本文討論的實施例涉及一種能夠在其上安裝發(fā)光元件的發(fā)光元件安裝封裝、發(fā)光元件安裝封裝的制造方法、以及通過將發(fā)光元件安裝在發(fā)光元件安裝封裝上形成的發(fā)光元件封裝。

背景技術：
近些年來，提出了一種具有作為安裝在發(fā)光元件封裝上的發(fā)光元件的發(fā)光二極管（在下文中，稱為“LED”）的發(fā)光元件封裝。例如，所提出的發(fā)光元件封裝等由多組LED形成，多組LED的每一組由安裝在柔性基板的上表面的布線圖案上的三個LED組成，并且多個散熱器板通過接合劑（bond）而設置，以便覆蓋與多組LED的安裝位置對應的部分，如日本特開專利公開第2003-92011號所公開的。然而，上述發(fā)光元件封裝通過在與該多組LED的安裝位置對應的部分設置散熱器板來散發(fā)由該多組LED發(fā)出的熱量。因為從該多組LED到散熱板的散熱路徑不充足，所以由該多組LED發(fā)出的熱量不能被有效地傳遞到散熱器板。

技術實現(xiàn)要素：
考慮到以上幾點，本發(fā)明的目的是要提供一種具有散熱路徑（其能夠有效地將由發(fā)光元件產(chǎn)生的熱量傳遞到設置在外部的散熱器部）的發(fā)光元件安裝封裝、發(fā)光元件安裝封裝的制造方法、以及通過將發(fā)光元件安裝在發(fā)光元件安裝封裝上形成的發(fā)光元件封裝。根據(jù)實施例的一個方案，一種發(fā)光元件安裝封裝包括：第一布線，形成第一發(fā)光元件安裝部，該第一發(fā)光元件安裝部被設置在基板的一個表面上以安裝發(fā)光元件；以及第一貫通布線，具有一端和另一端，該一端電連接至第一發(fā)光元件安裝部以便能夠進行熱傳遞，以及該另一端從基板的另一個表面突出。根據(jù)實施例的另一個方案，一種發(fā)光元件封裝包括：根據(jù)上述的發(fā)光元件安裝封裝；以及所述發(fā)光元件，安裝在所述發(fā)光元件安裝封裝的相應的第一發(fā)光元件安裝部、相應的第二發(fā)光元件安裝部或相應的發(fā)光元件安裝部。根據(jù)實施例的又一個方案，一種發(fā)光元件安裝封裝的制造方法包括：形成貫穿基板的通孔；在所述基板的一個表面上設置金屬層；在所述通孔內部形成貫通布線，所述貫通布線包括一端和另一端，所述一端與所述金屬層電連接，所述另一端從所述基板的另一個表面突出以形成連接端子；圖案化所述金屬層以形成包括發(fā)光元件安裝部的布線并形成總線，發(fā)光元件將要安裝在所述發(fā)光元件安裝部上；以及使用包括所述總線的供電路徑，通過電鍍在所述發(fā)光元件安裝部的表面上形成電鍍膜。將憑借在所附權利要求中特別指出的元件和組合來實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和優(yōu)點。應當理解，前述的一般說明和下面的詳細描述都是示例性和解釋性的，并且不限制權利要求所要求保護的本發(fā)明。附圖說明圖1為第一實施例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性平面圖；圖2A和圖2B為示出圖1的部分A的示例性放大圖；圖3為第一實施例的發(fā)光元件封裝的示例性剖視圖；圖4A和圖4B示出第一實施例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性制造工藝；圖5A至圖5D示出第一實施例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性制造工藝；圖6A至圖6D示出第一實施例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性制造工藝；圖7為第二實施例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性剖視圖；圖8為第二實施例的發(fā)光元件封裝的示例性剖視圖；圖9為第二實施例的變型實例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性剖視圖；圖10為第二實施例的發(fā)光元件封裝的示例性剖視圖；圖11為第三實施例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性平面圖；圖12A和圖12B為示出圖11的部分A的示例性放大圖；圖13A和圖13B示出第三實施例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性制造工藝；圖14A和圖14B示出第三實施例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性制造工藝；圖15為第四實施例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性平面圖；圖16A和圖16B為示出圖15的部分D的示例性放大圖；圖17為第四實施例的發(fā)光元件封裝的示例性剖視圖；圖18A、圖18B以及圖18C示出第四實施例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性制造工藝；圖19為第四實施例的變型實例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性剖視圖；圖20為第四實施例的變型實例1的發(fā)光元件封裝的示例性剖視圖；圖21為第四實施例的變型實例2的發(fā)光元件安裝封裝的示例性剖視圖；圖22為第四實施例的變型實例2的發(fā)光元件封裝的示例性剖視圖；圖23為第四實施例的變型實例3的發(fā)光元件安裝封裝的示例性平面圖；圖24為示出圖23的部分D的示例性放大圖；圖25為第四實施例的變型實例3的發(fā)光元件封裝的示例性剖視圖；圖26示出第四實施例的變型實例4的金屬元件的示例性平面圖；以及圖27A和圖27B示出懸掛部的其它示例性形狀。具體實施方式將參考附圖來說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。其中相同的附圖標記被附加于相同的部件，并省略對這些部件的重復說明。[a]第一實施例[第一實施例的發(fā)光元件安裝封裝的結構］將描述第一實施例的發(fā)光元件安裝封裝的結構。圖1為第一實施例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性平面圖。圖2A為圖1的部分A的示例性放大平面圖。圖2B為沿圖2A的線B-B的示例性剖視圖。參照圖1以及圖2A和圖2B，發(fā)光元件安裝封裝1包括：基板10；粘著層20；布線30（包括布線31和32以及總線33）；電鍍膜40（包括電鍍膜41、42、43、44以及45）；貫通布線50（包括貫通布線51、52以及53）；以及絕緣層60。參照圖2，由雙點劃線包圍的區(qū)域C最終沿著該雙點劃線被切割，以便成為分離的發(fā)光元件安裝封裝的區(qū)域（在下文中，稱為單獨的封裝區(qū)域C）。換句話說，發(fā)光元件安裝封裝1包括多個單獨的封裝區(qū)域C，每一個單獨的封裝區(qū)域C被形成以便安裝一個發(fā)光元件。參照圖1，發(fā)光元件安裝封裝1包括60個單獨的封裝區(qū)域C。然而，該數(shù)量不限于此數(shù)量。在發(fā)光元件安裝封裝1中，基板10為例如具有柔性的絕緣樹脂膜。該絕緣樹脂膜為例如由聚酰亞胺樹脂構成的膜（聚酰亞胺帶）、由環(huán)氧樹脂構成的膜、由聚酯樹脂構成的膜等。然而，基板10不限于具有柔性的絕緣樹脂膜。例如，可以使用由阻燃劑4（FR4）的玻璃環(huán)氧樹脂等構成的基板10。例如，基板10的厚度可以是大約50μm至75μm。粘著層20被接合至基板10的一個表面以將布線31和32以及總線33固定到基板10。粘著層20為例如由絕緣樹脂構成的耐熱性粘著劑（adhesionbond），例如，環(huán)氧樹脂粘著劑或聚酰亞胺粘著劑。粘著層20的厚度為例如大約8μｍ至大約18μｍ。在基板10的兩側，以大體恒定的間隔沿預定方向連續(xù)地設置了多個齒孔（sprockethole）10x。當發(fā)光元件安裝封裝1被安裝在用于安裝發(fā)光元件的裝置中以便使得發(fā)光元件被安裝在發(fā)光元件安裝封裝1上時，齒孔10x為與鏈輪齒（其由電機等來驅動）嚙合的通孔?？梢源_定沿與齒孔10x布置方向垂直的方向上基板10的寬度，以便與其上安裝了發(fā)光元件安裝封裝1的裝置對應。例如，基板10的寬度可以是大約40mm至大約90mm。另一方面，能夠任意確定基板10的長度（齒孔10x的布置方向）。參照圖1，單獨的封裝區(qū)域C的數(shù)量是10排。例如，如果具有柔性的絕緣樹脂膜被用作基板10，則基板10可以進一步延長以便成為大約100排：其中呈帶狀的發(fā)光元件安裝封裝1被裝在卷軸（reel）上運送。在基板10的一個端部的齒孔10x與基板10的另一個端部的齒孔10x之間，布置了表面被電鍍膜45涂覆的總線33，以便包圍所有單獨的封裝區(qū)域C，其中縱向及橫向地布置總線33?？偩€33電連接至貫穿基板10和粘著層20的多個貫通布線53的一端。該多個貫通布線53的另一端通過從基板10的另一個表面突出而形成突出部。貫通布線53從基板10的另一個表面的突出量為例如大約20μm至大約50μm。總線33用來供應用于通過電鍍在布線31和32上形成電鍍膜40的電力。然而，總線33不直接連接至布線31和32。換句話說，在發(fā)光元件安裝封裝1內，總線33與形成發(fā)光元件安裝部的布線31和32電獨立。在后文描述使用總線33在布線30上形成電鍍膜40的具體方法。在單獨的封裝區(qū)域C中，布線31和32經(jīng)由粘著層20被設置在基板10的一個表面上。布線31電連接至貫穿基板10和粘著層20的多個貫通布線51的一端。布線32電連接至貫穿基板10和粘著層20的多個貫通布線52的一端。該多個貫通布線51和52的另一端通過從基板10的另一個表面突出而形成突出部。貫通布線51和52從基板10的另一個表面的突出量為例如大約20μm至大約50μm。兩個貫通布線51連接至布線31。兩個貫通布線52連接至布線32。如所描述的，從提高散熱性能的視點來看，優(yōu)選的是設置多個貫通布線51和52。然而，本實施例不限于此。為布線31和32的每一個設置至少一個貫通布線是足夠的。然而，在單獨的封裝區(qū)域C在預定平面部分被切片并布置的情況下，從平衡的觀點來看，優(yōu)選為布線31和32的每一個設置兩個或多個貫通布線51和52。例如，在單獨的封裝區(qū)域C的平面形狀是矩形的情況下，貫通布線51和52（連接端子）被設置在單獨的封裝區(qū)域C的角部。如此，通過在將發(fā)光元件安裝封裝或發(fā)光元件封裝安裝在金屬基板等上時設置貫通布線51和52，可以防止封裝被傾斜地安裝。為了方便起見，貫通布線51、52以及53被編上了不同的編號。然而，如后文描述的，貫通布線51、52以及53可以通過在相同的工藝中使用相同的材料來形成。在下文中，如果沒有必要具體區(qū)分貫通布線51、52以及53，則貫通布線51、52以及53被通稱為貫通布線50。另外，貫通布線51和52可以被稱為第一貫通布線，貫通布線53可以被稱為第二貫通布線。另外，貫通布線51和52的突出部可以被稱為連接端子。貫通布線50的材料為例如銅（Cu）等。例如，貫通布線50的平面形狀可以是圓形。這種情況下，其直徑為例如大約0.5mm至1mm。然而，貫通布線50有助于電連接，并且還有助于散熱。因此，如果要提高散熱性能，則貫通布線50的直徑可以是1mm或更大。貫通布線50的平面形狀可以為例如橢圓形、矩形等。除區(qū)域C的一部分之外，由大體設置在單獨的封裝區(qū)域C的整個區(qū)域上的絕緣層60覆蓋布線31和32。布線31和32的區(qū)域的該部分從絕緣層60暴露。電鍍膜41、42、43以及44形成在布線31和32暴露于絕緣層60上的區(qū)域上。優(yōu)選，設置絕緣層60以在相鄰的單獨封裝區(qū)域C之間的邊界界限（boundarydivision）暴露粘著層20的表面。通過設置絕緣層60，可以在每次發(fā)光元件安裝封裝1被切割成單獨的封裝區(qū)域C時防止絕緣層60外圍的破裂或脫落。因此，能夠防止絕緣層60的表面面積減小，從而防止絕緣層60的反射率的下降。另外，在這種情況下當發(fā)光元件安裝封裝1被切割成單獨的封裝區(qū)域C時，絕緣層60的外圍被從基板10的外圍向內安置。當絕緣層60等中沒有破裂時，絕緣層60可以被設置在包括單獨的封裝區(qū)域C之間的邊界界限的粘著層20的整個表面上。這種情況下，當發(fā)光元件安裝封裝1被切割成單獨的封裝區(qū)域C時，絕緣層60、基板10以及粘著層20的側表面可以是大體平面的。為了方便起見，布線31、32以及33被編上了不同的編號。然而，如后文描述的，布線31、32以及33可以通過在相同的工藝中使用相同的材料來形成。當沒有必要具體區(qū)分布線31和32以及總線33時，布線31和32以及總線33被通稱為布線30。布線30的材料為例如銅（Cu）等。布線30的厚度可以是大約12μm至大約35μm。類似地，為了方便起見，電鍍膜41、42、43、44以及45被編上了不同的編號。然而，如后文描述的，電鍍膜41、42、43、44以及45可以通過在相同的工藝中使用相同的材料來形成。當沒有必要具體區(qū)分電鍍膜41、42、43、44以及45時，電鍍膜41、42、43、44以及45被通稱為電鍍膜40。例如，電鍍膜40由Ni或Ni合金/Au或Au合金膜、Ni或Ni合金/Pd或Pd合金/Au或Au合金膜、Ni或Ni合金/Pd或Pd合金/Ag或Ag合金/Au或Au合金膜、Ag或Ag合金膜、Ni或Ni合金/Ag或Ag合金膜、Ni或Ni合金/Pd或Pd合金/Ag或Ag合金膜等構成。在此，表達式“AA/BB”表示由AA構成的膜和由BB構成的膜以此順序被疊置在對象部分上（當形成三個或多個膜時類似）。優(yōu)選，電鍍膜40中的Au或Au合金膜和Ag或Ag合金膜的厚度是0.1μm或更大。優(yōu)選，電鍍膜40中的Pd或Pd合金膜的厚度是0.005μm或更大。優(yōu)選，電鍍膜40中的Ni或Ni合金膜的厚度是0.5μm或更大。設置絕緣層60以增大由安裝在單獨的封裝區(qū)域C中的發(fā)光元件照射的光的反射率和散熱比。形成絕緣層60的材料可以通過將填充劑或顏料（例如，二氧化鈦（TiO2）或硫酸鋇（BaSO4））添加到例如環(huán)氧樹脂或硅樹脂（例如，有機聚硅氧烷）來獲得。由該材料制成的白墨可以被用作絕緣層60的材料。在平面圖中，布線31和32形成面向彼此的同時在其間插入有預定間隙的兩個區(qū)域。該兩個區(qū)域形成發(fā)光元件安裝部。換句話說，該發(fā)光元件安裝部由大體在單獨的封裝區(qū)域C中的基板10的整個表面上被設置成平面形狀的金屬層形成。該金屬層通過設置在該金屬層中的預定間隙（縫隙）而被分成面向彼此的兩個區(qū)域（布線31和32）。同時，該預定間隙（縫隙）具有與發(fā)光元件的一個電極和另一個電極之間的間隙相對應的寬度。發(fā)光元件安裝部的外圍以從基板10的外圍向基板10的內部的方式被向內設置。這是為了防止當發(fā)光元件安裝封裝1被切割成單獨的封裝區(qū)域C時發(fā)光元件安裝部（布線31和32）的側表面被暴露。這樣，可以防止當使用發(fā)光元件安裝封裝1時發(fā)生短路。發(fā)光元件被安裝在發(fā)光元件安裝部上。形成在發(fā)光元件安裝部的區(qū)域的一部分上的電鍍膜41和42中的一個連接至發(fā)光元件的一個電極，發(fā)光元件的另一個電極連接至電鍍膜41和42中的另一個。換句話說，布線31的形成電鍍膜41的部分以及布線32的形成電鍍膜42的部分形成為面向彼此，同時在其間插入有預定間隙。電鍍膜41和42分別為發(fā)光元件的一個電極和另一個電極的連接部。作為發(fā)光元件安裝部的貫通布線51連接在布線31的正下方。作為發(fā)光元件安裝部的貫通布線52連接在布線32的正下方。由此，由發(fā)光元件產(chǎn)生的熱量能夠經(jīng)由貫通布線51和52被有效地散發(fā)。另外，布線31的形成電鍍膜43的部分和布線32的形成電鍍膜44的部分形成為面向彼此，同時插入有預定間隔，從而使保護部件能夠被安裝在電鍍膜43和44上。電鍍膜43和44中的一個連接至保護部件的一個電極。電鍍膜43和44中的另一個連接至保護部件的另一個電極。換句話說，電鍍膜43和44分別是保護部件的一個電極和另一個電極的連接部。然而，可能并不總是安裝該保護部件，而是可根據(jù)需要將其安裝。該保護部件為例如齊納二極管。在安裝齊納二極管的過程中，電鍍膜43和44中具有較高電勢的一個（即，發(fā)光元件的正電極）是陰極。同時，電鍍膜43和44中具有較低電勢的另一個（即，發(fā)光元件的負電極）是陽極。通過在電鍍膜43和電鍍膜44之間安裝齊納二極管，可以防止電鍍膜43和44之間的電壓變?yōu)轭A定電壓（齊納電壓）或更大。布線31和32面向彼此，使得布線31的突出面向布線32的凹陷，同時在布線31和32之間插入預定間隔，并且在平面圖中，該突出進入該凹陷中。布線31的突出是用于發(fā)光元件的一個電極的連接部。布線32的凹陷是用于發(fā)光元件的另一個電極的連接部。面向彼此的布線31和32的部分（除了布線31的突出和布線32的凹陷之外）變?yōu)榕c保護部件的電極連接的連接部。參照圖2A，布線31的突出和布線32的凹陷被大體設置在布線31和32的面向部分的中心，同時插入有預定間隔。然而，該布置不限于上述布置。確定布線31和32的形狀，以便將其中安裝保護部件的部分與其中安裝發(fā)光元件的部分分離得盡可能遠。通過在發(fā)光元件的附近安裝保護部件，光的一部分被保護部件所遮擋，從而可能降低照明強度。通過如圖2A所示的布置，保護部件被安裝得離發(fā)光元件盡可能遠，從而防止保護部件被安裝在緊鄰發(fā)光元件旁邊。這樣，可以防止照明強度減小。然而，該形狀不限于上述形狀。圖3為第一實施例的發(fā)光元件封裝100的剖視圖。參照圖3，發(fā)光元件110被安裝在切片后的發(fā)光元件安裝封裝1（單獨的封裝區(qū)域C的一部分）的發(fā)光元件安裝部（布線31和32）上。然后，發(fā)光元件110由密封樹脂120密封，并被進一步安裝在金屬基板125上。發(fā)光元件110可以是LED，在其相對側形成有陽極電極和陰極電極。然而，發(fā)光元件110不限于LED。例如，可以使用表面發(fā)射激光器等。密封樹脂120可以是包含熒光材料的環(huán)氧絕緣樹脂或硅膠絕緣樹脂等。在下文中，舉例說明了這樣的實例：其中發(fā)光元件110是LED，發(fā)光元件封裝100是LED封裝。（發(fā)光元件110可以被稱為LED110，發(fā)光元件封裝100可以被稱為LED封裝100。）安裝在發(fā)光元件安裝封裝1上的LED110的規(guī)格尺寸（dimension）在其平面圖中為例如：長度0.3mmx寬度0.3mm、長度1.0mmx寬度1.0mm、長度1.5mmx寬度1.5mm等。LED110具有作為一個電極的凸塊111和作為另一個電極的凸塊112。LED110的凸塊111和112中的一個是陽極端子，LED110的凸塊111和112中的另一個是陰極端子。凸塊111和112通過倒裝芯片接合被設置在電鍍膜41和42上。電鍍膜41和42之間的間隔被確定為與LED110的凸塊111和112之間的間隔（例如，60μm）對應。在LED封裝100中，在其上安裝LED110的發(fā)光元件安裝封裝1被進一步安裝在金屬基板125上。金屬基板125包括：金屬板130，用作散熱器部（散熱器板）；絕緣層140，形成在金屬板130的一個表面上；布線層150，形成在絕緣層140上；以及阻焊劑層155，選擇性地涂覆布線層150。開口155x和155y被設置在阻焊劑層155中。部分布線150從開口部155x和155y暴露。在下文中，暴露在開口部155x上的布線150和暴露在開口部155y上的布線150被分別稱為外部連接焊盤150A和150B。金屬板130的材料可以為例如具有優(yōu)良導熱性的銅（Cu）、鋁（Al）等。金屬板130的厚度可以為例如大約100μｍ至大約500μｍ。然而，尤其在需要散熱性能的情況下，金屬板的厚度可以是大約幾毫米。絕緣層140的材料可以為例如環(huán)氧絕緣樹脂、硅膠絕緣樹脂等。布線層150的材料為例如銅（Cu）等。焊盤150A中的一個經(jīng)由由焊料或導電漿料構成的結合部160電連接至貫通布線51的從基板10的另一個表面突出的突出部（連接端子）。換句話說，焊盤150A中的一個經(jīng)由貫通布線51、布線31以及電鍍膜41電連接至作為LED110的電極端子之一的凸塊111。焊盤150A中的另一個經(jīng)由由焊料或導電漿料構成的結合部160電連接至貫通布線52的從基板10的另一個表面突出的突出部（連接端子）。換句話說，焊盤150A中的另一個經(jīng)由貫通布線52、布線32以及電鍍膜42電連接至作為LED110的電極端子之一的凸塊112。通過將外部連接焊盤150B連接至布置在發(fā)光元件封裝100外部的電源、驅動電路等，并通過在LED110的凸塊111和112之間施加預定電位差，LED110發(fā)光。LED110產(chǎn)生熱量。由LED110產(chǎn)生的熱量經(jīng)由電鍍膜41和布線31被傳送到貫通布線51，并經(jīng)由焊盤150A中的一個和絕緣層140被進一步傳送到金屬板130。類似地，由LED110產(chǎn)生的熱量經(jīng)由電鍍膜42和布線32被傳送到貫通布線52，并經(jīng)由焊盤150A中的另一個和絕緣層140被進一步傳送到金屬板130。傳遞到金屬板130的熱量通過金屬板130被散發(fā)。如所描述的，貫通布線51和52在安裝在發(fā)光元件安裝部上的LED110與主要有助于散熱的金屬基板125之間形成電連接路徑，并且還形成用于將由LED110產(chǎn)生的熱量傳遞到金屬基板125的金屬板130的散熱路徑。因為貫通布線51和52被布置在LED110的附近（例如，大體位于LED110下方），所以由LED110產(chǎn)生的熱量能夠被有效地傳遞到金屬板130，使得熱量從金屬板130散發(fā)出去。[第一實施例的發(fā)光元件安裝封裝的制造方法］接下來，描述第一實施例的發(fā)光元件安裝封裝的制造方法。圖4A至圖6D示出第一實施例的發(fā)光元件安裝封裝1的制造工藝。在說明第一實施例的發(fā)光元件安裝封裝的制造工藝的過程中使用的剖視圖與圖2B對應。在圖4所示的工藝內（圖4A為平面圖，圖4B為與圖2B對應的剖視圖），呈卷軸形狀（帶狀）的聚酰亞胺膜等被制備成基板10，并且粘著層20是通過在基板10的一個表面上涂覆環(huán)氧樹脂粘著劑等來形成。代替環(huán)氧樹脂粘著劑，可以通過粘著至基板10來貼附（attach）環(huán)氧樹脂粘著膜。貫穿基板10和粘著層20的齒孔10x和通孔50x形成在基板10（其具有形成在基板10的一個表面上的粘著層20）上。齒孔10x沿著基板10的縱向方向（圖4A中的左右方向）連續(xù)形成在橫向邊緣（圖4A中的上下方向）上，同時插入大體恒定的間隔。通孔50x形成在預定位置（與圖1所示的貫通布線50對應的位置）處，在該預定位置處在下文描述的工藝中形成布線30。齒孔10x和通孔50x通過例如沖壓工藝形成。接下來，在圖5A所示的工藝中，金屬層30A形成在粘著層20上。粘著層20通過在預定溫度加熱被硬化。例如，金屬層30A能夠通過在粘著層20上疊置銅箔來形成。金屬層30A的厚度可以是大約18μm至大約35μm。金屬層30A通過稍后被圖案化而變?yōu)椴季€30。接下來，在圖5B所示的工藝中，通過將圖5A所示的結構浸入用于濕蝕刻的溶液（例如，過氧化氫溶液）中，暴露在通孔50x中的金屬層30A的下表面和金屬層30A的上表面被蝕刻（所謂的微蝕刻）。通過該蝕刻工藝，存在于金屬層30A的表面上的防銹劑被去除，并且金屬層30A的表面的微少厚度可以被去除例如大約0.5μm至大約1μm。當優(yōu)選要這樣做時，可以執(zhí)行該蝕刻工藝。參照圖5C，遮蔽膠帶（maskingtape）500被貼附到金屬層30A的上表面。遮蔽膠帶500是用來覆蓋金屬層30A的上表面，使得在以下圖5D所示的工藝中通過電鍍形成貫通布線50時電鍍膜不會生長在金屬層30A的上表面上。參照圖5D，貫通布線50（貫通布線51、52以及53）通過使用金屬層30A作為電源層進行電鍍來形成。之后，去除圖5C所示的遮蔽膠帶500。貫通布線50使電鍍金屬在通孔50x的內部沉淀在金屬層30A的下表面上。然后，電鍍金屬填充通孔50x的內部以便形成得類似柱狀物（column）。貫通布線50在一端（圖5D的上端）電連接至金屬層30A。貫通布線50形成為在基板的另一端（圖5D的下端）從基板10的另一個表面突出。貫通布線50從基板10的另一個表面的突出量為例如大約20μm至大約50μm。貫通布線50的材料為例如銅（Cu）等。接下來，參照圖6A，金屬層30A被圖案化以形成包括布線31和32（發(fā)光元件安裝部）以及總線33的布線30。具體而言，例如，抗蝕劑（未示出）被涂覆在金屬層30A上。金屬層30A被曝光以匹配布線30的形狀。然后，布線30的形狀被顯影。然后，通過使用抗蝕劑進行蝕刻而通過圖案化形成布線30。在此之后，去除抗蝕劑。參照圖6B，絕緣層60形成在布線31和32的不形成電鍍膜41和42的預定部分上。絕緣層60可以由白色材料構成。例如，絕緣層60可以通過絲網(wǎng)印刷方法等形成。在形成白墨等以便整體覆蓋布線30之后，絕緣層60可以通過在白墨等上暴露將要形成電鍍膜41和42的部分而形成。接下來，參照圖6C，粘附有銅箔510的遮蔽膠帶520被粘著至基板10的另一個表面。銅箔510接觸貫通布線51、52以及53的下端（在突出部的頂端附近）。由此，貫通布線51和52的突出部（連接端子）以及貫通布線53的突出部接觸作為導體的銅箔510，從而將貫通布線51和52（第一貫通布線）與貫通布線53（第二貫通布線）電連接。這樣，基板的下表面完全被遮蔽膠帶520覆蓋。接下來，參照圖6D，使用包括總線33、貫通布線53、銅箔510以及貫通布線51和52的供電路徑執(zhí)行電鍍，從而在暴露于布線31和32的絕緣層60上的部分的表面上形成電鍍膜41、42、43以及44。電鍍膜45形成在總線33上。電鍍膜41、42、43、44以及45的材料、厚度等如上所述。在圖6D所示的工藝之后，粘附有銅箔510的遮蔽膠帶520被去除，并通過沿與基板10的縱向方向垂直的方向切割被在預定位置處切片。完成圖1和圖2所示的發(fā)光元件安裝封裝1。圖3所示的發(fā)光封裝100能夠形成如下。例如，發(fā)光元件安裝封裝1被安裝在一裝置中。然后，膏狀焊料被涂覆在單獨的封裝區(qū)域C的每一個的電鍍膜41和42上。每一個發(fā)光元件110的凸塊111和112被布置在單獨的封裝區(qū)域C的每一個的電鍍膜41和42的膏狀焊料上。之后，發(fā)光元件封裝100被帶入回流熔爐，以熔化膏狀焊料并將其硬化。之后，在利用密封樹脂120密封發(fā)光元件安裝封裝1的上表面之后，每一個單獨的封裝區(qū)域C的部分沿著各自的邊界界限被切割，以被切片成單獨的封裝區(qū)域C?；蛘?，單獨的封裝區(qū)域C的部分被切片。然后，每一個單獨的封裝區(qū)域C的部分被密封樹脂120密封。之后，每一個經(jīng)切片的發(fā)光元件安裝封裝1被安裝在包括金屬板130、絕緣層140、布線層150等的金屬基板125上。具體而言，通過將貫通布線51和52的突出部（連接端子）電連接至焊盤150A，完成圖3所示的發(fā)光元件封裝100。如所描述的，在發(fā)光元件安裝封裝1中，貫通布線51和52被用作將布線31和32電連接的路徑，并且還被用作由發(fā)光元件110產(chǎn)生的熱量的散熱路徑。由此，由發(fā)光元件110產(chǎn)生的熱量能夠被傳遞到散熱器部（金屬板130）以散發(fā)熱量。此時，因為貫通布線51和52被布置在發(fā)光元件安裝部（布線31和32）的正下方，所以由發(fā)光元件110產(chǎn)生的熱量能夠被有效地傳遞到散熱器部（金屬板130）以散發(fā)熱量。另外，因為貫通布線51和52被布置在發(fā)光元件安裝部的正下方從而提高散熱性能，所以該布線可以不必像傳統(tǒng)技術中為了提高散熱性能那樣被加厚。結果是，可以使用厚度為大約12μm至大約35μm的相對較薄的銅箔作為布線30。這樣，可以將布線31和32之間的間隔縮窄為例如60μm。另外，由于發(fā)光元件和散熱器板的熱膨脹系數(shù)的失配，因而在傳統(tǒng)發(fā)光元件封裝中，可能降低發(fā)光元件與發(fā)光元件安裝部之間的連接可靠性。另一方面，在發(fā)光元件封裝100中，包括具有柔性的樹脂作為主要成分的基板10被布置在發(fā)光元件110和用作散熱器板的金屬板130之間。因此，發(fā)光元件110與發(fā)光元件安裝部之間的連接可靠性能夠通過緩和發(fā)光元件110和金屬板130的熱膨脹系數(shù)之間的失配而得到提高。[b]第二實施例在第二實施例內，描述與第一實施例不同的發(fā)光元件安裝封裝的示例性制造方法。在第二實施例中，省略與第一實施例的上述說明中描述的相同的構成元件的說明。圖7為第二實施例的發(fā)光元件安裝封裝1A的示例性剖視圖。圖8為第二實施例的發(fā)光元件封裝100A的剖視圖。參照圖7，發(fā)光元件安裝封裝1A的示意性結構與第一實施例的發(fā)光元件安裝封裝1（參見圖1和圖2）類似。然而，在發(fā)光元件安裝封裝1A中，布線32的上表面的面積和電鍍膜42的上表面的面積大于布線31的上表面的面積和電鍍膜41的上表面的面積。另外，貫通布線52的截面面積大于貫通布線51的截面面積。這是因為發(fā)光元件110A通過導線接合被安裝在發(fā)光元件安裝封裝1A中，如圖8中所示的發(fā)光元件封裝100A。換句話說，在經(jīng)切片后的發(fā)光元件安裝封裝1A中，發(fā)光元件110A經(jīng)由粘著層170被安裝在電鍍膜42上（發(fā)光元件110A的下表面通過粘著層170被粘著在電鍍膜42上）。另外，設置在發(fā)光元件110A的上表面上的電極113經(jīng)由由金（Au）、銅（Cu）等構成的金屬線180（接合線）電連接至電鍍膜41。另外，設置在發(fā)光元件110A的上表面上的另一個電極114經(jīng)由由金（Au）、銅（Cu）等構成的金屬線180（接合線）電連接至電鍍膜42。發(fā)光元件110A和金屬線180由密封樹脂120來密封。粘著層170可以是絕緣粘著劑、粘著膜（例如，芯片貼附膜(dieattachfilm)）等。然而，當發(fā)光元件110A的下表面與電極113和114以及作為發(fā)光元件110A的主要組件的芯片部分（未示出）絕緣時，由銀膏等構成的導電粘著劑可以被用作粘著層170。如所描述的，在第二實施例內，當上表面的面積等被設計成適當?shù)某叽鐣r，發(fā)光元件安裝封裝1A能夠使所安裝的發(fā)光元件110A通過導線接合而被電連接。在發(fā)光元件安裝封裝1A中，設置在與發(fā)光元件110A的背面對應的位置處的貫通布線52的截面面積能夠被設計為較大。這樣，能夠提高散熱效率。換句話說，由發(fā)光元件110A產(chǎn)生的熱量從發(fā)光元件110A的背面經(jīng)由電鍍膜42和布線32被傳遞到貫通布線52。另外，熱量被有效地從面積較大的貫通布線52傳遞到焊盤150A、絕緣層140以及金屬板130。然后，熱量通過金屬板130被散發(fā)。（第二實施例的變型實例）在第二實施例的變型實例內，描述與第二實施例不同的發(fā)光元件安裝封裝的示例性結構。在第二實施例的變型實例中，省略與第一實施例和第二實施例的上述說明中描述的相同的構成元件的說明。圖9為第二實施例的變型實例的發(fā)光元件安裝封裝1B的示例性剖視圖。圖10為第二實施例的變型實例的發(fā)光元件封裝100B的剖視圖。參照圖9，發(fā)光元件安裝封裝1B的示意性結構與第二實施例的發(fā)光元件安裝封裝1A（參見圖7）類似。然而，在發(fā)光元件安裝封裝1B中，電鍍膜42的上表面的面積小于發(fā)光元件安裝封裝1A中的面積。這是因為發(fā)光元件110B的僅一個電極通過導線接合連接至發(fā)光元件安裝封裝1B，如圖10中的發(fā)光元件封裝100B所示。因此，沒有設置通過導線接合連接發(fā)光元件110B的另一個電極的面積。在發(fā)光元件封裝100B中，一個電極113被設置在發(fā)光元件110B的上表面上。另一個電極115被設置在發(fā)光元件110B的下表面上。在發(fā)光元件安裝封裝1B中，發(fā)光元件110B經(jīng)由由例如銀膏等構成的導電粘著層190被安裝在電鍍膜42上。由此，另一個電極115經(jīng)由導電粘著層190電連接至電鍍膜42。發(fā)光元件110B的電極113以類似于第二實施例的方式經(jīng)由金屬線180電連接至電鍍膜41。發(fā)光元件110B和金屬線180以類似于第二實施例的方式由密封樹脂120來密封。如此，電極115被設置在發(fā)光元件110B的下表面上，從而經(jīng)由導電粘著層190將電極115與電鍍膜42電連接。這樣，能夠獲得與第二實施例類似的效果。[c]第三實施例在第三實施例內，舉例說明了與第一實施例不同的發(fā)光元件安裝封裝的示例性制造方法。在第三實施例中，省略與上述實施例中的描述相同的構成元件的說明。[第三實施例的發(fā)光元件安裝封裝的結構］描述第三實施例的發(fā)光元件安裝封裝的結構。圖11為第三實施例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性平面圖。圖12A為圖11的部分A（由虛線包圍）的示例性放大平面圖。圖12B為沿圖12A的線B-B的示例性剖視圖。參照圖11以及圖12A和圖12B，發(fā)光元件安裝封裝1C與發(fā)光元件安裝封裝1（參見圖1、圖2A和圖2B）不同的一點是貫通布線53沒有被設置在總線33中。在該發(fā)光元件安裝封裝的制造方法的說明中描述了沒有設置貫通布線53的原因。經(jīng)切片后的發(fā)光元件安裝封裝1C的封裝結構與發(fā)光元件安裝封裝1的類似。[第三實施例的發(fā)光元件安裝封裝的制造方法］接下來，描述第三實施例的發(fā)光元件安裝封裝的制造方法。圖13A、圖13B、圖14A以及圖14B示出第三實施例的發(fā)光元件安裝封裝的制造工藝。圖13A和圖14A為示例性平面圖，圖13B和圖14B為示例性剖視圖。參照圖13B，實施與圖4A至圖6A所示的第一實施例中類似的工藝。然而，在與圖4A和圖4B對應的工藝中，通孔50沒有形成在與總線33對應的區(qū)域中。在與圖6A對應的工藝中，布線30從金屬層30A形成，并同時形成多個連接部35。形成連接部35以將總線33與互相相鄰的布線31或32、相鄰的布線31、相鄰的布線32、以及相鄰的布線31和32電連接。由此，僅在基板10的一側，所有的布線31和32電連接至總線33。如所描述的，因為總線33僅在基板10的一側與布線31和32電連接，所以在基板10的另一個表面上沒有使用導體。這樣，沒有設置貫通布線53。參照圖14A和圖14B，實施與圖6B至圖6D所示的第一實施例類似的工藝，從而在暴露于絕緣層60上的布線31和32的表面上形成電鍍膜41、42、43以及44。電鍍膜45形成在總線33上。接下來，參照圖6C，未粘附有銅箔510的遮蔽膠帶520被粘著至基板10的另一個表面。遮蔽膠帶520的一個表面接觸貫通布線50的下端（在突出部的頂端附近）。這樣，基板10的另一個表面完全被遮蔽膠帶520覆蓋。在與圖6D對應的工藝中，電力經(jīng)由總線33和連接部35被供應到布線31和32，從而形成電鍍膜41、42、43以及44。此時，遮蔽膠帶被粘附在連接部35上，從而防止電鍍膜形成在連接部35上。這是因為容易去除連接部35。在圖14A和圖14B所示的工藝之后，去除圖14B所示的連接部35，并進一步去除遮蔽膠帶520。通過在預定位置沿與縱向方向垂直的方向將基板10切割成片，完成圖11和圖12所示的發(fā)光元件安裝封裝1C。例如，能夠通過掩蓋除連接部35之外的區(qū)域并濕蝕刻或干蝕刻連接部35，來去除連接部35?；蛘撸B接部35可以通過鼓風（blasting）來去除。如所描述的，在第三實施例內，設置連接部35以在基板10的一個表面上將總線33與布線31和32連接。另外，電鍍膜41、42、43以及44形成在布線31和32上。在如上述制造的發(fā)光元件安裝封裝1C中能夠獲得與第一實施例類似的效果。另外，連接部35通過在將發(fā)光元件安裝封裝1C切片之前進行蝕刻來去除，從而防止連接部殘留在切割成片的部分處，以獲得發(fā)光元件安裝封裝1C。因為布線30的邊緣沒有暴露在通過進行切片獲得的發(fā)光元件安裝封裝1C的端部上，所以不會發(fā)生諸如短路、生銹等問題。[d]第四實施例在第四實施例內，舉例說明了與第一實施例不同的發(fā)光元件安裝封裝的另一個示例性結構。在第四實施例中，省略與上述實施例中的描述相同的構成元件的說明。[第四實施例的發(fā)光元件安裝封裝的結構］描述第四實施例的發(fā)光元件安裝封裝的結構。圖15為第四實施例的發(fā)光元件安裝封裝的示例性平面圖。圖16A和圖16B為圖15的部分D（由虛線包圍）的示例性放大圖。圖16A為平面圖。圖16B為沿圖16A的線B-B的剖視圖。為了方便起見，金屬元件80通過圖16A中的點而被圖案化。參照圖15以及圖16A和圖16B，發(fā)光元件安裝封裝1D與發(fā)光元件安裝封裝1（參見圖1、圖2A以及圖2B）主要不同的點是金屬元件80代替絕緣層60被設置在發(fā)光元件安裝封裝1D的表面上。在發(fā)光元件安裝封裝1D中，形成電鍍膜41以覆蓋布線31的上表面和側表面。另外，形成電鍍膜41以覆蓋布線32的上表面和側表面。以類似于第一實施例的方式，形成電鍍膜45以覆蓋總線33的上表面和側表面。在第一實施例中形成電鍍膜43和44的區(qū)域上，在第四實施例中形成電鍍膜41和42。因此，在第四實施例中，電鍍膜43和44不存在。金屬元件80經(jīng)由粘著層70被粘著在電鍍膜40（電鍍膜41、42以及45）上。例如，粘著層70是由絕緣樹脂構成的粘著劑（例如，環(huán)氧樹脂粘著劑、硅膠粘著劑或聚酰亞胺粘著劑）。當需要時，絕緣耐熱性粘著劑可以被用作粘著層70。粘著層70的厚度為例如大約8μｍ至大約18μｍ。粘著層70可以是與粘著層20相同類型的粘著劑或與粘著層20不同類型的粘著劑。在發(fā)光元件安裝封裝1D中，由于進行切片而將變成單獨的發(fā)光元件安裝封裝的多個單獨的封裝區(qū)域C被縱向和橫向布置在基板10上。金屬元件80包括：多個反射板81，縱向和橫向布置，同時插入有預定間隔；框架部82，完全包圍反射板81；以及懸掛部（hungportion）83，連接反射板81、框架部82以及懸掛部83。反射板81被布置在每一個單獨的封裝區(qū)域C內的每一個發(fā)光元件安裝部上。反射板81、框架部82以及懸掛部83整體形成。在第四實施例中，可以僅沿一個方向（圖16A的縱向方向）設置懸掛部83?？梢詢H沿圖16A上的橫向方向或者沿圖16A上的縱向方向和橫向方向來設置該懸掛部。以類似于齒孔10x的方式運作的齒孔80x被設置在金屬元件80的框架部82中。設置開口部81x以在金屬元件80的反射板81上暴露電鍍膜41和42的每一個的一部分。暴露在每一個開口部81x上的電鍍膜41和42用作發(fā)光元件的一個電極的連接部以及發(fā)光元件的另一個電極的連接部。開口部81x的內壁是傾斜表面，其形狀像喇叭以向著上表面擴展（widen）。當發(fā)光元件被安裝在暴露在開口部81內部的電鍍膜41和42上時，該內壁用來沿預定方向反射由發(fā)光元件發(fā)出的光。能夠相對于電鍍膜40的上表面適當?shù)卦O定開口部81x的內壁表面的傾斜角度。該傾斜角度是大約20°至大約50°。然而，開口部81x的內壁的截面形狀不限于線性形狀，而可以包括彎曲部。從提高反射率的角度來看，開口部81x的平面形狀優(yōu)選較小。開口部81x在其平面圖中是圓形。例如，該開口部的直徑可以是大約幾毫米。然而，開口部81x的平面形狀不限于圓形，而可以是橢圓形、矩形等。例如，金屬體80的厚度可以是大約0.5mm。金屬元件80的材料是銅、鋁、銅和鋁的合金等。此時，通過拋光金屬元件80的表面來給予該表面進一步的光澤度（gloss），當發(fā)光元件被安裝并發(fā)出光時，開口部81x的內壁表面內的反射率變得尤為高。通過在金屬元件80的表面上設置鍍金、鍍銀等，可以進一步增強光澤度。此時，優(yōu)選的是選擇對于從發(fā)光元件發(fā)出的光的發(fā)射波長具有高反射率的電鍍材料?？梢詾檎麄€金屬元件80或僅限定區(qū)域（例如，僅開口部81x的內壁表面）提供拋光或電鍍。與開口部81x不同的另一個開口部可以被設置在其中形成電鍍膜43和44的區(qū)域中。然后，另一個開口部具有暴露在該另一個開口部上的電鍍膜41和42，以使得能夠在電鍍膜41和42上安裝保護部件（例如，齊納二極管）。圖17為第四實施例的發(fā)光元件封裝的剖視圖。參照圖17，發(fā)光元件110被安裝在經(jīng)切片后的發(fā)光元件安裝封裝1D（單獨的封裝區(qū)域C的一部分）的發(fā)光元件安裝部（布線31和32）上。然后，發(fā)光元件110由密封樹脂120密封，并被進一步安裝在金屬基板125上。密封樹脂120被設置在反射板81的開口部81x的內部。在第四實施例內，因為開口部81x的內壁表面是傾斜表面，所以可以有效地將從發(fā)光元件110發(fā)出的光反射到預定方向（提高反射率）。[第四實施例的發(fā)光元件安裝封裝的制造方法］接下來，描述第四實施例的發(fā)光元件安裝封裝的制造方法。圖18A至圖18C示出第四實施例的發(fā)光元件安裝封裝的制造工藝。圖18A至圖18C與圖16對應。首先，實施類似于第一實施例的圖4A至圖6A所示的工藝。在圖18A所示的工藝中，在類似于圖6D所示的工藝中形成電鍍膜41、42以及45。然而，因為沒有形成絕緣層60，所以形成電鍍膜41以便覆蓋布線31的上表面和側表面。另外，形成電鍍膜42以便覆蓋布線32的上表面和側表面。在圖18B所示的工藝中，在去除圖18A所示的粘附有銅箔510的遮蔽膠帶520之后，環(huán)氧樹脂粘著劑等被涂覆在電鍍膜41、42以及45的預定區(qū)域，從而形成粘著層70。代替環(huán)氧樹脂粘著劑，可以粘著環(huán)氧樹脂粘著膜以形成粘著層70。該預定區(qū)域是除暴露在反射板81的開口部81x內部的部分之外的區(qū)域。接下來，在圖18C所示的工藝中，具有開口部81x和懸掛部83的金屬元件80被制備，并經(jīng)由粘著層70粘著在電鍍膜41、42以及45上。包括開口部81x和懸掛部83的金屬元件80可以通過壓印（stamping）或蝕刻金屬板來形成。利用該工藝，金屬元件80的反射板81被縱向和橫向布置，以便被安置在單獨的封裝區(qū)域C內部。其中安裝發(fā)光元件的電鍍膜41和42被暴露在反射板81的開口部81x的內部。通過在預定位置將該結構切割成片，完成圖15、圖16A以及圖16B所示的發(fā)光元件安裝封裝1D。在對該結構進行切片時，切割懸掛部83。如所描述的，通過將包括反射板的金屬元件粘著在發(fā)光元件安裝封裝的表面上，提高了發(fā)光元件安裝封裝的剛度以減少偏斜，并且發(fā)光元件安裝封裝的制造工藝以及裝運之后的處理變得容易。同時，在如第一實施例的由白墨等構成的絕緣層60形成的情況下，絕緣層60的厚度具有特定值（大約40μm至大約50μm），以提高反射率。然而，因為通過一個印刷工藝不能獲得該厚度，所以執(zhí)行多個印刷工藝。另一方面，通過將反射板的開口部的內壁表面形成為傾斜表面，使得能夠在該傾斜表面有效地反射光。因此，可以去除白墨等的印刷工藝。這樣，能夠簡化發(fā)光元件安裝封裝的制造工藝。例如，在第一實施例中為了當在發(fā)光元件封裝100的制造工藝中形成密封樹脂時防止密封樹脂流出，存在環(huán)形壩（annulardam）形成在發(fā)光元件安裝封裝1的單獨封裝區(qū)域的絕緣層60上的情況。在第四實施例內，反射板的開口部的內壁表面用作當在發(fā)光元件封裝的制造工藝中形成密封樹脂時防止密封樹脂流出的壩。因此，沒有專門設置用作壩的元件，從而簡化了發(fā)光元件安裝封裝或發(fā)光元件封裝的制造工藝。同時，因為由發(fā)光元件產(chǎn)生的熱量能夠從反射板散發(fā)，所以能夠提高發(fā)光元件封裝的散熱性能。如果在散熱性能方面尋求更大的改善，則優(yōu)選的是將具有高導熱性的金屬（銅等）用作反射板的材料。如果更為尋求輕重量，則優(yōu)選的是將具有低比重的金屬（鋁等）用作反射板的材料。<第四實施例的變型實例1>在第四實施例的變型實例1內，描述在反射板的表面上設置反射膜的實例。在第四實施例的變型實例1中，省略與前述實施例的上述說明中的描述相同的零部件的說明。圖19示出第四實施例的變型實例1的發(fā)光元件安裝封裝的剖視圖。圖19與圖16對應。圖20示出第四實施例的變型實例1的發(fā)光元件封裝的剖視圖。圖20與圖17對應。像圖19所示的發(fā)光元件安裝封裝1E以及圖20所示的發(fā)光元件封裝100E一樣，反射膜61可以形成在反射板81的上表面以及開口部81x的內壁表面上。然而，形成有反射膜61的區(qū)域可以僅為開口部81x的內壁表面。形成反射膜61的材料可以通過將填充劑或顏料（例如，二氧化鈦（TiO2）或硫酸鋇（BaSO4））添加到例如環(huán)氧樹脂或硅樹脂（例如，有機聚硅氧烷）來獲得。由上述材料構成的白墨可以被用作反射膜61的材料。反射膜61可以通過將絲網(wǎng)印刷方法等應用于其中形成開口部81x和懸掛部83的金屬元件80來形成。另外，反射膜61可以形成在金屬元件80的下表面上。在將反射膜61布置在電鍍膜40上之后，將反射膜61硬化。這樣，金屬元件80能夠被粘著在電鍍膜40上，而不必使用粘著層70。換句話說，形成在金屬元件80的下表面上的反射膜61用作粘著層70。因為反射膜61形成在金屬元件80上，所以與第一實施例的絕緣層60相比，反射膜61可以是薄的。反射膜61的厚度可以為例如大約50μm。因為反射膜61可以較薄，所以與如第一實施例中所述形成絕緣層60的情況相比，能夠減少印刷的次數(shù)。如此，通過將反射膜61設置在反射板81的上表面以及開口部81x的內壁表面上（或僅設置在開口部的內壁表面上），實現(xiàn)了由發(fā)光元件發(fā)出的光的高反射率。雖然在第四實施例的變型實例1中沒有描述在框架部82的上表面上形成反射膜61，然而反射膜61可以形成在框架部82的上表面上，以省略掩蔽框架部82等的工藝。<第四實施例的變型實例2>在第四實施例的變型實例2內，第四實施例中的用于形成電鍍膜41和42的區(qū)域被減小。在第四實施例的變型實例2中，省略與前述實施例的上述說明中的描述相同的零部件的說明。圖21示出第四實施例的變型實例2的發(fā)光元件安裝封裝的剖視圖。圖21與圖16B對應。圖22示出第四實施例的變型實例2的發(fā)光元件封裝的剖視圖。圖22與圖17對應。除如圖21中示出的發(fā)光元件安裝封裝1F以及圖22中示出的發(fā)光元件封裝100F所示的區(qū)域的一部分之外，布線31和32可以被阻焊劑層62覆蓋。形成阻焊劑層62以覆蓋除了安置在開口部81x內部的部分之外的布線31和32的上表面和側表面。形成電鍍膜41以覆蓋布線31的上表面和側表面的位于開口部81x內部的部分。形成電鍍膜42以覆蓋布線32的上表面和側表面的位于開口部81x內部的部分。代替絕緣層60，阻焊劑層62可以在圖6B所示的工藝中形成。具體而言，阻焊劑層62能夠通過涂布液狀或膏狀感光環(huán)氧絕緣樹脂等形成，以通過絲網(wǎng)印刷方法覆蓋布線31和32?；蛘?，膜狀感光環(huán)氧絕緣樹脂等可以被疊置在粘著層20上，以便覆蓋布線31和32，從而形成阻焊劑層62。通過將涂覆或疊置的絕緣樹脂曝光并顯影，形成具有與開口部81x對應的形狀的開口部62x（光刻）。開口部62x可以通過激光處理或鼓風來形成。因為阻焊劑層62不會有助于反射，所以阻焊劑層62的顏色能夠是除白色以外的顏色。如所描述的，通過形成阻焊劑層62以便覆蓋除安置在反射板81的開口部81x內部的部分之外的布線31和32的上表面和側表面，能夠減小用于形成電鍍膜41和42的區(qū)域。因此，能夠減小制造成本。另外，在第四實施例內，反射板81與電鍍膜41和42（布線31和32）僅通過粘著層70來絕緣。另一方面，在第四實施例內，反射板81以及布線31和32通過阻焊劑層62和粘著層70來絕緣，從而安全可靠地將反射板81與布線31和32絕緣。<第四實施例的變型實例3>在第四實施例的變型實例3內，在通過導線接合在發(fā)光元件安裝封裝上安裝發(fā)光元件的模式中，反射板被設置在發(fā)光元件安裝封裝中。在第四實施例的變型實例3中，省略與上述實施例的上述說明中的描述相同的零部件的說明。圖23為第四實施例的變型實例3的發(fā)光元件安裝封裝的示例性平面圖。圖24為圖23的部分D（由虛線包圍的部分）的示例性放大剖視圖。圖24示出與圖16B對應的剖視圖。圖25示出第四實施例的變型實例3的發(fā)光元件封裝100G的剖視圖。圖25與圖17對應。金屬元件90可以將發(fā)光元件安裝在其上的模式被設置在發(fā)光元件安裝封裝1G中，并以類似于圖23和圖24所示的發(fā)光元件安裝封裝1G以及圖25所示的發(fā)光元件封裝100G的方式被設置在發(fā)光元件封裝中。在發(fā)光元件安裝封裝1G中，基板10、粘著層20、布線30以及貫通布線50具有與發(fā)光元件安裝封裝1A類似的結構（參見圖7）。然而，發(fā)光元件安裝封裝1G包括阻焊劑層63，而不是絕緣層60。阻焊劑層63包括用于在阻焊劑層63上暴露布線31和32的部分的開口部63x。電鍍膜41和42形成在暴露于開口部63x內部的布線31和32上。在發(fā)光元件封裝100G中，金屬線180（接合線）連接至電鍍膜41和42。阻焊劑層63以類似于第四實施例的變型實例2中描述的阻焊劑層62的方式形成。如所描述的，通過形成阻焊劑層63（其在與金屬線連接的部分處是開口的），能夠減小形成有電鍍膜41和42的部分的面積。因此，能夠減少發(fā)光元件安裝封裝1G的制造成本。在發(fā)光元件安裝封裝1G中，由于進行切片而將變成單獨的發(fā)光元件安裝封裝的多個單獨封裝區(qū)域C被縱向和橫向布置在基板10上。金屬元件90包括：多個反射板91，縱向和橫向布置，同時插入有預定間隔；框架部92，完全包圍反射板91；以及懸掛部93，連接框架部92與相鄰于框架部92的反射板91，及互相相鄰的反射板91。反射板91被布置在每一個單獨的封裝區(qū)域C內部的每一個發(fā)光元件安裝部上。反射板91、框架部92以及懸掛部93整體形成。在第四實施例中，可以僅沿一個方向（圖23的縱向方向）來設置懸掛部93?？梢詢H沿圖23的橫向方向或者沿圖23的縱向方向和橫向方向來設置該懸掛部。以類似于齒孔10x的方式運作的齒孔90x被設置在金屬元件90的框架部92中。其中安裝發(fā)光元件110A的區(qū)域以及用于暴露與金屬線180（接合線）連接的電鍍膜41和42的開口部91x被設置在金屬元件90的每一個反射板91上。例如，開口部91x的形狀是矩形。金屬元件90形成得比金屬元件80薄。每一個反射板91的開口部91x的內壁表面不是傾斜表面。在第四實施例內，當安裝在開口部91x內部的發(fā)光元件110A發(fā)出光時，由發(fā)光元件110A發(fā)出的光在反射板91的上表面上反射。因為反射板91的開口部91x的內壁表面不是傾斜表面，所以金屬元件90能夠比金屬元件80薄。例如，金屬元件90的厚度是大約70μm。發(fā)光元件110A被安裝在經(jīng)切片后的發(fā)光元件安裝封裝1G（單獨的封裝區(qū)域C的一部分）的發(fā)光元件安裝部（布線31和32）上。然后，發(fā)光元件110A由密封樹脂120來密封，并被進一步安裝在金屬基板125上。密封樹脂120被設置在反射板91的開口部91x的內部。反射板91的開口部91x的內壁表面用作防止密封樹脂120流出的壩。如所描述的，即使反射板以通過導線接合安裝發(fā)光元件的模式被設置在發(fā)光元件安裝封裝中，也能獲得與第四實施例類似的效果。然而，在第四實施例的變型實例3內，因為每一個反射板的開口部的內壁表面不是傾斜表面，所以由發(fā)光元件發(fā)出的光在反射板的上表面上反射。<第四實施例的變型實例4>在第四實施例的變型實例4中描述金屬元件的變化。在第四實施例的變型實例4中，省略與上述實施例的上述說明中的描述相同的零部件的說明。圖26示出第四實施例的變型實例4的金屬元件的示例性平面圖。如圖26所示，金屬元件80A可以處于這樣的模式：其中多個金屬元件80經(jīng)由連接部85連接。待連接的金屬元件80的數(shù)量不限于三個，而可以是兩個或四個或更多。包括許多單獨的封裝區(qū)域C的發(fā)光元件安裝封裝通過形成基板10、布線30等來實現(xiàn)，以便與金屬元件80A對應。至于金屬元件90（參見圖23），多個金屬元件可以類似于金屬元件80的方式連接。在金屬元件80A中，形成一個金屬元件80的多個單獨的封裝區(qū)域C是第四實施例的第一部分的典型實例。形成與該一個金屬元件分離布置的另一個金屬元件80的多個單獨的封裝區(qū)域C是第四實施例的第二部分的典型實例。圖27A和圖27B示出懸掛部的其它示例性形狀。在金屬元件80中，懸掛部83可以由圖27A所示的懸掛部83A來代替。懸掛部83A處于這樣的模式：其中框架部82和相鄰于框架部82的反射板81以及互相相鄰的反射板81被布置，同時插入有預定間隔。可以采用這樣的模式：其中框架部82通過布置有預定間隙的3個或多個部分（portionsequalto3ormore）連接至相鄰于框架部82的反射板81，并且互相相鄰的反射板81通過布置有預定間隙的3個或多個部分連接。在金屬元件80中，懸掛部83可以由圖27B所示的懸掛部83B來代替。懸掛部83B處于這樣的模式：其中框架部82通過布置有預定間隙的2個部分連接至相鄰于框架部82的反射板81，并且以類似于懸掛部83A的方式，互相相鄰的反射板81通過布置有預定間隙的2個部分連接。然而，所布置的同時插入有預定間隙的兩個部分彎曲得不同于懸掛部83A。因此，懸掛部可以是除了線性形狀之外的其它形狀。在使用懸掛部83B的情況下，開口部由插入有預定間隙的所述兩個部分的內部形成。然而，本實施例不限于此模式。例如，布置有預定間隙的兩個部分可以具有兩個彎曲位置，以便形成八角形的開口部。例如，布置有預定間隙的兩個部分可以彎曲，以形成橢圓形的開口部。至于金屬元件80A和90，懸掛部83A或83B可適用。當懸掛部83、83A以及83B的上表面的一部分以及懸掛部83、83A以及83B的下表面的一部分被去除以進行薄化時，優(yōu)選將單獨的封裝區(qū)域C切割成片。例如，代替經(jīng)由粘著層20將金屬層30A粘著到基板10，能夠使用以下方法。作為聚酰亞胺樹脂膜（聚酰亞胺帶）等的基板10被制備，以使用無電鍍、濺射、電鍍等在基板10（未設置粘著層20）的一個表面上直接形成由銅（Cu）構成的金屬層。然后，代替金屬層30A，使用該形成的金屬層以執(zhí)行與金屬層30A類似的功能。這種情況下，通孔50x通過激光處理方法等僅形成在基板10中。換句話說，每一個通孔50x的一側由形成在基板10上的金屬層來填充（填滿）。如另一個實例，基板10可以通過在金屬箔（例如，銅箔）上涂覆絕緣樹脂（例如聚酰亞胺）等來形成。同樣在這種情況下，通孔50x通過激光處理方法等僅形成在基板10中。換句話說，每一個通孔50x的一側由形成在基板10上的金屬箔來填充（填滿）。由例如鎳（Ni）或金（Au）構成的電鍍膜可以形成在貫通布線51或52的突出部（連接端子）上。貫通布線51或52的突出部（連接端子）可以通過例如有機可焊性保護（OSP）工藝來進行抗氧化。可以適當?shù)貙嵤├蛯嵤├淖冃蛯嵗Y合。例如，在發(fā)光元件安裝封裝1G中，反射膜61（白色反射膜）位于反射板91的上表面上。可選擇地，反射膜61可以形成在反射板91的上表面以及開口部91x的內壁表面上。另外，在發(fā)光元件安裝封裝1G中，代替金屬元件90，可以使用具有為傾斜表面的內壁表面的金屬元件80。根據(jù)公開內容，提供一種具有散熱路徑（其能夠有效地將由發(fā)光元件產(chǎn)生的熱量傳遞到設置在外部的散熱器部）的發(fā)光元件安裝封裝、發(fā)光元件安裝封裝的制造方法、以及通過將發(fā)光元件安裝在發(fā)光元件安裝封裝上形成的發(fā)光元件封裝。本文所述的全部示例和條件性語言是為了教示性的目的，試圖幫助讀者理解本發(fā)明的原理以及發(fā)明人為了促進技術而貢獻的概念，并應解釋為不限制于這些具體描述的示例和條件，說明書中這些示例的組織也不是為了顯示本發(fā)明的優(yōu)劣。盡管已詳細描述了本發(fā)明的實施例，然而應當理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下可以進行各種變化、替換以及更動。