先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)及工藝方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)及工藝方法，它包括基島（1）和引腳（2），所述引腳（2）正面設(shè)置有導(dǎo)電柱子（3），所述基島（1）正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)（6）正裝有芯片（4），所述芯片（4）正面與引腳（2）正面之間通過(guò)金屬線（5）相連接，所述基島（1）和引腳（2）正面的區(qū)域以及導(dǎo)電柱子（3）、芯片（4）和金屬線（5）外圍的區(qū)域均包封有塑封料或環(huán)氧樹(shù)脂（7），所述基島（1）、引腳（2）和導(dǎo)電柱子（3）露出塑封料或環(huán)氧樹(shù)脂（7）的表面設(shè)置有抗氧化層（8），所述導(dǎo)電柱子（3）頂部通過(guò)導(dǎo)電物質(zhì)（9）堆疊有封裝體（10）。本發(fā)明的有益效果是：它能夠解決傳統(tǒng)基板封裝堆疊由于底層基板焊盤低于底層塑封面而造成的封裝體間互聯(lián)焊球質(zhì)量難以控制的問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)及工藝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)及工藝方法，屬于半導(dǎo)體封裝【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)常見(jiàn)的PoP封裝體堆疊結(jié)構(gòu)即底層邏輯器件基板封裝上堆疊頂層存儲(chǔ)器件基板封裝，底層器件與頂層器件之間通過(guò)焊球的貼裝、回流焊實(shí)現(xiàn)兩個(gè)封裝體的堆疊與電性互聯(lián)(如圖80所示)。
[0003]上述PoP (封裝體堆疊封裝體)封裝結(jié)構(gòu)存在以下不足:
1、底層封裝體與頂層封裝體互聯(lián)的焊盤位于底層封裝體的基板上，低于底層封裝體的塑封面，所以底部封裝體的模塑高度受限于頂部封裝體底面的金屬錫球尺寸與高度，從而限制底層封裝體內(nèi)部芯片堆疊的層數(shù)。相應(yīng)地，頂層封裝體外腳也不能植入單顆小尺寸焊球，否則頂層封裝體的焊球高度過(guò)小而無(wú)法與底層封裝體的焊盤實(shí)現(xiàn)互聯(lián)，(如圖81所示)。
[0004]2、底部封裝體與頂部封裝體之間通過(guò)頂層封裝體外腳的金屬錫球互聯(lián)，回流焊后金屬錫球會(huì)產(chǎn)生熱變形，頂層封裝焊球間距會(huì)比回流焊前小，如圖82，為避免焊球間的短路，所以不能采用頂層封裝為Fine Pitch(細(xì)間距)的封裝堆疊。
[0005]3、基板封裝體堆疊如果為減小球間距采用多顆小金屬錫球堆疊進(jìn)行互聯(lián)，在貼裝堆疊的過(guò)程中對(duì)位困難，容易造成精度偏差(如圖83)或是上球體滑落，影響貼裝良率
4、基板封裝體堆疊采用多顆小金屬錫球堆疊進(jìn)行互聯(lián)，經(jīng)過(guò)回流焊，小金屬錫球發(fā)生不同的熱形變，容易造成錫球位移偏差甚至?xí)斐啥搪贰?br>
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種先封后蝕芯片正裝三維系統(tǒng)級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及工藝方法，它能夠解決傳統(tǒng)基板封裝堆疊由于底層基板焊盤低于底層塑封面而造成的封裝體間互聯(lián)焊球質(zhì)量難以控制的問(wèn)題。
[0007]本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，所述方法包括以下步驟:
步驟一、取金屬基板
步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅材
在金屬基板表面預(yù)鍍一層銅材，
步驟三、貼光阻膜作業(yè)
在步驟二完成預(yù)鍍銅材的金屬基板正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟四、金屬基板正面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行金屬線路層電鍍的區(qū)域；
步驟五、電鍍金屬線路層 在步驟四中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬線路層，金屬線路層電鍍完成后即在金屬基板正面形成相應(yīng)的基島和引腳；
步驟六、貼光阻膜作業(yè)
在步驟五完成電鍍金屬線路層的金屬基板正面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜；
步驟七、金屬基板正面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行導(dǎo)電柱子電鍍的區(qū)域；
步驟八、電鍍導(dǎo)電柱子
在步驟七中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上導(dǎo)電柱子；
步驟九、去除光阻膜 去除金屬基板表面的光阻膜；
步驟十、裝片
在步驟五形成的基島正面涂覆導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)進(jìn)行第一芯片的植入；
步驟十一、金屬線鍵合
在第一芯片正面與步驟五形成的引腳之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè)；
步驟十二、環(huán)氧樹(shù)脂塑封
在完成裝片打線后的金屬基板正面進(jìn)行環(huán)氧樹(shù)脂塑封保護(hù)；
步驟十三、環(huán)氧樹(shù)脂表面研磨
在步驟十二完成環(huán)氧樹(shù)脂塑封后進(jìn)行表面研磨；
步驟十四、貼光阻膜作業(yè)
在步驟十三完成環(huán)氧樹(shù)脂表面研磨后的金屬基板正面和背面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜；
步驟十五、金屬基板背面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟十四完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域；
步驟十六、蝕刻
在步驟十五中金屬基板背面去除部分光阻膜的區(qū)域進(jìn)行化學(xué)蝕刻；
步驟十七、去除光阻膜 去除金屬基板表面的光阻膜；
步驟十八、金屬基板背面披覆綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材
在步驟十七去除光阻膜后的金屬基板背面進(jìn)行綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材的披覆； 步驟十九、曝光開(kāi)窗顯影
利用曝光顯影設(shè)備對(duì)金屬基板背面披覆的綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材進(jìn)行曝光顯影開(kāi)窗，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行高導(dǎo)電金屬層電鍍的區(qū)域；
步驟二十、電鍍高導(dǎo)電金屬層
在步驟十九中金屬基板背面綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材的開(kāi)窗區(qū)域內(nèi)電鍍上高導(dǎo)電
金屬層；
步驟二十一、電鍍抗氧化金屬層或披覆抗氧化劑(OSP)
在金屬基板表面裸露在外的金屬表面進(jìn)行抗氧化金屬層電鍍或抗氧化劑披覆(OSP); 步驟二十二、堆疊封裝體
在步驟二十一完成電鍍抗氧化金屬層或披覆抗氧化劑的導(dǎo)電柱子頂部進(jìn)行封裝體的堆疊；
步驟二十三、切割成品
將步驟二十而完成封裝體堆疊的半成品進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨(dú)立開(kāi)來(lái)，制得先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)成品。
[0008]一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，所述方法包括以下步驟:
步驟一、取金屬基板
步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅材
在金屬基板表面預(yù)鍍一層銅材；
步驟三、貼光阻膜作業(yè)
在步驟二完成預(yù)鍍銅材的金屬基板正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟四、金屬基板正面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行第一金屬線路層電鍍的區(qū)域；步驟五、電鍍第一金屬線路層
在步驟四中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上第一金屬線路層；
步驟六、貼光阻膜作業(yè)
在步驟五完成電鍍第一金屬線路層的金屬基板正面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟七、金屬基板正面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行第二金屬線路層電鍍的區(qū)域；步驟八、電鍍第二金屬線路層
在步驟七中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上第二金屬線路層作為用以連接第一金屬線路層與第三金屬線路層的導(dǎo)電柱子；
步驟九、去除光阻膜 去除金屬基板表面的光阻膜；
步驟十、貼壓不導(dǎo)電膠膜 在金屬基板正面貼壓一層不導(dǎo)電膠膜；
步驟十一、研磨不導(dǎo)電膠膜表面
在步驟十完成不導(dǎo)電膠膜貼壓后進(jìn)行表面研磨；
步驟十二、不導(dǎo)電膠膜表面金屬化預(yù)處理
對(duì)不導(dǎo)電膠膜表面進(jìn)行金屬化預(yù)處理，使其表面附著上一層金屬化高分子材料或表面粗糙化處理；
步驟十三、貼光阻膜作業(yè)
在步驟十二完成金屬化的金屬基板正面及背面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜；
步驟十四、金屬基板正面去除部分光阻膜 利用曝光顯影設(shè)備將步驟十三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域圖形；
步驟十五、蝕刻
將步驟十四中的金屬基板正面光阻膜開(kāi)窗后的區(qū)域進(jìn)行蝕刻作業(yè)；
步驟十六、去除光阻膜 去除金屬基板正面的光阻膜；
步驟十七、電鍍第三金屬線路層
在步驟十五中金屬基板正面經(jīng)蝕刻后保留的金屬化預(yù)處理區(qū)域電鍍上第三金屬線路層，第三金屬線路層電鍍完成后即在金屬基板正面形成相應(yīng)的基島和引腳；
步驟十八、貼光阻膜作業(yè)
在步驟十七完成電鍍第三金屬線路層的金屬基板正面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻
膜；
步驟十九、金屬基板正面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟十八完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行導(dǎo)電柱子電鍍的區(qū)域；
步驟二十、電鍍導(dǎo)電柱子
在步驟十九中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上導(dǎo)電柱子；
步驟二十一、去除光阻膜 去除金屬基板表面的光阻膜；
步驟二十二、裝片
在步驟十七形成的基島正面涂覆導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)進(jìn)行第一芯片的植入；
步驟二十三、金屬線鍵合
在第一芯片正面與步驟五形成的引腳之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè)；
步驟二十四、環(huán)氧樹(shù)脂塑封
在完成裝片打線后的金屬基板正面進(jìn)行環(huán)氧樹(shù)脂塑封保護(hù)；
步驟二十五、環(huán)氧樹(shù)脂表面研磨
在步驟二十四完成環(huán)氧樹(shù)脂塑封后進(jìn)行表面研磨；
步驟二十六、貼光阻膜作業(yè)
在步驟二十五完成環(huán)氧樹(shù)脂表面研磨后的金屬基板正面和背面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜；
步驟二十七、金屬基板背面去除部分光阻膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟二十六完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域；
步驟二十八、蝕刻
在步驟二十七中金屬基板背面去除部分光阻膜的區(qū)域進(jìn)行化學(xué)蝕刻；
步驟二十九、去除光阻膜 去除金屬基板表面的光阻膜；
步驟三十、金屬基板背面披覆綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材
在步驟二十九去除光阻膜后的金屬基板背面進(jìn)行綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材的披覆；
步驟三十一、曝光開(kāi)窗顯影
利用曝光顯影設(shè)備對(duì)金屬基板背面披覆的綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材進(jìn)行曝光顯影開(kāi)窗，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行高導(dǎo)電金屬層電鍍的區(qū)域；
步驟三十二、電鍍高導(dǎo)電金屬層
在步驟三十一中金屬基板背面綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材的開(kāi)窗區(qū)域內(nèi)電鍍上高導(dǎo)電金屬層；
步驟三十三、電鍍抗氧化金屬層或披覆抗氧化劑(OSP)
在金屬基板表面裸露在外的金屬表面進(jìn)行抗氧化金屬層電鍍或披覆抗氧化劑(OSP)； 步驟三十四、堆疊封裝體
在步驟三十三完成電鍍抗氧化金屬層或披覆抗氧化劑的引腳背面進(jìn)行封裝體的堆
置;
步驟三十五、切割成品
將步驟三十三完成封裝體堆疊的半成品進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨(dú)立開(kāi)來(lái)，制得先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)成品。
[0009]所述步驟六?步驟十七在步驟五與步驟十八之間重復(fù)進(jìn)行多次。
[0010]一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)，它包括基島和引腳，所述引腳正面設(shè)置有導(dǎo)電柱子，所述基島正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)正裝有芯片，所述芯片正面與引腳正面之間通過(guò)金屬線相連接，所述基島和引腳正面區(qū)域以及導(dǎo)電柱子、芯片和金屬線外圍區(qū)域均包封有塑封料或環(huán)氧樹(shù)脂，所述塑封料或環(huán)氧樹(shù)脂與導(dǎo)電柱子頂部齊平，所述基島和引腳背面設(shè)置有高導(dǎo)電金屬層，所述高導(dǎo)電金屬層與高導(dǎo)電金屬層之間填充有綠漆或可感光不導(dǎo)電膠材，所述導(dǎo)電柱子露出塑封料或環(huán)氧樹(shù)脂的表面以及高導(dǎo)電金屬層露出綠漆或可感光不導(dǎo)電膠材的表面設(shè)置有抗氧化層，所述導(dǎo)電柱子頂部通過(guò)導(dǎo)電物質(zhì)堆疊有封裝體。
[0011]所述封裝體的外腳為L(zhǎng)型腳、J型腳、平腳或金屬球。
[0012]所述封裝體堆疊于導(dǎo)電柱子頂部，所述封裝體由單個(gè)或多個(gè)引線框結(jié)構(gòu)與封裝體結(jié)構(gòu)堆疊而成。
[0013]所述導(dǎo)電柱子頂部設(shè)置有金屬球。
[0014]所述封裝體可以堆疊在導(dǎo)電柱子頂部，或堆疊在引腳背面高導(dǎo)電金屬層上。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:
1、本發(fā)明通過(guò)埋入物件的三維金屬線路復(fù)合式基板堆疊封裝體，該三維金屬線路復(fù)合基板夾層本身可以埋入對(duì)象，所以該三維系統(tǒng)級(jí)金屬線路基板可以直接堆疊封裝體即可實(shí)現(xiàn)PoP (封裝體堆疊封裝體)系統(tǒng)級(jí)功能整合封裝；
2、三維系統(tǒng)級(jí)金屬線路復(fù)合式基板與封裝體之間通過(guò)基板上的導(dǎo)電柱子或者RDL(重布線)線路節(jié)點(diǎn)進(jìn)行互聯(lián)。而導(dǎo)電柱子或者RDL (重布線)線路節(jié)點(diǎn)都露出于基板塑封表面，所以三維系統(tǒng)級(jí)金屬線路基板與頂層封裝體之間可以不植金屬球，可以直接靈活堆疊任何封裝形式的器件包括被動(dòng)組件如電阻、電容、電感等；； 3、三維系統(tǒng)級(jí)金屬線路基板的導(dǎo)電柱子或RDL(重布線)線路節(jié)點(diǎn)都露出于基板塑封表面，所以基板厚度不會(huì)受限于互聯(lián)節(jié)點(diǎn)的高度，基板內(nèi)部可以根據(jù)需要堆疊埋入多層芯片或被動(dòng)組件；
4、三維系統(tǒng)級(jí)金屬線路基板的導(dǎo)電柱子或(重布線)線路節(jié)點(diǎn)都露出于基板塑封表面，所以頂層封裝體外腳可以采用小金屬球與導(dǎo)電柱子進(jìn)行互聯(lián)，如圖84。
[0016]5、三維系統(tǒng)級(jí)金屬線路基板與封裝體之間通過(guò)基板上的導(dǎo)電柱子進(jìn)行互聯(lián)，所以回流焊前后導(dǎo)電柱子不會(huì)發(fā)生熱形變，從而不需要為避免回流焊后導(dǎo)電柱子互相短路而增加導(dǎo)電柱子之間的間距，方便堆疊密間距的封裝體。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖廣圖23為本發(fā)明一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)工藝方法實(shí)施例I的各工序示意圖。
[0018]圖24為本發(fā)明一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例1的示意圖。
[0019]圖25?圖71為本發(fā)明一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)工藝方法實(shí)施例2的各工序示意圖。
[0020]圖72為本發(fā)明一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例2的示意圖。
[0021]圖73為本發(fā)明一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例3的示意圖。
[0022]圖74為本發(fā)明一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例4的示意圖。
[0023]圖75為本發(fā)明一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例5的示意圖。
[0024]圖76為本發(fā)明一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例6的示意圖。
[0025]圖77為本發(fā)明一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例7的示意圖。
[0026]圖78為本發(fā)明一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例8的示意圖。
[0027]圖79為本發(fā)明一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例9的示意圖。
[0028]圖80為傳統(tǒng)PoP基板封裝體堆疊結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0029]圖81為傳統(tǒng)PoP基板封裝體堆疊結(jié)構(gòu)中頂層封裝體的焊球高度過(guò)小而無(wú)法與底層封裝體的焊盤實(shí)現(xiàn)互聯(lián)的示意圖。
[0030]圖82為傳統(tǒng)PoP基板封裝體堆疊結(jié)構(gòu)中回流焊后焊球熱變形而無(wú)法實(shí)現(xiàn)密間距封裝堆疊的示意圖。
[0031]圖83為采用多個(gè)小金屬錫球堆疊對(duì)位偏移的示意圖。
[0032]圖84為本發(fā)明頂層封裝體外腳可以采用小金屬球與三維系統(tǒng)級(jí)金屬線路基板進(jìn)行互聯(lián)的示意圖。
[0033]其中:
基島I 引腳2 導(dǎo)電柱子3 芯片4 金屬線5
導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6
塑封料或環(huán)氧樹(shù)脂7
抗氧化層8
導(dǎo)電物質(zhì)9
封裝體10
引線框結(jié)構(gòu)10.1
封裝體結(jié)構(gòu)10.2
高導(dǎo)電金屬層11
綠漆或可感光不導(dǎo)電膠材12
金屬球13。
【具體實(shí)施方式】
[0034]本發(fā)明一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)及工藝方法如下:
實(shí)施例1:單層線路
參見(jiàn)圖24，本發(fā)明一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)，它包括基島I和引腳2，所述引腳2正面設(shè)置有導(dǎo)電柱子3，所述基島I正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6正裝有芯片4，所述芯片4正面與引腳2正面之間通過(guò)金屬線5相連接，所述基島I和引腳
2正面區(qū)域以及導(dǎo)電柱子3、芯片4和金屬線5外圍區(qū)域均包封有塑封料或環(huán)氧樹(shù)脂7，所述塑封料或環(huán)氧樹(shù)脂7與導(dǎo)電柱子3頂部齊平，所述基島I和引腳2背面設(shè)置有高導(dǎo)電金屬層11，所述高導(dǎo)電金屬層11與高導(dǎo)電金屬層11之間填充有綠漆或可感光不導(dǎo)電膠材12，所述導(dǎo)電柱子3露出塑封料或環(huán)氧樹(shù)脂7的表面以及高導(dǎo)電金屬層11露出綠漆或可感光不導(dǎo)電膠材12的表面設(shè)置有抗氧化層8，所述導(dǎo)電柱子3頂部通過(guò)導(dǎo)電物質(zhì)9堆疊有封裝體10，所述封裝體10的外腳為L(zhǎng)型腳。
[0035]其工藝方法如下:
步驟一、取金屬基板
參見(jiàn)圖1，取一片厚度合適的金屬基板，金屬基板的材質(zhì)可以是銅材、鐵材、鍍鋅材、不銹鋼材或鋁材或可以達(dá)到導(dǎo)電功能的金屬物質(zhì)等，厚度的選擇可依據(jù)產(chǎn)品特性進(jìn)行選擇；步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅材
參見(jiàn)圖2，在金屬基板表面預(yù)鍍一層銅材，銅層厚度為2?10微米，依據(jù)功能需要也可以減薄或是增厚，電鍍方式可以是電解電鍍也可以采用化學(xué)沉積的方式；
步驟三、貼光阻膜作業(yè)
參見(jiàn)圖3，在步驟二完成預(yù)鍍銅材的金屬基板正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜，目的是為了后續(xù)金屬線路圖形的制作，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜；
步驟四、金屬基板正面去除部分光阻膜
參見(jiàn)圖4，利用曝光顯影設(shè)備將步驟三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行金屬線路層電鍍的區(qū)域；
步驟五、電鍍金屬線路層
參見(jiàn)圖5，在步驟四中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬線路層，金屬線路層電鍍完成后即在金屬基板正面形成相應(yīng)的基島和引腳，金屬線路層的材質(zhì)可以是銅、鋁、鎳、銀、金、銅銀、鎳金或鎳鈀金或可以達(dá)到導(dǎo)電功能的金屬物質(zhì)等，金屬線路層厚度為5?20微米，可以根據(jù)不同應(yīng)用選擇不同的電鍍材質(zhì)，根據(jù)不同特性變換電鍍的厚度，電鍍方式可以是電解電鍍也可以采用化學(xué)沉積的方式；
步驟六、貼光阻膜作業(yè)
參見(jiàn)圖6，在步驟五完成電鍍金屬線路層的金屬基板正面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜，目的是為后續(xù)導(dǎo)電柱子的制作，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜；
步驟七、金屬基板正面去除部分光阻膜
參見(jiàn)圖7，利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行導(dǎo)電柱子電鍍的區(qū)域；
步驟八、電鍍導(dǎo)電柱子
參見(jiàn)圖8，在步驟七中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上導(dǎo)電柱子，導(dǎo)電柱子的材質(zhì)可以是銅、鋁、鎳、銀、金、銅銀、鎳金、鎳鈀金或可以達(dá)到導(dǎo)電功能的金屬物質(zhì)等材料，電鍍方式可以是電解電鍍也可以采用化學(xué)沉積的方式；
步驟九、去除光阻膜
參見(jiàn)圖9，去除金屬基板表面的光阻膜，去除光阻膜的方法采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水沖洗即可；
步驟十、裝片
參見(jiàn)圖10，在步驟五形成的基島正面涂覆導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)進(jìn)行第一芯片的植
A ；
步驟十一、金屬線鍵合
參見(jiàn)圖11，在第一芯片正面與步驟五形成的引腳之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè)；
步驟十二、環(huán)氧樹(shù)脂塑封
參見(jiàn)圖12，在完成裝片打線后的金屬基板正面進(jìn)行環(huán)氧樹(shù)脂塑封保護(hù)，環(huán)氧樹(shù)脂材料可以依據(jù)產(chǎn)品特性選擇有填料或是沒(méi)有填料的種類；
步驟十三、環(huán)氧樹(shù)脂表面研磨
參見(jiàn)圖13，在步驟十二完成環(huán)氧樹(shù)脂塑封后進(jìn)行表面研磨；
步驟十四、貼光阻膜作業(yè)
參見(jiàn)圖14，在步驟十三完成環(huán)氧樹(shù)脂表面研磨后的金屬基板正面和背面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟十五、金屬基板背面去除部分光阻膜
參見(jiàn)圖15，利用曝光顯影設(shè)備將步驟十四完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域；
步驟十六、蝕刻
參見(jiàn)圖16，在步驟十五中金屬基板背面去除部分光阻膜的區(qū)域進(jìn)行化學(xué)蝕刻，進(jìn)行蝕刻的方法可以是氯化銅或是氯化鐵的工藝方式；
步驟十七、去除光阻膜
參見(jiàn)圖17，去除金屬基板表面的光阻膜，去除光阻膜的方法采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水沖洗即可；
步驟十八、金屬基板背面披覆綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材
參見(jiàn)圖18，在步驟十七去除光阻膜后的金屬基板背面進(jìn)行綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材的披覆；
步驟十九、曝光開(kāi)窗顯影
參見(jiàn)圖19，利用曝光顯影設(shè)備對(duì)金屬基板背面披覆的綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材進(jìn)行曝光顯影開(kāi)窗，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行高導(dǎo)電金屬層電鍍的區(qū)域；
步驟二十、電鍍高導(dǎo)電金屬層
參見(jiàn)圖20，在步驟十九中金屬基板背面綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材的開(kāi)窗區(qū)域內(nèi)電鍍上高導(dǎo)電金屬層，電鍍方式可以是電解電鍍也可以采用化學(xué)沉積的方式；
步驟二十一、電鍍抗氧化金屬層或披覆抗氧化劑(OSP)
參見(jiàn)圖21，在金屬基板表面裸露在外的金屬表面進(jìn)行抗氧化金屬層電鍍，如金、鎳金、鎳鈀金、錫或是披覆抗氧化劑(OSP)；
步驟二十二、堆疊封裝體
參見(jiàn)圖22，在步驟二十一完成電鍍抗氧化金屬層或披覆抗氧化劑的導(dǎo)電柱子頂部通過(guò)導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)行封裝體的堆疊；
步驟二十三、切割成品
參見(jiàn)圖23，將步驟二十而完成封裝體堆疊的半成品進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨(dú)立開(kāi)來(lái)，制得先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)成品。
[0036]實(shí)施例2:多層線路
參見(jiàn)圖72，本發(fā)明一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)，它包括基島I和引腳2，所述引腳2正面設(shè)置有導(dǎo)電柱子3，所述基島I正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6正裝有芯片4，所述芯片4正面與引腳2正面之間通過(guò)金屬線5相連接，所述基島I和引腳2正面的區(qū)域以及導(dǎo)電柱子3、芯片4和金屬線5外圍的區(qū)域均包封有塑封料或環(huán)氧樹(shù)脂7，所述塑封料或環(huán)氧樹(shù)脂7與導(dǎo)電柱子3頂部齊平，所述基島I和引腳2背面設(shè)置有高導(dǎo)電金屬層11，所述高導(dǎo)電金屬層11與高導(dǎo)電金屬層11之間填充有綠漆或可感光不導(dǎo)電膠材12，所述導(dǎo)電柱子3露出塑封料或環(huán)氧樹(shù)脂7的表面以及高導(dǎo)電金屬層11露出綠漆或可感光不導(dǎo)電膠材12的表面設(shè)置有抗氧化層8，所述導(dǎo)電柱子3頂部通過(guò)導(dǎo)電物質(zhì)9堆疊有封裝體10，所述封裝體10的外腳為L(zhǎng)型腳。
[0037]實(shí)施例2與實(shí)施例1的區(qū)別在于:所述基島I和引腳2均由多層金屬線路層組成，金屬線路層與金屬線路層之間通過(guò)導(dǎo)電柱子相連接。
[0038]其工藝方法如下:
步驟一、取金屬基板
參見(jiàn)圖25，取一片厚度合適的金屬基板，金屬基板的材質(zhì)可以是銅材、鐵材、鍍鋅材、不銹鋼材、鋁材或可以達(dá)到導(dǎo)電功能的金屬物質(zhì)或非金屬物質(zhì)，厚度的選擇可依據(jù)產(chǎn)品特性進(jìn)行選擇；
步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅材
參見(jiàn)圖26，在金屬基板表面預(yù)鍍一層銅材，銅層厚度為2?10微米，依據(jù)功能需要也可以減薄或是增厚，電鍍方式可以是電解電鍍也可以采用化學(xué)沉積的方式；
步驟三、貼光阻膜作業(yè)
參見(jiàn)圖27，在步驟二完成預(yù)鍍銅材的金屬基板正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜，目的是為了后續(xù)金屬線路圖形的制作，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜；
步驟四、金屬基板正面去除部分光阻膜
參見(jiàn)圖28，利用曝光顯影設(shè)備將步驟三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行第一金屬線路層電鍍的區(qū)域；
步驟五、電鍍第一金屬線路層
參見(jiàn)圖29，在步驟四中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上第一金屬線路層，第一金屬線路層的材質(zhì)可以是銅、鋁、鎳、銀、金、銅銀、鎳金或鎳鈀金等，電鍍方式可以是電解電鍍也可以采用化學(xué)沉積的方式；
步驟六、貼光阻膜作業(yè)
參見(jiàn)圖30，在步驟五完成電鍍第一金屬線路層的金屬基板正面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜，目的是為后續(xù)金屬線路圖形的制作，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜；
步驟七、金屬基板正面去除部分光阻膜
參見(jiàn)圖31，利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行第二金屬線路層電鍍的區(qū)域；
步驟八、電鍍第二金屬線路層
參見(jiàn)圖32，在步驟七中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上第二金屬線路層作為用以連接第一金屬線路層與第三金屬線路層的導(dǎo)電柱子，第二金屬線路層的材質(zhì)可以是銅、鋁、鎳、銀、金、銅銀、鎳金、鎳鈀金或可以達(dá)到導(dǎo)電功能的金屬物質(zhì)等材料，電鍍方式可以是電解電鍍也可以采用化學(xué)沉積的方式；
步驟九、去除光阻膜
參見(jiàn)圖33，去除金屬基板表面的光阻膜，去除光阻膜的方法采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水沖洗即可；
步驟十、貼壓不導(dǎo)電膠膜
參見(jiàn)圖34，在金屬基板正面(有線路層的區(qū)域)貼壓一層不導(dǎo)電膠膜，其目的是為第一金屬線路層與第三金屬線路層進(jìn)行絕緣；貼壓不導(dǎo)電膠膜的方式可以采用常規(guī)的滾壓設(shè)備，或是在真空環(huán)境下進(jìn)行貼壓，以防止貼壓過(guò)程產(chǎn)生空氣的殘留；不導(dǎo)電膠膜主要是貼壓式熱固型環(huán)氧樹(shù)脂，而環(huán)氧樹(shù)脂中可以依據(jù)產(chǎn)品特性采用沒(méi)有填料或是有填料的不導(dǎo)電膠膜；
步驟十一、研磨不導(dǎo)電膠膜表面
參見(jiàn)圖35，在步驟十完成不導(dǎo)電膠膜貼壓后進(jìn)行表面研磨，目的是露出第二金屬線路層、維持不導(dǎo)電膠膜與第二金屬線路層的平整度以及控制不導(dǎo)電膠膜的厚度；
步驟十二、不導(dǎo)電膠膜表面金屬化預(yù)處理
參見(jiàn)圖36，對(duì)不導(dǎo)電膠膜表面進(jìn)行金屬化預(yù)處理，使其表面附著上一層金屬化高分子材料或表面粗糙化處理，目的是作為后續(xù)金屬材料能夠鍍上去的觸媒轉(zhuǎn)換，附著金屬化高分子材料可以采用噴涂、等離子震蕩、表面粗化等再行烘干即可；
步驟十三、貼光阻膜作業(yè)
參見(jiàn)圖37，在步驟十二完成金屬化的金屬基板正面及背面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜，目的是為后續(xù)金屬線路圖形的制作，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜；
步驟十四、金屬基板正面去除部分光阻膜
參見(jiàn)圖38，利用曝光顯影設(shè)備將步驟十三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域圖形；
步驟十五、蝕刻
參見(jiàn)圖39，將步驟十四中的金屬基板正面光阻膜開(kāi)窗后的區(qū)域進(jìn)行蝕刻作業(yè)，其目的是利用腐蝕技術(shù)腐蝕去除后續(xù)不需要進(jìn)行電鍍第三金屬線路層的金屬化預(yù)處理區(qū)域，進(jìn)行蝕刻的方法可以是氯化銅或是氯化鐵的工藝方式；
步驟十六、去除光阻膜
參見(jiàn)圖40，去除金屬基板正面的光阻膜，去除光阻膜的方法采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水沖洗即可；
步驟十七、電鍍第三金屬線路層
參見(jiàn)圖41，在步驟十五中金屬基板正面經(jīng)蝕刻后保留的金屬化預(yù)處理區(qū)域電鍍上第三金屬線路層，第三金屬線路層的材質(zhì)可以是銅、鋁、鎳、銀、金、銅銀、鎳金或鎳鈀金等，電鍍方式可以是電解電鍍也可以采用化學(xué)沉積的方式；
步驟十八、貼光阻膜作業(yè)
參見(jiàn)圖42，在步驟十八完成電鍍第三金屬線路層的金屬基板正面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜，目的是為后續(xù)金屬線路圖形的制作，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜；
步驟十九、金屬基板正面去除部分光阻膜
參見(jiàn)圖43，利用曝光顯影設(shè)備將步驟十八完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行第四金屬線路層電鍍的區(qū)域；
步驟二十、電鍍第四金屬線路層
參見(jiàn)圖44，在步驟十九中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上第四金屬線路層作為用以連接第三金屬線路層與第五金屬線路層的導(dǎo)電柱子，第四金屬線路層的材質(zhì)可以是銅、鋁、鎳、銀、金、銅銀、鎳金、鎳鈀金或可以達(dá)到導(dǎo)電功能的金屬物質(zhì)等材料，電鍍方式可以是電解電鍍也可以采用化學(xué)沉積的方式；
步驟二十一、去除光阻膜
參見(jiàn)圖45，去除金屬基板正面的光阻膜，去除光阻膜的方法采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水沖洗即可；
步驟二十二、貼壓不導(dǎo)電膠膜
參見(jiàn)圖46，在金屬基板正面(有線路層的區(qū)域)貼壓一層不導(dǎo)電膠膜，其目的是為第三金屬線路層與第五金屬線路層進(jìn)行絕緣；貼壓不導(dǎo)電膠膜的方式可以采用常規(guī)的滾壓設(shè)備，或是在真空環(huán)境下進(jìn)行貼壓，以防止貼壓過(guò)程產(chǎn)生空氣的殘留；不導(dǎo)電膠膜主要是貼壓式熱固型環(huán)氧樹(shù)脂，而環(huán)氧樹(shù)脂中可以依據(jù)產(chǎn)品特性采用沒(méi)有填料或是有填料的不導(dǎo)電膠膜；
步驟二十三、研磨不導(dǎo)電膠膜表面
參見(jiàn)圖47，在步驟二十二完成不導(dǎo)電膠膜貼壓后進(jìn)行表面研磨，目的是露出第四金屬線路層、維持不導(dǎo)電膠膜與第四金屬線路層的平整度以及控制不導(dǎo)電膠膜的厚度；
步驟二十四、不導(dǎo)電膠膜表面金屬化預(yù)處理
參見(jiàn)圖48，對(duì)不導(dǎo)電膠膜表面進(jìn)行金屬化預(yù)處理，使其表面附著上一層金屬化高分子材料或表面粗糙化處理，目的是作為后續(xù)金屬材料能夠鍍上去的觸媒轉(zhuǎn)換，附著金屬化高分子材料可以采用噴涂、等離子震蕩、表面粗化等再行烘干即可；
步驟二十五、貼光阻膜作業(yè)
參見(jiàn)圖49，在步驟二十四完成金屬化的金屬基板正面及背面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜，目的是為后續(xù)金屬線路圖形的制作，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜；
步驟二十六、金屬基板正面去除部分光阻膜
參見(jiàn)圖50，利用曝光顯影設(shè)備將步驟二十五完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域圖形；
步驟二十七、蝕刻
參見(jiàn)圖51，將步驟二十六中的金屬基板正面光阻膜開(kāi)窗后的區(qū)域進(jìn)行蝕刻作業(yè)，其目的是利用腐蝕技術(shù)腐蝕去除后續(xù)不需要進(jìn)行電鍍第五金屬線路層的金屬化預(yù)處理區(qū)域，進(jìn)行蝕刻的方法可以是氯化銅或是氯化鐵的工藝方式；
步驟二十八、去除光阻膜
參見(jiàn)圖52，去除金屬基板表面的光阻膜，去除光阻膜的方法采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水沖洗即可；
步驟二十九、電鍍第五金屬線路層
參見(jiàn)圖53，在步驟二十七中金屬基板正面經(jīng)蝕刻后保留的金屬化預(yù)處理區(qū)域電鍍上第五金屬線路層，第五金屬線路層電鍍完成后即在金屬基板正面形成相應(yīng)的基島和引腳，第五金屬線路層的材質(zhì)可以是銅、鋁、鎳、銀、金、銅銀、鎳金或鎳鈀金等，電鍍方式可以是電解電鍍也可以采用化學(xué)沉積的方式；
步驟三十、貼光阻膜作業(yè) 參見(jiàn)圖54，在步驟二十九完成電鍍第五金屬線路層的金屬基板正面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜，目的是為后續(xù)導(dǎo)電柱子的制作，光阻膜可以是干式光阻膜也可以是濕式光阻膜；
步驟三十一、金屬基板正面去除部分光阻膜
參見(jiàn)圖55，利用曝光顯影設(shè)備將步驟三十完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行導(dǎo)電柱子電鍍的區(qū)域；
步驟三十二、電鍍導(dǎo)電柱子
參見(jiàn)圖56，在步驟三十一中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上導(dǎo)電柱子，導(dǎo)電柱子的材質(zhì)可以是銅、鋁、鎳、銀、金、銅銀、鎳金、鎳鈀金或可以達(dá)到導(dǎo)電功能的金屬物質(zhì)等材料，電鍍方式可以是電解電鍍也可以采用化學(xué)沉積的方式；
步驟三十三、去除光阻膜
參見(jiàn)圖57，去除金屬基板表面的光阻膜，去除光阻膜的方法采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水沖洗即可；
步驟三十四、裝片
參見(jiàn)圖58，在步驟二十九形成的基島正面涂覆導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)進(jìn)行第一芯片的植入；
步驟三十五、金屬線鍵合
參見(jiàn)圖59，在第一芯片正面與步驟五形成的引腳之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè)；
步驟三十六、環(huán)氧樹(shù)脂塑封
參見(jiàn)圖60，在完成裝片打線后的金屬基板正面進(jìn)行環(huán)氧樹(shù)脂塑封保護(hù)，環(huán)氧樹(shù)脂材料可以依據(jù)產(chǎn)品特性選擇有填料或是沒(méi)有填料的種類；
步驟三十七、環(huán)氧樹(shù)脂表面研磨
參見(jiàn)圖61，在步驟三十六完成環(huán)氧樹(shù)脂塑封后進(jìn)行表面研磨；
步驟三十八、貼光阻膜作業(yè)
參見(jiàn)圖62，在步驟三十七完成環(huán)氧樹(shù)脂表面研磨后的金屬基板正面和背面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜；
步驟三十九、金屬基板背面去除部分光阻膜
參見(jiàn)圖63，利用曝光顯影設(shè)備將步驟三十八完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域；
步驟四十、蝕刻
參見(jiàn)圖64，在步驟三十九中金屬基板背面去除部分光阻膜的區(qū)域進(jìn)行化學(xué)蝕刻，蝕刻的方法可以是氯化銅或是氯化鐵的工藝方式；
步驟四十一、去除光阻膜
參見(jiàn)圖65，去除金屬基板表面的光阻膜，去除光阻膜的方法采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水沖洗即可；
步驟四十二、金屬基板背面披覆綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材
參見(jiàn)圖66，在步驟四十一去除光阻膜后的金屬基板背面進(jìn)行綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材的披覆； 步驟四十三、曝光開(kāi)窗顯影
參見(jiàn)圖67，利用曝光顯影設(shè)備對(duì)金屬基板背面披覆的綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材進(jìn)行曝光顯影開(kāi)窗，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行高導(dǎo)電金屬層電鍍的區(qū)域；
步驟四十四、電鍍高導(dǎo)電金屬層
參見(jiàn)圖68，在步驟四十三中金屬基板背面綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材的開(kāi)窗區(qū)域內(nèi)電鍍上高導(dǎo)電金屬層，電鍍方式可以是電解電鍍也可以采用化學(xué)沉積的方式；
步驟四十五、電鍍抗氧化金屬層或披覆抗氧化劑(OSP )
參見(jiàn)圖69,在金屬基板表面裸露在外的金屬表面進(jìn)行抗氧化金屬層電鍍,如金、鎳金、鎳鈀金、錫或是被覆抗氧化劑(OSP)；
步驟四十六、堆疊封裝體
參見(jiàn)圖70，在步驟四十五完成電鍍抗氧化金屬層或披覆抗氧化劑的導(dǎo)電柱子頂部通過(guò)導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)行封裝體的堆疊；
步驟四十七、切割成品
參見(jiàn)圖71，將步驟四十三完成封裝體堆疊的半成品進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨(dú)立開(kāi)來(lái)，制得先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)成品。
[0039]實(shí)施例3:單層線路+引腳背面堆疊L型封裝體
參見(jiàn)圖73，實(shí)施例3與實(shí)施例1的區(qū)別在于，所述封裝體10堆疊于引腳背面抗氧化層上。
[0040]實(shí)施例4:單層線路+J型腳封裝體
參見(jiàn)圖74，實(shí)施例4與實(shí)施例1的區(qū)別在于:所述封裝體10的外腳為J型腳。
[0041]實(shí)施例5:單層線路+平腳封裝體
參見(jiàn)圖75，實(shí)施例5與實(shí)施例1的區(qū)別在于:所述封裝體10的外腳為平腳。
[0042]實(shí)施例6:單層線路+球柵封裝體
參見(jiàn)圖76，實(shí)施例6與實(shí)施例1的區(qū)別在于:所述封裝體10的外腳為金屬球。
[0043]實(shí)施例7:單層線路凸點(diǎn)封裝(I)
參見(jiàn)圖77，實(shí)施例7與實(shí)施例3的區(qū)別在于:所述導(dǎo)電柱子3頂部設(shè)置有金屬球13。
[0044]實(shí)施例8:單層線路凸點(diǎn)封裝(2)
參見(jiàn)圖78，實(shí)施例8與實(shí)施例1的區(qū)別在于:所述基島I和引腳2背面設(shè)置有金屬球13。
[0045]實(shí)施例9:多層引線框架堆疊封裝體
參見(jiàn)圖79，實(shí)施例9與實(shí)施例1的區(qū)別在于:所述封裝體10安裝于導(dǎo)電柱子3頂部，所述封裝體10由單個(gè)或多個(gè)引線框結(jié)構(gòu)10.1與封裝體結(jié)構(gòu)10.2堆疊而成。
【權(quán)利要求】
1.一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于所述方法包括以下步驟: 步驟一、取金屬基板 步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅材 在金屬基板表面預(yù)鍍一層銅材， 步驟三、貼光阻膜作業(yè) 在步驟二完成預(yù)鍍銅材的金屬基板正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟四、金屬基板正面去除部分光阻膜 利用曝光顯影設(shè)備將步驟三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行金屬線路層電鍍的區(qū)域； 步驟五、電鍍金屬線路層 在步驟四中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬線路層，金屬線路層電鍍完成后即在金屬基板正面形成相應(yīng)的基島和引腳； 步驟六、貼光阻膜作業(yè) 在步驟五完成電鍍金屬線路層的金屬基板正面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟七、金屬基板正面去除部分光阻膜 利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜 ，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行導(dǎo)電柱子電鍍的區(qū)域； 步驟八、電鍍導(dǎo)電柱子 在步驟七中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上導(dǎo)電柱子； 步驟九、去除光阻膜 去除金屬基板表面的光阻膜； 步驟十、裝片 在步驟五形成的基島正面涂覆導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)進(jìn)行芯片的植入； 步驟十一、金屬線鍵合 在第一芯片正面與步驟五形成的引腳之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè)； 步驟十二、環(huán)氧樹(shù)脂塑封 在完成裝片打線后的金屬基板正面進(jìn)行環(huán)氧樹(shù)脂塑封保護(hù)； 步驟十三、環(huán)氧樹(shù)脂表面研磨 在步驟十二完成環(huán)氧樹(shù)脂塑封后進(jìn)行表面研磨； 步驟十四、貼光阻膜作業(yè) 在步驟十三完成環(huán)氧樹(shù)脂表面研磨后的金屬基板正面和背面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟十五、金屬基板背面去除部分光阻膜 利用曝光顯影設(shè)備將步驟十四完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域； 步驟十六、蝕刻 在步驟十五中金屬基板背面去除部分光阻膜的區(qū)域進(jìn)行化學(xué)蝕刻； 步驟十七、去除光阻膜去除金屬基板表面的光阻膜； 步驟十八、金屬基板背面披覆綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材 在步驟十七去除光阻膜后的金屬基板背面進(jìn)行綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材的披覆； 步驟十九、曝光開(kāi)窗顯影 利用曝光顯影設(shè)備對(duì)金屬基板背面披覆的綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材進(jìn)行曝光顯影開(kāi)窗，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行高導(dǎo)電金屬層電鍍的區(qū)域； 步驟二十、電鍍高導(dǎo)電金屬層 在步驟十九中金屬基板背面綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材的開(kāi)窗區(qū)域內(nèi)電鍍上高導(dǎo)電金屬層； 步驟二十一、電鍍抗氧化金屬層或披覆抗氧化劑 在金屬基板表面裸露在外的金屬表面進(jìn)行抗氧化金屬層電鍍或抗氧化劑披覆； 步驟二十二、堆疊封裝體 在步驟二十一完成電鍍抗氧化金屬層或披覆抗氧化劑的導(dǎo)電柱子頂部通過(guò)導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)行封裝體的堆疊； 步驟二十三、切割成品 將步驟二十而完成封裝體堆疊的半成品`進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨(dú)立開(kāi)來(lái)，制得先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)成品。
2.一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于所述方法包括以下步驟: 步驟一、取金屬基板 步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅材 在金屬基板表面預(yù)鍍一層銅材； 步驟三、貼光阻膜作業(yè) 在步驟二完成預(yù)鍍銅材的金屬基板正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟四、金屬基板正面去除部分光阻膜 利用曝光顯影設(shè)備將步驟三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行第一金屬線路層電鍍的區(qū)域；步驟五、電鍍第一金屬線路層 在步驟四中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上第一金屬線路層； 步驟六、貼光阻膜作業(yè) 在步驟五完成電鍍第一金屬線路層的金屬基板正面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟七、金屬基板正面去除部分光阻膜 利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行第二金屬線路層電鍍的區(qū)域；步驟八、電鍍第二金屬線路層 在步驟七中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上第二金屬線路層作為用以連接第一金屬線路層與第三金屬線路層的導(dǎo)電柱子； 步驟九、去除光阻膜去除金屬基板表面的光阻膜； 步驟十、貼壓不導(dǎo)電膠膜 在金屬基板正面貼壓一層不導(dǎo)電膠膜； 步驟十一、研磨不導(dǎo)電膠膜表面 在步驟十完成不導(dǎo)電膠膜貼壓后進(jìn)行表面研磨； 步驟十二、不導(dǎo)電膠膜表面金屬化預(yù)處理 對(duì)不導(dǎo)電膠膜表面進(jìn)行金屬化預(yù)處理，使其表面附著上一層金屬化高分子材料或表面粗糙化處理； 步驟十三、貼光阻膜作業(yè) 在步驟十二完成金屬化的金屬基板正面及背面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟十四、金屬基板正面去除部分光阻膜 利用曝光顯影設(shè)備將步驟十三完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域圖形； 步驟十五、蝕刻 將步驟十四中的金屬基板正面光阻膜開(kāi)窗后的區(qū)域進(jìn)行蝕刻作業(yè)； 步驟十六、去除光阻膜 去除金屬基板表面的光阻膜；. 步驟十七、電鍍第三金屬線路層 在步驟十五中金屬基板正面經(jīng)蝕刻后保留的金屬化預(yù)處理區(qū)域電鍍上第三金屬線路層，第三金屬線路層電鍍完成后即在金屬基板正面形成相應(yīng)的基島和引腳； 步驟十八、貼光阻膜作業(yè) 在步驟十七完成電鍍第三金屬線路層的金屬基板正面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟十九、金屬基板正面去除部分光阻膜 利用曝光顯影設(shè)備將步驟十八完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行導(dǎo)電柱子電鍍的區(qū)域； 步驟二十、電鍍導(dǎo)電柱子 在步驟十九中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上導(dǎo)電柱子； 步驟二十一、去除光阻膜 去除金屬基板表面的光阻膜； 步驟二十二、裝片 在步驟十七形成的基島正面涂覆導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)進(jìn)行第一芯片的植入； 步驟二十三、金屬線鍵合 在第一芯片正面與步驟五形成的引腳之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè)； 步驟二十四、環(huán)氧樹(shù)脂塑封 在完成裝片打線后的金屬基板正面進(jìn)行環(huán)氧樹(shù)脂塑封保護(hù)； 步驟二十五、環(huán)氧樹(shù)脂表面研磨 在步驟二十四完成環(huán)氧樹(shù)脂塑封后進(jìn)行表面研磨； 步驟二十六、貼光阻膜作業(yè)在步驟二十五完成環(huán)氧樹(shù)脂表面研磨后的金屬基板正面和背面貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟二十七、金屬基板背面去除部分光阻膜 利用曝光顯影設(shè)備將步驟二十六完成貼光阻膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域； 步驟二十八、蝕刻 在步驟二十七中金屬基板背面去除部分光阻膜的區(qū)域進(jìn)行化學(xué)蝕刻； 步驟二十九、去除光阻膜 去除金屬基板表面的光阻膜； 步驟三十、金屬基板背面披覆綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材 在步驟二十九去除光阻膜后的金屬基板背面進(jìn)行綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材的披覆； 步驟三十一、曝光開(kāi)窗顯影 利用曝光顯影設(shè)備對(duì)金屬基板背面披覆的綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材進(jìn)行曝光顯影開(kāi)窗，以露出金屬基板 背面后續(xù)需要進(jìn)行高導(dǎo)電金屬層電鍍的區(qū)域； 步驟三十二、電鍍高導(dǎo)電金屬層 在步驟三十一中金屬基板背面綠漆或可感光的不導(dǎo)電膠材的開(kāi)窗區(qū)域內(nèi)電鍍上高導(dǎo)電金屬層； 步驟三十三、電鍍抗氧化金屬層或抗氧化劑披覆 在金屬基板表面裸露在外的金屬表面進(jìn)行抗氧化金屬層電鍍或抗氧化劑披覆； 步驟三十四、堆疊封裝體 在步驟三十三完成電鍍抗氧化金屬層或披覆抗氧化劑的導(dǎo)電柱子頂部通過(guò)導(dǎo)電物質(zhì)進(jìn)行封裝體的堆疊； 步驟三十五、切割成品 將步驟三十四完成封裝體堆疊的半成品進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨(dú)立開(kāi)來(lái)，制得先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)成品。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于:所述步驟五?步驟十七在步驟八與步驟十八之間重復(fù)進(jìn)行多次。
4.一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:它包括基島(I)和引腳(2)，所述引腳(2)正面設(shè)置有導(dǎo)電柱子(3)，所述基島(I)正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)正裝有芯片(4)，所述芯片(4)正面與引腳(2)正面之間通過(guò)金屬線(5)相連接，所述基島(I)和引腳(2)正面的區(qū)域以及導(dǎo)電柱子(3)、芯片(4)和金屬線(5)外圍的區(qū)域均包封有塑封料或環(huán)氧樹(shù)脂(7)，所述塑封料或環(huán)氧樹(shù)脂(7)與導(dǎo)電柱子(3)頂部齊平，所述基島(I)和引腳(2)背面設(shè)置有高導(dǎo)電金屬層(11)，所述高導(dǎo)電金屬層(11)與高導(dǎo)電金屬層(11)之間填充有綠漆或可感光不導(dǎo)電膠材(12)，所述導(dǎo)電柱子(3)露出塑封料或環(huán)氧樹(shù)月旨(7 )的表面以及高導(dǎo)電金屬層(11)露出綠漆或可感光不導(dǎo)電膠材(12 )的表面設(shè)置有抗氧化層(8 )，所述導(dǎo)電柱子(3 )頂部通過(guò)導(dǎo)電物質(zhì)(9 )堆疊有封裝體(10 )。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述封裝體(10)的外腳為L(zhǎng)型腳、J型腳、平腳或金屬球。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述封裝體(10)由單個(gè)或多個(gè)引線框結(jié)構(gòu)(10.1)與封裝體結(jié)構(gòu)(10.2)堆疊而成。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基島(I)和引腳(2)背面的抗氧化層(8)上設(shè)置有金屬球(13)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基島(I)和引腳(2)背面的抗氧化層(8)上設(shè)置有金屬球(13)。
9.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述封裝體(10)堆疊于引腳(2)背面的抗氧化層(8)上。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述封裝體(10)堆疊于引腳(2)背面的抗氧化層(8)上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的一種先封后蝕三維系統(tǒng)級(jí)芯片正裝堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)電柱子(3 )頂部設(shè)置有金屬球(13)。
【文檔編號(hào)】H01L23/495GK103441078SQ201310340418
【公開(kāi)日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2013年8月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月6日
【發(fā)明者】梁志忠, 王亞琴, 王孫艷, 林煜斌, 廖小景 申請(qǐng)人:江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司