具有偏向堆棧元件的封裝模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明關于一種具有偏向堆棧元件的封裝模塊，包括一堆棧元件群組、一載具及一基板，堆棧元件群組以偏向的方式堆棧并置入載具中，并將基板配置于載具下方；基板和載具相接的一面有電性接點，另一面配置有與電性接點電性連接的外接點；堆棧元件群組和載具之間以金屬接點和焊墊電性連接，金屬接點延伸到載具的下方形成其它的金屬接點，并且和基板的電性接點電性連接。
【專利說明】具有偏向堆棧元件的封裝模塊

【技術領域】
[0001]本發(fā)明是有關于一種芯片偏向堆棧的封裝模塊，特別是有關于一種使用立體載具進行多個芯片的堆棧式封裝技術所形成的封裝模塊。

【背景技術】
[0002]現(xiàn)代人的生活已離不開大量的電子產(chǎn)品，因此對于半導體產(chǎn)業(yè)的需求也越來越多，半導體產(chǎn)業(yè)也就不斷的發(fā)展以滿足市場對于各種不同產(chǎn)品的需求，其中最普遍的需求便是希望能用更小的空間制造出相同甚至功能更好的產(chǎn)品。
[0003]其中，堆棧式芯片封裝(Stacked Die Package)是一種能減少產(chǎn)品空間的封裝方式，這是一種把多個不同功能的芯片配置在同一封裝模塊內的技術，除了可以達到功能整合的目的外，更可有效節(jié)省電路板的面積，且能減少芯片所占據(jù)的空間，進一步能夠降低整體制造成本。另外，堆棧式芯片封裝可將封裝內多顆芯片之間的電路距離變短，以便提供較佳的電性效能，并能有效減少信號在電路傳導中被干擾的問題。
[0004]目前，采用堆棧式芯片封裝較多的是存儲器的封裝，例如閃存與靜態(tài)隨機存取存儲器之間的堆棧；還有部分的通訊芯片也是采用堆棧式芯片級封裝，例如將基頻、閃存與靜態(tài)隨機存取存儲器等不同的芯片配置到同一個封裝模塊之內。
[0005]但是，目前在使用的堆棧式芯片封裝有一些缺點，例如芯片在彼此互相堆棧的制程中，由于芯片上的焊墊(pad)較多，使得芯片與基板(substrate)上的電性接點對準不易，容易產(chǎn)生良率下降的問題；此外，為增加芯片間的連接效果，最普遍的手段便是在各個芯片之間增加封膠制程，但過多的封膠，除了會增加整個封裝成品的厚度，也會產(chǎn)生溢膠的情形，不但會增加封裝的成本，也降低了封裝成品的可靠度；另外，要在彼此堆棧的芯片上，各自打上金屬導線也是很麻煩的制程。此外，芯片封裝完成以后的成品，需要再安裝到其它電子產(chǎn)品上(例如，電路板)，需要經(jīng)過對準校正使接點和墊片對齊，這也會使封裝的成本增加。對于上述缺點，本發(fā)明認為有改善的必要。


【發(fā)明內容】

[0006]為了解決上述所提到的問題，本發(fā)明的一主要目的在于提供一種具有偏向堆棧元件的封裝模塊，透過立體的載具設計，使封裝堆棧元件的流程得以簡化，并且也能提高封裝成品的可靠度。
[0007]依據(jù)上述目的，本發(fā)明提出一種具有偏向堆棧元件的封裝模塊，包括:一載具，具有一第一面及與第一面相對的一第二面，第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞凹槽的邊緣部，凹槽中形成有一第一芯片配置區(qū)，且于凹槽底部上配置多個第一金屬接點，一第一平臺部，相鄰配置于第一芯片配置區(qū)一側邊上，且曝露第一金屬接點，第一平臺部高于第一芯片配置區(qū)，第一平臺部上配置多個第二金屬接點，其中，每一第一金屬接點皆和第二金屬的其中之一相對應，且相對應的第一金屬接點和第二金屬接點之間以一第一金屬線電性連接；一第一芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個第一焊墊，第一芯片以覆晶配置于第一芯片配置區(qū)中，使第一焊墊與第一金屬接點電性連接；一第二芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個第二焊墊，第二芯片以覆晶配置于第一芯片的上端，使第二焊墊與第一平臺部上的第二金屬接點電性連接，并曝露出部份第一芯片的上端；一膠體，充填于載具的凹槽中，以覆蓋曝露的第一芯片的上端及第二芯片的上端；其中，每一第二金屬接點進一步和多個第二金屬線電性連接，第二金屬線自載具的第一平臺部經(jīng)由邊緣部延伸配置到載具的第二面，并于每一第二金屬線位于第二面的一端上，形成一金屬接點。
[0008]本發(fā)明另外提出一種具有偏向堆棧元件的封裝模塊，包括:
[0009]一載具，具有一第一面及與第一面相對的一第二面,并有多個載具穿孔自第一面貫穿至第二面，第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞凹槽的邊緣部，凹槽中形成有一第一芯片配置區(qū)，且于凹槽底部上配置多個第一金屬接點，一第一平臺部，相鄰配置于第一芯片配置區(qū)一側邊上，且曝露第一金屬接點，第一平臺部高于第一芯片配置區(qū)，第一平臺部上配置多個第二金屬接點；一第一芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個第一焊墊，第一芯片以覆晶配置于第一芯片配置區(qū)中，使第一焊墊與第一金屬接點電性連接；一第二芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個第二焊墊，第二芯片以覆晶配置于第一芯片的上端，使第二焊墊與第一平臺部上的第二金屬接點電性連接，并曝露出部份第一芯片的上端；一膠體，充填于載具的凹槽中，以覆蓋曝露的第一芯片的上端及第二芯片的上端；其中，第一金屬接點及第二金屬接點皆經(jīng)由載具穿孔延伸至載具的第二面，并于每一第一金屬接點及每一第二金屬接點位于第二面的一端各自形成一金屬接點。
[0010]本發(fā)明又提出一種具有偏向堆棧元件的封裝模塊，包括:
[0011]一載具，具有一第一面及與第一面相對的一第二面，并有多個載具穿孔自第一面貫穿至第二面，第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞凹槽的邊緣部，凹槽中形成有一第一芯片配置區(qū)，且于凹槽底部上配置多個第一金屬接點，一第一平臺部，相鄰配置于第一芯片配置區(qū)一側邊上，且曝露第一金屬接點，第一平臺部高于第一芯片配置區(qū)，第一平臺部上配置多個第二金屬接點，其中，每一第一金屬接點皆和第二金屬的其中之一相對應，且相對應的第一金屬接點和第二金屬接點之間以一金屬線電性連接；一第一芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個第一焊墊，第一芯片以覆晶配置于第一芯片配置區(qū)中，使第一焊墊與第一金屬接點電性連接；一第二芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個第二焊墊，第二芯片以覆晶配置于第一芯片的上端，使第二焊墊與第一平臺部上的第二金屬接點電性連接，并曝露出部份第一芯片的上端；一膠體，充填于載具的凹槽中，以覆蓋曝露的第一芯片的上端及第二芯片的上端；其中，第一金屬接點及第二金屬接點皆經(jīng)由載具穿孔延伸至載具的第二面，并于每一第一金屬接點及每一第二金屬接點位于第二面的一端各自形成一金屬接點。
[0012]本發(fā)明又提出一種具有偏向堆棧兀件的封裝模塊，包括:一載具，具有一第一面及與第一面相對的一第二面，并有多個載具穿孔自第一面貫穿至第二面，第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞凹槽的邊緣部，凹槽中形成有一第一芯片配置區(qū)，且于凹槽底部上配置多個第一金屬接點，一第一平臺部，相鄰配置于第一芯片配置區(qū)一側邊上，且曝露第一金屬接點，第一平臺部高于第一芯片配置區(qū)，第一平臺部上配置多個第二金屬接點，其中，每一第一金屬接點皆和第二金屬的其中之一相對應，且相對應的第一金屬接點和第二金屬接點之間以一金屬線電性連接；一第一芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個第一焊墊，第一芯片以覆晶配置于第一芯片配置區(qū)中，使第一焊墊與第一金屬接點電性連接；一第二芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個第二焊墊，第二芯片以覆晶配置于第一芯片的上端，使第二焊墊與第一平臺部上的第二金屬接點電性連接，并曝露出部份第一芯片的上端；一膠體，充填于載具的凹槽中，以覆蓋曝露的第一芯片的上端及第二芯片的上端；其中，第一金屬接點經(jīng)由載具穿孔延伸至載具的第二面，并于每一第一金屬接點位于第二面的一端形成一金屬接點。
[0013]本發(fā)明又提出一種具有偏向堆棧兀件的封裝模塊，包括:一載具，具有一第一面及與第一面相對的一第二面，并有多個載具穿孔自第一面貫穿至第二面，第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞凹槽的邊緣部，凹槽中形成有一第一芯片配置區(qū)及一控制芯片配置區(qū)，其中，第一芯片配置區(qū)圍繞控制芯片配置區(qū)并高于控制芯片配置區(qū)，且于控制芯片配置區(qū)上配置多個第一金屬接點，并于第一芯片配置區(qū)上配置多個第二金屬接點，一第一平臺部，相鄰配置于第一芯片配置區(qū)一側邊上，且曝露第二金屬接點，第一平臺部高于第一芯片配置區(qū)，第一平臺部上配置多個第三金屬接點；一控制芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個第一焊墊，控制芯片以覆晶配置于控制芯片配置區(qū)中，使第一焊墊與第一金屬接點電性連接；一第一芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個第二焊墊，第一芯片以覆晶配置于第一芯片配置區(qū)中并覆蓋控制芯片，使第二焊墊與第二金屬接點電性連接；一第二芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個第三焊墊，第二芯片以覆晶配置于第一芯片的上端，使第三焊墊與第一平臺部上的第三金屬接點電性連接，并曝露出部份第一芯片的上端；一膠體，充填于載具的凹槽中，以覆蓋曝露的第一芯片的上端及第二芯片的上端；其中，第一金屬接點、第二金屬接點及第三金屬接點皆經(jīng)由載具穿孔分別延伸至載具的第二面，并于每一第一金屬接點、每一第二金屬接點及每一第三金屬接點位于第二面的一端各自形成一金屬接點。
[0014]本發(fā)明又提出一種具有偏向堆棧兀件的封裝模塊，包括:一載具，具有一第一面及與第一面相對的一第二面，第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞凹槽的邊緣部，凹槽中形成有一第一芯片配置區(qū)，且于凹槽底部上配置多個第一金屬接點，一第一平臺部，相鄰配置于第一芯片配置區(qū)一側邊上，并且曝露第一金屬接點，第一平臺部高于第一芯片配置區(qū)，同時，第一平臺部與第一芯片配置區(qū)之間為一第一凹槽壁，第一凹槽壁與第一芯片配置區(qū)的夾角在90度到135度之間，第一面與第一平臺部之間為一第二凹槽壁，第二凹槽壁與第一平臺部的夾角在90度到135度之間，第一面與第一芯片配置區(qū)之間有一第三凹槽壁，第三凹槽壁與第一芯片配置區(qū)的夾角在90度到135度之間，第一平臺部上配置多個第二金屬接點，其中，每一第一金屬接點皆和第二金屬接點的其中之一相對應，且相對應的第一金屬接點和第二金屬接點之間以一第一金屬線電性連接，第一金屬線位于第一凹槽壁；一第一芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個第一焊墊，第一芯片以覆晶配置于第一芯片配置區(qū)中，使第一焊墊與第一金屬接點電性連接；一第二芯片，具有一上端及一下端，且于下端上配置多個第二焊墊，第二芯片以覆晶配置于第一芯片的上端，使第二焊墊與第一平臺部上的第二金屬接點電性連接，并曝露出部份第一芯片的上端；一膠體，充填于載具的凹槽中，以覆蓋曝露的第一芯片的上端及第二芯片的上端；其中，每一第二金屬接點進一步和多個第二金屬線電性連接，第二金屬線自載具的第一平臺部經(jīng)由第二凹槽壁及邊緣部延伸配置到載具的第二面，并于每一第二金屬線位于第二面的一端上，形成一金屬接點。
[0015]經(jīng)由本發(fā)明所提出的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，封裝廠僅需在封裝時結合堆棧元件模塊及載具，并結合載具和基板即能完成封裝，其中載具和基板皆可透過標準化的流程由其它廠商生產(chǎn)，如此便能有效降低封裝時所需的成本。
[0016]經(jīng)由本發(fā)明所提出的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，封裝后的堆棧元件群組因為完全位于載具之中，不會受到外界物質的影響，因此能有效提高可靠度。
[0017]經(jīng)由本發(fā)明所提出的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，由于載具和基板皆可透過標準化流程生產(chǎn)，因此封裝后的成品大小也很容易標準化，減少了打線和對準校正所需要的時間，能進一步增加封裝廠及后續(xù)應用到封裝成品的廠商的工作效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1本發(fā)明的載具上視示意圖；
[0019]圖2A本發(fā)明第一實施例的載具上視示意圖；
[0020]圖2B本發(fā)明第一實施例的載具下視示意圖；
[0021]圖3本發(fā)明的第一芯片下視示意圖；
[0022]圖4A本發(fā)明具有偏向堆棧元件的封裝模塊第一實施例的剖視示意圖；
[0023]圖4B本發(fā)明具有偏向堆棧元件的封裝模塊第一實施例的另一實施狀態(tài)剖視示意圖；
[0024]圖5A本發(fā)明的基板上視不意圖；
[0025]圖5B本發(fā)明的基板下視示意圖；
[0026]圖6本發(fā)明具有基板封裝模塊第二實施例的剖視示意圖；
[0027]圖7A本發(fā)明第三實施例載具上視示意圖；
[0028]圖7B本發(fā)明第三實施例載具下視示意圖；
[0029]圖8本發(fā)明第二實施例基板上視不意圖；
[0030]圖9本發(fā)明具有偏向堆棧元件的封裝模塊的第三實施例剖視示意圖；
[0031]圖1OA本發(fā)明第四實施例的載具上視示意圖；
[0032]圖1OB本發(fā)明第四實施例的載具下視示意圖；
[0033]圖11本發(fā)明具有偏向堆棧元件的封裝模塊的第四實施例剖視示意圖；
[0034]圖12A本發(fā)明第五實施例的載具上視示意圖；
[0035]圖12B本發(fā)明第五實施例的載具下視示意圖；
[0036]圖13本發(fā)明第五實施例的基板上視示意圖；
[0037]圖14本發(fā)明具有偏向堆棧元件的封裝模塊的第五實施例剖視示意圖；
[0038]圖15A本發(fā)明第六實施例的載具上視示意圖；
[0039]圖15B本發(fā)明第六實施例的載具下視示意圖；
[0040]圖16本發(fā)明具有偏向堆棧元件的封裝模塊的第六實施例剖視示意圖。
[0041]符號說明
[0042]載具I 金屬線182
[0043]載具Ia 金屬線184
[0044]載具Ib 金屬線186
[0045]載具Ic 金屬線188
[0046]載具 Ic ’緩沖材料19
[0047]載具 Id基板2
[0048]第一面 12第三面22
[0049]邊緣部 121金屬線23
[0050]凹槽 13第四面24
[0051]凹槽 130電性接點25
[0052]第一芯片配置區(qū) 131外接點26
[0053]金屬接點 132基板穿孔28
[0054]金屬接點 132a堆棧元件群組3
[0055]第一平臺部 133堆棧元件群組3a
[0056]金屬接點 134控制芯片30
[0057]金屬接點 134a焊墊300
[0058]第二平臺部 135上端301
[0059]金屬接點 136下端302
[0060]金屬接點 136a第一芯片31
[0061]控制芯片配置區(qū) 137焊墊310
[0062]金屬接點 138上端311
[0063]金屬接點 139下端312
[0064]金屬接點 139a第二芯片32
[0065]第二面 14焊墊320
[0066]凹槽壁 15a上端321
[0067]凹槽壁 15b下端322
[0068]凹槽壁 15c第三芯片33
[0069]凹槽壁 15d焊墊330
[0070]間隙 150上端331
[0071]填合膠 16下端332
[0072]膠膜層17
[0073]載具穿孔18
[0074]具有偏向堆棧元件的封裝模塊4
[0075]具有偏向堆棧元件的封裝模塊4’
[0076]具有偏向堆棧元件的封裝模塊4a
[0077]具有偏向堆棧元件的封裝模塊4b
[0078]具有偏向堆棧元件的封裝模塊4c
[0079]具有偏向堆棧元件的封裝模塊4c’
[0080]具有偏向堆棧元件的封裝模塊4d
[0081]夾角Θ

【具體實施方式】
[0082]為使本發(fā)明的目的、技術特征及優(yōu)點，能更為相關【技術領域】人員所了解并得以實施本發(fā)明，在此配合所附圖式，于后續(xù)的說明書闡明本發(fā)明的技術特征與實施方式，并列舉較佳實施例進一步說明，然以下實施例說明并非用以限定本發(fā)明，且以下文中所對照的圖式，是表達與本發(fā)明特征有關的示意。
[0083]請先參閱圖1，為本發(fā)明的載具上視示意圖。如圖1所示，載具I可以是以高分子材料射出成形方式形成，而此高分子材料可以選擇一種聚亞酰銨；載具I并具有第一面12以及與第一面12相對的第二面14，第一面12上形成有凹槽13以及環(huán)繞此凹槽13的邊緣部121，此凹槽13的底部為第一芯片配置區(qū)131，同時，位于凹槽13內的一側邊上，還配置有第一平臺部133及第二平臺部135 ;第一平臺部133相鄰于第一芯片配置區(qū)131，同時，第一平臺部133較第一芯片配置區(qū)131高，在一較佳實施例中，此第一平臺部133的高度可以設計成與要進行封裝的芯片的高度相同；接著，第二平臺部135相鄰于第一平臺部133，同樣地，第二平臺部135較第一平臺部133高，在一較佳實施例中，此第二平臺部135的高度可以設計成與要進行封裝的芯片的高度相同。根據(jù)上述說明，很明顯地，第一芯片配置區(qū)
131、第一平臺部133及第二平臺部135可以于凹槽13的一側邊上形成階梯狀的結構。此夕卜，在一較佳的實施狀態(tài)下，本發(fā)明可以使在第一芯片配置區(qū)131及第一平臺部133之間的凹槽壁15a、在第一平臺部133及第二平臺部135之間的凹槽壁15b、在第二平臺部135及第一面12之間的凹槽壁15c與在第一面12及第一芯片配置區(qū)131之間的凹槽壁15d皆為斜面，而各凹槽壁面和各平面的夾角為Θ，其中，90° ( Θ彡135°，也就是說，各凹槽壁15a、15b、15c、15d也可以是垂直面；要說明的是，本發(fā)明并不限定凹槽壁15a、15b、15c及15d和載具I中各平面的夾角Θ的大小，而設置此些凹槽壁的主要目的，是在于幫助芯片定位與對準。
[0084]接著，請一并參閱圖2A及圖2B，分別為本發(fā)明第一實施例的載具上視示意圖及本發(fā)明第一實施例的載具下視示意圖。首先，如圖2A所示，本發(fā)明的載具Ia在第一芯片配置區(qū)131以及在相鄰第一平臺部133的一側邊上，配置有多個金屬接點132 ;而在第一平臺部133上，配置有多個金屬接點134，以及在第二平臺部135上，也配置有多個金屬接點136 ；同時，每個金屬接點132、每個金屬接點134及每個金屬接點136的數(shù)量相同，且在這些每個金屬接點132、134及136之間的位置是相對應的。此外，前述每個金屬接點132與每個金屬接點134之間皆各自透過金屬線182電性連接，而每個金屬接點134及每個金屬接點136之間皆各自透過金屬線184電性連接，每個金屬接點136另有與多個金屬線186電性連接，其中，金屬線186并自第二平臺部135經(jīng)凹槽壁15c及第一面12的邊緣部121延伸至載具Ia的第二面14，且多個金屬線186可以經(jīng)過適當?shù)呐帕胁⒃诿恳唤饘倬€186的一端上，形成一金屬接點138，使得在載具Ia的第二面14形成有多個排列整齊的金屬接點138，并形成如圖2B所示的排列整齊的配置方式，然而本發(fā)明并不限制金屬接點138及金屬線186在第二面14上的配置情況；例如，可以將金屬接點138相鄰配置于第二面14的外圍上。
[0085]接著，本實施例的金屬線182、184及186形成的過程可以是先用激光雕出金屬線182、184及186的位置，再以電鍍形成，例如在金屬接點132及金屬接點134之間的凹槽壁15a雕出金屬線182的位置，再以電鍍形成金屬線182 ;在較佳的實施狀態(tài)下，因為凹槽壁15a、15b、15c可以為斜面，故可以有效地提高金屬線182、184、186的易鍍性。
[0086]接著，請參閱圖3，為本發(fā)明的第一芯片下視示意圖。如圖3所示，第一芯片31是由一個完成半導體制程后的硅片(wafer)，經(jīng)過切割程序后所形成。此第一芯片31具有上端311及與上端311相對的下端312，下端312上有多個焊墊(pad) 310 ;在本發(fā)明中，第一芯片31可以為一種存儲器，特別是一種NAND閃存(NAND Flash);當?shù)谝恍酒?1為NAND閃存時，第一芯片31下端312上會有48個焊墊310，相對的，載具I中會有48個金屬接點132,48個金屬接點134、48個金屬接點136及48個金屬接點138，同時也會有對應數(shù)量的金屬線182、184及186，其中，多個金屬接點之間是將每一相應的金屬接點以金屬線電性連接；然而，本發(fā)明并不對第一芯片31的焊墊310數(shù)目作出限制，同理，金屬接點132、134、136、138及金屬線182、184、186也會因焊墊310的數(shù)目不同而有對應的數(shù)目。
[0087]接著，請參閱圖4A，為本發(fā)明具有偏向堆棧元件的封裝模塊第一實施例的剖視示意圖。如圖4A所示，具有偏向堆棧元件的封裝模塊4包括:如圖2A所示的載具Ia及堆棧元件群組3 ;載具Ia的凹槽13中配置有第一芯片31、第二芯片32及第三芯片33所組成的堆棧元件群組3，其中，第二芯片32及第三芯片33的外觀與第一芯片31相似，故不再贅述，至于堆棧元件群組3與凹槽13的連接關系會在后文描述。
[0088]首先，在第一芯片配置區(qū)131上形成一緩沖材料19，再將第一芯片31放置在第一芯片配置區(qū)131，其中，第一芯片31是以覆晶(flip chip)方式將其下端312上的焊墊310與金屬接點132電性連接，使緩沖材料19位于第一芯片31與第一芯片配置區(qū)131之間；其中，上述的緩沖材料19可以是一種具有黏性的軟膏(paste);接著，在第一芯片31的上端311形成一緩沖材料19，再將第二芯片32以覆晶(flip chip)方式，將其下端322與第一芯片31的上端311相接，并使第二芯片32的下端322上的焊墊320與第一平臺部133的金屬接點134電性連接，同時，使緩沖材料19位于第二芯片32與第一芯片31之間；此外，當?shù)诙酒?2的下端322與第一芯片31的上端311相疊后,仍會有一部份的第一芯片31上端311曝露而未被第二芯片32覆蓋；再接著，在第二芯片32的上端321形成一緩沖材料19，再將第三芯片33以覆晶(flip chip)方式將其下端332與第二芯片32的上端321相接，并使第三芯片33的下端332上的焊墊330與第二平臺部135的金屬接點136電性連接，同時，使緩沖材料19位于第三芯片33與第二芯片32之間；此外，當?shù)谌酒?3的下端332與第二芯片32的上端321相疊后，仍會有一部份的第二芯片32上端321曝露而未被第三芯片33覆蓋；故當本實施例中的多個芯片在載具Ia中完成堆棧后，此多個芯片會在與第一平臺部133及在第二平臺部135相對的另一側邊形成一階梯狀的結構。此外，要強調的是，堆棧后的第三芯片33的上端331不超過載具Ia第一面12的高度；如上所述，第一芯片31、第二芯片32及第三芯片33可以是透過覆晶(flip chip)的方式與載具Ia完成電性連接；此外，在本實施例中的圖4所示的凹槽壁15a、15b、15c，是為垂直面，故在將多個芯片進行封裝時，可以透過定位的方式使每一個芯片緊貼壁面；在將多個芯片在載具Ia的凹槽13中形成堆棧元件群組3后，接著，可以選擇性地，將一膠體16充填至在載具Ia的凹槽13中，使得此膠體16將第一芯片31曝露的部份上端311、第二芯片32曝露的部份上端321及第二芯片33的上端331 —并覆蓋；在本實施例中，此I父體16可以是環(huán)氧樹脂(Epoxy);此夕卜，本實施例可以選擇性的，進一步在載具Ia的第一面加上膠膜層17，膠膜層17會將第三芯片33、邊緣部121及在邊緣部121上的金屬線186 —并覆蓋。
[0089]請再參閱圖4B，為本發(fā)明具有偏向堆棧元件的封裝模塊第一實施例的另一實施狀態(tài)剖視示意圖。在此較佳的實施狀態(tài)下，本發(fā)明的凹槽壁15a、15b、15c可以設計為具有夾角Θ的斜面，故即使芯片放入至載具Ia中的定位稍有誤差時，也能使各芯片透過為斜面的凹槽壁15a、15b、15c滑到適合的位置。此外，在較佳的實施狀態(tài)下，在將多個芯片在載具la的凹槽13中形成堆棧元件群組3后，會在每一芯片與具有斜面的凹槽壁15a、15b、15c間形成一間隙150，接著，可以選擇性地以緩沖材料19來充填至間隙中，間隙150所形成的空間，能有效的避免緩沖材料19發(fā)生溢膠的問題；此外,本實施例還可以選擇性地,將一膠體16充填至在載具Ia的凹槽13中，使得此膠體16將第一芯片31曝露的部份上端311、第二芯片32曝露的部份上端321及第三芯片33的上端331 —并覆蓋；在本實施例中，此膠體16可以是環(huán)氧樹脂(Epoxy);此外,本實施例可以選擇性的,進一步在載具Ia的第一面加上膠膜層17，膠膜層17會將第三芯片33、邊緣部121及在邊緣部121上的金屬線186 —并覆蓋，以達到保護堆棧元件群組3及金屬線186的效果。
[0090]接著，請參閱圖5A，為本發(fā)明的基板上視示意圖，而圖5B，為本發(fā)明的基板下視示意圖。如圖5A所示，基板2有一第三面22及與第三面22相對的第四面24，并有多個由第三面22貫穿至第四面24的基板穿孔28 ;第三面22上形成有多個電性接點25，每一電性接點25皆由基板穿孔28延伸到第四面24并形成多個外接點26 ;此外，在一較佳實施例中，第四面24上的多個外接點26，可以再經(jīng)由一配置好的金屬線23形成扇出(fan out)的配置，可以將多個外接點26配置于基板2的第四面24的外圍區(qū)域，并且可以使得多個外接點26之間的距離及尺寸增加。
[0091]接著，請參閱圖6，為本發(fā)明具有基板封裝模塊第二實施例的剖視示意圖。如圖6所示，是將完成封裝程序后的具有偏向堆棧元件的封裝模塊4中的載具Ia的第二面14與基板2的第三面22相對并相接，并形成具有偏向堆棧元件的封裝模塊4a ;其中，在載具Ia的第二面14和基板2的第三面22接合處，是通過每一金屬接點138與多個電性接點25相對并相接，使得載具Ia的第二面14上的每一金屬接點138與基板2第四面24上的多個外接點26形成電性連接。很明顯地；與具有偏向堆棧元件的封裝模塊4a相較，具有偏向堆棧元件的封裝模塊4缺少基板2，但是其仍可通過載具Ia的第二面14上的多個金屬接點138與另一基座上的連接端(未圖式)電性連接；很明顯地，此時在基座上的連接端必須與多個金屬接點138相對應。在本實施例中，凹槽壁15a、15b、15c為垂直面，而在其它實施狀態(tài)中，凹槽壁15a、15b、15c也可以是斜面，其優(yōu)點如前所述；此外，當具有偏向堆棧元件的封裝模塊4的金屬接點138，其要與具有不同于多個金屬接點138的連接端(未圖式)的基座(未圖式)進行電性連接時，就需要有將載具Ia的第二面14上的多個金屬接點138做不同的配置方式，因而會造成載具Ia無法進行模塊化的生產(chǎn)，進而增加制作成本。而對本發(fā)明的具有偏向堆棧元件的封裝模塊4a而言，只需要改變基板2的外接點26的扇出配置方式，就能配合不同的連接端(未圖式)，載具Ia也可以進行模塊化生產(chǎn)，如此便能有效減少封裝所需的成本。
[0092]接著，請一并參閱圖7A及圖7B，分別為本發(fā)明第三實施例載具上視示意圖及本發(fā)明第三實施例載具下視示意圖。如圖7A所示，本發(fā)明的載具Ib在第一芯片配置區(qū)131以及在相鄰第一平臺部133的一側邊上，配置有多個金屬接點132 ;而在第一平臺部133上，配置有多個金屬接點134，在第二平臺部135配置有多個金屬接點136 ;同時，每個金屬接點
132、每個金屬接點134及每個金屬接點136的數(shù)量相同，且在這些每個金屬接點之間的位置是相對應的。此外，前述每個金屬接點132及每個金屬接點134之間皆各自透過金屬線182電性連接，而每個金屬接點134及每個金屬接點136之間皆各自透過金屬線184電性連接，其中，一部份的金屬接點132進一步與多個金屬線188電性連接，金屬線188經(jīng)第一芯片配置區(qū)131、凹槽壁15d及載具Ib的邊緣部121延伸到載具Ib的第二面14 ;同時，與另一部份未和金屬線188電性連接的金屬接點132電性連接的金屬接點136，進一步有與多個金屬線186電性連接，其中，金屬線186并自第二平臺部135經(jīng)凹槽壁15c及邊緣部121延伸至載具Ib的第二面14，且多個金屬線186及多個金屬線188可以經(jīng)過適當?shù)呐帕胁⒃诿恳唤饘倬€186及188的一端上,形成一個金屬接點138,使得在載具Ib的第二面14形成有多個排列整齊的金屬接點138，并形成如圖7B所示的配置方式，然而本發(fā)明并不限制金屬接點138及金屬線186、188在第二面14上的配置情況；例如，可以將金屬接點138相鄰配置于第二面14的外圍上；在此實施狀態(tài)下，每一金屬線186彼此之間會有更大的間距，因此制作起來較為容易，同樣的，金屬線188的配置亦有相同的優(yōu)點。
[0093]金屬線182、184、186、188的形成過程與圖2A相似，故不再贅述，在較佳的實施狀態(tài)下，因為凹槽壁15a、15b、15c、15d可以為斜面，較容易鍍上金屬線182、184、186、188，故可以提高封裝制程的良率及封裝模塊的可靠度。
[0094]接著,請參閱圖8,為本發(fā)明第三實施例基板上視示意圖。如圖8所示,基板2a具有第三面22及相對應的第四面24，并有從第三面22貫穿至第四面24的基板穿孔28，且第三面22上有多個電性接點25，電性接點并透過基板穿孔28延伸到第四面24并形成多個外接點26，與基板2不同之處在于，基板2a的電性接點25及外接點26的排列方式，系配合如圖7B所示，金屬接點138于載具Ib第二面14的排列方式，而使電性接點25及外接點26形成如圖8所示的整齊排列。
[0095]接著，請參閱圖9，為本發(fā)明具有偏向堆棧元件的封裝模塊的第三實施例剖視示意圖。如圖9所示，具有偏向堆棧元件的封裝模塊4b包括如圖7A、圖7B所示的載具lb、圖8所示的基板2a及堆棧元件群組3 ;在具有偏向堆棧元件的封裝模塊4b中，堆棧元件群組3的配置方式與圖4A所示的具有偏向堆棧元件的封裝模塊4相似，故不再贅述；在本實施例中，凹槽壁15a、15b、15c為垂直面，而在其它實施狀態(tài)中，凹槽壁15a、15b、15c也可以是斜面，其優(yōu)點如前所述；基板2的第三面22與載具Ib的第二面14相接，同時，在第三面22的多個電性接點25各別與每一在載具Ib第二面14的金屬接點138相對并相接；另外，具有偏向堆棧元件的封裝模塊4b也可以不加裝基板2而形成另一個封裝模塊。
[0096]如上所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊4、4’、4a、4b于封裝完成后，皆可置于其它的基座(未圖式)并經(jīng)由金屬接點138或外接點26與基座(未圖式)連接端(未圖式)電性連接，同時，因為金屬線186或金屬線188也是曝露于具有偏向堆棧元件的封裝模塊4、4’、4a、4b的外部，因此具有偏向堆棧元件的封裝模塊4、4’、4a、4b也能經(jīng)由金屬線186、188與連接端(未圖式)電性連接，如此除了能減少因電路短路所造成的故障，也能增加電路傳輸?shù)男省?br> [0097]接著,請同時參閱圖1OA及圖10B,為本發(fā)明第四實施例的載具上視示意圖及本發(fā)明第四實施例的載具下視示意圖。如圖1OA所示，在本實施狀態(tài)下，載具Ic的第一面12配置有多個載具穿孔18貫穿至載具Ic的第二面14，第一芯片配置區(qū)131配置有多個金屬接點132，每一金屬接點132各自沿著載具穿孔18延伸至載具Ic的第二面14，同時，第一平臺部133配置有多個金屬接點134，第二平臺部135配置有多個金屬接點136，每一金屬接點134、136各自沿著載具穿孔18延伸至第二面14，延伸到第二面14的金屬接點132、134、136分別形成金屬接點132a、134a、136a，并形成如圖1OB所示的排列整齊的配置方式，然而本發(fā)明并不限制金屬接點132a、134a、136a在第二面14上的配置情況。
[0098]接著，請參閱圖11，為本發(fā)明具有偏向堆棧元件的封裝模塊的第四實施例剖視示意圖。如圖11所示，具有偏向堆棧元件的封裝模塊4c包括如圖10A、圖1OB所示的載具lc、圖8所示的基板2a及堆棧元件群組3 ;在具有偏向堆棧元件的封裝模塊4c中，載具Ic的第二面14和基板2a的第三面22相接，載具Ic的第二面14上的金屬接點132a、134a、136a的位置皆和基板2a的第三面12上的電性接點25相對并相互電性連接；凹槽13中有堆棧元件群組3及膠體16，其配置方式和圖4A所示，具有偏向堆棧元件的封裝模塊4相似，故不再贅述；在較佳的實施狀態(tài)下，載具Ic的第一面12進一步有一膠膜層17，將第一面12及凹槽13覆蓋；在本實施例中，凹槽壁15a、15b、15c為垂直面，而在其它實施狀態(tài)中，凹槽壁15a、15b、15c也可以是斜面，其優(yōu)點如前所述；封裝完成的具有偏向堆棧元件的封裝模塊4c能以基板2第四面24的外接點26，與一基座(未圖式)上的連接端(未圖式)電性連接；另夕卜，具有偏向堆棧元件的封裝模塊4c也可以不加裝基板2而形成另一個封裝模塊，并以金屬接點132a、132b、132c作為接點和一基座(未圖式)上的連接端(未圖式)電性連接。
[0099]接著,請同時參閱圖12A及圖12B,分別為本發(fā)明第五實施例的載具上視示意圖及本發(fā)明第五實施例的載具下視示意圖。如圖12A所示，載具lc’與圖1OA及圖1OB所示的載具Ic最大的差別在于，在載具lc’的第一芯片配置區(qū)131上的每一金屬接點132透過金屬線182，皆各自和第一平臺部133的一金屬接點134電性連接，同時，每一金屬接點134也透過金屬線184，各自和第二平臺部135的一金屬接點136電性連接，并且，在金屬接點132、134、136之中，只有金屬接點132透過載具穿孔18延伸到載具lc’的第二面14形成整齊排列的金屬接點132a，如圖12B所示；至于載具lc’的其它元件及配置方式皆和載具Ic相同，故不再贅述。
[0100]接著，請參閱圖13，為本發(fā)明第五實施例的基板上視示意圖。如圖13所示，基板2b具有第三面22及與第三面22相對的第四面24，且有多個自第三面22貫穿到第四面24的基板穿孔28，第三面22上有排列整齊的電性接點25，其中，電性接點25的排列可和圖12B所不的于載具lc’第二面14的金屬接點132a的排列相對應；每一電性接點25都和一金屬線23電性連接，金屬線23向第三面22的兩側扇出，并經(jīng)由基板穿孔28延伸到第四面24，延伸到第四面24的每一金屬線23皆形成一外接點26,外接點26并整齊排列在基板2b第四面24的兩側，如圖13所示。
[0101]接著，請參閱圖14，為本發(fā)明具有偏向堆棧元件的封裝模塊的第五實施例剖視示意圖。如圖14所示，具有偏向堆棧元件的封裝模塊4c’包括如圖12A及圖12B所示的載具lc’、圖13所示的基板2b及堆棧元件群組3 ;具有偏向堆棧元件的封裝模塊4c’與具有偏向堆棧元件的封裝模塊4c相較，除了載具lc’與載具Ic不同、及基板2b與基板2不同之夕卜，具有偏向堆棧元件的封裝模塊4c’其它元件及配置方式俱與具有偏向堆棧元件的封裝模塊4c相似，故不再贅述；封裝完成的具有偏向堆棧元件的封裝模塊4c’能以基板2b第四面24的外接點26，與一基座(未圖式)上的連接端(未圖式)電性連接；在本實施例中，凹槽壁15a、15b、15c為垂直面，而在其它實施狀態(tài)中，凹槽壁15a、15b、15c也可以是斜面，其優(yōu)點如前所述；另外，具有偏向堆棧元件的封裝模塊4c’也可以不加裝基板2b而形成另一個封裝模塊，并以金屬接點132a作為接點和一基座(未圖式)上的連接端(未圖式)電性連接。
[0102]接著，請同時參閱圖15A及圖15B，分別為本發(fā)明第六實施例的載具上視示意圖及本發(fā)明第TK實施例的載具下視不意圖。如圖15A所不，載具Id與圖10A、圖1OB所不的載具Ic的差別在于，在凹槽13中有另一凹槽130，凹槽130之中，進一步配置有一控制芯片配置區(qū)137，第一芯片配置區(qū)131在控制芯片配置區(qū)137的周圍，且控制芯片配置區(qū)137的高度較第一芯片配置區(qū)131為低，在一較佳實施例中，控制芯片配置區(qū)137的高度可以設計成與準備放置的芯片高度相同；控制芯片配置區(qū)137上配置有多個金屬接點139，每一金屬接點139皆沿著載具穿孔18延伸到載具Id的第二面14形成多個排列整齊的金屬接點139a，金屬接點132a、134a、136a和139a在載具Id的第二面14整齊排列如圖12B所示;至于載具Id其它結構皆與圖10A、圖1OB所示的載具Ic相似，故不再贅述。
[0103]接著，請參閱圖16，為本發(fā)明具有偏向堆棧元件的封裝模塊的第六實施例剖視示意圖。如圖16所示，具有偏向堆棧元件的封裝模塊4d包括如圖15A、圖15B所示的載具Id、如圖2所示的基板2及堆棧元件群組3a ;堆棧元件群組3a包括控制芯片30、第一芯片31、第二芯片32及第三芯片33，其中，控制芯片30的外形與圖3所示的第一芯片31相似；首先，在控制芯片配置區(qū)137上形成一緩沖材料19，再將控制芯片30放置在控制芯片配置區(qū)137，控制芯片30是以覆晶方式將其下端302上的焊墊300和控制芯片配置區(qū)137上的金屬接點139電性連接，使緩沖材料19位于控制芯片30與控制芯片配置區(qū)137之間，至于其它芯片的配置方式與圖4A所示的具有偏向堆棧元件的封裝模塊4類似，故不再贅述，另外，配置于第一芯片配置區(qū)131的第一芯片31會將控制芯片30的上端301完全覆蓋；基板2的第三面22和載具Id的第二面14相接，同時，金屬接點139a和基板2第三面22的電性接點25相對并相互電性連接;第一芯片31、第二芯片32及第三芯片33及具有偏向堆棧元件的封裝模塊4d的其它元件配置方式，皆與具有偏向堆棧元件的封裝模塊4c相似，故不再贅述；封裝完成的具有偏向堆棧元件的封裝模塊4d能以基板2第四面24的外接點26，與一基座(未圖式)上的連接端(未圖式)電性連接；在本實施例中，凹槽壁15a、15b、15c為垂直面，而在其它實施狀態(tài)中，凹槽壁15a、15b、15c也可以是斜面，其優(yōu)點如前所述；另外，具有偏向堆棧元件的封裝模塊4d也可以不加裝基板2而形成另一個封裝模塊，并以金屬接點132a、134a、136a及139a作為接點和一基座(未圖式)上的連接端(未圖式)電性連接。
[0104]本發(fā)明的載具1、1&、113、1(:、1(3’、1(1并不限定其平臺部的數(shù)目，也就是說，依據(jù)不同的需求，載具1、la、lb、lc、lc’、ld上除了第一平臺部133、第二平臺部135之外，可以加上第三平臺部(未圖式)、第四平臺部(未圖式)或更多的平臺部，以便在載具l、la、lb、lc、lc’、ld中封裝更多個芯片，同理，本發(fā)明并不限制堆棧元件模塊3、3a中的芯片數(shù)目；本發(fā)明也不限定第一芯片31、第二芯片32及第三芯片33的型態(tài)和大小，第一芯片31、第二芯片32及第三芯片33可以是相同或不同的芯片，也可以有一樣的尺寸或不一樣的尺寸。
[0105]如前所述，本發(fā)明的載具1、la、Ib、Ic、Ic’、Id及基板2、2a、2b均可經(jīng)由標準化流程的設置而讓封裝廠以外的廠商生產(chǎn)，能有效降低生產(chǎn)的成本；且透過標準化的設定使得封裝產(chǎn)品的大小也能標準化，因此，本發(fā)明只有在將堆棧元件群組3、3a組裝到載具l、la、lb、lc、lc’、ld之中時需要進行對準的步驟，而在組裝其它各組件時則能省去對準的步驟，如此便增加封裝廠及使用封裝成品的廠商的工作效率，且模塊化的設定也能確保各個焊點與接點彼此確實連接，而能增加可靠度；同時，因為堆棧元件群組3、3a完全被置于載具1、la、lb、Ic、Ic’、Id之中，故能有效提升封裝成品的可靠度。
[0106]雖然本發(fā)明以前述的較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本領域技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的專利保護范圍須視本說明書所附的申請專利范圍所界定的為準。
【權利要求】
1.一種具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，包括: 一載具，具有一第一面及與該第一面相對的一第二面，該第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞該凹槽的邊緣部，使得該凹槽中形成有一第一芯片配置區(qū)，且于該凹槽底部上配置多個第一金屬接點，以及一平臺部，相鄰配置于該第一芯片配置區(qū)一側邊上，使得該平臺部與該第一芯片配置區(qū)之間為一凹槽壁，且曝露該多個第一金屬接點，該平臺部高于該第一芯片配置區(qū)，該平臺部上配置多個第二金屬接點，其中，每一該多個第一金屬接點皆和該多個第二金屬接點的其中之一相對應，且每一相對應的該第一金屬接點和該第二金屬接點之間以一第一金屬線電性連接； 一第一芯片，具有一上端及一下端，且于該下端上配置多個第一焊墊，該第一芯片以覆晶配置于該第一芯片配置區(qū)中，并使該多個第一焊墊與該多個第一金屬接點電性連接； 一第二芯片，具有一上端及一下端，且于該下端上配置多個第二焊墊，該第二芯片以覆晶配置于該第一芯片的該上端，使該多個第二焊墊與該平臺部上的該多個第二金屬接點電性連接，并曝露出部份該第一芯片的該上端； 一膠體，充填于該載具的該凹槽中，以覆蓋曝露的該第一芯片的該上端及該第二芯片的該上端； 其中，每一該多個第二金屬接點進一步和多個第二金屬線電性連接，該多個第二金屬線自該載具的該平臺部經(jīng)由該邊緣部延伸配置到該載具的該第二面，并于每一該第二金屬線位于該第二面的一端上，形成一第三金屬接點。
2.根據(jù)權利要求1所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，該具有偏向堆棧元件的封裝模塊進一步具有一基板，該基板具有一第三面及與該第三面相對的一第四面，該基板并有多個基板穿孔自該第三面貫穿至該第四面，該第三面具有多個電性接點，該第四面具有多個外接點，每一該多個電性接點皆經(jīng)由該多個基板穿孔延伸到該第四面并分別與該多個外接點的其中之一電性連接； 其中，該基板的該第三面與該載具的該第二面相疊合，且該多個電性接點皆分別和該第二面上的該多個第三金屬接點的其中之一電性連接。
3.根據(jù)權利要求1所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，該凹槽壁與該第一芯片配置區(qū)的夾角在90度到135度之間。
4.一種具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，包括: 一載具，具有一第一面及與該第一面相對的一第二面，該第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞該凹槽的邊緣部，該凹槽中形成有一第一芯片配置區(qū)，且于該凹槽底部上配置多個第一金屬接點，一平臺部，相鄰配置于該第一芯片配置區(qū)一側邊上，使得該平臺部與該第一芯片配置區(qū)之間為一凹槽壁，且曝露該多個第一金屬接點，該平臺部高于該第一芯片配置區(qū)，該平臺部上配置多個第二金屬接點，其中，每一該多個第一金屬接點皆和該多個第二金屬接點的其中之一相對應，且相對應的該第一金屬接點和該第二金屬接點之間以一第一金屬線電性連接； 一第一芯片，具有一上端及一下端，且于該下端上配置多個第一焊墊，該第一芯片以覆晶配置于該第一芯片配置區(qū)中，使該多個第一焊墊與該多個第一金屬接點電性連接； 一第二芯片，具有一上端及一下端，且于該下端上配置多個第二焊墊，該第二芯片以覆晶配置于該第一芯片的該上端，使該多個第二焊墊與該平臺部上的該多個第二金屬接點電性連接，并曝露出部份該第一芯片的該上端； 一膠體，充填于該載具的該凹槽中，以覆蓋曝露的該第一芯片的該上端及該第二芯片的該上端； 其中，該多個第一金屬接點中的一部份進一步與多個第二金屬線電性連接，而與剩余的該多個第一金屬接點電性連接的該多個第二金屬接點進一步與多個第三金屬線電性連接，每一該多個第二金屬線皆自該第一芯片配置區(qū)延伸到該邊緣部，該多個第二金屬線在該邊緣部的一端并形成多個第三金屬接點，同時，每一該第三金屬線皆自該平臺部延伸到該邊緣部，該多個第三金屬線在該邊緣部的一端并形成多個第四金屬接點。
5.根據(jù)權利要求4所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，該具有偏向堆棧元件的封裝模塊進一步具有一基板，該基板具有一第三面及與該第三面相對的一第四面，該基板并有多個基板穿孔自該第三面貫穿至該第四面，該第三面具有多個電性接點，該第四面具有多個外接點，每一該多個電性接點皆經(jīng)由該多個基板穿孔延伸到該第四面并分別與該多個外接點的其中之一電性連接； 其中，該基板的該第三面與該載具的該第二面相疊合，且該多個電性接點皆分別和該第二面上的該多個第三金屬接點及第四金屬接點的其中之一電性連接。
6.根據(jù)權利要求4所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，該凹槽壁與該第一芯片配置區(qū)的夾角在90度到135度之間。
7.一種具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，包括: 一載具，具有一第一面及與該第一面相對的一第二面，并有多個載具穿孔自該第一面貫穿至該第二面，該第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞該凹槽的邊緣部，該凹槽中形成有一第一芯片配置區(qū)，且于該凹槽底部上配置多個第一金屬接點，一平臺部，相鄰配置于該第一芯片配置區(qū)一側邊上，使得該平臺部與該第一芯片配置區(qū)之間為一凹槽壁，且曝露該多個第一金屬接點，該平臺部高于該第一芯片配置區(qū)，該平臺部上配置多個第二金屬接點； 一第一芯片，具有一上端及一下端，且于該下端上配置多個第一焊墊，該第一芯片以覆晶配置于該第一芯片配置區(qū)中，使該多個第一焊墊與該多個第一金屬接點電性連接； 一第二芯片，具有一上端及一下端，且于該下端上配置多個第二焊墊，該第二芯片以覆晶配置于該第一芯片的該上端，使該多個第二焊墊與該平臺部上的該多個第二金屬接點電性連接，并曝露出部份該第一芯片的該上端； 一膠體，充填于該載具的該凹槽中，以覆蓋曝露的該第一芯片的該上端及該第二芯片的該上端； 其中，該多個第一金屬接點及該多個第二金屬接點皆經(jīng)由該多個載具穿孔延伸至該載具的該第二面，并于每一該第一金屬接點及每一該第二金屬接點位于該第二面的一端各自形成一第三金屬接點。
8.根據(jù)權利要求7所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，該具有偏向堆棧元件的封裝模塊進一步具有一基板，該基板具有一第三面及與該第三面相對的一第四面，該基板并有多個基板穿孔自該第三面貫穿至該第四面，該第三面具有多個電性接點，該第四面具有多個外接點，每一該多個電性接點皆經(jīng)由該多個基板穿孔延伸到該第四面并分別與該多個外接點的其中之一電性連接； 其中，該基板的該第三面與該載具的該第二面相疊合，且該多個電性接點皆分別和該第二面上的該多個第三金屬接點的其中之一電性連接。
9.根據(jù)權利要求7所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，該具有偏向堆棧元件的封裝模塊進一步具有一膠膜層，該膠膜層位于該載具的該第一面，將該第一面、該凹槽及該第二芯片的該上端一并覆蓋。
10.根據(jù)權利要求7所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，該凹槽壁與該第一芯片配置區(qū)的夾角在90度到135度之間。
11.一種具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，包括: 一載具，具有一第一面及與該第一面相對的一第二面，并有多個載具穿孔自該第一面貫穿至該第二面，該第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞該凹槽的邊緣部，該凹槽中形成有一第一芯片配置區(qū)，且于該凹槽底部上配置多個第一金屬接點，一平臺部，相鄰配置于該第一芯片配置區(qū)一側邊上，使得該平臺部與該第一芯片配置區(qū)之間為一凹槽壁，且曝露該多個第一金屬接點，該平臺部高于該第一芯片配置區(qū)，該平臺部上配置多個第二金屬接點，其中，每一該多個第一金屬接點皆和該多個第二金屬接點的其中之一相對應，且相對應的該第一金屬接點和該第二金屬接點之間以一金屬線電性連接； 一第一芯片，具有一上端及一下端，且于該下端上配置多個第一焊墊，該第一芯片以覆晶配置于該第一芯片配置區(qū)中，使該多個第一焊墊與該多個第一金屬接點電性連接； 一第二芯片，具有一上端及一下端，且于該下端上配置多個第二焊墊，該第二芯片以覆晶配置于該第一芯片的該上端，使該多個第二焊墊與該平臺部上的該多個第二金屬接點電性連接，并曝露出部份該第一芯片的該上端； 一膠體，充填于該載具的該凹槽中，以覆蓋曝露的該第一芯片的該上端及該第二芯片的該上端； 其中，該多個第一金屬接點經(jīng)由該多個載具穿孔延伸至該載具的該第二面，并于每一該第一金屬接點位于該第二面的一端形成一第三金屬接點。
12.根據(jù)權利要求11所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，該具有偏向堆棧元件的封裝模塊進一步具有一基板，該基板具有一第三面及與該第三面相對的一第四面，該基板并有多個基板穿孔自該第三面貫穿至該第四面，該第三面具有多個電性接點，該第四面具有多個外接點，每一該多個電性接點皆經(jīng)由該多個基板穿孔延伸到該第四面并分別與該多個外接點的其中之一電性連接； 其中，該基板的該第三面與該載具的該第二面相疊合，且所述電性接點皆分別和該第二面上的該多個第三金屬接點的其中之一電性連接。
13.根據(jù)權利要求11所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，該具有偏向堆棧元件的封裝模塊進一步具有一膠膜層，該膠膜層位于該載具的該第一面，將該第一面、該凹槽及該第二芯片的該上端一并覆蓋。
14.根據(jù)權利要求11所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，該凹槽壁與該第一芯片配置區(qū)的夾角在90度到135度之間。
15.一種具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，包括: 一載具，具有一第一面及與該第一面相對的一第二面，并有多個載具穿孔自該第一面貫穿至該第二面，該第一面形成有一第一凹槽及一環(huán)繞該第一凹槽的邊緣部，該第一凹槽中形成有一第一芯片配置區(qū)，及一第二凹槽配置于該第一凹槽中，以形成一控制芯片配置區(qū)，其中，該第一凹槽所形成的該第一芯片配置區(qū)圍繞該第二凹槽所形成的該控制芯片配置區(qū)并高于該第二凹槽，且于該控制芯片配置區(qū)上配置多個第一金屬接點，并于該第一芯片配置區(qū)上配置多個第二金屬接點，以及一平臺部，相鄰配置于該第一芯片配置區(qū)一側邊上，使得該平臺部與該第一芯片配置區(qū)之間為一凹槽壁，且曝露該多個第二金屬接點，該平臺部高于該第一芯片配置區(qū)，該平臺部上配置多個第三金屬接點； 一控制芯片，具有一上端及一下端，且于該下端上配置多個第一焊墊，該控制芯片以覆晶配置于該控制芯片配置區(qū)中，使該多個第一焊墊與該多個第一金屬接點電性連接； 一第一芯片，具有一上端及一下端，且于該下端上配置多個第二焊墊，該第一芯片以覆晶配置于該第一芯片配置區(qū)中并覆蓋該控制芯片，使該多個第二焊墊與該多個第二金屬接點電性連接； 一第二芯片，具有一上端及一下端，且于該下端上配置多個第三焊墊，該第二芯片以覆晶配置于該第一芯片的該上端，使該多個第三焊墊與該平臺部上的該多個第三金屬接點電性連接，并曝露出部份該第一芯片的該上端； 一膠體，充填于該載具的該凹槽中，以覆蓋曝露的該第一芯片的該上端及該第二芯片的該上端； 其中，該多個第一金屬接點、該多個第二金屬接點及該多個第三金屬接點皆經(jīng)由該多個載具穿孔分別延伸至該載具的該第二面，并于每一該第一金屬接點、每一該第二金屬接點及每一該第三金屬接點位于該第二面的一端各自形成一第四金屬接點。
16.根據(jù)權利要求15所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，該具有偏向堆棧元件的封裝模塊進一步具有一基板，該基板具有一第三面及與該第三面相對的一第四面，該基板并有多個基板穿孔自該第三面貫穿至該第四面，該第三面具有多個電性接點，該第四面具有多個外接點，每一該多個電性接點皆經(jīng)由該多個基板穿孔延伸到該第四面并分別與該多個外接點的其中之一電性連接； 其中，該基板的該第三面與該載具的該第二面相疊合，且該多個電性接點皆分別和該第二面上的該多個第四金屬接點的其中之一電性連接。
17.根據(jù)權利要求15所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，該具有偏向堆棧元件的封裝模塊進一步具有一膠膜層，該膠膜層位于該載具的該第一面，將該第一面、該凹槽及該第二芯片的該上端一并覆蓋。
18.根據(jù)權利要求15所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，該凹槽壁與該第一芯片配置區(qū)的夾角在90度到135度之間。
19.一種具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，包括: 一載具，具有一第一面及與該第一面相對的一第二面，該第一面形成有一凹槽及一環(huán)繞該凹槽的邊緣部，該凹槽中形成有一第一芯片配置區(qū)，且于該凹槽底部上配置多個第一金屬接點，一平臺部，相鄰配置于該第一芯片配置區(qū)一側邊上，并且曝露該多個第一金屬接點，該平臺部高于該第一芯片配置區(qū)，同時，該平臺部與該第一芯片配置區(qū)之間為一第一凹槽壁，該第一凹槽壁與該第一芯片配置區(qū)的夾角在90度到135度之間，該第一面與該平臺部之間為一第二凹槽壁，該第二凹槽壁與該平臺部的夾角在90度到135度之間，該邊緣部與該第一芯片配置區(qū)之間有一第三凹槽壁，該第三凹槽壁與該第一芯片配置區(qū)的夾角在90度到135度之間，該平臺部上配置有多個第二金屬接點，其中，每一該多個第一金屬接點皆和該多個第二金屬接點的其中之一相對應，且相對應的該第一金屬接點和該第二金屬接點之間以一第一金屬線電性連接，該多個第一金屬線并位于該第一凹槽壁； 一第一芯片，具有一上端及一下端，且于該下端上配置多個第一焊墊，該第一芯片以覆晶配置于該第一芯片配置區(qū)中，使該多個第一焊墊與該多個第一金屬接點電性連接； 一第二芯片，具有一上端及一下端，且于該下端上配置多個第二焊墊，該第二芯片以覆晶配置于該第一芯片的該上端，使該多個第二焊墊與該平臺部上的該多個第二金屬接點電性連接，并曝露出部份該第一芯片的該上端； 一膠體，充填于該載具的該凹槽中，以覆蓋曝露的該第一芯片的該上端及該第二芯片的該上端； 其中，每一該多個第二金屬接點進一步和多個第二金屬線電性連接，該多個第二金屬線自該載具的該平臺部經(jīng)由該第二凹槽壁及該邊緣部延伸配置到該載具的該第二面，并于每一該第二金屬線位于該第二面的一端上，形成一第三金屬接點。
20.根據(jù)權利要求19所述的具有偏向堆棧元件的封裝模塊，其特征在于，該具有偏向堆棧元件的封裝模塊進一步具有一基板，該基板具有一第三面及與該第三面相對的一第四面，該基板并有多個基板穿孔自該第三面貫穿至該第四面，該第三面具有多個電性接點，該第四面具有多個外接點，每一該多個電性接點皆經(jīng)由該多個基板穿孔延伸到該第四面并分別與該多個外接點的其中之一電性連接； 其中，該基板的該第三面與該載具的該第二面相疊合，且該多個電性接點皆分別和該第二面上的該多個第三金屬接點的其中之一電性連接。
【文檔編號】H01L25/065GK104425466SQ201310412207
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月11日 優(yōu)先權日:2013年8月28日
【發(fā)明者】陳石磯 申請人:標準科技股份有限公司