半導體自對準圖案化的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導體自對準圖案化的方法，其步驟包含提供包括第一層及第二層的基板，其中第一層位于第二層之上；移除第一層的一部份以形成第一圖案；沉積第一共形層于第一圖案上；沉積第二共形層于第一共形層上；移除第二共形層的一部分，使露出第一共形層的一部分；交替地薄化第一共形層及第二共形層，以形成第二圖案。本發(fā)明也提供一種半導體自對準結(jié)構(gòu)。
【專利說明】半導體自對準圖案化的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導體自對準圖案化的方法，更具體地說，涉及一種產(chǎn)生低于20 納米特征的半導體自對準多個圖案化的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 根據(jù)國際半導體技術(shù)藍圖（InternationalTechnologyRoadmapfor Semiconductors,ITRS)報告，在半導體技術(shù)隨著等級規(guī)格趨勢，動態(tài)隨機存取記憶體的半 間距被預(yù)測將小于20納米。因此，提供具有低于20納米的最小特征尺寸圖案化的半導體 晶片是在微影【技術(shù)領(lǐng)域】中是非常重要的課題。具有13. 5-14納米波長的深紫外光微影技術(shù) (ExtremeUltravioletlithography，EUV)已經(jīng)被提出作為達到10納米技術(shù)節(jié)點的選項。 然而，深紫外光微影技術(shù)的光源產(chǎn)生涉及了電漿反應(yīng)和極度真空技術(shù)，由于電漿反應(yīng)和極 度真空技術(shù)技術(shù)成本高，因此不適于生產(chǎn)作業(yè)?，F(xiàn)今技術(shù)產(chǎn)生的深紫外光微影光源強度至 少低于現(xiàn)有微影光源強度一至二個數(shù)量級。此外，應(yīng)用深紫外光微影技術(shù)伴隨著使用反射 光罩及研究完全不同化學蝕刻的挑戰(zhàn)。為了解決深紫外光微影功率不佳的問題，可通過提 高光阻的靈敏度的方式來改善。然而，一個高度敏感的光阻會產(chǎn)生散粒噪音而導致明顯的 側(cè)壁粗糙度。
[0003] 無光罩的大規(guī)模平行電子束微影（electronbeamlithography,EBL)為另一種深 紫外光微影技術(shù)，也是另一前進到下一個技術(shù)層次的方法。諸多EBL方法中，基本上是以去 除光罩以及使用幾萬或幾十萬個電子束來進行蝕刻。相較于深紫外光微影，EBL是一種簡 單替代的方法，但其發(fā)展卻一直受到低產(chǎn)能的影響。因此，在成為能實際運用的微影方法之 前，大規(guī)模平行電子束微影還有更多的改進空間。
[0004] 在沒有深紫外光微影及電子束微影的幫助之下，其他方法諸如利用特殊材料及光 阻化學反應(yīng)，已被證明是形成低于20納米特征的可行方式。上述的化學圖案化方法包含一 有效的表面處理，意即于硬烤光阻圖案上形成一堿性表面；將含有第二光敏性復合物的第 二層接觸前述光阻圖案的堿性表面，其中第二光敏性復合物包含有第二樹脂成分以及光酸 產(chǎn)生劑；將第二層暴露于活化輻射的照射中；并且對經(jīng)照射后的第二層進行顯影，形成間 隔物于即將被圖案化的層上，其中該間隔物包含顯影過程中所未去除的部分第二層。
[0005] 在堿性表面及第二層之間的交聯(lián)反應(yīng)有助于間隔物的形成。間隔物隨后用以形成 更小特征尺寸的軟光罩，將其下層材料圖案化。承上，由于化學反應(yīng)的發(fā)生十分重要，形成 各特征圖案的材料被限制在特定的種類，其大多是軟質(zhì)材料。軟質(zhì)材料在較高處理溫度的 需求之下，是一個難以克服的問題。
[0006] 上文的「現(xiàn)有技術(shù)」說明僅提供【背景技術(shù)】，并未承認上文的「現(xiàn)有技術(shù)」說明公開 本發(fā)明的標的，不構(gòu)成本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)，且上文的「現(xiàn)有技術(shù)」的任何說明均不應(yīng)作為本 案的任一部分。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明公開一種半導體自對準圖案化方法。本發(fā)明的一目的在于制造具低于20 納米的最小特征尺寸的半導體晶片。本發(fā)明提供的方法免于使用深紫外光微影技術(shù)、大規(guī) 模平行電子束微影或是任何化學反應(yīng)，該些技術(shù)或步驟在圖形特征形成過程中會限定材料 種類及制程溫度。
[0008] 在一實施例中，本發(fā)明的方法包含有提供一基板的步驟，基板包含第一層及第二 層，其中第一層位于第二層之上，移除第一層的一部份以形成第一圖案，沉積第一共形層于 第一圖案上，沉積第二共形層于第一共形層上，移除第二共形層的一部分，使露出第一共形 層的一部分，交替地薄化第一共形層及第二共形層，以形成第二圖案。
[0009] 在一些實施例中，交替地薄化第一共形層及第二共形層的步驟包含有通過第一蝕 刻薄化第一共形層，通過第二蝕刻薄化第二共形層，通過第三蝕刻薄化第一共形層。
[0010] 在一些實施例中，移除第一層的一部份以形成第一圖案的步驟包含有提供多個線 形特征位于第一層上，其中每一線形特征包含二側(cè)壁，形成多個間隔物覆蓋每一線形特征 的二側(cè)壁，移除多個線形特征，轉(zhuǎn)移多個間隔物的圖形至第一層。
[0011] 在一實施例中，多個線形特征包含線寬及線距，線寬及線距比值為5:7,其中線寬 可為35納米至50納米，且線距可為49納米至70納米。在另一實施例中，第二圖案具有7 納米至10納米的最小特征尺寸。
[0012] 在一實施例中，間隔物及第一共形層為相同材料，且第一共形層及第二共形層為 不同材料。在另一實施例中，第一共形層及第二共形層的蝕刻選擇比大于10。
[0013] 在另一實施例中，本發(fā)明提供一種半導體自對準結(jié)構(gòu)，半導體自對準結(jié)構(gòu)包含有 載體，第一圖案具有第一特征尺寸，其設(shè)置于載體上，第二圖案具有第二特征尺寸，其設(shè)置 于載體上。其中第一特征尺寸為相鄰第一特征之間的一間隔，且第二特征尺寸為相鄰第二 特征之間的一間隔。第二圖案的第一部分的組成材料不同于第二圖案的第二部分的組成材 料。
[0014] 上文已相當廣泛地概述本發(fā)明的技術(shù)特征，僅使下文的本發(fā)明詳細描述得以獲得 較佳了解。組成本發(fā)明的權(quán)利要求范圍標的的其他技術(shù)特征將描述于下文。本發(fā)明所屬技 術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員技術(shù)人員應(yīng)了解，可相當容易地利用下文公開的概念與特定實施例可作為 修改或設(shè)計其他結(jié)構(gòu)或制程而實現(xiàn)與本發(fā)明相同的目的。本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】技術(shù)人員技 術(shù)人員也應(yīng)了解，這類等效建構(gòu)無法脫離后附的權(quán)利要求范圍所界定的本發(fā)明的精神和范 圍。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 本發(fā)明的目的及其效果通過下列的說明并參考其中的附圖：
[0016] 圖1根據(jù)本發(fā)明的一實施例的自對準圖案化結(jié)構(gòu)的剖視圖；以及
[0017] 圖2至圖11根據(jù)本發(fā)明的一實施例的形成自對準圖案化結(jié)構(gòu)制造步驟的剖視圖。
[0018]【符號說明】
[0019] 10 結(jié)構(gòu)
[0020] 100 線形特征
[0021] 100' 側(cè)壁
[0022] 100A 間隔物
[0023] 100A' 間隔層
[0024] 101 第一層
[0025] IOlA 第一圖案
[0026] 102 第二層
[0027] 102A 抗反射層
[0028] 102B 碳基層
[0029] 103A 第二圖案
[0030] 104 第一共形層
[0031] 104' 第一共形層
[0032] 104' ' 第一共形層
[0033] 104' ' ' 第一共形層
[0034] 105 第二共形層
[0035] 105' 第二共形層
[0036] 105' ' 第二共形層
[0037]11 厚度
[0038] 12 厚度
[0039] 13 厚度
[0040]L 線寬
[0041] S 線距
[0042]W 線寬
[0043] D 線距

【具體實施方式】
[0044] 為了使技術(shù)人員能徹底地了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳盡的步驟及結(jié) 構(gòu)。顯然地，本發(fā)明的實現(xiàn)并未限定于相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習的特殊細節(jié)。另一方面， 眾所周知的結(jié)構(gòu)或步驟并未描述于細節(jié)中，以避免造成本發(fā)明不必要的限制。本發(fā)明的較 佳實施例會詳細描述如下，然而除了這些詳細描述之外，本發(fā)明還可以廣泛地施行在其他 實施例中，且本發(fā)明的范圍不受限定，其以后附的權(quán)利要求的范圍為準。
[0045] 在下文中本發(fā)明的實施例配合所附附圖以闡述細節(jié)。說明書所提及的「實施例」、 「此實施例」、「其他實施例」等等，意指包含在本發(fā)明的該實施例所述有關(guān)的特殊特性、構(gòu) 造、或特征。說明書中各處出現(xiàn)的「在此實施例中」的片語，并不必然全部指相同的實施例。
[0046] 本發(fā)明關(guān)于一種半導體自對準圖案化的方法。下列記載詳細說明本發(fā)明的實施步 驟及結(jié)構(gòu)以使本發(fā)明得以被完整地了解。本發(fā)明的實現(xiàn)并不限于具有特定知識的技術(shù)人 員。此外，現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)及步驟并未記載于下文，以免本發(fā)明受到不必要的限制。本發(fā)明的較 佳實施例將于下文中描述，然而本發(fā)明除了下文之外，也可廣泛地實現(xiàn)于其它實施例中。本 發(fā)明的范圍不應(yīng)限制于下文的記載，而應(yīng)由權(quán)利要求的范圍予以定義。
[0047] 圖1根據(jù)本發(fā)明的一實施例說明自對準圖形結(jié)構(gòu)10的剖視圖。本發(fā)明公開了一 種制備結(jié)構(gòu)10的制造方法，結(jié)構(gòu)10包含有第一圖案IOlA及第二圖案103A，第一圖案IOlA 及第二圖案103A皆設(shè)置于第二層102上。本發(fā)明其它某些實施例中，第二層102可以是半 導體晶圓或是絕緣材料所組成的載體。本實施例中，第一圖案IOlA及第二圖案103A皆設(shè)置 于該第二層102上，第二層102可以進一步包含一抗反射層102A以及一碳基層102B?？狗?射層102A可以包含深紫外線抗反射涂料（deepultravioletanti-reflectioncoating, DARC)。碳基層102B可為非晶碳層。第一圖案IOlA通過移除部份第一層（圖未示）形成， 第二圖案是由至少二不同材料的片段組成。如圖1所示，第二圖案103A的最小特征尺寸D 小于第一圖案IOlA的最小特征尺寸S。在一實施例中，第二圖案103A的最小特征尺寸D小 于20納米，較佳地是小于10納米。
[0048] 圖2至圖11為根據(jù)本發(fā)明一實施例進行描述形成自對準圖形結(jié)構(gòu)的制造方法。在 圖2中，基板包含一第一層101及一第二層102,第一層101較佳地設(shè)置于第二層102上。 第一層101的組成材料不同于第二層102的組成材料。多個線形特征100在第一層101上 以等距離排列。當前實施例中，每一線形特征100可通過線寬L及線距S來表示特征。其 中線寬L如同字義，其表示為線形特征100的寬度，以及線距S是二相鄰線形特征100之間 的距離。在一實施例中，線形特征100可以是經(jīng)圖案化的光阻。
[0049] 一并參閱圖2、圖3及圖4,每一線形特征100具有二側(cè)壁100'，具有一厚度11的一 間隔物100A形成于該側(cè)壁100'。間隔物100A的形成方式的細節(jié)如圖3所示。間隔層100A' 沉積于線形特征100上，其沉積方式例如有原子層沉積（atomiclayerdeposition)、溉鍍、 或化學氣相沉積，如電楽增強化學氣相沉積（plasma-enhancedCVD)、低壓化學氣相沉積 (low-pressureCVD)或是外延成長，其中化學氣相沉積為較佳的沉積方式。間隔層100A' 合適的材料包含氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。一般而言，間隔層100A'涂覆在第一層101的 整個表面上，并蝕刻位于第一層101的水平表面上之間隔層100A'材料，留下材料如線形特 征100的側(cè)壁上的間隔物100A。較佳的是進行蝕刻以移除部份間隔層100A'材料，直到露 出線形特征100的頂表面及第一層101的頂表面。
[0050] 參閱圖5,在一實施例中通過移除光阻程序來移除線形特征100。間隔物100A在 移除程序之后被保留，接著形成了間隔物陣列。左邊二間隔物之間的距離為線寬L，左邊第 二個間隔物到第三個間隔物之間的距離為線距S，線寬L及線距S的尺寸承襲于圖2所示的 線形特征100形成步驟。
[0051] 參閱圖6,一非等向性電漿蝕刻，較佳地是一活性離子蝕刻，用以轉(zhuǎn)移圖5之間隔 物100A圖形至其下的第一層101，在完成這個步驟時，部分第一層材料通過電漿蝕刻制程 被移除，以形成第一圖案101A。本實施例中，第一圖案101A的最小特征尺寸為線距S，第一 層101的材料可以進一步當成硬光罩，用以蝕刻其下的第二層102。典型的硬光罩材料包含 有鎢、鈦、氮化鈦、氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、氧氮化鋁、氧化鉿、非晶質(zhì)碳、氮氧化硅、多晶硅 以及氮化硅。
[0052] 如圖7所示，具有一厚度12的第一共形層104,以及具有一厚度13的第二共形層 105,依次沈積在第一圖案101A上。共形沉積制程可以通過電漿增強化學氣相沉積來執(zhí)行。 在一實施例中，厚度12及厚度13為相等。間隔物及第一共形層的材質(zhì)可以是氮化硅、氧化 硅、多晶硅，或其組合。在一實施例中，間隔物及第一共形層為相同材質(zhì)，當然，間隔物及第 一共形層也可為不同材質(zhì)。第一共形層及第二共形層的材質(zhì)可以是氮化硅、氧化硅、多晶 硅，或其組合。由于在本發(fā)明當中，第一共形層及第二共形層之間的應(yīng)有足夠的蝕刻劑選擇 t匕，二共形層的組成材料為不同。舉例來說，在第一共形層及第二共形層之間的蝕刻選擇比 是大于10,較佳是大于20,最佳是大于50。
[0053] 參閱圖7及圖8,第二共形層105的一部分被移除，直到露出第一共形層104。在 一實施例中，一化學機械研磨（chemicalmechanicalpolishing,CMP)制程用以移除第二 共形層105的頂表面，在化學機械研磨制程之后，可得到第二共形層105'。當厚度13由頂 表面被移除后，第一共形層104'露出。在橫向方向上，第一共形層104'的厚度12和第二 共形層105'的厚度13保持不變，且不受化學機械研磨制程的任何影響。在下列的步驟中， 由多個蝕刻制程交替地薄化第一共形層104'和第二共形層105'，以形成如圖1所示的第二 圖案103A。
[0054] 參閱圖8及圖9,第一刻蝕程序蝕刻第一共形層104'，使第一圖案IOlA以及第二 共形層105'的側(cè)壁被露出。如圖9所示，在第一蝕刻程序之后(較佳地是使用本領(lǐng)域中的 非等向性蝕刻制程)，可得到第一共形層104' '。由于第一共形層及第二共形層之間的蝕刻 選擇比高，第一蝕刻程序使用了主要移除第一共形層材料的蝕刻液或蝕刻氣體。
[0055] 參閱圖9及圖10,第二刻蝕程序蝕刻第二共形層105'，第二共形層105'的底部完 全被移除，且暴露底下的第一共形層104' '。在圖10中，在第二蝕刻程序之后較佳地使用本 領(lǐng)域中的非等向性蝕刻制程，可得到的第二共形層105''。由于第一共形層和第二共形層 之間的蝕刻選擇性高，第二蝕刻程序使用了主要移除第二共形層材料的蝕刻蝕刻液或蝕刻 氣體。如圖10所示，相較于圖9所示的第二共形層105'，第二共形層105''的高度已經(jīng)減 少。第二蝕刻程序不適合進行過蝕刻（overetch)，因為繼續(xù)消耗第二共形層105''會使第 二圖案的高度不足。
[0056] 參閱圖10及圖11，第三蝕刻程序移除部分第一共形層104''。未被第二共形層 105''遮蔽的第一共形層104''部分通過第三蝕刻程序完全移除。在圖11中，在第三蝕刻 程序之后，可得到第一共形層104' ''，其較佳的是使用非等向性蝕刻制程，且在完成第三蝕 刻時，形成第二圖案103A。利用本發(fā)明所提出的制造方法，所得到的第二圖案的特征包含一 第一部分以及一第二部份，該第一部分由該第一共形層104'''組成，該第二部分由該第二 共形層105''組成。圖1與圖11所示兩個第二圖案之間的線距D為相同。
[0057] 下表1顯示了本發(fā)明中所采用的合適尺寸。參閱圖2至圖4及表1，實施例1擁有 多個線形特征，線形特征具有50納米的線寬L和70納米的線距S，因此，原有間距尺寸為 120納米。間隔物的厚度11，以及第一共形層和第二共形層的厚度12、13是在本實施例中 皆為10納米，因此具有10納米/10納米(意即W/D的距離）的最小特征尺寸的自對準圖案 陣列如圖1所示。實施例1中使用的曝光工具為在干燥環(huán)境下波長為193納米的干式氬氟 準分子雷射光。惟須注意的是在其他實施例中，線形特征的尺寸以及隔離層厚度減少，且其 所用的曝光工具，較佳的可為在濕式設(shè)定之下的濕式193納米氬氟準分子雷射光。在實施 例4中，利用本發(fā)明所公開的方法，可以得到具有7納米/7納米的最小特征尺寸的自對準 圖案陣列。
[0058]表一
[0059]

【權(quán)利要求】
1. 一種半導體自對準圖案化方法，包含： 提供一基板，該基板包含一第一層（101)及一第二層（102)，其中該第一層（101)位于 該第二層（102)之上； 移除該第一層（101)的一部份W形成一第一圖案（101A); 沉積一第一共形層（104)于該第一圖案（101A)上； 沉積一第二共形層（105)于該第一共形層（104)上； 移除該第二共形層（105)的一部分，使露出該第一共形層（104)的一部分；W及 交替地薄化該第一共形層（104)及該第二共形層（105)，W形成一第二圖案（103A)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體自對準圖案化方法，其中該交替地薄化該第一共形層 (104)及該第二共形層（105)的步驟包含： 通過一第一蝕刻薄化該第一共形層（104); 通過一第二蝕刻薄化該第二共形層（105) 及 通過一第H蝕刻薄化該第一共形層（104)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體自對準圖案化方法，其中該移除該第一層（101)的一 部份W形成一第一圖案（101A)的步驟包含： 提供多個線形特征（100)位于該第一層（101)上，其中每一該線形特征（100)包含二 側(cè)壁（100'）； 形成多個間隔物（100A)覆蓋每一該線形特征（100)的該二側(cè)壁（100'）； 移除該些線形特征（100) 及 轉(zhuǎn)移該些間隔物（100A)的一圖形至該第一層（100)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體自對準圖案化方法，其中該些線形特征（100)包含一 線寬（L)及一線距（S)，該線寬（L)及該線距（S)比值為5:7,其中該線寬（L)為每一該線 形特征（100)的寬度，W及該線距做為相鄰該線形特征（100)之間的距離。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體自對準圖案化方法，其中該間隔物（100A)及該第一共 形層（104)為相同材料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體自對準圖案化方法，其中該第一共形層（104)及該第 二共形層（105)為不同材料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體自對準圖案化方法，其中該第一共形層（104)的材料 為氧化娃、氮化娃、多晶娃或其組合。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體自對準圖案化方法，其中該第二共形層（105)的材料 為氧化娃、氮化娃、多晶娃或其組合。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體自對準圖案化方法，其中該第一共形層（104)及該第 二共形層（105)的一蝕刻選擇比大于10。
10. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體自對準圖案化方法，其中該第一蝕刻、該第二蝕刻及 該第H蝕刻為非等向性蝕刻制程。
11. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體自對準圖案化方法，其中該形成多個間隔物（100A) 覆蓋每一該線路特征（100)的該二側(cè)壁（100'）的步驟包含： 沉積一間隔層（100A'）于該些線形特征（100)上；W及 通過一非等向性蝕刻制程移除該間隔層（100A'）的一部分，使露出該線形特征（100) 及該第一層（101)的頂表面。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體自對準圖案化方法，其中該移除該第二共形層（105) 的一部分，使露出該第一共形層（104)的一部分包含一化學機械研磨制程。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體自對準圖案化方法，其中該第一圖案（101A)及該第 二圖案（103A)位于該第二層（102)上。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體自對準圖案化方法，其中該第二圖案（103A)包含該 第一共形層（104)及該第二共形層（105)的材料。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體自對準圖案化方法，其中該第一圖案（101A)及該第 二圖案（103A)皆包含一最小特征尺寸，且該第二圖案的該最小特征尺寸小于該第一圖案 的該最小特征尺寸。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體自對準圖案化方法，其中該第一層（101)包含鶴、鐵、 氮化鐵、氧化鐵、氧化鉛、氧化鉛、氧氮化鉛、氧化給、非晶質(zhì)碳、氮氧化娃、多晶娃、氮化娃、 或其組合。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體自對準圖案化方法，其中該第二層（102)包含一抗反 射層（102A)、一碳基層（102B)、或其組合。
18. -種半導體自對準結(jié)構(gòu)，包含： 一載體； 一第一圖案（101A)具有一第一特征尺寸，其設(shè)置于該載體上，其中該第一特征尺寸為 相鄰第一特征之間的一間隔；W及 一第二圖案（103A)具有一第二特征尺寸，其設(shè)置于該載體上，其中該第二特征尺寸為 相鄰第二特征之間的一間隔，且該第二圖案（103A)的一第一部分的組成材料不同于該第 二圖案（103A)的一第二部分的組成材料。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導體自對準結(jié)構(gòu)，其中該第二圖案（103A)的該第一部分 的組成材料及該第二部分的組成材料的蝕刻選擇比大于一預(yù)定值。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導體自對準結(jié)構(gòu)，其中該第二圖案（103A)的第一部分的 該組成材料及該第二圖案（103A)的該第二部分的該組成材料之間的蝕刻選擇比大于10。
21. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導體自對準結(jié)構(gòu)，其中該第二特征尺寸相等或小于10納 米。
22. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導體自對準結(jié)構(gòu)，其中該載體包含一抗反射層（102A)、 一碳基層（102B)、或其組合。
23. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導體自對準結(jié)構(gòu)，其中該第一圖案（101A)的該組成材料 為鶴、鐵、氮化鐵、氧化鐵、氧化鉛、氧化鉛、氧氮化鉛、氧化給、非晶質(zhì)碳、氮氧化娃、多晶娃 W及氮化娃或其組合。
24. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導體自對準結(jié)構(gòu)，其中該第二圖案（103A)的該第一部分 的該組成材料為氧化娃、氮化娃、多晶娃、或其組合。
25. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導體自對準結(jié)構(gòu)，其中該第二圖案（103A)的該第二部分 的該組成材料為氧化娃、氮化娃、多晶娃、或其組合。
26. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導體自對準結(jié)構(gòu)，其中該第二特征的一寬度及該第二特 征尺寸相同。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導體自對準結(jié)構(gòu)，其中該第一特征的一寬度及該第二特 征的該寬度相同。
【文檔編號】H01L21/02GK104347350SQ201410135484
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年4月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月26日
【發(fā)明者】劉安雄, 王雅志 申請人:南亞科技股份有限公司