有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。該有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）顯示器包括：基板；多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管，布置在基板上且每個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管被配置為包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極；填充膜，放置在基板上且被配置為包括與有機(jī)發(fā)光二極管對(duì)應(yīng)的開(kāi)口；以及在填充膜上形成的密封構(gòu)件。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]所描述的技術(shù)總地涉及有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器和制造該有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器是自發(fā)光型顯示設(shè)備，其使用用于發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管顯示圖像。有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器能夠具有減小的厚度和重量，因?yàn)榕c液晶顯示器(IXD)不同，其不需要附加光源。而且，有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器已作為便攜式電子設(shè)備的下一代顯示設(shè)備而成為關(guān)注焦點(diǎn)，因?yàn)槠滹@示出高質(zhì)量特性，例如低功耗、高亮度和高反應(yīng)速度。
[0003]有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的像素基板被封裝基板密封，以便保護(hù)像素。這里，在封裝基板和像素基板之間放置填充劑，并且填充劑防止陰極脫落并且緩沖從封裝基板向像素基板施加的物理沖擊。
[0004]封裝基板是通過(guò)將填充粘合劑膜附接至像素基板的整個(gè)表面上并且使填充粘合劑膜固化而形成的。
[0005]在該【背景技術(shù)】部分中公開(kāi)的上述信息僅用于加深理解所描述的技術(shù)背景，因此其可以包含不構(gòu)成在本國(guó)為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
[0006]如果在填充粘合劑膜中存在雜質(zhì)，則填充粘合劑膜能夠?qū)﹄s質(zhì)施壓，從而能夠損壞其它層。
[0007]特別地，如果在發(fā)光層中存在雜質(zhì)，則能夠損壞發(fā)光層，從而能夠在顯示器中生成黑點(diǎn)缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]所描述的技術(shù)力圖提供一種有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器和一種制造該有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的方法，其通過(guò)解決由雜質(zhì)引起的對(duì)發(fā)光層的損壞，具有防止缺陷(例如由雜質(zhì)引起的黑點(diǎn))的優(yōu)勢(shì)。
[0009]示例實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器，該有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器包括:基板；多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管，被放置在所述基板上且每個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管被配置為包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極；填充膜，放置在所述基板上且被配置為包括與至少一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管對(duì)應(yīng)的開(kāi)口 ；以及在所述填充膜上形成的密封構(gòu)件。
[0010]所述填充膜可以由環(huán)氧材料、亞克力材料和硅材料中的任一種制成。
[0011]另一實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器，該有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器包括:基板；在所述基板上放置的第一薄膜晶體管；連接至所述第一薄膜晶體管的第一電極；像素限定膜，放置在所述第一電極上且被配置為包括開(kāi)口，通過(guò)所述開(kāi)口暴露所述第一電極；發(fā)光層，被放置在所暴露的第一電極上；第二電極，被放置在所述發(fā)光層和所述像素限定膜上；填充膜，被放置在所述第二電極上且與所述像素限定膜對(duì)應(yīng)；以及密封構(gòu)件，被放置在所述填充膜上。
[0012]所述填充膜可以具有與所述像素限定膜相同的平面圖案。
[0013]所述像素限定膜可以包括彼此交叉的水平部分和垂直部分，并且所述填充膜可以對(duì)應(yīng)于所述水平部分或所述垂直部分中的任一個(gè)。
[0014]所述填充膜可以由環(huán)氧材料、亞克力材料和硅材料中的任一種制成。
[0015]又一實(shí)施例提供一種制造有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的方法，該方法包括:構(gòu)造包括發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光基板；通過(guò)將包括開(kāi)口的填充粘合劑膜轉(zhuǎn)移到所述有機(jī)發(fā)光基板的第二電極上，形成填充膜；以及將密封構(gòu)件布置在所述填充膜上且使所述密封構(gòu)件和所述有機(jī)發(fā)光基板結(jié)合，其中將所述開(kāi)口形成為對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)發(fā)光二極管。
[0016]再一實(shí)施例提供一種制造有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的方法，該方法包括:構(gòu)造包括發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光基板；通過(guò)使用噴嘴印刷或光刻工藝使用液體填充劑，在所述有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極上形成包括開(kāi)口的填充膜；將密封構(gòu)件布置在所述填充膜上且使所述密封構(gòu)件和所述有機(jī)發(fā)光基板結(jié)合，其中將所述開(kāi)口形成為對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)發(fā)光二極管。
[0017]所述填充膜可以由環(huán)氧材料、亞克力材料和硅材料中的任一種制成。
[0018]所述發(fā)光二極管可以包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極，所述有機(jī)發(fā)光基板可以進(jìn)一步包括像素限定膜，所述像素限定膜被配置為限定所述有機(jī)發(fā)光層的位置且包括彼此交叉的垂直部分和水平部分，并且在與所述水平部分和所述垂直部分中任一個(gè)對(duì)應(yīng)的位置，可以形成所述填充膜。
[0019]當(dāng)將所述填充膜形成為包括如本發(fā)明實(shí)施例中的開(kāi)口時(shí)，密封構(gòu)件防止在所述有機(jī)發(fā)光層中放置的雜質(zhì)在所述填充膜被加壓時(shí)被加壓。
[0020]相應(yīng)地，能夠提供一種不包括由雜質(zhì)導(dǎo)致的黑點(diǎn)的有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器以及制造該有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的方法。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1是根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的示意性截面圖。
[0022]圖2A至圖2E是圖1中示出的填充膜的俯視圖。
[0023]圖3是根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的像素之一的等效電路圖。
[0024]圖4是根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的截面圖。
[0025]圖5至圖7是圖示根據(jù)示例實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的方法的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面將參照其中示出示例實(shí)施例的附圖更全面地描述本發(fā)明的實(shí)施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，可以以各種不同方式修改所描述的實(shí)施例，所有都不背離本發(fā)明實(shí)施例的精神或范圍。
[0027]在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，放大層、膜、板、區(qū)域等的厚度。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，相同的附圖標(biāo)記代表相同元件。將理解，當(dāng)像層、膜、區(qū)域或基板這樣的元件被稱為“位于另一元件上”時(shí)，其可以直接位于另一元件上或者還可以存在中間元件。相比之下，當(dāng)一元件被稱為“直接位于另一個(gè)元件上”時(shí)，不存在中間元件。
[0028]參照附圖詳細(xì)地描述根據(jù)一些示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(0LED )顯示器。
[0029]圖1是根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的示意截面圖，并且圖2A至圖2E是圖1中示出的填充膜的俯視圖。
[0030]如圖1所示，根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器包括被配置為包括發(fā)光二極管70的面板1000、在面板1000上放置的填充膜300和在填充膜300上放置的密封構(gòu)件260。
[0031]面板1000包括基板100和多個(gè)像素，多個(gè)像素被放置在基板100上且被配置為形成矩陣。每個(gè)像素包括發(fā)光二極管70和連接至發(fā)光二極管70的薄膜晶體管(未示出)。
[0032]密封構(gòu)件260與面板1000結(jié)合和密封在一起并且被配置為保護(hù)有機(jī)發(fā)光二極管70。密封構(gòu)件260能夠包括由玻璃、石英、陶瓷或聚合物樹(shù)脂制成的透明絕緣基板。
[0033]密封構(gòu)件260通過(guò)沿面板1000邊緣形成的密封劑(未示出)與面板1000結(jié)合和密封在一起。
[0034]發(fā)光二極管70包括第一電極710、有機(jī)發(fā)光層720和第二電極730。
[0035]填充膜300包括多個(gè)開(kāi)口 302，每個(gè)開(kāi)口具有開(kāi)放的與面板1000的發(fā)光二極管70對(duì)應(yīng)的區(qū)域，并且填充膜300填充面板1000和密封構(gòu)件260之間的空間。填充膜300能夠由環(huán)氧材料、亞克力材料和硅材料中的任一種制成。
[0036]開(kāi)口 302能夠被形成為具有與發(fā)光二極管70的平面相同的形狀，或者能夠具有多邊形，例如方形、四邊形或五邊形或六邊形，或者圓形，如圖2A至圖2E中示出的。在此情況中，填充膜300或密封構(gòu)件260防止將壓力施加至發(fā)光二極管70上。相應(yīng)地，開(kāi)口 302可以具有防止向填充膜300或密封構(gòu)件260施加的壓力被轉(zhuǎn)移至發(fā)光二極管70的任何形式。
[0037]當(dāng)像示例實(shí)施例中那樣形成開(kāi)口 302時(shí)，填充膜300防止將壓力施加至發(fā)光二極管70。相應(yīng)地，能夠防止由雜質(zhì)導(dǎo)致的黑點(diǎn)產(chǎn)生，因?yàn)樯踔猎陔s質(zhì)存在于有機(jī)發(fā)光二極管70的有機(jī)發(fā)光層720、第一電極710和第二電極730中時(shí)，也未對(duì)雜質(zhì)施壓。
[0038]附圖標(biāo)記190 (未描述)指像素限定膜，其限定形成發(fā)光二極管70的區(qū)域。
[0039]下面參照?qǐng)D3和圖4詳細(xì)描述上述的有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器。
[0040]圖3是根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的像素之一的等效電路圖。
[0041]如圖3所示，像素PE具有2Tr_lCap結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括有機(jī)發(fā)光二極管70、第一薄膜晶體管(TFT) 10、第二薄膜晶體管20和一個(gè)電容器80。然而，示例實(shí)施例不局限于該結(jié)構(gòu)。例如，像素PE可以包括三個(gè)或三個(gè)以上薄膜晶體管和兩個(gè)或兩個(gè)以上電容器，并且可以具有進(jìn)一步包括附加導(dǎo)線的多種結(jié)構(gòu)。附加地形成的薄膜晶體管和電容器可以是補(bǔ)償電路的元件。
[0042]通過(guò)提高每個(gè)像素PE中形成的有機(jī)發(fā)光二極管70的均勻性，補(bǔ)償電路抑制圖像質(zhì)量發(fā)生偏差。一般來(lái)說(shuō)，補(bǔ)償電路包括2至8個(gè)薄膜晶體管。
[0043]有機(jī)發(fā)光二極管70包括陽(yáng)電極(例如空穴注入電極)、陰電極(例如電子注入電極)和在陽(yáng)電極和陰電極之間設(shè)置的有機(jī)發(fā)光層。陽(yáng)極和陰極可以是圖1的第一電極和第二電極。[0044]在示例實(shí)施例中，一個(gè)像素PE包括第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管20。
[0045]第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管20中的每個(gè)均包括柵電極、半導(dǎo)體層、源電極和漏電極。而且，第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管20中至少之一的半導(dǎo)體層包括內(nèi)部摻雜雜質(zhì)的多晶硅膜。
[0046]第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管20中至少之一是多晶硅薄膜晶體管。
[0047]雖然圖3圖示電容器線CL連同柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和公共電源線VDD，但是根據(jù)情況可以省略電容器線CL。
[0048]第一薄膜晶體管10的源電極連接至數(shù)據(jù)線DL，并且第一薄膜晶體管10的柵電極連接至柵極限GL。
[0049]而且，第一薄膜晶體管10的漏電極通過(guò)電容器80連接至電容器線CL。在第一薄膜晶體管10的漏電極和電容器80之間形成節(jié)點(diǎn)，并且該節(jié)點(diǎn)連接至第二薄膜晶體管20的柵電極。而且，公共電源線VDD連接至第二薄膜晶體管20的源電極，并且有機(jī)發(fā)光二極管70的陽(yáng)電極連接至第二薄膜晶體管20的漏電極。
[0050]第一薄膜晶體管10用作用于選擇像素PE的開(kāi)關(guān)，從像素PE中將發(fā)出光。第一薄膜晶體管10立即被導(dǎo)通，因此對(duì)電容器80充電。這里，被充的電荷量正比于從數(shù)據(jù)線DL供應(yīng)的電壓的電勢(shì)。而且，當(dāng)在第一薄膜晶體管10截止的狀態(tài)下將在一個(gè)幀周期內(nèi)電壓被升高的信號(hào)輸入至電容器線CL時(shí)，響應(yīng)于以被充到電容器80內(nèi)的電勢(shì)為基礎(chǔ)通過(guò)電容器線CL供應(yīng)的電壓電平，第二薄膜晶體管20的柵極電勢(shì)升高。而且，在柵極電勢(shì)超過(guò)閾值電壓時(shí)，第二薄膜晶體管20導(dǎo)通。然后，供應(yīng)至公共電源線VDD的電壓通過(guò)第二薄膜晶體管20被供應(yīng)至有機(jī)發(fā)光二極管70，因此有機(jī)發(fā)光二極管70發(fā)光。
[0051]下面參照?qǐng)D4詳細(xì)地描述根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的一個(gè)像素的多個(gè)層之間的構(gòu)造。
[0052]圖4是根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的截面圖。
[0053]下面參照?qǐng)D4根據(jù)堆疊的順序詳細(xì)描述圖3的第二薄膜晶體管20和有機(jī)發(fā)光二極管70。下面將第二薄膜晶體管20稱為薄膜晶體管。
[0054]基板10能夠是由玻璃、石英或陶瓷制成的絕緣基板。
[0055]在基板110上形成緩沖層120，緩沖層120用于防止不需要的成分(例如雜質(zhì)或水汽)的滲入并且還使表面平整。緩沖層120能夠由二氧化硅(Si02)和氮化硅(SiNx)中至少之一制成。
[0056]在緩沖層120上形成由多晶硅制成的半導(dǎo)體層135。
[0057]半導(dǎo)體層135被劃分為溝道區(qū)1355和在溝道區(qū)1355的兩側(cè)形成的源區(qū)1356和漏區(qū)1357。半導(dǎo)體層135的溝道區(qū)1355是由內(nèi)部未摻雜雜質(zhì)的多晶硅制成的本征半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層135的源區(qū)1356和漏區(qū)1357每個(gè)均是由內(nèi)部摻雜導(dǎo)電雜質(zhì)的多晶硅制成的雜質(zhì)半導(dǎo)體層。
[0058]向源區(qū)1356和漏區(qū)1357內(nèi)摻雜的雜質(zhì)可以是p型雜質(zhì)或η型雜質(zhì)。
[0059]在半導(dǎo)體層135上形成柵絕緣層140。柵絕緣層140能夠具有包括正硅酸乙酯(TE0S)、二氧化硅(Si02)和氮化硅(SiNx)中至少之一的單層或多層。
[0060]在柵絕緣層140上形成柵電極155和像素電極710。柵電極155與溝道區(qū)1355重疊，并且像素電極710能夠是圖1的第一電極。[0061]柵電極155包括第一下金屬層1551和第一上金屬層1553,并且像素電極710包括第二下金屬層7101和第二上金屬層7103。
[0062]第一下金屬層1551和第二下金屬層7101可以由像氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(Ιη203)這樣的材料(例如透明導(dǎo)電材料)制成。
[0063]第一上金屬層1553和第二上金屬層7103可以由鑰、鑰合金、鶴或鶴合金制成。
[0064]夾層絕緣層160和柵絕緣層140包括源接觸孔166和漏接觸孔167，通過(guò)源接觸孔166和漏接觸孔167分別暴露源區(qū)1356和漏區(qū)1357。而且，夾層絕緣層160和第二上金屬層7103包括開(kāi)口 65，通過(guò)開(kāi)口 65暴露第二下金屬層7101。
[0065]在夾層絕緣層160上形成源電極176和漏電極177。源電極176通過(guò)源接觸孔166連接至源區(qū)1356。而且，漏電極177通過(guò)漏接觸孔167和像素接觸孔168電連接至漏區(qū)1357和第二上金屬層7103。像素電極710連接至漏電極177，因此成為有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)電極。像素電極710可以連接至源電極(未示出)。
[0066]在夾層絕緣層160上形成像素限定膜190。
[0067]像素限定膜190具有開(kāi)口 95，第二下金屬層7101通過(guò)開(kāi)口 95暴露。像素限定膜190可以包括樹(shù)脂(例如聚丙烯酸脂或聚酰亞胺)以及硅類無(wú)機(jī)物質(zhì)。在一實(shí)施例中，開(kāi)口95具有與有機(jī)發(fā)光二極管相同的形狀。在一實(shí)施例中，開(kāi)口具有多邊形的形狀，例如方形、四邊形、五邊形或六邊形，或者圓形的形狀。在一實(shí)施例中，像素限定膜190包括彼此交叉的水平部分和垂直部分，如圖4中所示。
[0068]在像素限定膜190的開(kāi)口 95中形成有機(jī)發(fā)光層720。
[0069]有機(jī)發(fā)光層720包括多個(gè)層，多個(gè)層包括發(fā)光層、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的一個(gè)或多個(gè)層。
[0070]如果有機(jī)發(fā)光層720包括所有這些層，則能夠在像素電極710 (例如陽(yáng)極)上放置空穴注入層(HIL)，并且能夠在空穴注入層(HIL)上順序堆疊空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。
[0071]在像素限定膜190和有機(jī)發(fā)光層720上形成公共電極730。
[0072]公共電極730能夠是圖1的第二電極，并且公共電極730成為有機(jī)發(fā)光二極管的陰極。相應(yīng)地，像素電極710、有機(jī)發(fā)光層720和公共電極730形成有機(jī)發(fā)光二極管70。
[0073]公共電極730能夠是由鎂(Mg)、銀(Ag)、金(Au)、鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)和鋁(A1)或者它們的合金中至少之一制成的反射層或半透射膜。
[0074]而且，公共電極730能夠是半透明膜，如同像素電極710的第二下金屬層7101那樣。
[0075]在公共電極730上形成填充膜300。填充膜300包括開(kāi)口 302，如圖2A至圖2E中示出的開(kāi)口。開(kāi)口 302對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光二極管70。在一實(shí)施例中，填充膜300具有與所述像素限定膜190相同的平面圖案。在一實(shí)施例中，填充膜300對(duì)應(yīng)于所述水平部分或所述垂直部分中任一個(gè)，如圖4中所不。
[0076]在填充膜300上放置密封構(gòu)件260。
[0077]參照?qǐng)D5至圖7詳細(xì)地描述上述有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的制造方法。
[0078]圖5至圖7是圖示根據(jù)示例實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)顯示器的方法的截面圖。[0079]首先，準(zhǔn)備面板1000，面板1000包括包含發(fā)光二極管70的像素。而且，在面板1000上形成填充膜300。
[0080]如圖5所示，在將填充膜300以包括開(kāi)口 302的膜的形式附接至離型紙(releasing paper) 3的狀態(tài)下，能夠?qū)⑻畛淠?00轉(zhuǎn)移到面板1000上。
[0081]接下來(lái)，如圖1所示，將密封構(gòu)件260布置在填充膜300上，并且連同面板1000被密封。
[0082]由于填充膜300的開(kāi)口 302被放置在與發(fā)光二極管70對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，所以向放置在有機(jī)發(fā)光二極管70中的雜質(zhì)施加的壓力不被轉(zhuǎn)移至發(fā)光二極管70。相應(yīng)地，由于甚至在過(guò)程中出現(xiàn)雜質(zhì)時(shí)也不對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管70施壓，所以不生成發(fā)光缺陷，例如黑點(diǎn)。
[0083]能夠使用例如參照?qǐng)D6和圖7描述的方法形成填充膜300。
[0084]參考圖6，通過(guò)在面板1000上涂覆用于填充的樹(shù)脂，形成用于填充的樹(shù)脂層4。在用于填充的樹(shù)脂層4上形成光阻圖案PR。通過(guò)使用光阻圖案作為掩膜對(duì)樹(shù)脂層4進(jìn)行蝕亥IJ，能夠形成填充膜300。
[0085]在一些實(shí)施例中，如圖7所示，通過(guò)使用噴嘴5在面板100上涂覆液體填充樹(shù)脂，能夠形成填充膜300。
[0086]已詳細(xì)地描述示例實(shí)施例，但是本發(fā)明的實(shí)施例的范圍不局限于此。本發(fā)明的實(shí)施例的范圍還包括具有本領(lǐng)域普通技能的人員做出的在所附權(quán)利要求中限定的各種修改和變化。
[0087]雖然關(guān)于目前被視為實(shí)際的示例實(shí)施例描述本公開(kāi)，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的實(shí)施例不限于所公開(kāi)的實(shí)施例，而是相反，旨在覆蓋包含于所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯不器，包括:基板；多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管，被放置在所述基板上且每個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管被布置為包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極；所述基板上的填充膜，包括與至少一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管對(duì)應(yīng)的開(kāi)口 ；以及所述填充膜上的密封構(gòu)件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述填充膜包括環(huán)氧材料、亞克力材料和硅材料中的至少之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述開(kāi)口具有與所述至少一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管相同的形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述開(kāi)口具有多邊形形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述開(kāi)口具有方形、四邊形、五邊形或六邊形的形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述開(kāi)口具有圓形形狀。
7.—種有機(jī)發(fā)光二極管顯不器，包括:基板； 所述基板上的第一薄膜晶體管；第一電極，連接至所述第一薄膜晶體管；所述第一電極上的像素限定膜，包括開(kāi)口，通過(guò)所述開(kāi)口暴露所述第一電極；所暴露的第一電極上的發(fā)光層；所述發(fā)光層和所述像素限定膜上的第二電極；所述第二電極上的填充膜，與所述像素限定膜對(duì)應(yīng)；以及所述填充膜上的密封構(gòu)件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述開(kāi)口具有與至少一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管相同的形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述開(kāi)口具有多邊形形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述開(kāi)口具有方形、四邊形、五邊形或六邊形的形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述開(kāi)口具有圓形形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述填充膜具有與所述像素限定膜相同的平面圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中:所述像素限定膜包括彼此交叉的水平部分和垂直部分，以及所述填充膜對(duì)應(yīng)于所述水平部分或所述垂直部分中任一個(gè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中所述填充膜包括環(huán)氧材料、亞克力材料和硅材料中的至少之一。
15.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，包括:構(gòu)造包括發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光基板；通過(guò)使用噴嘴印刷或光刻工藝使用液體填充劑，在所述有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極上形成包括開(kāi)口的填充膜；以及在所述填充膜上布置密封構(gòu)件且使所述密封構(gòu)件和所述有機(jī)發(fā)光基板結(jié)合，其中將所述開(kāi)口形成為對(duì)應(yīng)于至少一個(gè)發(fā)光二極管。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述填充膜由環(huán)氧材料、亞克力材料和硅材料中任一種制成。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述發(fā)光二極管包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極，所述有機(jī)發(fā)光基板進(jìn)一步包括像素限定膜，所述像素限定膜被配置為限定所述有機(jī)發(fā)光層的位置且包括彼此交叉的垂直部分和水平部分，以及在與所述水平部分 和所述垂直部分中任一個(gè)對(duì)應(yīng)的位置，形成所述填充膜。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK103715222SQ201310412189
【公開(kāi)日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年9月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月4日
【發(fā)明者】金賢媛 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司