制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法和有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法
【專利摘要】公開了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法和一種使用該方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法包括：在基板上連續(xù)地沉積線性圖案的有機(jī)層；在有機(jī)層上沉積第二電極；在第二電極上形成鈍化層以覆蓋第二電極。
【專利說明】制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法和有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備
[0001]本申請要求于2012年7月10日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2012-0075143號韓國專利申請的權(quán)益，該韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用包含于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明實(shí)施例的多個方面涉及一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法和一種使用該方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0003]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備與其它顯示裝置相比具有更寬的視角、更好的對比度特性以及更快的響應(yīng)速度，因此作為下一代顯示裝置已經(jīng)備受關(guān)注。
[0004]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括設(shè)置在布置成彼此相對的第一電極和第二電極之間的包括發(fā)射層的中間層。可以利用各種方法形成電極和中間層，方法之一是獨(dú)立沉積法。當(dāng)使用沉積法制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備時(shí)，具有與將要形成的有機(jī)層的圖案相同的圖案的精細(xì)金屬掩模(FMM)被設(shè)置成緊密地接觸其上形成有有機(jī)層等的基板，并且在FMM上沉積有機(jī)層材料來形成具有期望圖案的有機(jī)層。
[0005]然而，使用這種FMM的沉積法在使用大的母玻璃制造較大的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備方面存在著困難。例如，當(dāng)使用這種大掩模時(shí)，掩?？赡軙捎谧灾囟鴱澢瑥亩箞D案扭曲。這樣的缺點(diǎn)并不有利于近來朝著高清晰圖案發(fā)展的趨勢。
[0006]另外，使基板和FMM對準(zhǔn)以彼此緊密地接觸的工藝、對其執(zhí)行沉積的工藝以及使FMM與基板分離的工藝是耗時(shí)的，導(dǎo)致制造時(shí)間長且生產(chǎn)效率低。
[0007]在該【背景技術(shù)】部分公開的信息對于本發(fā)明的發(fā)明人而言在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明之前是已經(jīng)知曉的，或者可以包括在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中獲取的技術(shù)信息。因此，該信息可能包含對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言在本國不構(gòu)成已經(jīng)知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的多個方面，制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法適合用在大基板的批量生產(chǎn)中并且能夠?qū)崿F(xiàn)高清晰度圖案化，可以利用該方法來制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，一種制造有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備的方法包括:在基板上連續(xù)地沉積線性圖案的有機(jī)層；在有機(jī)層上沉積第二電極；在第二電極上形成鈍化層以覆蓋第二電極。
[0010]在有機(jī)層上沉積第二電極的步驟可以包括針對多個面板中的每個面板，在有機(jī)層上沉積第二電極，在第二電極上形成鈍化層的步驟可以包括在第二電極上形成鈍化層以覆
蓋第二電極。
[0011]在有機(jī)層上沉積第二電極的步驟可以包括在有機(jī)層上連續(xù)地沉積線性圖案的第二電極，在第二電極上形成鈍化層的步驟可以包括在第二電極上連續(xù)地形成線性圖案的鈍
化層以覆蓋第二電極。[0012]鈍化層可以包括從由三(8-羥基喹啉鋁)(Alq3)、苯基咔唑類化合物和芴類化合物組成的組中選擇的一種或多種材料。
[0013]在形成鈍化層之后，所述方法還可以包括去除所述多個面板的相鄰的面板之間的
有機(jī)層。
[0014]去除相鄰的面板之間的有機(jī)層的步驟可以包括通過使用包含氧(O2)的等離子體的化學(xué)蝕刻來去除有機(jī)層。
[0015]在基板上連續(xù)地沉積線性圖案的有機(jī)層的步驟可以包括:提供包括沉積源、沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片的薄膜沉積設(shè)備使得薄膜沉積設(shè)備與基板分隔開，其中，沉積源包含沉積材料，沉積源噴嘴單元布置在沉積源的側(cè)面處并且包括多個沉積源噴嘴，圖案化縫隙片布置成面向沉積源噴嘴單元并且其內(nèi)形成有多個圖案化縫隙；在沉積過程中使薄膜沉積設(shè)備和基板中的至少一個相對于另一個移動；從沉積源噴射沉積材料以穿過圖案化縫隙片進(jìn)行沉積并在基板上形成圖案。
[0016]圖案化縫隙片可以在第一方向和垂直于第一方向的第二方向中的至少一個方向上比基板小。
[0017]沉積源噴嘴可以沿第一方向布置在沉積源噴嘴單元中，圖案化縫隙可以沿第一方向布置在圖案化縫隙片中，薄膜沉積設(shè)備還可以包括屏蔽板組件，屏蔽板組件沿第一方向布置在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間，并且包括將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分為多個沉積空間的多個屏蔽板。
[0018]所述多個屏蔽板中的每個屏蔽板可以沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸。
[0019]屏蔽板組件可以包括:第一屏蔽板組件，包括多個第一屏蔽板；第二屏蔽板組件，包括多個第二屏蔽板。
[0020]所述多個第一屏蔽板中的每個第一屏蔽板和所述多個第二屏蔽中的每個第二屏蔽板可以沿基本垂直于第一方向的第二方向形成，并且可以將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分為多個沉積空間。
[0021]沉積源噴嘴可以沿第一方向布置在沉積源噴嘴單元中，圖案化縫隙可以沿垂直于第一方向的第二方向布置在圖案化縫隙片中。
[0022]沉積源、沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片可以通過連接構(gòu)件彼此結(jié)合而彼此一體地形成。
[0023]連接構(gòu)件可以弓丨導(dǎo)沉積材料的流動路徑。
[0024]連接構(gòu)件可以形成為從外部密封沉積源、沉積源噴嘴單元與圖案化縫隙片之間的空間。
[0025]在基板上連續(xù)地沉積線性圖案的有機(jī)層的步驟可以包括:提供包括輸送單元、裝載單元、沉積單元和卸載單元的薄膜沉積設(shè)備，其中，輸送單元包括使基板固定并且與基板一起移動的傳遞單元、使固定有基板的傳遞單元沿第一方向移動的第一輸送單元以及在已經(jīng)完成沉積時(shí)使與基板分開的傳遞單元沿與第一方向相反的方向移動的第二輸送單元，裝載單元將基板固定到傳遞單元，沉積單元包括處于真空的室以及將有機(jī)層沉積在被固定到從裝載單元傳遞的傳遞單元的基板上的至少一個有機(jī)層沉積組件，卸載單元使已經(jīng)在穿過沉積單元的同時(shí)完成了沉積的基板與傳遞單元分開，使得薄膜沉積設(shè)備和基板彼此分隔開；在沉積過程中使薄膜沉積設(shè)備和基板中的至少一個相對于另一個移動；從沉積源噴射沉積材料以穿過圖案化縫隙片進(jìn)行沉積并在基板上形成圖案。
[0026]傳遞單元可以在第一輸送單元和第二輸送單元之間循環(huán)移動，被固定到傳遞單元的基板可以在第一輸送單元的作用下移動的同時(shí)與有機(jī)層沉積組件分隔開一定的距離。
[0027]第一輸送單元和第二輸送單元可以穿過沉積單元。
[0028]第一輸送單元和第二輸送單元可以沿豎直方向平行地布置。
[0029]第一輸送單元可以將傳遞單元順序地移動到裝載單元、沉積單元和卸載單元。
[0030]第二輸送單元可以將傳遞單元順序地移動到卸載單元、沉積單元和裝載單元。
[0031]在形成鈍化層之后，所述方法還可以包括去除多個面板中相鄰的面板之間的有機(jī)層。
[0032]去除相鄰的面板之間的有機(jī)層的步驟可以包括通過使用包含氧(O2)的等離子體的化學(xué)蝕刻來去除有機(jī)層。
[0033]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備是通過使用上面描述的方法制造的。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括:基板；多個薄膜晶體管，形成在基板上，并且均包括半導(dǎo)體有源層、與半導(dǎo)體有源層絕緣的柵電極以及與半導(dǎo)體有源層接觸的源電極和漏電極；多個第一電極，形成在所述多個薄膜晶體管的每個薄膜晶體管上，以電連接到該薄膜晶體管；多個有機(jī)層，形成在所述多個第一電極上；第二電極，形成在所述多個有機(jī)層上；鈍化層，形成在第二電極上，以覆蓋第二電極，其中，形成在基板上的所述多個有機(jī)層中的離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)的至少一個有機(jī)層的斜邊的長度大于離所述中心較近地形成的其它有機(jī)層的斜邊的長度，其中，形成在基板上的所述多個有機(jī)層中的所述至少一個有機(jī)層是利用上面描述的方法形成的線性圖案化的有機(jī)層。
[0035]鈍化層可以包括從由三(8-羥基喹啉鋁)(Alq3)、苯基咔唑類化合物和芴類化合物組成的組中選擇的至少一種材料。
[0036]基板可以具有大于或等于40英寸的尺寸。
[0037]所述多個有機(jī)層至少可以包括一個發(fā)射層。
[0038]有機(jī)層可以具有不一致的厚度。
[0039]在離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)地形成的每個有機(jī)層中，離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)的斜邊的長度可以大于另一斜邊的長度。
[0040]在設(shè)置在沉積區(qū)域中的所述多個有機(jī)層中，隨著離沉積區(qū)域的中心的距離的增大，在第一方向上延伸的兩側(cè)的疊置區(qū)域可以形成地越窄。
[0041]設(shè)置在沉積區(qū)域的中心處的有機(jī)層的斜邊可以具有基本相同的長度。
[0042]設(shè)置在沉積區(qū)域中的所述多個有機(jī)層可以關(guān)于沉積區(qū)域的中心對稱地布置。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0043]通過參照附圖進(jìn)一步詳細(xì)地描述本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征和方面將變得更加清楚，在附圖中:
[0044]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備的示意性俯視圖；
[0045]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1的薄膜沉積設(shè)備的沉積單元的示意性側(cè)視圖；
[0046]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1的薄膜沉積設(shè)備的沉積單元的透視圖；[0047]圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3的沉積單元的剖視圖；
[0048]圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3的沉積單元的第一輸送單元和傳遞單元的剖視圖；
[0049]圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件的透視圖；
[0050]圖7是圖6的有機(jī)層沉積組件的側(cè)面剖視圖；
[0051 ] 圖8是圖6的有機(jī)層沉積組件的正面剖視圖；
[0052]圖9是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件的透視圖；
[0053]圖10是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件的透視圖；
[0054]圖11是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片的示意性俯視圖；
[0055]圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的通過使用圖11的圖案化縫隙片在基板上形成的有機(jī)層的示意性剖視圖；
[0056]圖13是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的通過使用薄膜沉積設(shè)備制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的首丨J視圖;
[0057]圖14至圖16是用來解釋根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0058]在下文中，參照 附圖進(jìn)一步詳細(xì)地描述本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例；然而，本發(fā)明的實(shí)施例可以以不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)被解釋為局限于在此示出和闡述的示例性實(shí)施例。相反，通過示例的方式提供這些示例性實(shí)施例，以理解本發(fā)明并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的范圍。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到的，在全都不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以以各種方式修改所描述的實(shí)施例。當(dāng)諸如“……中的至少一個(種)”的表述在一系列元件(要素)之后時(shí)，修飾整個系列的元件(要素)，而不是修飾該系列中的單個元件(要素)。
[0059]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備的示意性俯視圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1的薄膜沉積設(shè)備的沉積單元的示意性側(cè)視圖。
[0060]參照圖1和圖2，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備I包括沉積單元100、裝載單元200、卸載單元300和輸送單元400。
[0061]裝載單元200可以包括第一支架212、傳送室214、第一翻轉(zhuǎn)室218和緩沖室219。
[0062]其上尚未施加沉積材料的多個基板2堆疊在第一支架212上(未示出)。包括在傳送室214中的傳送機(jī)器人從第一支架212拾取基板2中的一個，將該基板設(shè)置在由輸送單元400的第二輸送單元420傳遞的傳遞單元430上，并將其上設(shè)置有基板2的傳遞單元430移動到第一翻轉(zhuǎn)室218中。
[0063]第一翻轉(zhuǎn)室218設(shè)置為鄰近傳送室214。第一翻轉(zhuǎn)室218包括將傳遞單元430翻轉(zhuǎn)然后將傳遞單元430裝載在輸送單元400的第一輸送單元410上的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人。
[0064]傳送室214的傳送機(jī)器人將一個基板2放置在傳遞單元430的頂表面上，其上設(shè)置有基板2的傳遞單元430然后被傳遞到第一翻轉(zhuǎn)室218中。第一翻轉(zhuǎn)室218的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人將傳遞單元430翻轉(zhuǎn)，使得基板2在沉積單元100中被上下顛倒。
[0065]在一個實(shí)施例中，卸載單元300被構(gòu)造為以與上面描述的裝載單元200的方式相反的方式操作。即，在一個實(shí)施例中，第二翻轉(zhuǎn)室328中的第二翻轉(zhuǎn)機(jī)器人將已經(jīng)穿過沉積單元100同時(shí)基板2設(shè)置在傳遞單元430上的傳遞單元430翻轉(zhuǎn)，然后將其上設(shè)置有基板2的傳遞單元430移動到排出室324中。然后，排出機(jī)器人將其上設(shè)置有基板2的傳遞單元430從排出室324取出，將基板2與傳遞單元430分開，然后將基板2裝載在第二支架322上。與基板2分開的傳遞單元430經(jīng)由第二輸送單元420返回到裝載單元200。
[0066]然而，本發(fā)明不限于上面描述的實(shí)施例。例如，在另一實(shí)施例中，當(dāng)將基板2設(shè)置在傳遞單元430上時(shí)，基板2可以被固定到傳遞單元430的底表面上，然后被移動到沉積單元100中。在這樣的實(shí)施例中，例如，可以省略第一翻轉(zhuǎn)室218的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人和第二翻轉(zhuǎn)室328的第二翻轉(zhuǎn)機(jī)器人。
[0067]沉積單元100可以包括至少一個用于沉積的室。在一個實(shí)施例中，如圖1和圖2中所示，沉積單元100包括室101，在室101中，設(shè)置多個有機(jī)層沉積組件100-1、100-2、……、100-no參照圖1，在室101中設(shè)置有11個有機(jī)層沉積組件，即，第一有機(jī)層沉積組件100-1、第二有機(jī)層沉積組件100-2、……、第十一有機(jī)層沉積組件100-11。然而，在其它實(shí)施例中，有機(jī)層沉積組件的數(shù)量可以例如隨著期望的沉積材料和/或沉積條件而變化。在一個實(shí)施例中，在沉積工藝期間將室101保持在真空。
[0068]在圖1中示出的實(shí)施例中，通過第一輸送單元410，基板2被固定在其上的傳遞單元430可以至少移動到沉積單元100或者可以順序地移動到裝載單元200、沉積單元100和卸載單元300，在卸載單元300中與基板2分開的傳遞單元430可以通過第二輸送單元420被移回到裝載單元200。
[0069]在一個實(shí)施例中，第一輸送單元410在穿過沉積單元100時(shí)穿過室101，第二輸送單元420輸送與基板2分開的傳遞單元430。
[0070]在一個實(shí)施例中，如圖2所示，薄膜沉積設(shè)備I被構(gòu)造為使得第一輸送單元410和第二輸送單元420分別設(shè)置在有機(jī)層沉積組件100-1、100-2、……、100_n的上方和下方，從而在穿過第一輸送單元410的同時(shí)已經(jīng)在其上完成了沉積的傳遞單元430在卸載單元300中與基板2分開之后，傳遞單元430經(jīng)由形成在第一輸送單元410下方的第二輸送單元420返回到裝載單元200，從而薄膜沉積設(shè)備I可以具有提高的空間利用效率。
[0071]在一個實(shí)施例中，沉積單元100還可以包括設(shè)置在有機(jī)層沉積組件100-1、
100-2、......、100-n中的每個的側(cè)面的沉積源更換單元190。盡管在圖中沒有具體示出，但
是沉積源更換單元190可以形成為可從有機(jī)層沉積組件100-1、100-2、……、100-n中的每個拉到外部的卡帶形式。因此，可以容易地更換有機(jī)層沉積組件100-1的沉積源110(參見圖3)。
[0072]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備I的沉積單元100的透視圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沉積單元100的剖視圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沉積單元100的第一輸送單元410和傳遞單元430的剖視圖。
[0073]參照圖3和圖4，薄膜沉積設(shè)備I的沉積單元100包括至少一個有機(jī)層沉積組件100-1與輸送單元400。
[0074]下面進(jìn)一步描述沉積單元100的總體結(jié)構(gòu)。
[0075]室101可以形成為中空的盒子形式并且容納至少一個有機(jī)層沉積組件100-1和傳遞單元430。在一個實(shí)施例中，形成腳部102，從而將沉積單元100固定在地上，下殼體103設(shè)置在腳部102上，上殼體104設(shè)置在下殼體103上。室101容納下殼體103和上殼體104二者。在一個實(shí)施例中，下殼體103和室101的連接部被密封，使得室101的內(nèi)部與外部完全隔離。由于下殼體103和上殼體104設(shè)置在固定于地上的腳部102上的結(jié)構(gòu)，所以即使室101重復(fù)地收縮和膨脹，下殼體103和上殼體104也可以保持在固定位置。因此，下殼體103和上殼體104可以用作沉積單元100中的基準(zhǔn)框架。
[0076]在一個實(shí)施例中，上殼體104包括有機(jī)層沉積組件100-1和輸送單元400的第一輸送單元410，下殼體103包括輸送單元400的第二輸送單元420。在傳遞單元430在第一輸送單元410和第二輸送單元420之間循環(huán)移動的同時(shí)，連續(xù)執(zhí)行沉積工藝。
[0077]下面更詳細(xì)地描述有機(jī)層沉積組件100-1的組件。
[0078]第一有機(jī)層沉積組件100-1包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120、圖案化縫隙片130、屏蔽構(gòu)件140、第一臺階150、第二臺階160、照相機(jī)170和傳感器180。在一個實(shí)施例，圖3和圖4中示出的所有元件可以布置在保持在適當(dāng)?shù)恼婵諣顟B(tài)的室101中，以實(shí)現(xiàn)沉積材料的線性。
[0079]在一個實(shí)施例中，為了將已經(jīng)從沉積源110排放出來并且穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片130的沉積材料115以期望的圖案沉積到基板2上，期望將室101保持在與FMM的沉積方法中使用的真空狀態(tài)相同的真空狀態(tài)。另外，期望的是，圖案化縫隙片130的溫度比沉積源110的溫度(大約100°C或更低)足夠地低，這是因?yàn)楫?dāng)圖案化縫隙片130的溫度足夠低時(shí)，可以使圖案化縫隙片130因溫度的熱膨脹最小化或減小該熱膨脹。
[0080]其上將要沉積沉積材料115的基板2布置在室101中?；?可以為用于平板顯示設(shè)備的基板。例如，用于制造多個平板顯示設(shè)備的諸如母玻璃的尺寸等于或大于40英寸的大基板可以用作基板2。
[0081]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以在基板2和有機(jī)層沉積組件100-1中的至少一個相對于另一個移動的同時(shí)執(zhí)行沉積工藝。在一個實(shí)施例中，可以在基板2相對于有機(jī)層沉積組件100-1移動的同時(shí)執(zhí)行沉積工藝。
[0082]在利用FMM的傳統(tǒng)沉積方法中，F(xiàn)MM的尺寸需要與基板的尺寸相同。因此，隨著基板的尺寸增加，F(xiàn)MM也需要為大尺寸。由于這些問題，導(dǎo)致難以制造FMM并且由于拉伸FMM而難以按照精確圖案對準(zhǔn)FMM。
[0083]在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件100-1中，可以在有機(jī)層沉積組件100-1和基板2中的至少一個相對于另一個移動的同時(shí)執(zhí)行沉積。換言之，可以在面對有機(jī)層沉積組件100-1的基板2沿著一定的方向(例如，Y軸方向)移動的同時(shí)連續(xù)地執(zhí)行沉積。SP，在基板2沿著圖3中示出的箭頭“A”的方向移動的同時(shí)，按照掃描方式執(zhí)行沉積。雖然基板2被示出為在執(zhí)行沉積時(shí)在圖3的室101中沿著Y軸方向移動，但是本發(fā)明不限于此。例如，在一個實(shí)施例中，可以在有機(jī)層沉積組件100-1沿著一定的方向(例如，Y軸方向)移動并且基板2保持在固定位置的同時(shí)執(zhí)行沉積。
[0084]因此，在有機(jī)層沉積組件100-1中，圖案化縫隙片130可以比在傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM小得多。換言之，在有機(jī)層沉積組件100-1中，可以在基板2沿著Y軸方向移動的同時(shí)連續(xù)地執(zhí)行沉積，即，以掃描方式連續(xù)地執(zhí)行沉積。因此，圖案化縫隙片130沿X軸方向和Y軸方向的長度中的至少一個可以遠(yuǎn)小于基板2的長度。由于圖案化縫隙片130可以形成為比傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM小得多，所以容易制造圖案化縫隙片130。這樣，與傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM相比，小的圖案化縫隙片130在包括以下工藝的一些或所有制造工藝中更為有利:精確拉伸之后的蝕刻工藝、焊接工藝、傳遞工藝和清洗工藝。另外，更有利于制造相對大的顯示設(shè)備。
[0085]為了在有機(jī)層沉積組件100-1和基板2中的至少一個相對于另一個移動的同時(shí)執(zhí)行沉積，如上所述，有機(jī)層沉積組件100-1和基板2可以彼此分隔開特定的距離。下面對此進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0086]包含并加熱沉積材料115的沉積源110設(shè)置在與在室101中設(shè)置有基板2的側(cè)面相對的側(cè)面處。隨著包含在沉積源110中的沉積材料115蒸發(fā)，對基板2執(zhí)行沉積。
[0087]在一個實(shí)施例中，沉積源110包括:坩堝111，沉積材料115填充在坩堝111中；力口熱器112，加熱坩堝111，以使填充在坩堝111中的沉積材料115朝向坩堝111的側(cè)面蒸發(fā)，具體地，朝向沉積源噴嘴單元120蒸發(fā)。
[0088]在一個實(shí)施例中，沉積源噴嘴單元120設(shè)置在沉積源110的面對基板2的側(cè)面。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件在執(zhí)行用于形成公共層和圖案層的沉積過程中均可以包括不同的沉積噴嘴。雖然未示出，但是多個沉積源噴嘴121可以在用于形成圖案層的沉積源噴嘴單元120上沿一定的方向(例如，Y軸方向)形成，即，沿基板2的掃描方向形成。在一個實(shí)施例中，沉積源噴嘴121形成為使得在一定的方向(例如，X軸方向)上僅存在一個沉積源噴嘴121，從而可以極大地減少陰影的出現(xiàn)。在一個實(shí)施例中，多個沉積源噴嘴121可以沿X軸方向形成在沉積源噴嘴單元120上，用以形成公共層。因此，可以改善公共層的厚度均勻性。
[0089]在一個實(shí)施例中，圖案化縫隙片130可以設(shè)置在沉積源110和基板2之間。圖案化縫隙片130可以包括形狀與窗口框架相似的框架。圖案化縫隙片130包括沿著一定方向(例如，X軸方向)布置的多個圖案化縫隙131。已經(jīng)在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片130，然后沉積到基板2上。可以利用與用于形成FMM (具體地，條紋型掩模)的方法相同的方法(例如，蝕刻)來形成圖案化縫隙片130。在一個實(shí)施例中，圖案化縫隙131的總數(shù)可以多于沉積源噴嘴121的總數(shù)。
[0090]在一個實(shí)施例中，沉積源110 (和結(jié)合到沉積源110的沉積源噴嘴單元120)與圖案化縫隙片130可以彼此分隔開特定的距離。
[0091]如上所述，在有機(jī)層沉積組件100-1相對于基板2移動的同時(shí)執(zhí)行沉積。為了使有機(jī)層沉積組件100-1相對于基板2移動，圖案化縫隙片130被設(shè)置為與基板2分隔開特定的距離。
[0092]在利用FMM的傳統(tǒng)沉積方法中，為了防止在基板上形成陰影，在FMM與基板緊密接觸的情況下執(zhí)行沉積。然而，當(dāng)FMM形成為與基板緊密地接觸時(shí)，會發(fā)生由于基板與FMM之間的接觸導(dǎo)致的缺陷。另外，由于難以使掩模相對于基板移動，所以掩模和基板需要形成為相同的尺寸。因此，隨著顯示裝置的尺寸增加，需要大的掩模。然而，難以形成大的掩模。
[0093]在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件100-1中，圖案化縫隙片130形成為與將要在其上沉積沉積材料的基板2分隔開特定的距離。
[0094]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以在形成為比基板小的掩模相對于基板移動的同時(shí)執(zhí)行沉積，因此容易制造掩模。另外，可以防止或基本防止由于基板和掩模之間的接觸導(dǎo)致的缺陷。另外，由于在沉積工藝期間無需使基板與掩模緊密接觸，所以可以提高制造速度。[0095]下面根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例來進(jìn)一步描述上殼體104的每個元件的設(shè)置。
[0096]沉積源110和沉積源噴嘴單元120設(shè)置在上殼體104的底部。容納部分104_1分別形成在沉積源Iio和沉積源噴嘴單元120的兩側(cè)上，以具有突出形狀。在一個實(shí)施例中，第一臺階150、第二臺階160和圖案化縫隙片130順序地布置在容納部分104-1上。
[0097]在一個實(shí)施例中,第一臺階150形成為沿著X軸方向和Y軸方向移動，使得第一臺階150沿著X軸方向和Y軸方向與圖案化縫隙片130對準(zhǔn)。即，第一臺階150包括多個致動器，使得第一臺階150相對于上殼體104沿著X軸方向和Y軸方向移動。
[0098]第二臺階160形成為沿著Z軸方向移動，以沿著Z軸方向?qū)?zhǔn)圖案化縫隙片130。即，第二臺階160包括多個致動器，并且形成為相對于第一臺階150沿著Z軸方向移動。
[0099]圖案化縫隙片130設(shè)置在第一臺階150和第二臺階160上，以沿著X軸方向、Y軸方向和Z軸方向移動，因此，可以執(zhí)行基板2和圖案化縫隙片130之間的對準(zhǔn)(具體地，實(shí)時(shí)對準(zhǔn))。
[0100]另外，上殼體104、第一臺階150和第二臺階160可以引導(dǎo)沉積材料115的流動路徑，使得通過沉積源噴嘴121排放的沉積材料115不分散到流動路徑外部。即，沉積材料115的流動路徑可以被上殼體104、第一臺階150和第二臺階160密封，因此，于是可以同時(shí)弓I導(dǎo)沉積材料115沿著X軸方向和Y軸方向的移動。
[0101]屏蔽構(gòu)件140可以設(shè)置在圖案化縫隙片130和沉積源110之間，以防止或基本防止有機(jī)材料沉積在基板2的非膜形成區(qū)域上。雖然未示出，但是屏蔽構(gòu)件140可以包括兩塊相鄰的板。基板2的非膜形成區(qū)域被屏蔽構(gòu)件140遮蔽，因此，可以在不使用單獨(dú)結(jié)構(gòu)的情況下防止或基本防止有機(jī)材料沉積在基板2的非膜形成區(qū)域上。
[0102]下面更詳細(xì)地描述對其上將要沉積沉積材料115的基板2進(jìn)行輸送的輸送單元400。參照圖3和圖4，輸送單元400包括第一輸送單元410、第二輸送單元420和傳遞單元430。
[0103]第一輸送單元410以在線方式輸送包括運(yùn)送器431和附于運(yùn)送器431的靜電卡盤432的傳遞單元430以及附于傳遞單元430的基板2，使得可以通過有機(jī)層沉積組件100-1將有機(jī)層形成在基板2上。在一個實(shí)施例中，第一輸送單元410包括線圈411、引導(dǎo)構(gòu)件412、上磁懸浮軸承413、側(cè)面磁懸浮軸承414以及間隙傳感器415和416。
[0104]在傳遞單元430穿過沉積單元100的同時(shí)完成了一個沉積循環(huán)之后，第二輸送單元420將已經(jīng)在卸載單元300中與基板2分開的傳遞單元430返回裝載單元200。在一個實(shí)施例中，第二輸送單元420包括線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423。
[0105]傳遞單元430包括:運(yùn)送器431，沿著第一輸送單元410和第二輸送單元420進(jìn)行輸送；靜電卡盤432,結(jié)合在運(yùn)送器431的表面上并且基板2附于靜電卡盤432。
[0106]下面更詳細(xì)地描述輸送單元400的組件。
[0107]現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述傳遞單元430的運(yùn)送器431。
[0108]在一個實(shí)施例中，運(yùn)送器431包括主體部件43la、磁軌43lb、非接觸式電源(CPS)模塊431c、電源單元431d和引導(dǎo)槽431e。
[0109]主體部件431a構(gòu)成運(yùn)送器431的基礎(chǔ)部件，并且可以由諸如鐵的磁性材料形成。在一個實(shí)施例中，由于主體部件431a與下面描述的各個上磁懸浮軸承413和側(cè)面磁懸浮軸承414之間的排斥力，使得可以將運(yùn)送器431保持為與引導(dǎo)構(gòu)件412分隔開特定的距離。[0110]引導(dǎo)槽431e可以分別形成在主體部件431a的兩側(cè)處，并且均可以容納引導(dǎo)構(gòu)件412的引導(dǎo)突起412e。
[0111]磁軌431b可以在主體部件431a行進(jìn)的方向上沿著主體部件431a的中線形成。下面描述的磁軌431b和線圈411可以彼此結(jié)合以構(gòu)成線性電動機(jī)，可以在線性電動機(jī)的作用下沿著箭頭“A”的方向輸送運(yùn)送器431。
[0112]CPS模塊431c和電源單元431d可以在主體部件431a中分別形成在磁軌431b的兩側(cè)。電源單元431d可以是提供電力的用于充電的電池，使得靜電卡盤432卡住基板2并且保持操作。CPS模塊431c可以是為電源單元431d充電的無線充電模塊。在一個實(shí)施例中，形成在第二輸送單元420中的充電軌道423 (下面描述)連接到逆變器(未示出)，因此，當(dāng)運(yùn)送器431被傳遞到第二輸送單元420時(shí)，在充電軌道423和CPS模塊431c之間形成磁場，從而為CPS模塊431c供電。供應(yīng)到CPS模塊431c的電力用來為電源單元43Id充電。
[0113]靜電卡盤432可以包括嵌入在由陶瓷形成的主體中的電極，其中，向所述電極供電。當(dāng)向電極施加高電壓時(shí)，基板2被附于靜電卡盤432的主體的表面上。
[0114]下面更詳細(xì)地描述傳遞單元430的操作。
[0115]主體部件431a的磁軌431b和線圈411可以彼此結(jié)合以構(gòu)成操作單元。所述操作單元可以是線性電動機(jī)。與傳統(tǒng)的滑動導(dǎo)軌系統(tǒng)相比，線性電動機(jī)具有小的摩擦系數(shù)、小的位置誤差以及非常高程度的位置確定。如上所述，線性電動機(jī)可以包括線圈411和磁軌431b。磁軌431b線性地設(shè)置在運(yùn)送器431上，多個線圈411可以以特定的距離設(shè)置在室101的內(nèi)側(cè)，以面對磁軌431b。由于磁軌431b設(shè)置在運(yùn)送器431上而不是線圈411上，所以運(yùn)送器431可以在沒有被供應(yīng)電力的情況下操作。關(guān)于這一點(diǎn)，線圈411可以形成在大氣(ATM)箱中，磁軌431b所附于的運(yùn)送器431可以在保持在真空的室101中移動。
[0116]下面更詳細(xì)地描述第一輸送單元410和傳遞單元430。
[0117]參照圖5，第一輸送單元410輸送對基板2進(jìn)行固定的靜電卡盤432并且輸送對靜電卡盤432進(jìn)行輸送的運(yùn)送器431。在一個實(shí)施例中，第一輸送單元410包括線圈411、引導(dǎo)構(gòu)件412、上磁懸浮軸承413、側(cè)面磁懸浮軸承414以及間隙傳感器415和416。
[0118]線圈411和引導(dǎo)構(gòu)件412形成在上殼體104內(nèi)部。線圈411形成在上殼體104的上部，引導(dǎo)構(gòu)件412分別形成在上殼體104的兩個內(nèi)側(cè)。
[0119]引導(dǎo)構(gòu)件412引導(dǎo)運(yùn)送器431沿著一定的方向移動。引導(dǎo)構(gòu)件412形成為穿過沉積單元100。
[0120]側(cè)面磁懸浮軸承414均設(shè)置在引導(dǎo)構(gòu)件412的連接部件412c中，從而分別對應(yīng)于運(yùn)送器431的兩側(cè)。側(cè)面磁懸浮軸承414使運(yùn)送器431和引導(dǎo)構(gòu)件412之間具有距離，從而運(yùn)送器431以不與引導(dǎo)構(gòu)件412接觸的方式沿著引導(dǎo)構(gòu)件412移動。S卩，在圖5的左側(cè)的側(cè)面磁懸浮軸承414和運(yùn)送器431 (為磁性材料)之間出現(xiàn)的排斥力Rl與在圖5的右側(cè)的側(cè)面磁懸浮軸承414和運(yùn)送器431 (為磁性材料)之間出現(xiàn)的排斥力R2保持平衡，因此，在運(yùn)送器431和各個引導(dǎo)構(gòu)件412之間存在恒定的或基本恒定的距離。
[0121]每個上磁懸浮軸承413可以設(shè)置在引導(dǎo)構(gòu)件412的第二容納部件412b中，以位于運(yùn)送器431上方。上磁懸浮軸承413能夠使運(yùn)送器431以與引導(dǎo)構(gòu)件412的第二容納部件412b和第一容納部件412a不接觸且使運(yùn)送器431與引導(dǎo)構(gòu)件412的第二容納部件412b和第一容納部件412a之間的距離保持恒定或基本恒定的方式沿著引導(dǎo)構(gòu)件412移動。S卩，在上磁懸浮軸承413和運(yùn)送器431 (為磁性材料)之間出現(xiàn)的排斥力R3與重力G保持平衡，因此，運(yùn)送器431和對應(yīng)的引導(dǎo)構(gòu)件412之間的距離恒定或基本恒定。
[0122]每個引導(dǎo)構(gòu)件412還可以包括間隙傳感器415。間隙傳感器415可以測量運(yùn)送器431與引導(dǎo)構(gòu)件412之間的距離。間隙傳感器416可以設(shè)置在側(cè)面磁懸浮軸承414的側(cè)面。間隙傳感器416可以測量運(yùn)送器431的側(cè)表面與側(cè)面磁懸浮軸承414之間的距離。
[0123]上磁懸浮軸承413的磁力和側(cè)面磁懸浮軸承414的磁力可以根據(jù)間隙傳感器415和416測量的值改變，因此，可以實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)運(yùn)送器431與各引導(dǎo)構(gòu)件412之間的距離。SP，可以利用上磁懸浮軸承413、側(cè)面磁懸浮軸承414以及間隙傳感器415和416對運(yùn)送器431的精確傳遞進(jìn)行反饋控制。
[0124]下面更詳細(xì)地描述第二輸送單元420和傳遞單元430。
[0125]返回參照圖4，第二輸送單元420將已經(jīng)在卸載單元300中與基板2分開的靜電卡盤432和運(yùn)送靜電卡盤432的運(yùn)送器431返回到裝載單元200。在一個實(shí)施例中，第二輸送單元420包括線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423。
[0126]在一個實(shí)施例中，線圈421、棍式引導(dǎo)件422和充電軌道423可以位于下殼體103內(nèi)部。線圈421和充電軌道423可以設(shè)置在下殼體103的頂部內(nèi)表面處，輥式引導(dǎo)件422可以設(shè)置在下殼體103的兩個內(nèi)側(cè)處。線圈421可以與第一輸送單兀410的線圈411 一樣設(shè)置在ATM箱中。
[0127]與第一輸送單元410 —樣，第二輸送單元420也可以包括線圈421，運(yùn)送器431的主體部件431a的磁軌431b和線圈421彼此結(jié)合，以構(gòu)成操作單元。關(guān)于這一點(diǎn)，所述操作單元可以為線性電動機(jī)。運(yùn)送器431可以沿著與圖3中示出的箭頭“A”的方向相反的方向在線性電動機(jī)的作用下移動。
[0128]輥式引導(dǎo)件422引導(dǎo)運(yùn)送器431沿著一定的方向移動。在一個實(shí)施例中，輥式引導(dǎo)件422形成為穿過沉積單元100。
[0129]第二輸送單元420用在使已經(jīng)與基板2分開的運(yùn)送器431返回的工藝中，而沒有用在將有機(jī)材料沉積在基板2上的工藝中，因此，第二輸送單元420的位置準(zhǔn)確度可以不如第一輸送單元410的位置精確度。因此，對第一輸送單元410施加磁懸浮，從而獲得高的位置準(zhǔn)確度，可以對需要相對低的位置準(zhǔn)確度的第二輸送單元420應(yīng)用傳統(tǒng)的輥?zhàn)臃椒?，從而降低制造成本并且簡化薄膜沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)。盡管未在圖4中示出，但是也可以如第一輸送單兀410中一樣對第二輸送單兀420施加磁懸浮。
[0130]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備I的有機(jī)層沉積組件100-1還可以包括用于對準(zhǔn)工藝的照相機(jī)170和傳感器180。照相機(jī)170可以使在圖案化縫隙片130的框架中形成的第一對準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)和在基板2上形成的第二對準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)實(shí)時(shí)對準(zhǔn)。傳感器180可以是共焦傳感器。由于能夠利用照相機(jī)170和傳感器180實(shí)時(shí)測量基板2與圖案化縫隙片130之間的距離，所以可以使基板2與圖案化縫隙片130實(shí)時(shí)對準(zhǔn)，從而可以顯著地改善圖案的位置準(zhǔn)確度。
[0131]可以利用將參照圖14更詳細(xì)地解釋的薄膜沉積設(shè)備I來形成諸如有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的有機(jī)層的薄膜。
[0132]圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件的透視圖。圖7是圖6的有機(jī)層沉積組件的側(cè)面剖視圖。圖8是圖6的有機(jī)層沉積組件的正面剖視圖。[0133]參照圖6至圖8，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件700包括沉積源710、沉積源噴嘴單元720、屏蔽板組件730和圖案化縫隙片750。
[0134]沉積源710包括:坩堝711，沉積材料715填充在坩堝711中；加熱器712，加熱坩堝711并使填充在坩堝711中的沉積材料715朝向沉積源噴嘴單元720蒸發(fā)。沉積源噴嘴單元720設(shè)置在沉積源710的側(cè)面處，多個噴嘴721沿一定的方向(例如，X軸方向)形成在沉積源噴嘴單元720中。
[0135]屏蔽板組件730設(shè)置在沉積源噴嘴單元720的側(cè)面處。屏蔽板組件730包括多個屏蔽板731和設(shè)置在屏蔽板731外部的屏蔽板框架732。多個屏蔽板731可以沿X軸方向平行地設(shè)置。多個屏蔽板731可以以相等的間隔形成。另外，每個屏蔽板731可以沿圖6中示出的Y-Z平面延伸，并且可以具有矩形形狀。多個屏蔽板731將沉積源噴嘴單元720與圖案化縫隙片750之間的空間劃分為多個沉積空間S (參見圖8)。即，在有機(jī)層沉積組件700中，根據(jù)噴射沉積材料715所通過的沉積源噴嘴721，屏蔽板731將空間劃分為沉積空間S。這樣，由于沉積源710、沉積源噴嘴單元720與圖案化縫隙片750之間的空間被屏蔽板731劃分為多個沉積空間S，所以從一個沉積源噴嘴721排出的沉積材料715不與從其它沉積源噴嘴721排出的沉積材料715混合，并且穿過圖案化縫隙751而沉積到基板2上。即，屏蔽板731引導(dǎo)沉積材料715的流動路徑，從而從每個沉積源噴嘴721排出的沉積材料715沿Z軸方向直線移動而沒有被分散。
[0136]這樣，由于屏蔽板731提供了沉積材料715的線性，所以可以顯著地減小形成在基板2上的陰影的尺寸。因此，有機(jī)層沉積組件700和基板2可以彼此分隔開特定的距離。
[0137]圖案化縫隙片750進(jìn)一步設(shè)置在沉積源710和基板2之間。圖案化縫隙片750還包括形狀與窗口框架相似的框架755，多個圖案化縫隙751沿一定的方向(例如，X軸方向)形成在圖案化縫隙片750中。在沉積源710中蒸發(fā)的沉積材料715穿過沉積源噴嘴單元720和圖案化縫隙片750，并沉積到基板2上。
[0138]圖9是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件的透視圖。
[0139]參照圖9，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件800包括沉積源810、沉積源噴嘴單元820、第一屏蔽板組件830、第二屏蔽板組件840和圖案化縫隙片850。包括其內(nèi)填充有沉積材料815的坩堝811和加熱坩堝811并使填充在坩堝811中的沉積材料815蒸發(fā)的加熱器812的沉積源810、沉積源噴嘴單元820、包括多個第一屏蔽板831和一個屏蔽板框架832的第一屏蔽板組件830以及包括框架855的圖案化縫隙片850可以與上面描述的有機(jī)層沉積組件700中的那些組件相同或相似，因此，將不給出對其的詳細(xì)解釋。有機(jī)層沉積組件800與上面描述的有機(jī)層沉積組件700的不同之處在于第二屏蔽板組件840設(shè)置在第一屏蔽板組件830的側(cè)面處。
[0140]在一個實(shí)施例中，第二屏蔽板組件840包括多個第二屏蔽板841和設(shè)置在第二屏蔽板841外部的第二屏蔽板框架842。第二屏蔽板841可以沿X軸方向平行地設(shè)置。在一個實(shí)施例中，第二屏蔽板841可以以相等的間隔形成。另外，每個第二屏蔽板841可以形成為平行于圖9中示出的Y-Z平面，例如以與X軸方向垂直。
[0141]以這種方式設(shè)置的多個第一屏蔽板831和第二屏蔽板841劃分沉積源噴嘴單元820和圖案化縫隙片850之間的空間。S卩，由于第一屏蔽板831和第二屏蔽板841，使得根據(jù)噴射沉積材料815所通過的沉積源噴嘴821將該空間劃分為多個沉積空間。[0142]第二屏蔽板841可以被設(shè)置成以一對一的方式分別對應(yīng)于第一屏蔽板831。在一個實(shí)施例中，第二屏蔽板841和第一屏蔽板831可以彼此對準(zhǔn)，以彼此平行。即，彼此對應(yīng)的第一屏蔽板831和第二屏蔽板841可以設(shè)置在同一平面上。雖然在X軸方向上第一屏蔽板831的長度和第二屏蔽板841的寬度在圖9中看起來相同，但是本發(fā)明不限于此。即，需要與圖案化縫隙片850的圖案化縫隙851精確地對準(zhǔn)的第二屏蔽板841可以形成為相對地薄，而不需要與圖案化縫隙片850的圖案化縫隙851精確地對準(zhǔn)的第一屏蔽板831可以形成為相對地厚，從而使制造工藝容易。
[0143]圖10是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件的透視圖。
[0144]參照圖10，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件900包括沉積源910、沉積源噴嘴單元920和圖案化縫隙片950。
[0145]沉積源910包括:坩堝911，沉積材料915填充在坩堝911中；加熱器912，加熱坩堝911并使填充在坩堝911中的沉積材料915朝向沉積源噴嘴單元920蒸發(fā)。沉積源噴嘴單元920設(shè)置在沉積源910的側(cè)面處，多個沉積源噴嘴921沿一定的方向(例如，Y軸方向)形成在沉積源噴嘴單元920中。圖案化縫隙片950和框架955進(jìn)一步設(shè)置在沉積源910和基板2之間，多個圖案化縫隙951和間隔件(未示出)沿X軸方向形成在圖案化縫隙片950中和圖案化縫隙片950上。沉積源910、沉積源噴嘴單元920和圖案化縫隙片950通過連接構(gòu)件935彼此結(jié)合。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，連接構(gòu)件935引導(dǎo)沉積材料915的流動路徑，并且可以形成為從外部密封沉積源910、沉積源噴嘴單元920和圖案化縫隙片950之間的空間。
[0146]沉積源噴嘴單元920的多個沉積源噴嘴921的布置與前面描述的實(shí)施例的沉積源噴嘴單元的多個沉積源噴嘴的布置不同，因此下面提供對其的進(jìn)一步解釋。
[0147]沉積源噴嘴單元920設(shè)置在沉積源910的側(cè)面處，即，沉積源910的面對基板2的側(cè)面處。多個沉積源噴嘴921沿Y軸方向形成在沉積源噴嘴單元920中，即，沿基板2的掃描方向形成在沉積源噴嘴單元920中。在一個實(shí)施例中，多個沉積源噴嘴921可以以相等的間隔形成。在沉積源910中蒸發(fā)的沉積材料915穿過沉積源噴嘴單元920，并沉積到基板2上。結(jié)果，在有機(jī)層沉積組件900中，沉積源噴嘴921沿基板2的掃描方向形成。在這種情況下，當(dāng)沉積源噴嘴921沿X軸方向設(shè)置時(shí)，沉積源噴嘴921與圖案化縫隙951之間的距離不同，并且由于從遠(yuǎn)離圖案化縫隙951的沉積源噴嘴921噴射的沉積材料915而導(dǎo)致出現(xiàn)陰影。因此，由于僅形成一個沉積源噴嘴921以沿X軸方向存在，所以可以極大地減少陰影。另外，由于多個沉積源噴嘴921存在于掃描方向上，所以即使單個沉積源噴嘴之間存在流量差，也可以彌補(bǔ)該流量差并且可以保持沉積均勻性恒定。
[0148]現(xiàn)在將更詳細(xì)地解釋形成在薄膜沉積設(shè)備上的有機(jī)層的結(jié)構(gòu)。
[0149]圖11是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片的示意性俯視圖。圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的通過使用圖11的圖案化縫隙片在基板上形成的有機(jī)層的示意性剖視圖。
[0150]圖11和圖12示出了圖案化縫隙131以相等的間隔布置在其內(nèi)的圖案化縫隙片130。即，在一個實(shí)施例中，圖案化縫隙131的布置滿足下面的條件:11=12=13=14。
[0151]如圖12所示，在一個實(shí)施例中，沿著沉積空間DS的中線C排放的沉積材料的入射角基本上垂直于基板2。因此，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131a的沉積材料形成的有機(jī)層Pl具有最小尺寸的陰影，右側(cè)陰影SRl和左側(cè)陰影SLl形成為彼此對稱或基本對稱。
[0152]然而，隨著離中線C的距離的增大，穿過距離沉積空間DS的中線C設(shè)置得較遠(yuǎn)的圖案化縫隙的沉積材料的入射角逐漸增大，在一個實(shí)施例中，穿過最外側(cè)圖案化縫隙131e的沉積材料的入射角Θ e為大約55°。因此，沉積材料以相對于圖案化縫隙131e傾斜的方式入射，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131e的沉積材料形成的有機(jī)層P5具有最大的陰影。具體地講，左側(cè)陰影SL5比右側(cè)陰影SR5大。
[0153]S卩，隨著沉積材料的入射角增大，陰影的尺寸也增大。具體地講，在距離沉積空間DS的中線C較遠(yuǎn)的位置處的陰影的尺寸增大。另外，隨著沉積空間DS的中線C與各圖案化縫隙之間的距離增大，沉積材料的入射角增大。因此，利用穿過設(shè)置為距離沉積空間DS的中線C較遠(yuǎn)的圖案化縫隙的沉積材料形成的有機(jī)層具有較大的陰影尺寸。具體地講，在各有機(jī)層的兩側(cè)上的陰影中，在距離沉積空間DS的中線C較遠(yuǎn)的側(cè)面處的陰影的尺寸大于距離中線C較近的側(cè)面處的陰影的尺寸。
[0154]S卩，參照圖12，形成在沉積空間DS的中線C的左側(cè)上的有機(jī)層具有左斜邊比右斜邊長的結(jié)構(gòu)，形成在沉積空間DS的中線C的右側(cè)上的有機(jī)層具有右斜邊比左斜邊長的結(jié)構(gòu)。
[0155]另外，在形成在沉積空間DS的中線C的左側(cè)上的有機(jī)層中，左斜邊的長度朝向左部增大。在形成在沉積空間DS的中線C的右側(cè)上的有機(jī)層中，右斜邊的長度朝向右部增大。因此，形成在沉積空間DS中的有機(jī)層可以形成為關(guān)于沉積空間DS的中線C彼此對稱或基本對稱。
[0156]現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述這種結(jié)構(gòu)。
[0157]穿過圖案化縫隙131b的沉積材料以入射角Θ b穿過圖案化縫隙131b，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131b的沉積材料形成的有機(jī)層P2具有尺寸為SL2的左側(cè)陰影。類似地，穿過圖案化縫隙131c的沉積材料以入射角Θ c穿過圖案化縫隙131c，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131c的沉積材料形成的有機(jī)層P3具有尺寸為SL3的左側(cè)陰影。類似地，穿過圖案化縫隙131d的沉積材料以入射角Θ d穿過圖案化縫隙131d，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131d的沉積材料形成的有機(jī)層P4具有尺寸為SL4的左側(cè)陰影。類似地，穿過圖案化縫隙131e的沉積材料以入射角Θ e穿過圖案化縫隙131e，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131e的沉積材料形成的有機(jī)層P5具有尺寸為SL5的左側(cè)陰影。關(guān)于這一點(diǎn)，入射角滿足下面的條件:Θ b〈 Θ c〈 Θ d〈 Θ e，因此，有機(jī)層的陰影尺寸也滿足下面的條件:SL1〈SL2〈SL3〈SL4〈SL5。
[0158]此外，形成的多個有機(jī)層可以具有不一致的厚度，例如，從有機(jī)層Pl至有機(jī)層P5的厚度可以逐漸減小。
[0159]圖13是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的通過使用薄膜沉積設(shè)備(例如，上面描述的薄膜沉積設(shè)備I)制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。
[0160]參照圖13，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置(例如，有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示裝置)形成在基板2上?；?可以由諸如玻璃、塑料或金屬的透明材料形成。諸如緩沖層的絕緣層31形成在基板2的整個表面上。
[0161]在一個實(shí)施例中，薄膜晶體管(TFT) 40、電容器50和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 60設(shè)置在絕緣層31上,如圖13所示。
[0162]半導(dǎo)體有源層41可以以預(yù)定的圖案形成在絕緣層31的上表面上。柵極絕緣層32可以形成為覆蓋半導(dǎo)體有源層41。半導(dǎo)體有源層41可以包含P型或η型半導(dǎo)體材料。
[0163]在一個實(shí)施例中，TFT40的柵電極42形成在柵極絕緣層32的對應(yīng)于半導(dǎo)體有源層41的區(qū)域中。層間絕緣層33形成為覆蓋柵電極42。可以通過例如干蝕刻來蝕刻層間絕緣層33和柵極絕緣層32，以形成暴露半導(dǎo)體有源層41的部分的接觸孔。
[0164]在一個實(shí)施例中，源/漏電極43形成在層間絕緣層33上，以通過接觸孔接觸半導(dǎo)體有源層41。在一個實(shí)施例中，鈍化層34形成為覆蓋源/漏電極43，并且被蝕刻為暴露源/漏電極43中的一個的一部分。絕緣層(未示出)可以進(jìn)一步形成在鈍化層34上，以使鈍化層34平坦化。
[0165]0LED60可以通過根據(jù)電流發(fā)射紅光、綠光或藍(lán)光來顯示預(yù)定的圖像信息。0LED60包括設(shè)置在鈍化層34上的第一電極61。第一電極61電連接到TFT40的被暴露的源/漏電極43。
[0166]像素限定層35形成為覆蓋第一電極61。在像素限定層35中形成開口，包括發(fā)射層(EML)的有機(jī)層63形成在由所述開口限定的區(qū)域中。第二電極62形成在有機(jī)層63上。
[0167]限定各個像素的像素限定層35由有機(jī)材料形成。像素限定層35還使基板2的形成有第一電極61的區(qū)域的表面平坦化，具體地講，像素限定層35使鈍化層34的表面平坦化。
[0168]第一電極61和第二電極62彼此絕緣,并且分別對有機(jī)層63施加極性相反的電壓來誘導(dǎo)發(fā)光。
[0169]包括EML的有機(jī)層63可以由低分子量有機(jī)材料或聞分子量有機(jī)材料形成。當(dāng)使用低分子量有機(jī)材料時(shí)，有機(jī)層63可以具有包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、EML、電子傳輸層(ETL)或電子注入層(EIL)的單層或多層結(jié)構(gòu)。可用的有機(jī)材料的非限制性示例包括銅酞菁(CuPc)、N，N’ - 二(萘-1-基)-N，N’ - 二苯基聯(lián)苯胺(NPB)和三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。
[0170]可以利用圖1至圖11中示出的薄膜沉積設(shè)備I來形成包括EML的有機(jī)層63。SP，將包括排放沉積材料的沉積源、設(shè)置在沉積源的側(cè)面且包括形成在其中的多個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元以及面對沉積源噴嘴單元且包括形成在其中的多個圖案化縫隙的圖案化縫隙片的薄膜沉積設(shè)備設(shè)置為與其上將要沉積沉積材料的基板分隔開預(yù)定的距離。另夕卜，在薄膜沉積設(shè)備I和基板2相對于彼此移動的同時(shí)，從薄膜沉積設(shè)備I (參照圖1)排放的沉積材料沉積在基板2上。
[0171]在形成有機(jī)層63之后，可以通過與用于形成有機(jī)層63的沉積方法相同的沉積方法來形成第二電極62。
[0172]第一電極61可以用作陽極，第二電極62可以用作陰極?？蛇x擇地，第一電極61可以用作陰極，第二電極62可以用作陽極。第一電極61可以被圖案化以對應(yīng)于各像素區(qū)域，第二電極62可以形成為覆蓋所有像素。
[0173]第一電極61可以形成為透明電極或反射電極。這種透明電極可以由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)形成。可以通過由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或它們的混合物形成反射層并且在反射層上由ΙΤΟ、ΙΖ0,ZnO或In2O3形成層來形成這種反射電極。可以通過例如以濺射為示例形成層然后通過例如以光刻為示例將所述層圖案化來形成第一電極61。[0174]第二電極62也可以形成為透明電極或反射電極。在一個實(shí)施例中，第二電極62形成為透明電極并且用作陰極。可以通過在有機(jī)層63的表面上沉積具有低功函的諸如鋰(1^)、鈣(0&)、氟化鋰/鈣(1^/^)、氟化鋰/鋁(1^/^1)、鋁(41)、銀(48)、鎂(1%)或它們的混合物的金屬并在其上由ΙΤΟ、ΙΖ0, ZnO或In2O3等形成輔助電極層或匯流電極線來形成這種透明電極。在一個實(shí)施例中，第二電極62形成為反射電極，可以通過在有機(jī)層63的整個表面上沉積L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的混合物來形成反射層?？梢岳门c上面描述的用于形成有機(jī)層63的沉積方法相同的沉積方法來形成第二電極62。
[0175]在一個實(shí)施例中，還在第二電極62上形成鈍化層64。鈍化層64形成在第二電極62上且適于保護(hù)第二電極62，并且當(dāng)除了像素區(qū)域之外的部分上的有機(jī)層被去除時(shí)，鈍化層64用作掩模，將參照圖14對此進(jìn)行詳細(xì)的解釋。另外，還可以在鈍化層64上形成無機(jī)層(未不出)。[0176]最后，包封基板65可以形成在有機(jī)發(fā)光二極管60上,并且從外部密封0LED60。
[0177]上面描述的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備可以用來形成有機(jī)TFT的有機(jī)層或無機(jī)層，并且可以用來由各種材料來形成層。
[0178]下面描述通過利用薄膜沉積設(shè)備I制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。
[0179]圖14至圖16是用來解釋根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的示意圖。
[0180]在一個實(shí)施例中，在基板2上順序地形成TFT40 (參見圖13)、電容器50 (參見圖13)、第一電極61 (參見圖13)和像素限定層35 (參見圖13)。
[0181]接著，如圖14所示，通過利用薄膜沉積設(shè)備I在基板2的第一電極61(參見圖13)和像素限定層35 (參見圖13)上形成有機(jī)層63。
[0182]如上所述，薄膜沉積設(shè)備I包括尺寸比傳統(tǒng)FMM的尺寸小很多的圖案化縫隙片。為了利用圖案化縫隙片在基板2上沉積有機(jī)層，通過使薄膜沉積設(shè)備I和基板2中的至少一個相對于另一個移動來執(zhí)行沉積。在一個實(shí)施例中，通過使基板2以掃描方式在一個方向上移動來執(zhí)行沉積，當(dāng)完成沉積時(shí)，在基板2上連續(xù)地形成作為一條線的有機(jī)層63，如圖14所示。即，在其上平行地設(shè)置有多個面板(見圖15和圖16)的基板2上連續(xù)地沉積線性圖案的有機(jī)層63。
[0183]然而，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備變得較大時(shí)，可以在一塊母玻璃上形成多個面板，SP，多個有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。每個面板包括從其發(fā)射光的像素區(qū)域和設(shè)置在像素區(qū)域外部的電路區(qū)域。電路區(qū)域可以用作隨后測試或制造產(chǎn)品時(shí)的端子。當(dāng)在電路區(qū)域上形成有機(jī)層時(shí)，電路區(qū)域可以不起到電極的作用。因此，電路區(qū)域必須是其上沒有形成有機(jī)材料的非膜形成區(qū)域。然而，如上所述，由于通過使基板2相對于薄膜沉積設(shè)備以掃描的方式移動來執(zhí)行沉積，所以要防止有機(jī)材料沉積在基板2的電路區(qū)域上并不容易。
[0184]此外，由于使用了大的包封基板65 (參見圖13)，所以增大了第二電極62與包封基板65之間的接觸面積，因此，第二電極62和第二電極62下方的有機(jī)層63可能會受到損壞并且會使像素缺陷的風(fēng)險(xiǎn)增加。這樣的問題會從面板的外部朝向面板的中部變得嚴(yán)重，并且當(dāng)基板2在刻劃過程中滑動或傳遞時(shí)，問題變得更加嚴(yán)重。
[0185]為了解決這些問題，雖然已經(jīng)嘗試通過使用諸如開閉器或罩(blinder)的單獨(dú)的設(shè)備來覆蓋非膜形成區(qū)域，但是由于增加了單獨(dú)的設(shè)備，所以使設(shè)備中的空間利用效率降低并且使制造成本增加。雖然已經(jīng)嘗試通過利用預(yù)先形成的第二電極作為掩模來去除形成在非膜形成區(qū)域上的有機(jī)層，但是第二電極在去除形成在非膜形成區(qū)域上的有機(jī)層時(shí)受到損壞，因此可能執(zhí)行不了電極的功能。
[0186]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在圖14至圖16的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法中，鈍化層64形成在第二電極62 (參見圖13)上，并且防止或基本防止包封基板65和第二電極62直接相互接觸。此外，鈍化層64不僅可以在去除有機(jī)材料時(shí)保護(hù)第二電極62，而且可以用作用來去除形成在非膜形成區(qū)域上的有機(jī)層的掩模。
[0187]在一個實(shí)施例中，如圖15所示，在有機(jī)層63上順序地形成第二電極62和鈍化層64。鈍化層64可以由包括金屬配體的諸如三(8-羥基喹啉鋁)(Alq3)的有機(jī)金屬化合物形成，鈍化層64的厚度可以等于或大于1000A。
[0188]可選擇地，鈍化層64可以由諸如HTOl的苯基咔唑類化合物形成。即，可以使用由化學(xué)式I表示的在分子中具有至少兩個苯基咔唑類衍生物作為側(cè)鏈的化合物。
[0189][化學(xué)式I]
[0190]
【權(quán)利要求】
1.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括下述步驟: 在基板上連續(xù)地沉積線性圖案的有機(jī)層； 在有機(jī)層上沉積第二電極；以及 在第二電極上形成鈍化層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法， 其中，在有機(jī)層上沉積第二電極的步驟包括針對多個面板中的每個面板，在有機(jī)層上沉積第二電極， 其中，在第二電極上形成鈍化層的步驟包括在第二電極上形成鈍化層以覆蓋第二電極。
3.如權(quán)利要求1所述的方法， 其中，在有機(jī)層上沉積第二電極的步驟包括在有機(jī)層上連續(xù)地沉積線性圖案的第二電極， 其中，在第二電極上形成鈍化層的步驟包括在第二電極上連續(xù)地形成線性圖案的鈍化層以覆蓋第二電極。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，鈍化層包括從由三(8-羥基喹啉鋁)、苯基咔唑類化合物和芴類化合物組成的組 中選擇的一種以上的材料。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在基板上連續(xù)地沉積線性圖案的有機(jī)層的步驟包括: 提供包括沉積源、沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片的薄膜沉積設(shè)備使得薄膜沉積設(shè)備與基板分隔開，其中，沉積源包含沉積材料，沉積源噴嘴單元布置在沉積源的側(cè)面處并且包括多個沉積源噴嘴，圖案化縫隙片布置成面向沉積源噴嘴單元并且其內(nèi)形成有多個圖案化縫隙； 在沉積過程中使薄膜沉積設(shè)備和基板中的至少一個相對于另一個移動； 從沉積源噴射沉積材料以穿過圖案化縫隙片進(jìn)行沉積并在基板上形成圖案。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，圖案化縫隙片在第一方向和垂直于第一方向的第二方向中的至少一個方向上比基板小。
7.如權(quán)利要求5所述的方法， 其中，所述多個沉積源噴嘴沿第一方向布置在沉積源噴嘴單元中， 其中，所述多個圖案化縫隙沿第一方向布置在圖案化縫隙片中， 其中，薄膜沉積設(shè)備還包括屏蔽板組件，屏蔽板組件沿第一方向布置在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間，并且包括將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分為多個沉積空間的多個屏蔽板。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述多個屏蔽板中的每個屏蔽板沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，屏蔽板組件包括:第一屏蔽板組件，包括多個第一屏蔽板；第二屏蔽板組件，包括多個第二屏蔽板。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述多個第一屏蔽板中的每個第一屏蔽板和所述多個第二屏蔽中的每個第二屏蔽板沿基本垂直于第一方向的第二方向形成，并且將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分為多個沉積空間。
11.如權(quán)利要求5所述的方法， 其中，所述多個沉積源噴嘴沿第一方向布置在沉積源噴嘴單元中， 其中，所述多個圖案化縫隙沿垂直于第一方向的第二方向布置在圖案化縫隙片中。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，沉積源、沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片通過連接構(gòu)件彼此結(jié)合而彼此一體地形成。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，連接構(gòu)件引導(dǎo)沉積材料的流動路徑。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，連接構(gòu)件形成為從外部密封沉積源、沉積源噴嘴單元與圖案化縫隙片之間的空間。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在基板上連續(xù)地沉積線性圖案的有機(jī)層的步驟包括: 提供薄膜沉積設(shè)備，薄膜沉積設(shè)備包括: 輸送單元，包括使基板固定并且與基板一起移動的傳遞單元、使固定有基板的傳遞單元沿第一方向移動的第一輸送單元以及在已經(jīng)完成沉積時(shí)使與基板分開的傳遞單元沿與第一方向相反的方向移動的第二輸送單兀； 裝載單元，將基板固定到傳遞單元； 沉積單元，包括處于真空的室以及將有機(jī)層沉積在被固定到從裝載單元傳遞的傳遞單元的基板上的至少一個有機(jī)層沉積組件；和 卸載單元，使已經(jīng)在穿過沉積單元的同時(shí)完成了沉積的基板與傳遞單元分開，使得薄膜沉積設(shè)備和基板彼此分隔開； 在沉積過程中使薄膜沉積設(shè)備和基板中的至少一個相對于另一個移動；以及 從沉積源噴射沉積材料以穿過圖案化縫隙片進(jìn)行沉積并在基板上形成圖案。
16.如權(quán)利要求15所述的方法， 其中，傳遞單元在第一輸送單元和第二輸送單元之間循環(huán)移動， 其中，被固定到傳遞單元的基板在第一輸送單元的作用下移動的同時(shí)與有機(jī)層沉積組件分隔開一定的距離。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，第一輸送單元和第二輸送單元穿過沉積單元。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，第一輸送單元和第二輸送單元沿豎直方向平行地布置。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，第一輸送單元將傳遞單元順序地移動到裝載單元、沉積單元和卸載單元。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，第二輸送單元將傳遞單元順序地移動到卸載單元、沉積單元和裝載單元。
21.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在形成鈍化層之后，所述方法還包括去除多個面板中相鄰的面板之間的有機(jī)層。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，去除相鄰的面板之間的有機(jī)層的步驟包括通過使用包含O2的等離子體的化學(xué)蝕刻來去除有機(jī)層。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，所述方法還包括:在去除有機(jī)層之前，在鈍化層上設(shè)置等離子體屏蔽板。
24.一種通過使用權(quán)利要求1所述的方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
25.—種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備,所述有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備包括: 基板； 多個薄膜晶體管，形成在基板上，并且均包括半導(dǎo)體有源層、與半導(dǎo)體有源層絕緣的柵電極以及與半導(dǎo)體有源層接觸的源電極和漏電極； 多個第一電極，形成在所述多個薄膜晶體管的每個薄膜晶體管上，以電連接到該薄膜晶體管； 多個有機(jī)層，形成在所述多個第一電極上； 第二電極，形成在所述多個有機(jī)層上；以及 鈍化層，形成在第二電極上，以覆蓋第二電極， 其中，形成在基板上的所述多個有機(jī)層中的離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)的至少一個有機(jī)層的斜邊的長度大于離所述中心較近地形成的其它有機(jī)層的斜邊的長度， 其中，形成在基板上的所述多個有機(jī)層中的所述至少一個有機(jī)層是利用權(quán)利要求1所述的方法形成的線性圖案化的有機(jī)層。
26.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，鈍化層包括從由三(8-羥基喹啉鋁)、苯基咔唑類化合物和芴類化合物組成的組中選擇的至少一種材料。
27.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，基板具有大于或等于40英寸的尺寸。
28.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述多個有機(jī)層至少包括一個發(fā)射層。
29.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述多個有機(jī)層具有不一致的厚度。
30.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，在離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)地形成的每個有機(jī)層中，離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)的斜邊的長度大于另一斜邊的長度。
31.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，在設(shè)置在沉積區(qū)域中的所述多個有機(jī)層中，隨著離沉積區(qū)域的中心的距離的增大，在第一方向上延伸的兩側(cè)的疊置區(qū)域形成地越窄。
32.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，設(shè)置在沉積區(qū)域的中心處的有機(jī)層的斜邊具有基本相同的長度。
33.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，設(shè)置在沉積區(qū)域中的所述多個有機(jī)層關(guān)于沉積區(qū)域的中心對稱地布置。
34.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中，無機(jī)層進(jìn)一步形成在鈍化層上。
【文檔編號】H01L27/32GK103545459SQ201310236690
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年6月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月10日
【發(fā)明者】李東規(guī) 申請人:三星顯示有限公司