發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，尤其是涉及一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]一般的發(fā)光元件都需要經(jīng)封裝后形成單個(gè)顆粒后，再應(yīng)用到各個(gè)不同的領(lǐng)域上，例如是顯示或是照明等領(lǐng)域。以發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作工藝為例，先將發(fā)光二極管芯片黏著固定于基座上。當(dāng)發(fā)光二極管芯片被固定于基座上后即進(jìn)行打線步驟，將發(fā)光二極管芯片上的一個(gè)或兩個(gè)電極以導(dǎo)線連接至基座上的電極。打線完成后再進(jìn)行封膠制作工藝，即是將固著于基座上的發(fā)光二極管芯片置于模具中，以環(huán)氧樹脂Gpoxy)填充于模具中，待封裝材料硬化后將發(fā)光二極管芯片自模具中取出。如此，發(fā)光二極管芯片、基座的用以承載發(fā)光二極管芯片的表面以及各電極與各導(dǎo)線，都被由環(huán)氧樹脂所充填形成的封裝材料所包覆。
[0003]雖然傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂具有低成本、易于加工以及封裝保護(hù)性佳等優(yōu)點(diǎn)，但環(huán)氧樹脂有熱安定性不足和硬化后材料特性應(yīng)力過大等問題。有鑒于此，在其它的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作工藝中，使用具有較佳光熱安定性的純硅烷取代傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂來對(duì)發(fā)光二極管芯片進(jìn)行封裝，但純硅烷存在著機(jī)械強(qiáng)度不足、高單價(jià)且易因光照造成材料老化、致使折射率等光學(xué)性質(zhì)改變的缺點(diǎn)。
[0004]因此，如何針對(duì)上述的問題進(jìn)行改善，實(shí)為本領(lǐng)域相關(guān)人員所關(guān)注的焦點(diǎn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)，其具有良好的光熱安定性以及機(jī)械強(qiáng)度。
[0006]為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供一種發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、發(fā)光芯片以及透明保護(hù)罩?；寰哂谐休d面。發(fā)光芯片配置于承載面上，并電連接至基板。透明保護(hù)罩配置于承載面上，在透明保護(hù)罩與基板之間形成密閉容置空間。發(fā)光芯片位于密閉容置空間內(nèi)，并與透明保護(hù)罩之間存有間隙。
[0007]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩包括支撐壁以及頂部。支撐壁配置于承載面上，并圍繞發(fā)光芯片。頂部配置于支撐壁上，并覆蓋發(fā)光芯片。
[0008]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的頂部的遠(yuǎn)離基板的表面為平面或曲面。
[0009]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩還包括第一凸起平臺(tái)，配置于頂部上。
[0010]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩還包括第二凸起平臺(tái)，配置于第一凸起平臺(tái)上，其中第二凸起平臺(tái)的寬度小于第一凸起平臺(tái)的寬度。
[0011]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩還包括透鏡部，配置于第一凸起平臺(tái)上。
[0012]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩還包括透鏡部，配置于頂部上。
[0013]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩為一體成型。
[0014]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的透明保護(hù)罩的材質(zhì)包括玻璃或壓克力或水晶、氧化銷、氧化錯(cuò)。
[0015]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)還包括惰性氣體，位于密閉容置空間內(nèi)。
[0016]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)還包括熒光粉層，至少涂布于透明保護(hù)罩的面向發(fā)光芯片且位于發(fā)光芯片上方的表面。
[0017]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)主要是以預(yù)先成型的透明保護(hù)罩來取代現(xiàn)有技術(shù)中以封膠制作工藝所形成的封裝部件。有別于現(xiàn)有技術(shù)的封裝部件，本實(shí)用新型的透明保護(hù)罩可選用材料特性較佳的材質(zhì)制成，因此封裝完成后的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的機(jī)械強(qiáng)度較佳，且能有效避免封裝材料(即透明保護(hù)罩)因光照所造成的材料老化、致使折射率等光學(xué)性質(zhì)改變等問題的產(chǎn)生。
[0018]為讓本實(shí)用新型的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附的附圖，作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0019]圖1為本實(shí)用新型的一實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0020]圖2為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0021]圖3為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0022]圖4為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0023]圖5為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0024]圖6為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0025]圖7為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0026]圖8A至圖SC為本實(shí)用新型的一實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)制造方法流程示意圖；
[0027]圖9A至圖9B為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)制造方法流程示意圖。
[0028]符號(hào)說明
[0029]1、la、lb、lc、Id、le、If:發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)
[0030]11:基板
[0031]12:發(fā)光芯片
[0032]13、13a、13b、13c、13d、13e:透明保護(hù)罩
[0033]14:電導(dǎo)線
[0034]15:熒光粉層
[0035]111、112:導(dǎo)電接墊
[0036]121:第一電連接端
[0037]122:第二電連接端
[0038]130、130a、136:表面
[0039]131:支撐壁
[0040]132、132a:頂部
[0041]133:第一凸起平臺(tái)
[0042]134:第二凸起平臺(tái)
[0043]135、135e:透鏡部
[0044]137:側(cè)面
[0045]110:承載面
[0046]G:間隙
[0047]S:密閉容置空間
[0048]W1、W2:寬度
【具體實(shí)施方式】
[0049]請(qǐng)參照?qǐng)D1，其為本實(shí)用新型的一實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)I包括基板11、發(fā)光芯片12以及透明保護(hù)罩13。基板11具有承載面110。發(fā)光芯片12配置于基板11的承載面110上，且發(fā)光芯片12電連接于基板11，在本實(shí)施例中，發(fā)光芯片12例如是發(fā)光二極管芯片，但本實(shí)用新型并不以此為限。透明保護(hù)罩13配置于基板11的承載面110上，透明保護(hù)罩13與基板11之間形成密閉容置空間S，且發(fā)光芯片12位于此密閉容置空間S內(nèi)，并與透明保護(hù)罩13之間存有間隙G。
[0050]以下再針對(duì)本實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的細(xì)部結(jié)構(gòu)作更進(jìn)一步的說明。
[0051]承上述，本實(shí)施例所述的透明保護(hù)罩13包括支撐壁131以及頂部132。支撐壁131配置于基板11的承載面110上，并圍繞發(fā)光芯片12。頂部132配置于支撐壁131上，并覆蓋發(fā)光芯片12。在本實(shí)施例中，透明保護(hù)罩13的頂部132的遠(yuǎn)離基板11的表面130例如是平面，但本實(shí)用新型并不以此為限。
[0052]值得一提的是，上述的透明保護(hù)罩13的支撐壁131與頂部132例如是一體成型的結(jié)構(gòu)，但本實(shí)用新型并不以此為限，在其它的實(shí)施例中，支撐壁131與頂部132例如是分別獨(dú)立的構(gòu)件。換言之，透明保護(hù)罩13可以由分別為獨(dú)立構(gòu)件的支撐壁131與頂部132相互組合而成，也可以是一體成型的結(jié)構(gòu)。
[0053]承上述，本實(shí)施例所述的基板11還具有導(dǎo)電接墊111、112，發(fā)光芯片12具有第一電連接端121與第二電連接端122。在本實(shí)施例中，發(fā)光芯片12的第一電連接端121與第二電連接端122彼此相對(duì)，且第一電連接端121設(shè)有一電極(圖未示)，用以與基板11的導(dǎo)電接墊111電連接，而第二電連接端122設(shè)有另一電極，用以與基板11的導(dǎo)電接墊112電連接。具體而言，第二電連接端122例如是通過發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)I的電導(dǎo)線14與導(dǎo)電接墊112完成電連接。須特別說明的是，上述發(fā)光芯片12與基板11之間電連接的結(jié)構(gòu)僅為本實(shí)用新型的其中之一實(shí)施例，本實(shí)用新型并不以此為限。發(fā)光芯片12與基板11之間電連接的結(jié)構(gòu)可依照實(shí)際情況需求而有所改變。例如，發(fā)光芯片的兩電極分別通過電導(dǎo)線而電連接至基板的兩個(gè)導(dǎo)電接墊。另外，發(fā)光芯片12例如是對(duì)應(yīng)至透明保護(hù)罩13的頂部132中央。除此之外，在本實(shí)施例中，導(dǎo)電接墊111、112例如是貫穿基板11，本實(shí)用新型并不以此為限，在其他的實(shí)施例中，導(dǎo)電接墊111、112例如是不貫穿基板11。
[0054]承上述，本實(shí)施例所述的透明保護(hù)罩13的材質(zhì)例如是包括玻璃、壓克力、水晶、氧化鋁或氧化鋯，但本實(shí)用新型并不以此為限。
[0055]值得一提的是，為了提升發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)I的散熱效果，在一實(shí)施例中，可于發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)I的密閉容置空間S內(nèi)通入如氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)或氡(Rn)等惰性氣體，用于提升發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)I的散熱效果。
[0056]本實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)I以預(yù)先成型的透明保護(hù)罩13來取代現(xiàn)有技術(shù)中以封膠制作工藝所形成的封裝部件。有別于現(xiàn)有技術(shù)的封裝部件，本實(shí)施例的透明保護(hù)罩13可選用材料特性較佳的材質(zhì)(如玻璃、壓克力、水晶、氧化鋁或氧化鋯等)制成，因此封裝完成后的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)I的機(jī)械強(qiáng)度較佳，且能有效避免透明保護(hù)罩13因光照所造成的材料老化、致使折射率等光學(xué)性質(zhì)改變等問題的產(chǎn)生。
[0057]為了符合不同的照明需求，可通過改變透明保護(hù)罩的形狀來調(diào)整發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的出光光型。以下再針對(duì)本實(shí)用新型所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的不同的實(shí)施方式作詳細(xì)的說明，這些發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)具有不同的出光光型。
[0058]請(qǐng)參照?qǐng)D2，其為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。如圖2所示，本實(shí)施例所述的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)Ia與圖1所示的發(fā)光元件封裝結(jié)構(gòu)I類似，不同點(diǎn)在于，本實(shí)例所述的透明保護(hù)罩13a的頂部132a的遠(yuǎn)離基板11的表面130a例如