專利名稱：圖案的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種圖案的形成方法，且特別是有關(guān)于一種具有相同線寬及 線距的圖案的形成方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的集成度要求愈來愈高，整個(gè)半導(dǎo)體元件大小的設(shè)計(jì)也被迫往 尺寸不?？s小的方向前進(jìn)。換言之，如果要增加元件的封裝密度以及集成電路的積 集度，圖案間距(pitch),即圖案的線寬與線距的總和，亦要跟著縮小。 一般來說， 在集成電路的制程中，將圖案間距縮小大都是利用具有高解析度的微影制程來達(dá) 成，也就是說線寬及線距是由曝光顯影后的光阻層來決定。
增加解析度的方法之一是使用波長較短的光源，現(xiàn)今技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到使用波 長為193mn的ArF激光作為微影制程的曝光光源，甚至是下一世代的微影制程也正 在進(jìn)行發(fā)展。但是，對(duì)于193 nm微影制程而言，光掩膜的制作與光阻材料的開發(fā) 具有其限制所在，使得193 nm微影制程面臨解析度不高、光阻圖案品質(zhì)不佳等問 題。此外，193 nm微影制程由于光學(xué)本身的限制，技術(shù)較為困難，且成本也較為 昂貴。因此，目前業(yè)界主要是使用波長為248 mi的KrF激光作為微影制程的曝光 光源。然而，即使結(jié)合其他提高解析度的技術(shù)，對(duì)于24S nm微影制程來說，仍無 法達(dá)到形成100 mii以下的線寬。再者，改良現(xiàn)今微影系統(tǒng)所使用的設(shè)備與材料， 以因應(yīng)微影制程的需求，亦會(huì)增加制程的成本。因此，當(dāng)半導(dǎo)體制程技術(shù)對(duì)集成度 要求日益提升后，如何解決上述制程中會(huì)遭遇的種種問題，是目前業(yè)界積極發(fā)展的 重點(diǎn)之一。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種圖案的形成方法，可以定義較小的圖案間距。 本發(fā)明再提供一種圖案的形成方法，可以形成具有相同線寬及線距的圖案。
本發(fā)明提出一種圖案的形成方法，其包括下列步驟。首先，提供一材料層， 于材料層上形成一圖案化硬掩膜層。接著，于圖案化硬掩膜層的側(cè)壁分別形成一間 隙壁。之后，移除圖案化硬掩膜層，以于相鄰兩間隙壁之間形成一開口。接著，以 間隙壁為掩膜，移除部分材料層，以形成一圖案化材料層。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述間隙壁的形成方法例如是于材料層上形成一間隙 壁材料層，其中間隙壁材料層順應(yīng)性地覆蓋圖案化硬掩膜層。之后，進(jìn)行非等向性 蝕刻制程，以移除部分間隙壁材料層。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述間隙壁與圖案化硬掩膜層、材料層具有不同的蝕 刻選擇性。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，圖案的形成方法還包括移除間隙壁。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述圖案化硬掩膜層的形成方法例如是于材料層上形 成一硬掩膜層與一圖案化光阻層。然后，以圖案化光阻層為掩膜，移除硬掩膜層至 暴露出材料層的表面。接著，移除圖案化光阻層。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述材料層例如是多晶硅層、介電層或金屬層，而硬 掩膜層的材質(zhì)例如是氮化物或氧化物。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，圖案的形成方法還包括在材料層與圖案化硬掩膜層之 間形成一掩膜層。而間隙壁與圖案化硬掩膜層、掩膜層具有不同的蝕刻選擇性。此 外，間隙壁與材料層的材質(zhì)例如是多晶硅。硬掩膜層的材質(zhì)例如是氮化物，而掩膜 層的材質(zhì)例如是氧化物；或是，硬掩膜層的材質(zhì)例如是氧化物，而掩膜層的材質(zhì)例 如是氮化物。
本發(fā)明再提出一種圖案的形成方法，其包括下列步驟。首先，提供一材料層， 于材料層上形成一圖案化硬掩膜層，其中圖案化硬掩膜層的線距約等于圖案化硬掩 膜層的線寬的三倍。接著，于圖案化硬掩膜層的側(cè)壁分別形成一間隙壁，且間隙壁 底部的寬度約等于圖案化硬掩膜層的線寬。然后，移除圖案化硬掩膜層，以于相鄰 兩間隙壁之間形成一開口。之后，以間隙壁為掩膜，移除部分材料層，以得到一圖 案化材料層，且圖案化材料層的線距約等于圖案化材料層的線寬。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述間隙壁的形成方法例如是于材料層上形成一間隙 壁材料層，其中間隙壁材料層順應(yīng)性地覆蓋圖案化硬掩膜層。之后，進(jìn)行非等向性
蝕刻制程，以移除部分間隙壁材料層。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述間隙壁與圖案化硬掩膜層、材料層具有不同的蝕 刻選擇性。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，圖案的形成方法還包括移除間隙壁。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述材料層例如是多晶硅層、介電層或金屬層，而硬 掩膜層的材質(zhì)例如是氮化物或氧化物。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，圖案的形成方法還包括在材料層與圖案化硬掩膜層之 間形成一掩膜層。而間隙壁與圖案化硬掩膜層、掩膜層具有不同的蝕刻選擇性。此 外，間隙壁與材料層的材質(zhì)例如是多晶硅。硬掩膜層的材質(zhì)例如是氮化物，而掩膜 層的材質(zhì)例如是氧化物；或是，硬掩膜層的材質(zhì)例如是氧化物，而掩膜層的材質(zhì)例 如是氮化物。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述圖案化硬掩膜層的形成方法例如是于材料層上形 成一硬掩膜層與一圖案化光阻層。然后，進(jìn)行修補(bǔ)制程，使圖案化光阻層的線距約 等于圖案化光阻層的線寬的三倍。接著，以圖案化光阻層為掩膜，移除部分硬掩膜 層，以形成圖案化硬掩膜層。之后，移除圖案化光阻層。
本發(fā)明的圖案的形成方法是先于圖案化硬掩膜層的側(cè)壁形成間隙壁，再將圖 案化硬掩膜層移除，之后利用間隙壁為掩膜，來形成線寬以及線距較小的圖案化材 料層。也就是說，本發(fā)明可以定義較小的圖案間距，來增加集成電路的集成度。
另一方面，本發(fā)明的圖案的形成方法還可以通過形成線距為線寬的三倍的圖
案化硬掩膜層，并于圖案化硬掩膜層側(cè)壁形成具有相同寬度及間距的間隙壁。然后， 以此間隙壁為掩膜，可進(jìn)一步形成具有相同線寬及線距的圖案化材料層。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合 附圖作詳細(xì)說明如下。


圖1A至圖1G為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的圖案的制造流程剖面圖。
圖2A至圖2E為依照本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的圖案的制造流程剖面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1A至圖1G為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的圖案的制造流程剖面圖。
首先，請(qǐng)參照?qǐng)D1A，提供一材料層100。材料層100例如是多晶硅層、介
電層或金屬層。材料層ioo的形成方法例如是進(jìn)行物理氣相沉積制程或化學(xué)氣
相沉積制程，可視不同材料需求以進(jìn)行調(diào)整。之后，于材料層100上形成掩膜 層102。掩膜層102的材質(zhì)例如是氮化物或氧化物。掩膜層102的形成方法例 如是進(jìn)行化學(xué)氣相沉積制程。隨后，在掩膜層102上形成硬掩膜層104。硬掩 膜層104的材質(zhì)例如是氮化物或氧化物。硬掩膜層104的形成方法例如是進(jìn)行 化學(xué)氣相沉積制程。特別注意的是，掩膜層102和硬掩膜層104具有不同的蝕 刻選擇性。接著，在硬掩膜層104上形成圖案化光阻層106。圖案化光阻層106 的形成方法例如是進(jìn)行微影制程。
然后，對(duì)圖案化光阻層106進(jìn)行修補(bǔ)制程(trimming)，使圖案化光阻層106 的線距D1約等于其線寬W1的三倍。值得一提的是，在本實(shí)施例中，圖案化光 阻層106例如是利用248 nm微影制程所形成的。由于248 run微影制程的限制， 未經(jīng)過修補(bǔ)制程的圖案化光阻層106的線寬例如是150 nm，而經(jīng)過修補(bǔ)制程后 的圖案化光阻層106的線寬W1例如是100 nm，意即線距D1約為300 nm。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1B，以圖案化光阻層106為掩膜，對(duì)硬掩膜層104進(jìn)行蝕 刻制程，至暴露出掩膜層102的表面，以形成一圖案化硬掩膜層104'。隨之， 將圖案化光阻層106移除。由于圖案化光阻層106的線距Dl約等于其線寬Wl 的三倍，因此，所形成的圖案化硬掩膜層104'的線距D2約等于其線寬W2的 三倍。意即，在本實(shí)施例中，圖案化硬掩膜層104，的線寬W2例如是lOOrnn， 而其線距D2例如是300 nm。
特別注意的是，在其他實(shí)施例中，圖案化光阻層106可以不須進(jìn)行修補(bǔ)制 程，也就是說，圖案化光阻層106的線距D1亦可以大于或小于其線寬W1的三 倍。當(dāng)然，令圖案化硬掩膜層104'的線距D2約等于其線寬W2的三倍也可以 采用其他方式，例如是通過控制蝕刻制程的條件或是對(duì)圖案化硬掩膜層104' 進(jìn)行修補(bǔ)制程，本發(fā)明于此不作特別的限定。
請(qǐng)參照?qǐng)D1C，于硬掩膜層104上形成間隙壁材料層108，其中間隙壁材料 層108順應(yīng)性地覆蓋圖案化硬掩膜層104'。間隙壁材料層108的形成方法例 如是進(jìn)行化學(xué)氣相沉積制程。間隙壁材料層108與圖案化硬掩膜層104'、掩 膜層102具有不同的蝕刻選擇性。在本實(shí)施例中，間隙壁材料層108與材料層
100例如是多晶硅層。當(dāng)圖案化硬掩膜層104'的材質(zhì)例如是氮化物時(shí)，掩膜 層102的材質(zhì)例如是氧化物；或是，當(dāng)圖案化硬掩膜層104'的材質(zhì)例如是氧 化物時(shí)，而掩膜層102的材質(zhì)則例如是氮化物。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D1D，進(jìn)行非等向性蝕刻制程，移除部分間隙壁材料層108， 以于圖案化硬掩膜層104'的側(cè)壁形成間隙壁108'。所形成的間隙壁108'底 部的寬度W3例如是約等于圖案化硬掩膜層104'的線寬W2。由于圖案化硬掩 膜層104'的線距D2約等于其線寬W2的三倍，而間隙壁108'底部的寬度W3 又約等于圖案化硬掩膜層104'的線寬W2，因此，分別形成于圖案化硬掩膜層 104'中相鄰兩個(gè)圖案之間的相鄰兩間隙壁108'之間的距離D3約等于圖案化 硬掩膜層104'的線寬W2。在本實(shí)施例中，間隙壁108'底部的寬度W3以及相 鄰兩間隙壁108'之間的距離D3例如是100 nm。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1E，將圖案化硬掩膜層104'移除，以于相鄰兩間隙壁108' 之間形成寬度為W2的開口 110。而移除圖案化硬掩膜層104'的方法例如是進(jìn) 行濕式蝕刻制程。
請(qǐng)參照?qǐng)Dif，以間隙壁108'為掩膜，進(jìn)行蝕刻制程，移除部分掩膜層102， 以形成一圖案化掩膜層102'。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1G，以間隙壁108'與圖案化掩膜層102'為掩膜，進(jìn)行 蝕刻制程，移除部份材料層ioo，以形成圖案化材料層100'。在本實(shí)施例中， 由于間隙壁108，底部的寬度W3、開口 110的寬度以及相鄰兩間隙壁之間的距 離D3皆例如是100 nm，因此，所形成的圖案化材料層100'具有相同的線寬 W4及線距M,其例如是100 nm。此外，間隙壁108'與材料層100的材質(zhì)皆 例如是多晶硅，在進(jìn)行蝕刻制程以移除部份材料層100時(shí)，和材料層100相同 材質(zhì)的間隙壁108'亦可同時(shí)被移除。而由于間隙壁108'與圖案化掩膜層102' 具有不同的蝕刻選擇性，因此圖案化掩膜層102'可以作為蝕刻終止層之用。
承上述，利用本發(fā)明的圖案的形成方法能夠通過在圖案化硬掩膜層104' 的側(cè)壁形成間隙壁108'后，將圖案化硬掩膜層104'移除。接著，再以間隙 壁108，為掩膜，形成具有相同線寬W4及線距D4的圖案化材料層100'。
以下將說明本發(fā)明的另一實(shí)施例。圖2A至圖2E為依照本發(fā)明另一實(shí)施例 所繪示的圖案的制造流程剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2A，在另一實(shí)施例中，首先提供一材料層200。材料層200例如 是多晶硅層、介電層或金屬層。材料層200的形成方法例如是進(jìn)行物理氣相沉 積制程或化學(xué)氣相沉積制程，可視不同材料需求以進(jìn)行調(diào)整。接著，在材料層 200上形成硬掩膜層202。硬掩膜層202的材質(zhì)例如是氮化物或氧化物。硬掩 膜層202的形成方法例如是進(jìn)行化學(xué)氣相沉積制程。之后，在硬掩膜層202上 形成圖案化光阻層204。圖案化光阻層204的形成方法例如是進(jìn)行微影制程。
接著，對(duì)圖案化光阻層204進(jìn)行修補(bǔ)制程，使圖案化光阻層204的線距D5 約等于其線寬W5的三倍。由于圖案化光阻層204例如是利用248 nm微影制程 所形成的，未經(jīng)過修補(bǔ)制程的圖案化光阻層204的線寬例如是150nm，而經(jīng)過 修補(bǔ)制程后的線寬W5例如是100 nm，線距D5例如是300 nm。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2B，以圖案化光阻層204為掩膜，對(duì)硬掩膜層202進(jìn)行蝕 刻制程，至暴露出材料層200的表面，以形成圖案化硬掩膜層202，。之后， 將圖案化光阻層204移除。所形成的圖案化硬掩膜層202'的線距D6約等于 其線寬W6的三倍。也就是說，圖案化硬掩膜層202，的線寬W6例如是IOO畫， 而其線距D6例如是300 nm。
在其他實(shí)施例中，圖案化光阻層204也可以不進(jìn)行修補(bǔ)制程，也就是說， 圖案化光阻層204的線距D5可以例如是大于或小于其線寬W5的三倍。而令圖 案化硬掩膜層202，的線距D6約等于其線寬W6的三倍亦可以采用其他方式， 例如是通過控制蝕刻制程的條件或是對(duì)圖案化硬掩膜層202'進(jìn)行修補(bǔ)制程， 本發(fā)明于此不作特別的限定。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2C，于材料層200上形成間隙壁材料層(未繪示)，其中間 隙壁材料層順應(yīng)性地覆蓋圖案化硬掩膜層202'。間隙壁材料層的形成方法例 如是進(jìn)行化學(xué)氣相沉積制程。間隙壁材料層與圖案化硬掩膜層202'、材料層 200具有不同的蝕刻選擇性。之后，進(jìn)行非等向性蝕刻制程，移除部分間隙壁 材料層，以于圖案化硬掩膜層202'的側(cè)壁形成間隙壁206。所形成的間隙壁 206底部的寬度W7例如是約等于圖案化硬掩膜層202'的線寬W6。由于圖案化 硬掩膜層202，的線距D6約等于其線寬W6的三倍，而間隙壁206底部的寬度 W7又約等于圖案化硬掩膜層202'的線寬W6，因此分別形成于圖案化硬掩膜層 202，中相鄰兩個(gè)圖案之間的相鄰兩間隙壁206之間的距離D7約等于圖案化硬
掩膜層202'的線寬W6。意即，間隙壁206底部的寬度W7以及相鄰兩間隙壁 206之間的距離D7例如是100 nm。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2D，進(jìn)行蝕刻制程，將圖案化硬掩膜層202'移除，以于 相鄰兩間隙壁206之間形成寬度為W6的開口 208。在本實(shí)施例中，由于間隙壁 206底部的寬度W7、開口 208的寬度以及相鄰兩間隙壁之間的距離D3皆例如 是100nm，因此，所形成的圖案化材料層200'具有相同的線寬W8及線距D8， 其例如是100nm。之后，將間隙壁206移除，即為本發(fā)明另一實(shí)施例所形成的 具有相同線寬及線距的圖案。
綜上所述，本發(fā)明的圖案的形成方法利用圖案化硬掩膜層的側(cè)壁來形成間 隙壁后，將圖案化硬掩膜層移除，并以間隙壁為掩膜，來形成圖案化材料層。 因此，可以使得所制作出的圖案化材料層的線寬及線距有效地縮小。
除此之外，本發(fā)明更通過在線距為線寬的三倍的圖案化硬掩膜層的側(cè)壁形 成間隙壁，并將圖案化硬掩膜層移除，以得到具有相同寬度及間距的間隙壁。 之后，以前述的間隙壁為掩膜，可進(jìn)一步形成具有相同線寬及線距的圖案化材 料層。
值得一提的是，本發(fā)明使用248 nm微影制程的技術(shù)，即可形成線寬及線 距皆為100 nm的圖案。也就是說，使用現(xiàn)今248 nm微影制程的設(shè)備與技術(shù)， 即可達(dá)到193nm微影制程的圖案線寬。因此，本發(fā)明可以克服現(xiàn)今技術(shù)在193 nm微影制程所遭遇的限制，而得到圖案間距較小、品質(zhì)較佳的圖案。此外，本 發(fā)明不只可以應(yīng)用在248 nm微影制程，更可以進(jìn)一步應(yīng)用在193nm微影制程， 以突破下一個(gè)世代微影制程的線寬的限制。
另一方面，本發(fā)明所提出的圖案的形成方法能夠以現(xiàn)今的微影技術(shù)與制程 設(shè)備，而不需使用新的設(shè)備、光掩膜以及光阻材料，即可達(dá)到下一世代微影制 程的圖案線寬。因此，本發(fā)明可通過簡(jiǎn)易的流程制作出較小的圖案間距，可有 助于節(jié)省制程的成本。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所 屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許 更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種圖案的形成方法，包括提供一材料層；于該材料層上形成一圖案化硬掩膜層；于該圖案化硬掩膜層的側(cè)壁分別形成一間隙壁；移除該圖案化硬掩膜層，以于相鄰兩該些間隙壁之間形成一開口；以及以該些間隙壁為掩膜，移除部分該材料層，以形成圖案化材料層。
2. 如權(quán)利要求1所述的圖案的形成方法，其特征在于，該些間隙壁的形成方法 包括于該材料層上形成一間隙壁材料層，其中該間隙壁材料層順應(yīng)性地覆蓋該圖 案化硬掩膜層；以及進(jìn)行一非等向性蝕刻制程，以移除部分該間隙壁材料層。
3. 如權(quán)利要求1所述的圖案的形成方法，其特征在于，該些間隙壁與該圖案化 硬掩膜層、該材料層具有不同的蝕刻選擇性。
4. 如權(quán)利要求1所述的圖案的形成方法，其特征在于，還包括移除該些間隙壁。
5. 如權(quán)利要求1所述的圖案的形成方法，其特征在于，該圖案化硬掩膜層的形 成方法包括于該材料層上形成一硬掩膜層與一圖案化光阻層；以該圖案化光阻層為掩膜，移除該硬掩膜層至暴露出該材料層的表面；以及 移除該圖案化光阻層。
6. 如權(quán)利要求1所述的圖案的形成方法，其特征在于，該材料層包括多晶硅層、 介電層或金屬層。
7. 如權(quán)利要求1所述的圖案的形成方法，其特征在于，該硬掩膜層的材質(zhì)包括 氮化物或氧化物。
8. 如權(quán)利要求1所述的圖案的形成方法，其特征在于，還包括在該材料層與該 圖案化硬掩膜層之間形成一掩膜層。
9. 如權(quán)利要求8所述的圖案的形成方法，其特征在于，該些間隙壁與該圖案化 硬掩膜層、該掩膜層具有不同的蝕刻選擇性。
10. 如權(quán)利要求9所述的圖案的形成方法，其特征在于，該些間隙壁與該材料 層的材質(zhì)包括多晶硅。
11. 如權(quán)利要求10所述的圖案的形成方法，其特征在于，該硬掩膜層的材質(zhì)包 括氮化物，該掩膜層的材質(zhì)包括氧化物。
12. 如權(quán)利要求10所述的圖案的形成方法，其特征在于，該硬掩膜層的材質(zhì)包 括氧化物，該掩膜層的材質(zhì)包括氮化物。
13. —種圖案的形成方法，包括 提供一材料層；于該材料層上形成一圖案化硬掩膜層，其中該圖案化硬掩膜層的一線距約等 于該圖案化硬掩膜層的一線寬的三倍；于該圖案化硬掩膜層的側(cè)壁分別形成一間隙壁，該些間隙壁底部的寬度約等 于該圖案化硬掩膜層的一線寬；移除該圖案化硬掩膜層，以于相鄰兩該些間隙壁之間形成一開口；以及 以該些間隙壁為掩膜，移除部分該材料層，以得到一圖案化材料層，且該圖 案化材料層的一線距約等于該圖案化材料層的一線寬。
14. 如權(quán)利要求13所述的圖案的形成方法，其特征在于，該些間隙壁的形成方 法包括于該材料層上形成一間隙壁材料層，其中該間隙壁材料層順應(yīng)性地覆蓋該圖 案化硬掩膜層；以及進(jìn)行一非等向性蝕刻制程，以移除部分該間隙壁材料層。
15. 如權(quán)利要求13所述的圖案的形成方法，其特征在于，該些間隙壁與該圖案 化硬掩膜層、該材料層具有不同的蝕刻選擇性。
16. 如權(quán)利要求13所述的圖案的形成方法，其特征在于，還包括移除該些間隙 壁。
17. 如權(quán)利要求13所述的圖案的形成方法，其特征在于，該材料層包括多晶硅 層、介電層或金屬層。
18. 如權(quán)利要求13所述的圖案的形成方法，其特征在于，該硬掩膜層的材質(zhì)包 括氮化物或氧化物。
19. 如權(quán)利要求13所述的圖案的形成方法，其特征在于，還包括在該材料層與該圖案化硬掩膜層之間形成一掩膜層。
20. 如權(quán)利要求19所述的圖案的形成方法，其特征在于，該些間隙壁與該圖案化硬掩膜層、該掩膜層具有不同的蝕刻選擇性。
21. 如權(quán)利要求19所述的圖案的形成方法，其特征在于，該些間隙壁與該材料 層的材質(zhì)包括多晶硅。
22. 如權(quán)利要求19所述的圖案的形成方法，其特征在于，該硬掩膜層的材質(zhì)包 括氮化物，該掩膜層的材質(zhì)包括氧化物。
23. 如權(quán)利要求19所述的圖案的形成方法，其特征在于，該硬掩膜層的材質(zhì)包 括氧化物，該掩膜層的材質(zhì)包括氮化物。
24. 如權(quán)利要求13所述的圖案的形成方法，其特征在于，該圖案化硬掩膜層的 形成方法包括于該材料層上形成一硬掩膜層與一圖案化光阻層；進(jìn)行一修補(bǔ)制程，使該圖案化光阻層的一線距約等于該圖案化光阻層的一線 寬的三倍；以該圖案化光阻層為掩膜，移除部分該硬掩膜層，以形成一圖案化硬掩膜層; 以及移除該圖案化光阻層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種圖案的形成方法，其包括下列步驟。首先，提供一材料層，于材料層上形成一圖案化硬掩膜層。接著，于圖案化硬掩膜層的側(cè)壁分別形成一間隙壁。之后，移除圖案化硬掩膜層，以于相鄰兩間隙壁之間形成一開口。接著，以間隙壁為掩膜，移除部分材料層，以形成一圖案化材料層。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101345190SQ200710127889
公開日2009年1月14日 申請(qǐng)日期2007年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月10日
發(fā)明者李俊鴻, 楊大弘, 蔡世昌, 鄭明正 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司