雙重圖案化的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種雙重圖案化的方法。首先，提供基底，此基底包括第一區(qū)及第二區(qū)。接著，在基底上形成目標層。然后，在目標層上形成第一圖案化的光致抗蝕劑層，此第一圖案化的光致抗蝕劑層在第一區(qū)具有多個開口，并且在第二區(qū)上的第一圖案化的光致抗蝕劑層至少有一部分的厚度小于在第一區(qū)上的第一圖案化的光致抗蝕劑層的厚度。之后，在第一開口之中以及第一圖案化的光致抗蝕劑層上形成第二光致抗蝕劑層。本發(fā)明提供的雙重圖案化的方法僅利用一道光罩工藝即可在基底的第一區(qū)及第二區(qū)上形成具有不同厚度的第一圖案化的光致抗蝕劑層，此舉使得第二光致抗蝕劑層在整個第一區(qū)上具有均勻的厚度，以得到良好的曝光顯影環(huán)境。
【專利說明】雙重圖案化的方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明是有關于一種積體電路制造方法，且特別是有關于一種雙重圖案化的方法。
【背景技術】
[0002]隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，在要求電路集成化愈來愈高的情況下，整個電路元件尺寸也必須縮小，且對微影處理的解析度(resolution)的要求也提高。目前，為了克服微影處理中光源解析度的限制，發(fā)展了一種雙重圖案化處理，以增加元件的集成度。
[0003]在雙重圖案化處理中，通過在罩幕層上依序進行兩次光致抗蝕劑涂布、曝光以及顯影步驟，以將兩組不同的圖案轉(zhuǎn)移到罩幕層上。通常，在進行第二組光致抗蝕劑涂覆時，由于基板的晶胞區(qū)及周邊區(qū)上第一組光致抗蝕劑圖案分布密度不均，因而造成光致抗蝕劑涂覆不均勻的現(xiàn)象，進而影響后續(xù)的工藝。
[0004]因此，急需一種在雙重圖案化工藝中可均勻涂覆光致抗蝕劑的改善方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種雙重圖案化的方法，用以增加光致抗蝕劑覆蓋均勻性。
[0006]本發(fā)明提出一種雙重圖案化的方法，此方法先提供包括第一區(qū)及第二區(qū)的基底。接著，在基底上形成目標層。然后，在目標層上形成第一圖案化的光致抗蝕劑層。第一圖案化的光致抗蝕劑層在第一區(qū)具有多個第一開口且具有第一厚度，而在第二區(qū)上的第一圖案化的光致抗蝕劑層至少有第一部分的第二厚度小于在第一區(qū)上的第一圖案化的光致抗蝕劑層的第一厚度。之后，在多個第一開口之中以及第一圖案化的光致抗蝕劑層上形成第二光致抗蝕劑層。
[0007]在本發(fā)明一實施例中，上述第二區(qū)上的第一圖案化的光致抗蝕劑層還包括緊鄰第一區(qū)的第二部分，第二部分的第三厚度大于第一部分的第二厚度，且第二部分與第一部分連續(xù)。
[0008]在本發(fā)明一實施例中，上述的第二部分的第三厚度等于在第一區(qū)上的第一圖案化的光致抗蝕劑層的第一厚度。
[0009]在本發(fā)明一實施例中，上述的第一圖案化的光致抗蝕劑層的形成方法包括下列步驟。首先，在基底上形成第一光致抗蝕劑層。接著，以第一光罩為罩幕，對第一光致抗蝕劑層進行曝光，其中第一光罩對應第二區(qū)的透光率低于對應第一區(qū)的多個第一開口的透光率。繼之，顯影第一光致抗蝕劑層，以形成第一圖案化的光致抗蝕劑層。
[0010]在本發(fā)明一實施例中，上述的第一光罩包括三調(diào)式光罩。
[0011]在本發(fā)明一實施例中，上述的三調(diào)式光罩包括透明基板、第一半透光層及第二半透光層。透明基板包括第三區(qū)及第四區(qū)，其中第三區(qū)對應基板的第一區(qū)，且第四區(qū)對應基板的第二區(qū)。第一半透光層是位于透明基板的第三區(qū)與第四區(qū)上。第二半透光層至少位于第三區(qū)中的第一半透光層上。另外，在第三區(qū)上的第一半透光層以及第二半透光層具有多個第二開口，這些第二開口對應基底的第一區(qū)上的多個第一開口，且裸露出第三區(qū)中的透明基板。
[0012]在本發(fā)明一實施例中，上述的透明基板、第一半透光層與第二半透光層的透光率彼此不同。
[0013]在本發(fā)明一實施例中，上述的透明基板的透光率高于第一半透光層的透光率，且第一半透光層的透光率高于第二半透光層的透光率。
[0014]在本發(fā)明一實施例中，上述第一半透光層的透光率為20%至60%，而第二半透光層的透光率為30%至70%。
[0015]在本發(fā)明一實施例中，上述透明基板的材料例如是石英。
[0016]在本發(fā)明一實施例中，上述的第一半透光層及第二半透光層包括氮化硅鑰(MoSixNy)層，其具有不同的X及y的組合。
[0017]在本發(fā)明一實施例中，上述在第二區(qū)上的第一圖案化的光致抗蝕劑層的至少第一部分的第二厚度是第一區(qū)上的第一圖案化的光致抗蝕劑層的第一厚度的30%至70%。
[0018]在本發(fā)明一實施例中，上述在第二區(qū)上的第一圖案化的光致抗蝕劑層的第一部分的第二厚度與第二光致抗蝕劑層的厚度的總和是第一區(qū)上的第二光致抗蝕劑層的厚度的85% 到 95%。
[0019]在本發(fā)明一實施例中，上述在第二區(qū)上的第一圖案化的光致抗蝕劑層的第一部分的第二厚度與第二光致抗蝕劑層的厚度的總和與第一區(qū)上的第二光致抗蝕劑層的厚度差為50埃至150埃。
[0020]在本發(fā)明一實施例中，上述的雙重圖案化的方法，還包括下列步驟。首先，圖案化第二光致抗蝕劑層，以在第一區(qū)上的第一圖案化的光致抗蝕劑層的上述第一開口中形成第二圖案化的光致抗蝕劑層。接著，以第一圖案化的光致抗蝕劑層以及第二圖案化的光致抗蝕劑層為罩幕，圖案化目標層。
[0021]在本發(fā)明一實施例中，上述的第一區(qū)例如是晶胞區(qū)，且第二區(qū)例如是周邊區(qū)。
[0022]基于上述，本發(fā)明所提出的雙重圖案化的方法利用一道光罩工藝即可在基底的第一區(qū)上及第二區(qū)上形成具不同厚度的第一圖案化的光致抗蝕劑層，從而使得第二光致抗蝕劑層可均勻地覆蓋在整個第一區(qū)上，以得到良好的曝光顯影環(huán)境及準確的轉(zhuǎn)移圖案，并降低工藝復雜度。
[0023]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1A到圖1E為根據(jù)本發(fā)明的第一實施例所示出的雙重圖案化的制造流程剖面圖；
[0025]圖2A到圖2C為根據(jù)本發(fā)明的第二實施例所示出的雙重圖案化的制造流程剖面圖。
[0026]附圖標記說明:
[0027]20,40:光罩；
[0028]100:基底；[0029]102:第一區(qū)；
[0030]104:第二區(qū)；
[0031]106:目標層；
[0032]107:第一光致抗蝕劑層；
[0033]108,308:第一圖案化的光致抗蝕劑層；
[0034]109、309、212、412:開口；
[0035]110,310:第二光致抗蝕劑層；
[0036]112、312:第二圖案化的光致抗蝕劑層；
[0037]200、400:透明基板；
[0038]202,402:第三區(qū)；
[0039]204、404:第四區(qū)；
[0040]208,408:第一半透光層；
[0041]210,410:第二半透光層；
[0042]Da、Db、Dc、DcU Da，、Db，、Dc，、Dd，、De，:厚度；
[0043]Dc-d、Dc’ _d’:厚度差。
【具體實施方式】
[0044]圖1A到圖1E為根據(jù)本發(fā)明的第一實施例所示出的雙重圖案化的制造流程剖面圖。
[0045]首先，請參照圖1A，提供基底100，其具有第一區(qū)102及第二區(qū)104。此基底100例如是硅基底。在一實施例中，第一區(qū)102例如是晶胞區(qū)，而第二區(qū)104例如是周邊區(qū)。繼之，在基底100上形成目標層106。此目標層106的材料例如是導體材料、半導體材料或介電層材料。
[0046]接著，請參照圖1B，在目標層106上形成第一光致抗蝕劑層107。第一光致抗蝕劑層107的形成方法包括旋涂法。第一光致抗蝕劑層107的材料例如是正型或負型的光致抗蝕劑材料。所使用的光致抗蝕劑材料種類需配合所使用的光罩形式，在此實施例中以正光致抗蝕劑為例進行說明，但本發(fā)明并不此為限。
[0047]然后，請參照圖1C，以光罩20為罩幕對第一光致抗蝕劑層107進行曝光處理，再進行顯影處理，以形成第一圖案化的光致抗蝕劑層108。第一圖案化的光致抗蝕劑層108在第一區(qū)102上具有多個開口 109，且第二區(qū)104上的第一圖案化的光致抗蝕劑層108的厚度Db小于在第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層108的厚度Da。在一實施例中，第二區(qū)104上的第一圖案化的光致抗蝕劑層108的厚度Db約為第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層108厚度Da的30%至70%。應注意，附圖僅作為說明之用，并非用以限定本發(fā)明。因此，圖1C中的厚度Db與厚度Da之間的關系可能會與實際上厚度之間的關系不同，可以視第一圖案化的光致抗蝕劑層108的分布密度或其他因素而調(diào)整。此外，在圖1C中，第二區(qū)104上全部的第一圖案化的光致抗蝕劑層108的厚度Db大致相同且小于在第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層108的厚度Da。然而，本發(fā)明并不以此為限。
[0048]另外，在一實施例中，光罩20例如是三調(diào)式光罩，其包括透明基板200、第一半透光層208及第二半透光層210。透明基板200包括第三區(qū)202及第四區(qū)204，而第三區(qū)202對應基底100的第一區(qū)102及第四區(qū)204對應基底100的第二區(qū)104。
[0049]第一半透光層208是位于透明基板200的第三區(qū)202與第四區(qū)204上，且在第三區(qū)202中有圖案化，而在第四區(qū)204中沒有圖案化。第二半透光層210是位于第三區(qū)202中的經(jīng)圖案化的第一半透光層208上。另外，在第三區(qū)202上的第一半透光層208以及第二半透光層210具有多個開口 212，其對應基底100的第一區(qū)102上的多個開口 109，且裸露出部分的下層透明基板200。
[0050]透明基板200、第一半透光層208與第二半透光層210的透光率彼此不同。在一實施例中，透明基板200的透光率高于第一半透光層208的透光率，且第一半透光層208的透光率高于第二半透光層210的透光率。舉例而言，第一半透光層208的透光率約為20%至60%，而第二半透光層210的透光率約為30%至70%。透明基板200例如是由石英或其他透明材料所組成。第一半透光層208例如是氮化硅鑰層。第二半透光層210例如是具有不同X及y組合的氮化硅鑰層。
[0051]由于透明基板200的第四區(qū)204上配置有第一半透光層208，而其第三區(qū)202上的開口 212裸露出部分的透明基板200，故光罩20的第四區(qū)204 (其對應基底100的第二區(qū)104)的透光率約低于光罩20的第三區(qū)202 (其對應基底100的第一區(qū)102)的多個開口212的透光率。
[0052]更詳細而言，對應光罩20的第二半透光層210的第一光致抗蝕劑層107僅受到輕微地曝光，故在顯影后幾乎不會被移除。對應光罩20的開口 212的第一光致抗蝕劑層107，由于透明基板200的透光率較高而受到高度地曝光，因此在顯影后可完全地被移除，而形成開口 109。對應光罩20的第四區(qū)204的第一光致抗蝕劑層107，由于光罩20的第四區(qū)204的透光率較低而受到相對不足地曝光，因此在顯影后可部分被移除，而得到厚度Db較薄的第一圖案化的光致抗蝕劑層108。
[0053]在本實施例中，雖然第一圖案化的光致抗蝕劑層108的形成方法是以上述方法形成，但第一圖案化的光致抗蝕劑層108的形成方法并不以此為限。
[0054]繼之，請參照圖1D，在第一區(qū)102的多個開口 109中以及第一圖案化的光致抗蝕劑層108上形成第二光致抗蝕劑層110。第二光致抗蝕劑層110的形成方法包括旋轉(zhuǎn)涂布。由于第一圖案化的光致抗蝕劑層108在第二區(qū)104上有至少一部分的厚度Db小于其在第一區(qū)102上的厚度Da，使得第二光致抗蝕劑層110大致均勻的覆蓋在第一區(qū)102與第二區(qū)104上。在附圖中，是以在第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層108上的第二光致抗蝕劑層110的厚度Dc大于第二區(qū)104上的第一圖案化的光致抗蝕劑層108的厚度Db與第二光致抗蝕劑層110的厚度的總厚度Dd來表示。然而，本發(fā)明并不以此為限。在另一實施例中，在第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層108上的第二光致抗蝕劑層110的厚度Dc也可以小于第二區(qū)104上的第一圖案化的光致抗蝕劑層108的厚度Db與第二光致抗蝕劑層110的厚度的總厚度Dd。此外，在一實施例中，基底100的第二區(qū)104上的第一圖案化的光致抗蝕劑層108的厚度Db與第二光致抗蝕劑層110的厚度的總厚度Dd是第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層108上的第二光致抗蝕劑層110的厚度Dc的85%至95%。在另一實施例中，第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層108上的第二光致抗蝕劑層110的厚度Dc與第二區(qū)104上的第一圖案化的光致抗蝕劑層108的厚度Db與第二光致抗蝕劑層110的厚度的總厚度Dd的厚度差Dc-d為50埃至150埃。[0055]之后，請參照圖1E，圖案化第二光致抗蝕劑層110，以在第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層108的多個開口 109中形成第二圖案化的光致抗蝕劑層112。接著，以第一圖案化的光致抗蝕劑層108以及第二圖案化的光致抗蝕劑層112為罩幕，圖案化目標層106，以得到分布密度高于第一圖案化的光致抗蝕劑層108或第二圖案化的光致抗蝕劑層112的雙重圖案。
[0056]基于第一實施例可知,通過光罩20可在基底100的第一區(qū)102上及第二區(qū)104上形成厚度(Da及Db)不同的第一圖案化的光致抗蝕劑層108，其中厚度Db小于厚度Da，使得后續(xù)可在整個第一區(qū)102上均勻地覆蓋第二光致抗蝕劑層110，因此有效地得到良好的曝光顯影環(huán)境，并降低工藝復雜度。
[0057]圖2A到圖2C為根據(jù)本發(fā)明的第二實施例所示出的雙重圖案化的制造流程剖面圖。其中，圖2A為接續(xù)圖1B的后所進行的步驟。此外，除了使用不相同的光罩外，第二實施例以與第一實施例相同的工藝來進行雙重圖案化。因此，第二實施例和第一實施例中相同或相類似的構件可采用相同的材料或方法來進行，故于此不再贅述。
[0058]首先，請參照圖2A，以光罩40為罩幕，對第一光致抗蝕劑層107進行曝光處理，再進行顯影處理，以形成第一圖案化的光致抗蝕劑層308。第一圖案化的光致抗蝕劑層308在第一區(qū)102上具有多個開口 309。在第二區(qū)104上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308有第一部分的厚度Db’小于在第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308的厚度Da’，且在第二區(qū)104上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308有第二部分的厚度De’大于在第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308的厚度Da’，其中第二部分緊鄰第一區(qū)102且與第一部分連續(xù)。在一實施例中，第二區(qū)104上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308的第一部分的厚度Db’約為第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308厚度Da’的30%至70%，而第二區(qū)104上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308的第二部分的厚度De’與第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308厚度Da’大致相同。應注意，附圖僅作為解說之用，并非用以限定本發(fā)明。因此，圖2A中的厚度Db’與厚度Da’之間的關系可能會與實際上厚度之間的關系不同，可以視第一圖案化的光致抗蝕劑層308的分布密度或其他因素而調(diào)整。
[0059]另外，在一實施例中，光罩40例如是三調(diào)式光罩，其包括透明基板400、第一半透光層408及第二半透光層410。透明基板400包括第三區(qū)402及第四區(qū)404。第三區(qū)402對應基底100的第一區(qū)102 ;第四區(qū)404對應基底100的第二區(qū)104。
[0060]第一半透光層408是位于透明基板400的第三區(qū)402與第四區(qū)404上，且在第三區(qū)402中有圖案化，而在第四區(qū)404中沒有圖案化。第二半透光層410主要是位于第三區(qū)402的第一半透光層408上，并有對應第二區(qū)104中第一圖案化光致抗蝕劑層308的厚度De’部分的一小部分位在第四區(qū)404的第一半透光層408上。另外，在第三區(qū)402上的第一半透光層408以及第二半透光層410具有裸露出部分透明基板400的多個開口 412，其對應基底100的第一區(qū)102上的多個開口 309。
[0061]透明基板400、第一半透光層408與第二半透光層410的透光率彼此不同。在一實施例中，透明基板400的透光率高于第一半透光層408的透光率，且第一半透光層408的透光率高于第二半透光層410的透光率。舉例而言，第一半透光層408的透光率約為20%至60%，而第二半透光層410的透光率約為30%至70%。透明基板400例如是由石英或其他透明材料所組成。第一半透光層408例如是氮化硅鑰層。第二半透光層410例如是具有不同X及y組合的氮化硅鑰層。
[0062]由于透明基板400的第四區(qū)404上配置有第一半透光層408，而其第三區(qū)402上的開口 412裸露出部分的透明基板400，故光罩40的第四區(qū)404 (其對應基底100的第二區(qū)104)的透光率約低于光罩40的第三區(qū)402 (其對應基底100的第一區(qū)102)的多個開口412的透光率。
[0063]更詳細而言，對應光罩40的第二半透光層410的第一光致抗蝕劑層107僅受到輕微地曝光，故在顯影后幾乎不會被移除。對應光罩40的開口 412的第一光致抗蝕劑層107，由于透明基板400的透光率較高而受到高度地曝光，因此在顯影后可完全地被移除，而形成開口 309。對應光罩40的第四區(qū)404的第一光致抗蝕劑層107，由于光罩40的第四區(qū)404及一小部分的第二半透光層410的透光率較低而受到相對不足地曝光或僅輕微地曝光，因此在顯影后可部分被移除或幾乎未被移除，而得到在第二區(qū)104中有較厚的厚度De’部分及較薄的厚度Db’部分的第一圖案化的光致抗蝕劑層308。
[0064]在本實施例中，雖然第一圖案化的光致抗蝕劑層308的形成方法是以上述方法形成，但第一圖案化的光致抗蝕劑層308的形成方法并不以此為限。
[0065]繼之，請參照圖2B，在第一區(qū)102的多個開口 309中以及第一圖案化的光致抗蝕劑層308上形成第二光致抗蝕劑層310。由于在第二區(qū)104上大部分第一圖案化的光致抗蝕劑層308的厚度Db’小于其在第一區(qū)102上的厚度Da’，使得在第二光致抗蝕劑層310可大致均勻地覆蓋在第一區(qū)102與第二區(qū)104上。在附圖中，是以在第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308上的第二光致抗蝕劑層310的厚度Dc’大于第二區(qū)104上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308的厚度Db’與第二光致抗蝕劑層310的厚度的總厚度Dd’來表示。然而，本發(fā)明并不以此為限。在另一實施例中，在第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308上的第二光致抗蝕劑層310的厚度Dc’也可以小于第二區(qū)104上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308的厚度Db’與第二光致抗蝕劑層310的厚度的總厚度Dd’。
[0066]在一實施例中，第二區(qū)104上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308的厚度Db’與第二光致抗蝕劑層310的厚度的總厚度Dd’是第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308上的第二光致抗蝕劑層310的厚度Dc’的85%到95%。在另一實施例中，第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308上的第二光致抗蝕劑層310的厚度Dc’與第二區(qū)104上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308的厚度Db’與第二光致抗蝕劑層310的厚度的總厚度Dd’的厚度差Dc’ -d’為50埃至150埃。
[0067]之后，請參照圖2C，在形成第二光致抗蝕劑層310后，首先，圖案化第二光致抗蝕劑層310，以在第一區(qū)102上的第一圖案化的光致抗蝕劑層308的多個開口 309中形成第二圖案化的光致抗蝕劑層312。接著，以第一圖案化的光致抗蝕劑層308以及第二圖案化的光致抗蝕劑層312為罩幕，圖案化目標層106，以得到分布密度高于第一圖案化的光致抗蝕劑層308或第二圖案化的光致抗蝕劑層312的雙重圖案。
[0068]基于第二實施例可知，通過光罩40可在基底100的第一區(qū)102上及大部分的第二區(qū)104上形成厚度(Da’及Db’)不同的第一圖案化的光致抗蝕劑層308，其中厚度Db’小于厚度Da’，使得后續(xù)可在整個第一區(qū)102上均勻地覆蓋第二光致抗蝕劑層310，因此有效地得到良好的曝光顯影環(huán)境，并降低工藝復雜度。
[0069]綜上所述，上述實施例所提出的雙重圖案化的制造方法僅需要一道光罩工藝即可在基底的第一區(qū)上及第二區(qū)上形成具有不同厚度的第一圖案化的光致抗蝕劑層，使得后續(xù)形成的第二光致抗蝕劑層在整個第一區(qū)上具有均勻的厚度，以得到良好的曝光顯影環(huán)境，并降低工藝復雜度。
[0070]另外，通過光罩的透光率的調(diào)配，可改變第二區(qū)上第一圖案化的光致抗蝕劑層的厚度及圖案，以有效地增加第一圖案化的光致抗蝕劑層上的覆蓋均勻性，提供高度彈性及控制性的雙重圖案化方法。
[0071]最后應說明的是:以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。
【權利要求】
1.一種雙重圖案化的方法，其特征在于，包括: 提供一基底，上述基底包括第一區(qū)及第二區(qū)； 在上述基底上形成目標層； 在上述目標層上形成第一圖案化的光致抗蝕劑層，上述第一圖案化的光致抗蝕劑層在上述第一區(qū)具有多個第一開口且具有第一厚度，而在上述第二區(qū)上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層至少有第一部分的第二厚度小于在上述第一區(qū)上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的上述第一厚度；以及 于上述第一開口之中以及上述第一圖案化的光致抗蝕劑層上形成第二光致抗蝕劑層。
2.根據(jù)權利要求1所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，上述第二區(qū)上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層還包括緊鄰上述第一區(qū)的第二部分，上述第二部分的第三厚度大于上述第一部分的上述第二厚度，且上述第二部分與上述第一部分連續(xù)。
3.根據(jù)權利要求2所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，上述第二部分的上述第三厚度等于在上述第一區(qū)上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的上述第一厚度。
4.根據(jù)權利要求1所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的形成方法包括: 于上述基底上形成第一光致抗蝕劑層； 以光罩對上述第一光致抗蝕劑層進行曝光，其中上述光罩對應上述第二區(qū)的透光率低于對應上述第一區(qū)的上述第一開口的透光率；以及 顯影上述第一光致抗蝕劑 層，以形成上述第一圖案化的光致抗蝕劑層。
5.根據(jù)權利要求4所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，上述光罩包括三調(diào)式光罩。
6.根據(jù)權利要求5所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，上述三調(diào)式光罩包括: 透明基板，包括第三區(qū)及第四區(qū)，其中上述第三區(qū)對應上述基板的上述第一區(qū)，上述第四區(qū)對應上述基板的上述第二區(qū)； 第一半透光層，位于上述透明基板的上述第三區(qū)與上述第四區(qū)上；以及 第二半透光層，至少位于上述第三區(qū)中的上述第一半透光層上； 其中在上述第三區(qū)上的上述第一半透光層以及上述第二半透光層具有多個第二開口，上述第二開口對應上述基底的上述第一區(qū)上的上述第一開口，且裸露出上述第三區(qū)中的上述透明基板。
7.根據(jù)權利要求6所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，上述透明基板、上述第一半透光層與上述第二半透光層的透光率彼此不同。
8.根據(jù)權利要求7所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，上述透明基板的透光率高于上述第一半透光層的透光率，且上述第一半透光層的透光率高于上述第二半透光層的透光率。
9.根據(jù)權利要求8所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，上述第一半透光層的透光率為20%至60% ;上述第二半透光層的透光率為30%至70%。
10.根據(jù)權利要求6所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，上述透明基板的材料包括石英。
11.根據(jù)權利要求6所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，上述第一半透光層及上述第二半透光層包括氮化硅鑰層，其具有不同的X及I的組合。
12.根據(jù)權利要求1所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，在上述第二區(qū)上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的至少上述第一部分的上述第二厚度是在上述第一區(qū)上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的上述第一厚度的30%至70%。
13.根據(jù)權利要求1所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，在上述第二區(qū)上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的上述第一部分的上述第二厚度與上述第二光致抗蝕劑層的厚度的總和是上述第一區(qū)上的上述第二光致抗蝕劑層的厚度的85%至95%。
14.根據(jù)權利要求1所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，在上述第二區(qū)上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的上述第一部分的上述第二厚度與上述第二光致抗蝕劑層的厚度的總和與上述第一區(qū)上的上述第二光致抗蝕劑層的厚度差為50埃至150埃。
15.根據(jù)權利要求1所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，還包括: 圖案化上述第二光致抗蝕劑層，以在上述第一區(qū)上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的上述第一開口中形成一第二圖案化的光致抗蝕劑層；以及 以上述第一圖案化的光致抗蝕劑層以及上述第二圖案化的光致抗蝕劑層為罩幕，圖案化上述目標層。
16.根據(jù)權利要求1所述的雙重圖案化的方法，其特征在于，上述第一區(qū)包括晶胞區(qū)；上述第二區(qū)包括周 邊區(qū)。
【文檔編號】H01L21/033GK103681255SQ201310198556
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年5月24日 優(yōu)先權日:2012年9月14日
【發(fā)明者】李鎮(zhèn)瑋, 劉弘仁 申請人:南亞科技股份有限公司