電塞120al和120a2電連接到綠存儲(chǔ)層110G。
[0076]接下來(lái)，如圖8A所示，形成絕緣膜15。更具體而言，例如利用等離子體CVD法在半導(dǎo)體基板11的整個(gè)表面上形成由上述材料制成的絕緣膜15，從而覆蓋層間絕緣膜12B和下電極14。然后，例如利用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)法平坦化所形成的絕緣膜15的表面。
[0077]接下來(lái)，如圖SB所示，在絕緣膜15中形成開(kāi)口 Hl。更具體而言，絕緣膜15的與下電極14相對(duì)的區(qū)域例如通過(guò)采用光刻法的干蝕刻選擇性地部分去除。結(jié)果，在絕緣膜15之上暴露下電極14的表面。
[0078]接下來(lái)，如圖9A所示，例如利用真空沉積法形成由上述材料等制成的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G。結(jié)果，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G形成在開(kāi)口 Hl內(nèi)而與下電極14接觸。
[0079]接下來(lái)，如圖9B所示，形成上電極18。更具體而言，例如通過(guò)真空沉積法或?yàn)R射法在有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17上形成上述的導(dǎo)電膜，從而覆蓋半導(dǎo)體基板11的整個(gè)表面。在此情況下，希望在形成有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17之后使導(dǎo)電膜在真空氣氛下形成(通過(guò)相同的真空工藝步驟)。在以此方式形成導(dǎo)電膜后，使導(dǎo)電膜例如經(jīng)受圖案化，該圖案化采用光刻法中的蝕刻，而形成上電極18。在此情況下，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G也可同時(shí)經(jīng)受圖案化。
[0080]接下來(lái)，如圖10所示，利用諸如旋涂或者浸涂法的施加法，由上述材料(例如，S0G)制成的施加膜19形成為預(yù)定的厚度。結(jié)果，施加膜19形成預(yù)定的彎曲形狀。
[0081]最后，形成密封層20。更具體而言，如圖11所示，首先，例如利用等離子體CVD法將由上述無(wú)機(jī)材料制成的密封層20形成在施加膜19上。結(jié)果，下凸透鏡部分20B形成在密封層20的下表面上。如圖12所示，然后，例如通過(guò)CMP法平坦化密封層20的表面。接著，上凸透鏡20A形成在密封層20的上表面(密封層20的上表面被處理成透鏡形狀)上。在此情況下，首先，圖案化的光致抗蝕劑210如圖13所示形成在密封層20上，然后，所形成的光致抗蝕劑210經(jīng)受回流處理，如圖14所示。其后，密封層20的上表面例如全部經(jīng)受采用干蝕刻的回蝕刻，使得上凸透鏡20A形成在密封層20的上表面上。通過(guò)上述工藝步驟，形成如圖1所示的光電轉(zhuǎn)換元件10。
[0082](功能和效果)
[0083]作為固體攝像裝置的每個(gè)像素，根據(jù)本實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件10例如以下面的方式獲得信號(hào)電荷。具體而言，當(dāng)光進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換元件10時(shí)，光通過(guò)密封層20的上凸透鏡20A和下凸透鏡部分20B。然后,各種波長(zhǎng)的光在有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOa (IlG)和無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOb (無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB和11R)任一個(gè)中被光電轉(zhuǎn)換。
[0084]在此情況下，綠光由有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG選擇性探測(cè)(或吸收)并被光電轉(zhuǎn)換。作為響應(yīng)，在所產(chǎn)生的電子空穴對(duì)當(dāng)中，例如，電子從下電極14抽出，然后通過(guò)配線層13a和導(dǎo)電塞120al和120a2存儲(chǔ)在綠存儲(chǔ)層IlOG中。這里，空穴通過(guò)配線層(未示出)從上電極18釋放。同時(shí)，通過(guò)有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG的光中包含的藍(lán)光和紅光以該順序分別被無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB和IlR吸收并且被光電轉(zhuǎn)換。在無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB中,對(duì)應(yīng)于藍(lán)光的電子存儲(chǔ)在n型區(qū)域(n型光電轉(zhuǎn)換層Illn)中。同樣,在無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlR中，對(duì)應(yīng)于紅光的電子存儲(chǔ)在n型區(qū)域(n型光電轉(zhuǎn)換層112n)中。
[0085]在讀取操作時(shí)，轉(zhuǎn)移晶體管Trl、Tr2和Tr3導(dǎo)通，并且存儲(chǔ)在綠存儲(chǔ)層IlOG以及n型光電轉(zhuǎn)換層Illn和112n中的電子分別傳送到FD113、FD114和FD116。結(jié)果，通過(guò)另外的像素晶體管(未示出)由后面要描述的豎向信號(hào)線Lsig讀取對(duì)應(yīng)顏色的光接收信號(hào)。如上所述，其中有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG和無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層IlB和IlR垂直堆疊的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)不提供彩色濾光片而彼此分開(kāi)探測(cè)紅光、綠光和藍(lán)光，從而獲得對(duì)應(yīng)顏色的信號(hào)電荷。
[0086][對(duì)比例]
[0087]圖15示出了根據(jù)本實(shí)施例的對(duì)比例的光電轉(zhuǎn)換元件(光電轉(zhuǎn)換元件100)的主要部分的構(gòu)造。在光電轉(zhuǎn)換元件100中，與本實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件10類似，無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOb和有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG也分別形成在半導(dǎo)體基板11之中和之上。然而，在光電轉(zhuǎn)換元件100中，密封層101、平坦化膜102和芯片上透鏡103按照此順序設(shè)置于有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG上。密封層101例如可由無(wú)機(jī)材料制造，并且平坦化膜102和芯片上透鏡103的每一個(gè)例如可由有機(jī)材料制造。在比較例的光電轉(zhuǎn)換元件100中，如上所述，密封層101形成為與上電極18的上表面的形狀相符，而不提供下凸透鏡20B (與本實(shí)施例相反)。在比較例中，入射光L由芯片上透鏡103折射的部分由有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G、無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlB和IlR接收。然而，具體地，入射光L的折射部分卻沒(méi)有適當(dāng)?shù)鼐奂竭h(yuǎn)離芯片上透鏡103設(shè)置的無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlB和11R。因此，可能降低集光效率。
[0088]相反，在本實(shí)施例中，如上所述，除了用作芯片上透鏡的上凸透鏡20A夕卜，還提供下凸透鏡部分20B。因此，如圖16所示，入射光L由上凸透鏡20A和下凸透鏡部分20B折射，并且恰好適當(dāng)?shù)鼐奂竭h(yuǎn)離芯片上透鏡103設(shè)置的無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlB和11R。因此，提聞了集光效率。
[0089]此外，在本實(shí)施例中，下凸透鏡部分20B與密封層20整體提供。采用這樣的構(gòu)造，減少了在制造工藝期間對(duì)有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G的損壞，并且改善了密封層20的覆蓋性。這樣的原因如下。在本實(shí)施例中，施加膜19設(shè)置為覆蓋上電極18，并且施加膜19的上表面具有形成為基本上反映上電極18的不平坦形狀(由絕緣膜15的開(kāi)口 Hl所致)的彎曲形狀，如上所述。因此，形成在施加膜19上且與其相鄰的密封層20的下表面也具有對(duì)應(yīng)于施加膜19的彎曲形狀的彎曲形狀，并且此彎曲形狀構(gòu)成下凸透鏡部分20B。
[0090]下凸透鏡(也稱為內(nèi)透鏡)的形成方法的示例包括回流法和高密度等離子體(HDP)濺射法。在采用這些方法時(shí)，存在形成膜的溫度超過(guò)有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的耐熱溫度(約100°C至200°C)的情況。因此，這些方法可能在制造工藝期間熱(或物理)損壞有機(jī)光電轉(zhuǎn)換膜，導(dǎo)致其性能的劣化。為此，上面的方法可能不適合于包括有機(jī)光電轉(zhuǎn)換膜的固體攝像
>J-U裝直。
[0091]在本實(shí)施例中，如上所述，下凸透鏡部分20B通過(guò)在施加膜19上沉積密封層20而形成。因此，減少了在制造工藝期間對(duì)有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G的損壞。另外，與形成在具有成角度或翹曲部分的表面上的情況相比，以上面的方式形成在彎曲表面上的密封層20不容易裂開(kāi)或扭曲。因此，改善了密封層20的覆蓋性。
[0092]在本實(shí)施例中，如上所述，下凸透鏡部分20B設(shè)置于密封層20的下表面上，而與密封層20整體形成。采用這樣的構(gòu)造,在制造工藝中減少了對(duì)有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G的損壞，并且改善了密封層20的覆蓋性。因此，能夠提高有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17G的集光效率同時(shí)保證
可靠性。
[0093][變型I]
[0094]在上述實(shí)施例中，如上所述，描述了關(guān)于有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOa (IlG)光電轉(zhuǎn)換綠光而無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOb (IlB和11R)光電轉(zhuǎn)換藍(lán)光和紅光的情況。然而,對(duì)于光電轉(zhuǎn)換部分的顏色的組合(或者R、G和B分配)上沒(méi)有限制。具體而言，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOa可提供有光電轉(zhuǎn)換藍(lán)光(或紅光)的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層，并且無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOb可提供有分別光電轉(zhuǎn)換綠光和紅光(或者藍(lán)光和綠光)的兩個(gè)無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層。
[0095]如圖17所75,例如,光電轉(zhuǎn)換紅光的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層17R可設(shè)置為有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IOa (11R)，并且分別光電轉(zhuǎn)換藍(lán)光和綠光的無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlB和無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分IlG可設(shè)置為無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分10b。波長(zhǎng)越短，折射率變得越高。因此，用于長(zhǎng)波長(zhǎng)(例如，紅光)的光電轉(zhuǎn)換部分設(shè)置于較近位置，并且用于短波長(zhǎng)(例如，藍(lán)光或綠光)的光電轉(zhuǎn)換部分設(shè)置于較遠(yuǎn)位置，從而提高集光效率。如上所述，希望上凸透鏡20A和下凸透鏡部分20B的每一個(gè)的曲率(焦距或集光點(diǎn))和用于對(duì)應(yīng)顏色的光電轉(zhuǎn)換部分的堆疊順序通過(guò)利用波長(zhǎng)和折射率之間的關(guān)系來(lái)設(shè)定。
[0096][變型2]
[0097]在后面描述的固體攝像裝置中，可采用上凸透鏡20A和下凸透鏡部分20B的一個(gè)或二者進(jìn)行瞳孔校正。具體而言，上凸透鏡20A和下凸透鏡部分20B的任何一個(gè)或每一個(gè)的光軸根據(jù)對(duì)應(yīng)像素的位置偏移。作為選擇，上凸透鏡20A和下凸透鏡部分20B的任何一個(gè)或每一個(gè)的曲率可根據(jù)對(duì)應(yīng)像素的位置變化。而且，上面的構(gòu)造可結(jié)合使用。
[0098][變型3]
[0099]如圖18所示,波導(dǎo)結(jié)構(gòu)可形成為絕緣膜(或者對(duì)應(yīng)于上述實(shí)施例中的層間絕緣膜12A和12B的絕緣膜等)，設(shè)置于半導(dǎo)體基板11和下電極14之間。此外，此波導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括低折射率層12C (第一折射率層)和高折射率層12D (第二折射率層)。具體而言，低折射率層12C形成在與開(kāi)口 Hl不相對(duì)的區(qū)域中，而高折射率層12D形成在與開(kāi)口 Hl相對(duì)的區(qū)域中。低折射率層12C可由諸如Si02、S0G、S0D的無(wú)機(jī)或有機(jī)絕緣材料或低K材料制成。同時(shí)，高折射率層12D由折射率高于低折射率層12C的上面的材料的絕緣材料制成。更希望高折射率層12D由折射率等于或高于下電極14的折射率(在采用ITO作為下電極14的情況下約為2.0)的材料制造。如上所述的高折射率層12D例如可由單一層膜或堆疊層膜構(gòu)造，單一層膜由氮化硅(例如，通過(guò)等離子體CVD法形成的P-SiN膜)、氧化鉿、氧化鋁和氧化鉭中之一制成，堆疊層膜由它們中兩種或更多種制成。另外，對(duì)于高折射率層12D，可采用有機(jī)材料、由有機(jī)和無(wú)機(jī)材料制成的堆疊層膜或者其組合。如上所述包括低折射率層12C和高折射率層12D的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)例如可通過(guò)下面的工藝步驟形成。具體而言，首先，高折射率層12D形成在半導(dǎo)體基板11的整個(gè)表面上，然后高折射率層12D的不與開(kāi)口 Hl相對(duì)的區(qū)域例如通過(guò)采用光刻法的蝕刻選擇性去除。其后，在形成低折射率層12C后，高折射率層12D和低折射率層12C的表面例如通過(guò)CMP法平坦化(或拋光)。結(jié)果，形成如上構(gòu)造的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)?？商鎿Q地，可在低折射率層12C形成在預(yù)定的區(qū)域之后形成高折射率層12D。然后，可平坦化兩個(gè)表面。形成低折射率層12C和高折射率層12D的方法的示例可包括PE-CVD、HDP-CVD、濺射和施加法。然而，在此方法上沒(méi)有限定。而且，采用CMP的平坦化工藝可根據(jù)需要執(zhí)行，即，必要時(shí)可不做。
[0100]在此變型中，采用上面的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，抑制入射光L在下電極14和半導(dǎo)體基板11之間的界面上反射(抑制產(chǎn)生圖18的反射光LltltlX因此，抑制了光泄漏到相鄰像素或某些其它類似的缺點(diǎn)。實(shí)際上，在高折射率層12D由折射率與下電極14基本上相同的絕緣材料制造的情況下，有效地抑制了光在下電極14和半導(dǎo)體基板11之間的界面上的反射。此外，例如，在半導(dǎo)體基板11由折射率約為4.0的硅制造的情況下，相比諸如氧化硅的低折射率材料用于層間絕緣膜的情況，層間絕緣膜和半導(dǎo)體基板11之間的界面上的光反射也被更有效地抑制。而且，在高折射率材料用于層間絕緣膜的情況下，層間絕緣膜的容量?jī)A向于提高。然而，因?yàn)檎凵渎蕦?2C形成在不與開(kāi)口 Hl相對(duì)的區(qū)域中，因此實(shí)現(xiàn)了如上所述抑制容量提高的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
[0101][固體攝像裝置的總體構(gòu)造]
[0102]圖19是示出固體攝像裝置(固體攝像裝置I)的功能模塊示意圖，其中上面實(shí)施例中描述的光電轉(zhuǎn)換元件用于每個(gè)像素。固體攝像裝置I可用作CMOS成像傳感器，并且除了作為圖像拾取區(qū)域的像素部分Ia外還可包括電路部分130，例如提供有行掃描部分131、橫向選擇部分133、列掃描部分134和系統(tǒng)控制部分132。電路部分130可設(shè)置在相鄰于像素部分Ia的區(qū)域中，或者設(shè)置在(在與像素部分Ia相對(duì)的區(qū)域中)同時(shí)堆疊在像素部分Ia上。
[0103]像素部分Ia具有多個(gè)單元像素P (其每一個(gè)對(duì)應(yīng)于光電轉(zhuǎn)換元件10)，例如以二維和矩陣形式排布。例如，每個(gè)像素行中的單元像素P連接到像素驅(qū)動(dòng)線Lread (具體地，行選擇線或復(fù)位控制線)，而每個(gè)像素列中的單元像素P連接到豎向信號(hào)線Lsig。通過(guò)每個(gè)像素驅(qū)動(dòng)線Lread，傳送從對(duì)應(yīng)像素讀取的信號(hào)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。像素驅(qū)動(dòng)線Lread的各端連接到行掃描部分131的對(duì)應(yīng)于各行的輸出端。
[0104]行掃描部分131例如可由位移位寄存器或地址記錄器構(gòu)造，并且用作例如基于逐行原則驅(qū)動(dòng)像素部分Ia中的像素P的像素驅(qū)動(dòng)部分。當(dāng)像素行由行掃描部分131選擇性掃描時(shí)，此被掃描的像素行中的像素輸出信號(hào)。然后，這些信號(hào)通過(guò)對(duì)應(yīng)的豎向信號(hào)線Lsig提供到橫向選擇部分133。橫向選擇部分133例如由為對(duì)應(yīng)的豎向信號(hào)線Lsig提供的放大器或橫向選擇開(kāi)關(guān)構(gòu)造。
[0105]列掃描部分134例如可由位移位寄存器或地址記錄器構(gòu)造，并且順序驅(qū)動(dòng)橫向選擇部分133的橫向選擇開(kāi)關(guān)(當(dāng)掃描它們時(shí))。響應(yīng)于列掃描部分134的選擇性掃描,通過(guò)豎向信號(hào)線Lsig從像素傳送的信號(hào)順序傳送到橫向信號(hào)線135，并且通過(guò)橫向信號(hào)線135輸出到外部。
[0106]系統(tǒng)控制部分132接收從外部提供的指示操作模式的數(shù)據(jù)或時(shí)鐘，或者輸出數(shù)據(jù)，例如關(guān)于固體攝像裝置I的內(nèi)部信息。另外，系統(tǒng)控制部分132包括產(chǎn)生各種計(jì)時(shí)信號(hào)的計(jì)時(shí)發(fā)生器，并且根據(jù)計(jì)時(shí)發(fā)生器產(chǎn)生的各種計(jì)時(shí)信號(hào)控制例如行掃描部分131、橫向選擇部分133和列掃描部分134的驅(qū)動(dòng)。
[0107][示范性應(yīng)用]
[0108]上面的固體攝像裝置I可應(yīng)用于配備有圖像拾取功能的各種類型的電子設(shè)備，包括諸如數(shù)字靜物照相機(jī)(digital still camera)或攝像機(jī)的相機(jī)系統(tǒng)以及具有圖像拾取功能的移動(dòng)電話。圖20示出了作為示范性應(yīng)用的電子設(shè)備2 (照相機(jī))的通常構(gòu)造。電子設(shè)備2用作例如捕獲靜止或運(yùn)動(dòng)的圖像的攝像機(jī)，并且包括:固體攝像裝置1、光學(xué)系統(tǒng)(光學(xué)透鏡)310、快門(mén)裝置311、驅(qū)動(dòng)固體攝像裝置I和快門(mén)裝置311的驅(qū)動(dòng)部分313以及信號(hào)處理部分312。
[0109]光學(xué)系統(tǒng)310引導(dǎo)來(lái)自物體的圖像光(入射光)到固體攝像裝置I中的像素部分la。光學(xué)系統(tǒng)310例如可包括多個(gè)光學(xué)透鏡?？扉T(mén)裝置311控制固體攝像裝置I的光照射周期和光遮蔽周期。驅(qū)動(dòng)部分313控制固體攝像裝置I的透射操作和快門(mén)裝置311的快門(mén)操作。信號(hào)處理部分312使從固體攝像裝置I輸出的信號(hào)經(jīng)受各種信號(hào)處理。由于信號(hào)處理而獲得的圖像信號(hào)Dout存儲(chǔ)在諸如存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)中，或者例如輸出到監(jiān)視器。
[0110]至此，已經(jīng)描述了實(shí)施例、變型和示范性應(yīng)用等。然而，本發(fā)明的實(shí)施例不限于上面的實(shí)施例等，而是可預(yù)期其各種變化。在上面的實(shí)施例等中，例如，已經(jīng)示例了其中有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分和無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分豎向堆疊在單一像素中的構(gòu)造；然而，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的固體攝像裝置的像素構(gòu)造不限于上面的豎向堆疊的構(gòu)造。例如，可采用另一個(gè)構(gòu)造，其中有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分和無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分二維排列在光接收區(qū)域中，或者僅提供有機(jī)光電轉(zhuǎn)換部分。
[0111]在上面的實(shí)施例等中，通過(guò)以示例背側(cè)照明型固體攝像裝置為例給出了描述；然而，本發(fā)明的實(shí)施例也可應(yīng)用于前側(cè)照明型固體攝像裝置。
[0112]根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件不必須包括上面的實(shí)施例等描述的全部構(gòu)件。此外，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件可包括一個(gè)或多個(gè)附加層。
[0113]此外，本發(fā)明包括這里描述和這里并入的各種實(shí)施例中的某些或全部的的任何可能組合。
[0114]由本發(fā)明的上述示范性實(shí)施例至少能實(shí)現(xiàn)下面的構(gòu)造。
[0115](I) 一種固體攝像裝置，包括:
[0116]多個(gè)像素，每一個(gè)所述像素包括有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；[0117]密封層，覆蓋所述像素；以及
[0118]第一透鏡部分，對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置，并且設(shè)置于所述密封層的有所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層所在的一側(cè)上，所述第一透鏡部分與所述密封層整體形成。
[0119]( 2 )根據(jù)(I)所述的固體攝像裝置，其中
[0120]所述像素的每一個(gè)在半導(dǎo)體基板上以敘述的順序包括:第一電極，對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置；絕緣膜，具有開(kāi)口 ；所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；第二電極；以及施加膜，并且
[0121 ] 所述密封層相鄰于所述施加膜設(shè)置。
[0122](3)根據(jù)(2)所述的固體攝像裝置，其中所述第一透鏡部分具有與所述施加膜的光入射表面形狀相符的彎曲形狀。
[0123](4)根據(jù)(3)所述的固體攝像裝置，其中所述施加膜由折射率低于所述密封層的材料構(gòu)造。
[0124](5)根據(jù)(4)所述的固體攝像裝置，其中所述施加膜由選自于下面的組的材料構(gòu)造，所述組由旋涂玻璃、旋涂電介質(zhì)、光致抗蝕劑、聚酰亞胺和聚苯并惡唑構(gòu)成。
[0125](6)根據(jù)(4)或(5)所述的固體攝像裝置，其中所述密封層是單一層膜或堆疊層膜，所述單一層膜由選自于由氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鉿、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈦、硅樹(shù)脂、聚酰亞胺、聚苯并惡唑、丙烯酸樹(shù)脂和聚苯乙烯構(gòu)成的組種的材料構(gòu)造，而所述堆疊層膜由選自于所述組中的兩種或更多種材料構(gòu)造。
[0126](7)根據(jù)(I )至(6)任何一項(xiàng)所述的固體攝像裝置，還包括第二透鏡部分，對(duì)述像素的每一個(gè)設(shè)置，并且設(shè)置于所述密封層的光入射側(cè)上，并且與所述密封層整體形成。
[0127](8)根據(jù)(I)至(7)任何一項(xiàng)所述的固體攝像裝置，還包括設(shè)置于半導(dǎo)體基板中的一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層，
[0128]其中所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板上。
[0129](9)根據(jù)(8)所述的固體攝像裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層的接收光波長(zhǎng)短于所述一個(gè)或多個(gè)有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層的接收光波長(zhǎng)。
[0130](10)根據(jù)(7)至(9)任何一項(xiàng)所述的固體攝像裝置，其中所述第一透鏡部分和所述第二透鏡部分的一個(gè)或二者用于執(zhí)行瞳孔校正。
[0131]( 11)根據(jù)(I)至(10 )任何一項(xiàng)所述的固體攝像裝置，其中
[0132]所述像素的每一個(gè)在半導(dǎo)體基板上以敘述順序包括:層間絕緣膜；第一電極，對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置；絕緣膜，具有開(kāi)口 ；所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；以及第二電極，并且
[0133]所述層間絕緣膜包括第一折射率層和第二折射率層，所述第一折射率層設(shè)置于與所述絕緣膜的所述開(kāi)口不相對(duì)的區(qū)域中，而所述第二折射率層設(shè)置于與所述絕緣膜的所述開(kāi)口相對(duì)的區(qū)域中，并且所述第二折射率層的折射率高于所述第一折射率層的折射率。
[0134](12) 一種制造固體攝像裝置的方法，所述方法包括:
[0135]形成多個(gè)像素，每一個(gè)所述像素包括有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；以及
[0136]形成覆蓋所述多個(gè)像素的密封層，所述形成密封層包括形成第一透鏡部分，所述第一透鏡部分多所述像素的每一個(gè)設(shè)置且設(shè)置于所述密封層的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層所在的一側(cè)上，所述第一透鏡部分與所述密封層整體形成。
[0137](13)根據(jù)(12)所述的制造固體攝像裝置的方法，其中
[0138]所述形成多個(gè)像素包括在半導(dǎo)體基板上以所敘述的順序形成:第一電極，對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置；絕緣膜，具有開(kāi)口 ；所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；第二電極；以及施加膜，并且
[0139]在所述形成所述密封層中，所述密封層形成在所述施加膜上且相鄰于所述施加膜。
[0140](14)根據(jù)(12)或(13)所述的制造固體攝像裝置的方法，其中所述形成密封層包括形成第二透鏡部分，所述第二透鏡部分對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置且設(shè)置于所述密封層的光入射側(cè)上，所述第二透鏡部分與所述密封層整體形成。
[0141](15)根據(jù)(14)所述的制造固體攝像裝置的方法，其中，在所述形成所述密封層中，所述密封層沉積在所述施加膜上以形成具有對(duì)應(yīng)于所述施加膜的表面形狀的彎曲表面的所述第一透鏡部分，并且所述沉積的密封層的表面處理為形成所述第二透鏡部分。
[0142](16)根據(jù)(12)至(15)任何一項(xiàng)所述的制造固體攝像裝置的方法，其中
[0143]所述形成多個(gè)像素包括在半導(dǎo)體基板上以所敘述的順序形成:層間絕緣膜；第一電極，對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置；絕緣膜，具有開(kāi)口 ；所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；以及第二電極，并且
[0144]所述層間絕緣膜包括第一折射率層和第二折射率層，所述第一折射率層設(shè)置于與所述絕緣膜的所述開(kāi)口不相對(duì)的區(qū)域中，并且所述第二折射率層形成在與所述絕緣膜的所述開(kāi)口相對(duì)的區(qū)域中，并且所述第二折射率層的折射率高于所述第一折射率層的折射率。
[0145](17) 一種電子設(shè)備，提供有固體攝像裝置，所述固體攝像裝置包括:
[0146]多個(gè)像素，其每一個(gè)包括有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；
[0147]密封層，覆蓋所述多個(gè)像素；以及
[0148]第一透鏡部分，對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置并且設(shè)置于所述密封層的其上設(shè)置有所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層的一側(cè)上，所述第一透鏡部分與所述密封層整體形成。
[0149]本申請(qǐng)包含分別于2012年9月20日和2012年11月27日提交日本專利局的日本優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng)JP2012-206569和JP2012-258402中公開(kāi)的相關(guān)主題，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。
[0150]本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，根據(jù)設(shè)計(jì)需要和其他因素，可以進(jìn)行各種修改、組合、部分組合和替換，只要這些修改、組合、部分組合和替換在所附權(quán)利要求或其等價(jià)物的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種固體攝像裝置，包括: 多個(gè)像素，每一個(gè)所述像素包括有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層； 密封層，覆蓋所述多個(gè)像素；以及 第一透鏡部分，在所述密封層的所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層所在的一側(cè)上，對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置，所述第一透鏡部分與所述密封層整體形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中 所述像素的每一個(gè)在半導(dǎo)體基板上以敘述的順序包括:第一電極，對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置；絕緣膜，具有開(kāi)口 ；所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；第二電極；以及施加膜，并且 所述密封層相鄰于所述施加膜設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體攝像裝置，其中所述第一透鏡部分具有與所述施加膜的光入射表面形狀相符的彎曲形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固體攝像裝置，其中所述施加膜由折射率低于所述密封層的材料構(gòu)造。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固體攝像裝置，其中所述施加膜由選自于由旋涂玻璃、旋涂電介質(zhì)、光致抗蝕劑、聚酰亞胺和聚苯并惡唑構(gòu)成的組中的材料構(gòu)造。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固體攝像裝置，其中所述密封層是單一層膜或堆疊層膜，所述單一層膜由選自于由氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鉿、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈦、硅樹(shù)脂、聚酰亞胺、聚苯并惡唑、丙烯酸樹(shù)脂和聚苯乙烯構(gòu)成的組中的一種材料構(gòu)造，而所述堆疊層膜由選自于所述組中的兩種或更多種材料構(gòu)造。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，還包括第二透鏡部分，設(shè)置于所述像素的每一個(gè)并且設(shè)置于所述密封層的光入射側(cè)上，并且所述第二透鏡部分與所述密封層整體形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的固體攝像裝置，還包括設(shè)置于半導(dǎo)體基板中的一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層， 其中所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固體攝像裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)光電轉(zhuǎn)換層的接收光波長(zhǎng)短于所述一個(gè)或多個(gè)有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層的接收光波長(zhǎng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的固體攝像裝置，其中所述第一透鏡部分和所述第二透鏡部分之一或其二者用于執(zhí)行瞳孔校正。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中 所述像素的每一個(gè)在半導(dǎo)體基板上以敘述順序包括:層間絕緣膜；第一電極，對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置；絕緣膜，具有開(kāi)口 ；所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；以及第二電極，并且 所述層間絕緣膜包括第一折射率層和第二折射率層，所述第一折射率層設(shè)置于與所述絕緣膜的所述開(kāi)口不相對(duì)的區(qū)域中，而所述第二折射率層設(shè)置于與所述絕緣膜的所述開(kāi)口相對(duì)的區(qū)域中，并且所述第二折射率層的折射率高于所述第一折射率層的折射率。
12.一種制造固體攝像裝置的方法，所述方法包括: 形成多個(gè)像素，每一個(gè)所述像素包括有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；以及 形成覆蓋所述多個(gè)像素的密封層，所述形成密封層包括形成第一透鏡部分，所述第一透鏡部分對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置且設(shè)置在所述密封層的所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層所在的一側(cè)上，所述第一透鏡部分與所述密封層整體形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造固體攝像裝置的方法，其中 所述形成多個(gè)像素包括在半導(dǎo)體基板上以所敘述的順序形成:第一電極，對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置；絕緣膜，具有開(kāi)口 ；所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；第二電極；以及施加膜，并且 在所述形成所述密封層中，所述密封層形成在所述施加膜上且相鄰于所述施加膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造固體攝像裝置的方法，其中所述形成密封層包括形成第二透鏡部分，所述第二透鏡部分對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置且設(shè)置于所述密封層的光入射側(cè)上，所述第二透鏡部分與所述密封層整體形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造固體攝像裝置的方法，其中，在所述形成所述密封層中，所述密封層沉積在所述施加膜上以形成具有對(duì)應(yīng)于所述施加膜的表面形狀的彎曲表面的所述第一透鏡部分，并且沉積的密封層的表面處理為形成所述第二透鏡部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造固體攝像裝置的方法，其中 所述形成多個(gè)像素包括在半導(dǎo)體基板上以所敘述的順序形成:層間絕緣膜；第一電極，對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置；絕緣膜，具有開(kāi)口 ；所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層；以及第二電極，并且 所述層間絕緣膜包括第一折射率層和第二折射率層，所述第一折射率層設(shè)置于與所述絕緣膜的所述開(kāi)口不相對(duì) 的區(qū)域中，而所述第二折射率層形成在與所述絕緣膜的所述開(kāi)口相對(duì)的區(qū)域中，并且所述第二折射率層的折射率高于所述第一折射率層的折射率。
17.一種提供有固體攝像裝置的電子設(shè)備，所述固體攝像裝置包括: 多個(gè)像素，每一個(gè)所述像素包括有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層； 密封層，覆蓋所述多個(gè)像素；以及 第一透鏡部分，對(duì)所述像素的每一個(gè)設(shè)置并且設(shè)置于所述密封層的所述有機(jī)光電轉(zhuǎn)換層所在的一側(cè)上，所述第一透鏡部分與所述密封層整體形成。
【文檔編號(hào)】H01L51/48GK103681728SQ201310416474
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月20日
【發(fā)明者】松谷弘康 申請(qǐng)人:索尼公司