有機發(fā)光二極管顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光二極管顯示裝置。該有機發(fā)光二極管顯示裝置包括：形成在柔性基板上的有機發(fā)光二極管陣列；形成為覆蓋有機發(fā)光二極管陣列的覆蓋膜；和粘合到柔性基板的下表面的底膜。通過使用相同材料形成粘合到有機發(fā)光二極管陣列的覆蓋膜和粘合到上面形成有有機發(fā)光二極管陣列的柔性基板的下表面的底膜，并且在底膜上形成濕氣吸收物，可提高有機發(fā)光二極管裝置的可靠性。
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管顯示裝置，更具體地，本發(fā)明涉及能夠提高可靠性的有機發(fā)光二極管顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]為了與信息時代的消費者需求一致，用于顯示各種圖像信息的圖像顯示裝置已經(jīng)變得越來越輕薄和便于攜帶。通過控制有機發(fā)光層的光量來顯示圖像的有機發(fā)光二極管顯示裝置作為能夠降低陰極射線管(CRT)的重量和體積的平板顯示裝置而成為焦點。
[0003]有機發(fā)光二極管顯示裝置包括在基板的每個子像素區(qū)域中形成的薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管相連的有機發(fā)光二極管。由于有機發(fā)光二極管易于受到濕氣和氧氣的影響，形成封裝基板來覆蓋有機發(fā)光二極管。
[0004]有機發(fā)光二極管包括順序地形成的構(gòu)成陽極的第一電極、發(fā)光層(EML)和構(gòu)成陰極的第二電極。當(dāng)在第一電極和第二電極之間施加電壓時，空穴和電子在EML中復(fù)合以產(chǎn)生激子。通過激子從激發(fā)態(tài)到基態(tài)的變遷來發(fā)光。
[0005]特別地，可通過在柔性基板上形成有機發(fā)光二極管并且使用柔性覆蓋膜來形成封裝基板，實現(xiàn)柔性有機發(fā)光二極管顯示裝置。然而，在此情形下，覆蓋膜與粘合到柔性基板下表面的底膜具有不同的熱膨脹系數(shù)來防止?jié)駳饣蜓鯕鉂B過該柔性基板。因此，有機發(fā)光二極管顯示裝置會彎曲，由此使可靠性變差。
[0006]此外，底膜和通常被用于將底膜粘合到柔性基板的光學(xué)透明粘合劑(OCA)的抗?jié)裥阅懿?。因此，有機發(fā)光二極管顯示裝置對抗?jié)駳獾目煽啃宰儾睢?br>
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管顯示裝置，其基本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點所造成的一個或多個問題。
[0008]本發(fā)明的一個方面是提供一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，通過使用相同材料來形成粘合到有機發(fā)光二極管陣列的上表面的覆蓋膜以及粘合到有機發(fā)光二極管陣列的下表面的底膜，并且在底膜上設(shè)置濕氣吸收物，這種有機發(fā)光二極管顯示裝置能夠改善可靠性。
[0009]本發(fā)明的其它優(yōu)點、目的和特征和將部分地在下面的描述中列出，而部分地將是本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀下面內(nèi)容后顯見或可從實踐本發(fā)明而知曉。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過本說明書及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)而實現(xiàn)及獲得。
[0010]為了實現(xiàn)這些目的以及其他優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此概述和具體描述地，一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，包括形成在柔性基板上的有機發(fā)光二極管陣列，覆蓋有機發(fā)光二極管陣列的覆蓋膜，以及粘合到柔性基板的下表面的底膜。所述覆蓋膜和底膜由相同材料形成，并且在底膜和柔性基板之間形成有濕氣吸收物。
[0011]在底膜的上表面上可設(shè)置有多個濕氣吸收物。
[0012]所述多個濕氣吸收物可具有相同的形狀或不同的形狀。[0013]分別地，所述覆蓋膜可通過粘合層粘合到有機發(fā)光二極管陣列而所述底膜可通過粘合層粘合和柔性基板，所述粘合層由選自下組的材料形成:丙烯酸類壓敏粘合劑、烯烴類壓敏粘合劑以及硅烷壓敏粘合劑。
[0014]有機發(fā)光二極管顯示裝置可進一步包括形成在覆蓋膜的上下表面中至少一個表面上以及形成在底膜的上下表面中至少一個表面上的阻擋層。
[0015]阻擋層可具有僅包括無機層或有機層的單層結(jié)構(gòu)，或者可具有僅包括無機層或有機層的多層結(jié)構(gòu)，或者可具有由無機層與有機層層壓的多層結(jié)構(gòu)。
[0016]無機層可包括含有硅(Si)或鋁(Al)的材料，所述材料選自由鋁的氧化物(AlxOy )、硅的氮氧化物(SiONx)、硅的氧化物(SiOx)和硅的氮化物(SiNx)組成的組。
[0017]有機層可包括環(huán)氧有機材料或丙烯酸有機材料。
[0018]應(yīng)理解的是，上述概括描述以及以下對本發(fā)明的詳細描述均是示例及解釋性的，其僅用于提供對本發(fā)明原理的解釋。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]附圖意在提供對本發(fā)明的進一步理解并且并入說明書而組成說明書的一部分。所述附圖示出本發(fā)明的示范性的實施方式，并且與說明書文字一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0020]圖1示出本發(fā)明第一實施方式的有機發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖；
[0021]圖2不出圖1的有機發(fā)光二極管陣列的截面圖；
[0022]圖3A-3C示出粘合到圖1的底膜的濕氣吸收物的平面圖；和
[0023]圖4是本發(fā)明的第二實施方式的有機發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖。
【具體實施方式】
[0024]現(xiàn)在詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式，附圖中圖解了這些實施方式的一些實例。盡可能地，在附圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件。
[0025]以下參看附圖詳細描述本發(fā)明的有機發(fā)光二極管顯示裝置。
[0026]第一實施方式
[0027]圖1示出本發(fā)明第一實施方式的有機發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖。圖2示出圖1的有機發(fā)光二極管陣列的截面圖。
[0028]參看圖1，本發(fā)明的有機發(fā)光二極管顯示裝置包括形成在柔性基板120上的有機發(fā)光二極管陣列140，覆蓋有機發(fā)光二極管陣列140的覆蓋膜100b，以及粘合到柔性基板120的下表面的底膜100a。
[0029]特別地，柔性基板120是塑料膜，包括至少一種選自下組的有機材料:聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙撐基醚丙酯(polyethylene etherphthalate)、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚酰亞胺、聚醚磺酸酯(polyether sulfonate)、聚酰亞胺和聚丙烯酸酯。
[0030]在柔性基板120和有機發(fā)光二極管陣列140之間設(shè)置有緩沖層130。緩沖層130形成為防止穿過柔性基板120的濕氣和氧氣擴散到有機發(fā)光二極管陣列140中。
[0031]緩沖層130可具有包括諸如硅的氧化物(SiOx)和硅的氮化物(SiNx)的無機絕緣材料的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。此外，緩沖層130可具有2μπι或更小的厚度。
[0032]有機發(fā)光二極管陣列140形成在柔性基板120上，使得緩沖層130插入在它們之間。如圖2所示，有機發(fā)光二極管陣列140包括薄膜晶體管和有機發(fā)光二極管。薄膜晶體管包括柵極140a、柵絕緣層141、半導(dǎo)體層142、源極143a和漏極143b。有機發(fā)光二極管包括第一電極145、有機發(fā)光層147和第二電極148。
[0033]特別地，柵極140a形成在緩沖層130上，柵絕緣層141形成為覆蓋柵極140a。半導(dǎo)體層142形成在柵絕緣層141上，與柵極140a重疊。源極143a和漏極143b彼此間隔開地形成在半導(dǎo)體層142上。
[0034]有機層144由丙烯酸樹脂形成，覆蓋薄膜晶體管。有機層144形成為使得在其上面形成有薄膜晶體管的下柔性基板120a平坦化。盡管未在此示出，在柵絕緣層141和有機層144之間設(shè)置有由硅的氧化物(SiOx)或硅的氮化物(SiNx)形成的無機層(未示出)，以改善柵絕緣層141、源極143a和漏極143b的每一個與有機層144之間的界面的穩(wěn)定性。
[0035]此外,在有機層144上形成有與漏極143b相連的第一電極145以及部分暴露該第一電極145的堤絕緣層146。有機發(fā)光層147形成在暴露出的第一電極145上,并且形成第二電極148以覆蓋有機發(fā)光層147。堤絕緣層146限定有機發(fā)光二極管陣列140的有機發(fā)光區(qū)并且防止在非發(fā)光區(qū)中的光泄漏。
[0036]再參看圖1，形成保護層150以覆蓋有機發(fā)光二極管陣列140。保護層150可具有包括無機絕緣材料的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。無機絕緣材料含有娃(Si )或招(Al),例如招的氧化物(AlOx)、硅的氮氧化物(SiON)、硅的氮化物(SiNx)和硅的氧化物(SiOx)。保護層150還可具有由有機絕緣材料與無機絕緣材料層壓的多層結(jié)構(gòu)。為此，有機絕緣材料可為環(huán)氧有機絕緣材料，或可為含有固化溫度為100°C或更低的熱固性材料的有機絕緣材料。
[0037]為此，在100°C或更低的溫度下利用低溫PECVD形成無機絕緣材料，以保護有機發(fā)光二極管陣列140。
[0038]覆蓋膜IOOb通過上粘合層IlOb粘合到保護層150。覆蓋膜IOOb可具有50 μ m至100 μ m的厚度。覆蓋膜IOOb可由各向同性或各向異性材料形成，例如環(huán)烯烴共聚物(COC)、環(huán)烯烴聚合物(C0P)、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)和聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。
[0039]特別地，當(dāng)覆蓋膜IOOb具有各向同性性質(zhì)時，覆蓋膜IOOb具有Onm至3nm的相位延遲。此外，當(dāng)覆蓋膜IOOb具有各向異性性質(zhì)時，覆蓋膜IOOb具有120nm至148nm的相位延遲。
[0040]底膜IOOa通過下粘合層IlOa粘合到柔性基板120的下表面。底膜IOOa形成為防止穿過柔性基板120的濕氣和氧氣擴散到有機發(fā)光二極管陣列140中。
[0041]底膜IOOa也可由各向同性或各向異性材料形成，例如環(huán)烯烴共聚物(COC)、環(huán)烯烴聚合物(C0P)、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)和聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。
[0042]當(dāng)?shù)啄?00a具有各向同性性質(zhì)時,底膜100a具有Onm至3nm的相位延遲。此外，當(dāng)?shù)啄OOa具有各向異性性質(zhì)時，底膜IOOa具有120nm至148nm的相位延遲。底膜IOOa可具有50μπι至ΙΟΟμπι的厚度。
[0043]上粘合層IlOb和下粘合層IlOa由丙烯酸類壓敏粘合劑、烯烴類壓敏粘合劑、硅氧烷壓敏粘合劑形成。上粘合層IlOb和下粘合層IlOa具有50μπι至75μπι的厚度。特別地，上粘合層IlOb和下粘合層IlOa各具有10g/m2.天或更小的水蒸氣滲透率以及在可見光范圍內(nèi)為95%或更大的透光度。上粘合層IlOb和下粘合層IIOa各具有在無堿玻璃基板上為1300gf/英寸或更大的粘合力。使用濁度計測量，上粘合層IlOb和下粘合層IlOa各具有2%或更小的渾濁。
[0044]即，在本發(fā)明的有機發(fā)光二極管顯示裝置中，覆蓋膜IOOb和底膜IOOa是由相同的材料形成，以防止有機發(fā)光二極管顯示裝置由于熱膨脹系數(shù)不同而造成的彎曲。
[0045]此外，本發(fā)明的有機發(fā)光二極管顯示裝置進一步包括設(shè)置在柔性基板120和底膜IOOa之間的濕氣吸收物。特別地，濕氣吸收物設(shè)置在底膜IOOa的上表面上。
[0046]圖3A-3C示出粘合到圖1的底膜的濕氣吸收物的平面圖。
[0047]參看圖3A-3C，濕氣吸收物210形成在底膜IOOa的上表面上，以防止外部濕氣通過圖1的柔性基板120進入到圖1的有機發(fā)光二極管陣列140。濕氣吸收物210由氧化鋇(BaO)或氧化鈣(CaO)形成。
[0048]為此，如圖3A所示，濕氣吸收物210可整個地形成在底膜IOOa的上表面上，或者可按圖3B所示形成具有相同形狀的多個濕氣吸收物210?；蛘撸砂磮D3C所示形成具有不同形狀的多個濕氣吸收物210。同時，盡管未在此示出，可進一步在底膜IOOb的下表面上形成濕氣吸收物。
[0049]然后，返回圖1，在覆蓋膜IOOb上形成抗反射涂層200。抗反射涂層200形成為防止由于外部光造成的可視性變差。抗反射涂層200具有ΙΙΟμπι至160μπι的厚度，并且包括四分之一波長板(QWP )和偏振膜。
[0050]特別地，外部光經(jīng)過由聚乙烯醇(PVA)形成的偏振膜入射。為此，由于偏振膜透射具有相同偏振軸的外部光，同時吸收不具有相同偏振軸的外部光，因此外部光在偏振方向上被線偏振。然后，線偏振光被圓偏振，使得在穿過四分之一波長板QWP的同時，光的振動方向發(fā)生旋轉(zhuǎn)。
[0051]此外,在被有機發(fā)光二極管陣列140反射的同時，圓偏振光的旋轉(zhuǎn)方向被反向，并且在再次穿過四分之一波長板QWP的同時，圓偏振光被恢復(fù)成線偏振光。為此，在穿過四分之一波長板QWP后的重新線偏振的光的偏振面垂直于在穿過四分之一波長板QWP前的線偏振的光的偏振面。因此，重新線偏振的光的偏振軸垂直于偏振膜的偏振軸。于是，外部光被偏振膜吸收并且防止了外部光的反射。
[0052]此外，盡管未在此示出，可將保護膜粘合到抗反射涂層200，所述保護膜由諸如三醋酸纖維素(TAC)的醋酸鹽樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚烯烴樹脂和丙烯酸類樹脂形成。
[0053]在如上所述的本發(fā)明第一實施方式的有機發(fā)光二極管顯示裝置中，設(shè)置在有機發(fā)光二極管陣列140上的覆蓋膜IOOb是由與粘合到柔性基板120的下表面的底膜IOOa相同的材料形成，在柔性基板120上形成有機發(fā)光陣列140。因此，可以防止由于覆蓋膜IOOb和底膜IOOa之間的熱膨脹系數(shù)不同使得有機發(fā)光二極管顯示裝置彎曲而造成的可靠性變差。此外，可通過在底膜IOOa上形成濕氣吸收物210來提高針對于濕氣的可靠性。
[0054]第二實施方式
[0055]圖4是本發(fā)明的第二實施方式的有機發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖。
[0056]參看圖4，本發(fā)明第二實施方式的有機發(fā)光二極管顯示裝置包括形成在柔性基板220上的有機發(fā)光二極管陣列240，覆蓋有機發(fā)光二極管陣列240的覆蓋膜200b，以及粘合到柔性基板220的下表面的底膜200a。此外，進一步在覆蓋膜200b的上下表面中至少一個表面上以及在底膜200a的上下表面中至少一個表面上形成有阻擋層200c。
[0057]特別地，柔性基板220是塑料膜，包括至少一種選自下組的有機材料:聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙撐基醚丙酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚酰亞胺、聚醚磺酸酯、聚酰亞胺和聚丙烯酸酯。
[0058]在柔性基板220和有機發(fā)光二極管陣列240之間設(shè)置有緩沖層230。緩沖層230形成為防止穿過柔性基板220的濕氣和氧氣擴散到有機發(fā)光二極管陣列240中。
[0059]緩沖層230可具有包括諸如硅的氧化物(SiOx)和硅的氮化物(SiNx)的無機絕緣材料的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。此外，緩沖層230可具有2μπι或更小的厚度。
[0060]有機發(fā)光二極管陣列240形成在柔性基板220上，使得緩沖層230插入在它們之間。盡管在圖4中未示出，但是有機發(fā)光二極管陣列240包括薄膜晶體管和有機發(fā)光二極管。薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極和漏極。有機發(fā)光二極管包括第一電極、有機發(fā)光層和第二電極。
[0061]形成保護層250以覆蓋有機發(fā)光二極管陣列240。保護層250可具有包括無機絕緣材料的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。無機絕緣材料含有硅(Si)或鋁(Al)，例如鋁的氧化物(AlOx)、硅的氮氧化物(SiON)、硅的氮化物(SiNx)和硅的氧化物(SiOx)。保護層250還可具有由有機絕緣材料與無機絕緣材料層壓的多層結(jié)構(gòu)。為此，有機絕緣材料可為環(huán)氧有機絕緣材料，或可為含有固化溫度為100°C或更低的熱固性材料的有機絕緣材料。在此，在100°C或更低的溫度下利用低溫PECVD形成無機絕緣材料。
[0062]覆蓋膜200b通過上粘合層210b粘合到保護層250，而底膜200a通過下粘合層210a粘合到柔性基板220的下表面。
[0063]為此，覆蓋膜200b和底膜200a可分別由諸如環(huán)烯烴共聚物(COC)、環(huán)烯烴聚合物(C0P)、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)和聚萘二甲酸乙二酯(PEN)的各向同性或各向異性材料形成。
[0064]特別地，當(dāng)覆蓋膜200b和底膜200a具有各向同性性質(zhì)時，覆蓋膜200b和底膜200a分別具有Onm至3nm的相位延遲。此外，當(dāng)覆蓋膜200b和底膜200a具有各向異性性質(zhì)時，覆蓋膜200b和底膜200a具有120nm至148nm的相位延遲。覆蓋膜200b和底膜200a可分別具有50μπι至ΙΟΟμπι的厚度。
[0065]上粘合層210b和下粘合層210a由丙烯酸類壓敏粘合劑、烯烴類壓敏粘合劑、硅氧烷壓敏粘合劑形成。上粘合層210b和下粘合層210a分別具有50μπι至75μπι的厚度。特別地，上粘合層210b和下粘合層210a各具有10g/m2.天或更小的水蒸氣滲透率以及在可見光范圍內(nèi)為95%或更大的透光度。上粘合層210b和下粘合層210a各具有在無堿玻璃基板上為1300gf/英寸或更大的粘合力。使用濁度計測量，上粘合層210b和下粘合層210a各具有2%或更小的渾濁。
[0066]進一步在覆蓋膜200b的上下表面中至少一個表面上以及在底膜200a的上下表面中至少一個表面上形成阻擋層200c。圖4示出了阻擋層200c形成在覆蓋膜200b的上表面和底膜200a的下表面上。
[0067]阻擋層200c可具有僅包括無機層或有機層的單層結(jié)構(gòu)或僅包括無機層或有機層的多層結(jié)構(gòu)，或者可具有由無機層和有機層層壓的多層結(jié)構(gòu)。為此，無機層具有IOnm至50nm的厚度,而有機層具有I μ m至3 μ m的厚度。
[0068]特別地，無機層包括含有硅(Si )或鋁(Al)的無機材料，例如鋁的氧化物(AlxOy)、硅的氮氧化物(SiONx)、硅的氧化物(SiOx)和硅的氮化物(SiNx)。有機層包括環(huán)氧有機材料、丙烯酸有機材料等。
[0069]阻擋層200c可具有5X 10_1g/m2.天至5X l(T3g/m2.天的水蒸氣滲透率以及在可見光范圍內(nèi)為89%或更大的透光度。
[0070]由于在本發(fā)明的第二實施方式中，在有機發(fā)光二極管顯示裝置中，進一步在覆蓋膜200b的上下表面中至少一個表面上以及在底膜200a的上下表面中至少一個表面上形成阻擋層200c，可有效防止外部濕氣和氧氣的流入。因此，可減小設(shè)置在柔性基板220和有機發(fā)光二極管陣列240之間的緩沖層230的厚度，或者可去除該緩沖層230。
[0071]此外，可進一步在底膜200a的上表面上形成由氧化鋇(BaO)或氧化鈣(CaO)形成的濕氣吸收物。濕氣吸收物可整個地形成在底膜200a的上表面上，或者可形成具有相同形狀的多個濕氣吸收物。或者，可形成具有不同形狀的多個濕氣吸收物。可進一步在底膜200b的下表面上形成濕氣吸收物。
[0072]在覆蓋膜200b上形成抗反射涂層300。在圖4中，由于阻擋層200c形成在覆蓋膜200b上，所以抗反射涂層300形成在阻擋層200c上。
[0073]抗反射涂層300形成為防止由于外部光造成的可視性變差。抗反射涂層300具有110 μ m至160 μ m的厚度，并且包括四分之一波長板(QWP)和偏振膜。
[0074]在本發(fā)明第二實施方式的有機發(fā)光二極管顯示裝置中，如上所述，阻擋層200c形成在覆蓋膜200b的上下表面中至少一個表面上以及在底膜200a的上下表面中至少一個表面上。因此，可有效防止外部氧氣流入到有機發(fā)光二極管陣列240中。
[0075]如上所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置可具有下面的效果。
[0076]首先，由于粘合到有機發(fā)光二極管陣列的上表面的覆蓋膜和粘合到上面形成了有機發(fā)光二極管陣列的柔性基板的下表面的底膜是由相同的材料形成的，所以防止了由于覆蓋膜和底膜之間的熱膨脹系數(shù)不同使得有機發(fā)光二極管顯示裝置彎曲而造成的可靠性變差。
[0077]第二，由于在底膜的上表面上形成濕氣吸收物，所以可提高針對濕氣的可靠性。
[0078]第三，由于進一步在覆蓋膜的上下表面中至少一個表面上以及在底膜的上下表面中至少一個表面上形成阻擋層，所以可有效防止外部氧氣的流入。
[0079]對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不背離本發(fā)明的精神和范圍下可以有各種修改和變化。因此，各種修改和變化只要落入本發(fā)明的所附權(quán)利要求及其等同的范圍內(nèi)，那么本發(fā)明就旨在覆蓋它們。
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，包括: 形成在柔性基板上的有機發(fā)光二極管陣列； 形成為覆蓋有機發(fā)光二極管陣列的覆蓋膜；和 粘合到柔性基板的下表面的底膜， 其中，覆蓋膜和底膜是由相同材料形成，并且 在底膜和柔性基板之間形成有濕氣吸收物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二級管裝置，其中在底膜的上表面上設(shè)置有多個濕氣吸收物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二級管裝置，其中多個濕氣吸收物具有相同的形狀或不同的形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二級管裝置，其中覆蓋膜通過粘合層粘合到有機發(fā)光二極管陣列并且底膜通過粘合層粘合到柔性基板，所述粘合層由選自由丙烯酸類壓敏粘合劑、烯烴類壓敏粘合劑以及硅氧烷壓敏粘合劑組成組的材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二級管裝置，進一步包括形成在覆蓋膜的上下表面中至少一個表面上以及在底膜的上下表面中至少一個表面上的阻擋層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光二級管裝置，其中阻擋層具有僅包括無機層或有機層的單層結(jié)構(gòu)或僅包括無機層或有機層的多層結(jié)構(gòu)，或者具有由無機層和有機層層壓的多層結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光二級管裝置，其中無機層包括含有硅(Si)或鋁(Al)的材料，所述材料選自鋁的氧化物(AlxOy )、硅的氮氧化物(SiONx)、硅的氧化物(SiOx)和硅的氮化物(SiNx)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光二級管裝置，其中有機層包括環(huán)氧有機材料或丙烯酸有機材料。
【文檔編號】H01L27/32GK103872069SQ201310136137
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年4月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月17日
【發(fā)明者】李在暎, 林熙澈, 邊鉉泰 申請人:樂金顯示有限公司