專利名稱：倒裝led芯片焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明創(chuàng)造涉及倒裝LED芯片，具體涉及其焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在對倒裝LED芯片進(jìn)行倒裝固晶焊接時，例如錫膏、銀漿等焊料可能會外溢爬上芯片?，F(xiàn)有技術(shù)中僅在芯片底面對P歐姆接觸層和N歐姆接觸層進(jìn)行鈍化絕緣，避免焊接處即芯片底面的P歐姆接觸層和N歐姆接觸層之間發(fā)生短路，但沒有考慮到焊料會外溢爬到更上層，故對芯片側(cè)壁的更上層沒有實(shí)施絕緣保護(hù)措施，而芯片上有的側(cè)壁既有P型層，又有N型層，例如P電極一側(cè)的側(cè)壁自芯片底面至芯片頂面依次為P歐姆接觸層、P半導(dǎo)體層、有源發(fā)光層、N半導(dǎo)體層和襯底，故當(dāng)進(jìn)行P電極的焊接時，如果焊料外溢爬上該側(cè)的側(cè)壁接觸到N半導(dǎo)體層，就會導(dǎo)致P、N之間直接短路或漏電。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明創(chuàng)造的目的是防止倒裝LED芯片倒裝固晶焊接時P、N之間直接短路或漏電。為此給出倒裝LED芯片焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)，芯片的第一側(cè)壁既有P型層又有N型層，其特征是，第一側(cè)壁被絕緣的鈍化層從芯片底面覆蓋至襯底底面。在被鈍化層覆蓋之前，第一側(cè)壁從芯片底面開始被蝕刻至襯底底面。覆蓋第一側(cè)壁的鈍化層外側(cè)平齊于同側(cè)的襯底。覆蓋第一側(cè)壁的鈍化層材料為Si02、SiNx, SiNOx或A1203。芯片的不同時有P型 層和N型層的第二側(cè)壁也被絕緣的鈍化層從芯片底面覆蓋至襯底底面。在被鈍化層覆蓋之前，第二側(cè)壁從芯片底面開始被蝕刻至襯底底面。覆蓋第二側(cè)壁的鈍化層外側(cè)平齊于同側(cè)的襯底。覆蓋第二側(cè)壁的鈍化層材料為Si02、SiNx, SiNOx或
Al2O3U有益效果:芯片倒裝固晶焊接時，即使焊料外溢上爬，也由于有鈍化層在芯片的側(cè)壁進(jìn)行絕緣保護(hù)，該側(cè)的P型層和N型層就不會短路或漏電了。最好在鈍化層覆蓋之前先蝕刻側(cè)壁，這樣鈍化層的覆蓋操作較容易實(shí)現(xiàn)，且能夠讓鈍化層外側(cè)平齊于同側(cè)的襯底，從而使芯片側(cè)面整齊。


圖1是倒裝LED芯片焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖1，倒裝LED芯片包括襯底1、N半導(dǎo)體層2、N歐姆接觸層3、有源發(fā)光層4、P半導(dǎo)體層5和P歐姆接觸層6。在芯片底面對P歐姆接觸層和N歐姆接觸層進(jìn)行鈍化絕緣形成鈍化層80，避免焊接處即芯片底面的P歐姆接觸層6和N歐姆接觸層3之間發(fā)生短路，此乃現(xiàn)有技術(shù)。
圖中，左側(cè)壁是第一側(cè)壁，右側(cè)壁是第二側(cè)壁。由圖可知:第一側(cè)壁既有P型層5、6，又有N型層2 ;第二側(cè)壁有N型層2、3但沒有P型層，屬于不同時有P型層和N型層的側(cè)壁。第一側(cè)壁從芯片底面開始被蝕刻至襯底I底面，然后被絕緣的鈍化層81從芯片底面覆蓋至襯底I底面，覆蓋第一側(cè)壁的鈍化層81外側(cè)平齊于同側(cè)的襯底I ;第二側(cè)壁從芯片底面開始被蝕刻至襯底I底面，然后被絕緣的鈍化層82從芯片底面覆蓋至襯底I底面，覆蓋第二側(cè)壁的鈍化層82外側(cè)平齊于同側(cè)的襯底I。至此形成焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)。鈍化層80·、81、82 材料為 Si02、SiNx、SiNOx 或 A1203。
權(quán)利要求
1.倒裝LED芯片焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)，芯片的第一側(cè)壁既有P型層又有N型層，其特征是，第一側(cè)壁被絕緣的鈍化層從芯片底面覆蓋至襯底底面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征是，在被鈍化層覆蓋之前，第一側(cè)壁從芯片底面開始被蝕刻至襯底底面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的倒裝LED芯片焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征是，覆蓋第一側(cè)壁的鈍化層外側(cè)平齊于同側(cè)的襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征是，芯片的不同時有P型層和N型層的第二側(cè)壁也被絕緣的鈍化層從芯片底面覆蓋至襯底底面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的倒裝LED芯片焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征是，在被鈍化層覆蓋之前，第二側(cè)壁從芯片底面開始被蝕刻至襯底底面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的倒裝LED芯片焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征是，覆蓋第二側(cè)壁的鈍化層外側(cè)平齊于同側(cè)的襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要 求1所述的倒裝LED芯片焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征是，覆蓋第一側(cè)壁的鈍化層材料為 Si02、SiNx, SiNOx 或 Al2O315
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的倒裝LED芯片焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征是，覆蓋第二側(cè)壁的鈍化層材料為 Si02、SiNx, SiNOx 或 Al2O31全文摘要
本發(fā)明涉及倒裝LED芯片，具體涉及其焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的目的是防止倒裝LED芯片倒裝固晶焊接時P、N之間直接短路或漏電，為此給出倒裝LED芯片焊接保護(hù)結(jié)構(gòu)，芯片的第一側(cè)壁既有P型層又有N型層，其特征是，第一側(cè)壁被絕緣的鈍化層從芯片底面覆蓋至襯底底面。芯片倒裝固晶焊接時，即使焊料外溢上爬，也由于有鈍化層在芯片的側(cè)壁進(jìn)行絕緣保護(hù)，該側(cè)的P型層和N型層就不會短路或漏電了。
文檔編號H01L33/44GK103247736SQ20131014990
公開日2013年8月14日 申請日期2013年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月26日
發(fā)明者王維昀, 周愛新, 毛明華, 李永德, 馬滌非, 吳煊梁 申請人:東莞市福地電子材料有限公司