本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)以及采用該封裝結(jié)構(gòu)封裝的OLED器件。
背景技術(shù)：
：平板顯示器具有完全平面化、輕、薄、省電等特點(diǎn)，是圖像顯示器發(fā)展的必然趨勢和研究焦點(diǎn)。在各種類型的平板顯示裝置中，由于有機(jī)發(fā)光顯示器件（英文全稱為OrganicLightEmittingDisplay，簡稱OLED）使用自發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管（英文全稱為OrganicLightEmittingDiode，簡稱OLED）來顯示圖像，具有響應(yīng)時間短，使用低功耗進(jìn)行驅(qū)動，相對更好的亮度和顏色純度的特性，所以有機(jī)發(fā)光顯示器件已經(jīng)成為下一代顯示裝置的焦點(diǎn)由于OLED是水氧敏感器件，在水氧侵蝕下，器件的壽命會大大降低，因而必須采用有效的封裝。目前公知的技術(shù)為在器件中加入干燥片或者液態(tài)干燥劑，此種技術(shù)可以有效地避免水汽的侵入，但是大多數(shù)的干燥劑中僅僅包含干燥物質(zhì)，并不涉及吸氧物質(zhì)，無法達(dá)到阻止氧氣進(jìn)入OLED器件內(nèi)部的效果，因此，不能消除氧氣對OLED器件的影響，而目前的一般做法是設(shè)置層疊的干燥劑和吸氧劑或在干燥劑中加入吸氧顆粒，可以在一定程度上阻止氧氣的侵入，但這些技術(shù)中吸氧劑與氧氣的接觸面積較小，而吸氧劑的吸氧效果與其和氧氣的接觸表面積息息相關(guān)，因此，并不能達(dá)到較好的吸氧效果尤其是對氧氣更敏感的熱活性型延遲熒光(TADF)材料更需要較好的封裝來防止氧氣的侵蝕。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)以及采用該封裝結(jié)構(gòu)封裝的OLED器件，封裝時同時加入吸水體和吸氧體，吸水體與吸氧體分開設(shè)置，有效解決吸氧體與吸水體與水汽及氧氣的接觸面積較小的問題，且此種方法工藝簡單，并能夠顯著提高OLED器件的使用壽命。本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括封裝蓋，所述封裝蓋的內(nèi)表面具有凹坑，所述凹坑中設(shè)置有吸水體和吸氧體。優(yōu)選的，所述吸水體與吸氧體分開設(shè)置于所述封裝蓋的內(nèi)表面的凹坑中。優(yōu)選的，所述吸水體、吸氧體的個數(shù)均為1個以上，以矩陣形式間隔排布于凹坑內(nèi)。優(yōu)選的，所述吸水體和吸氧體呈相互間隔套設(shè)的閉合形狀或各自形成獨(dú)立的半封閉形狀。優(yōu)選的，所述吸水體和吸氧體的面積之和占有效發(fā)光區(qū)面積的30%以上，吸水體與吸氧體的面積比為1:1-10:1。優(yōu)選的，所述吸水體和吸氧體的厚度均為0.05-0.5mm。所述吸水體的主要成分為金屬氧化物；所述吸氧體的主要成分為堿金屬、堿土金屬、分子篩或活性金屬。所述吸水體采用呈凝膠狀和/或呈固態(tài)片狀的吸水劑，所述吸氧體采用呈凝膠狀和/或呈固態(tài)片狀的吸氧劑。所述吸水體、吸氧體分別采用呈凝膠狀的吸水劑、吸氧劑均以點(diǎn)膠的形式點(diǎn)設(shè)于凹坑內(nèi)，并在點(diǎn)膠后加以烘烤形成固態(tài)。本發(fā)明還提供一種采用所述封裝結(jié)構(gòu)封裝的OLED器件。本發(fā)明中所述的“吸氧體與吸水體分開設(shè)置”包括完全分開和/或部分分開的設(shè)置。本發(fā)明具有的有益效果如下：本發(fā)明提供的封裝結(jié)構(gòu)在封裝時同時加入吸水體和吸氧體，吸水體與吸氧體分開設(shè)置，具有優(yōu)異的吸水及吸氧能力，可保障OLED器件對水氧的要求，有效解決吸氧體與吸水體與水汽及氧氣的接觸面積較小的問題，能夠顯著提高OLED器件的使用壽命，并且，此種方法工藝簡單，可操作性強(qiáng)，適于大規(guī)模量產(chǎn)。附圖說明圖1為選擇呈固態(tài)片狀的吸水體、吸氧體的布置示意圖。圖2為選擇呈凝膠狀的吸水體、吸氧體的封閉狀布置示意圖。圖3為選擇呈凝膠狀的吸水體、吸氧體的半封閉狀布置示意圖。圖4為混合多種形態(tài)的吸水體、吸氧體的布置示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實(shí)施，但所舉實(shí)施例不作為對本發(fā)明的限定。實(shí)施例1本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括封裝蓋，所述封裝蓋的內(nèi)表面具有凹坑，凹坑的面積完全覆蓋屏體的有效發(fā)光區(qū)，凹坑的周圍設(shè)置有OLED封裝區(qū)，如利用UV膠將屏體和封裝蓋進(jìn)行封裝，封裝區(qū)的寬度在0.5-2mm。所述凹坑里分別設(shè)置有吸水體和吸氧體，所述吸水體的主要成分為吸水劑，所述吸氧體的主要成分為吸氧劑。所述吸水劑的作用是用于吸收OLED外部環(huán)境的水汽，所述吸氧劑的作用是用于吸收OLED外部環(huán)境的氧氣。吸氧劑與吸水劑可以于凹坑中以矩陣排列，或者以閉合、半閉合形狀貼覆或者涂覆在凹坑內(nèi)，或者以組合的方式排列，具體設(shè)置方式如下：方式1，如圖1所示：所述吸水體3、吸氧體4分別為呈固態(tài)片狀的吸水劑、吸氧劑。吸水體中具有吸水效果的主要成分為金屬氧化物，如氧化鈣，吸氧體中具有吸氧效果的主要成分為堿金屬及堿土金屬、分子篩或活性金屬，如鐵粉。吸水體與吸氧體均設(shè)置有1個以上，吸水體與吸氧體以矩陣形式分散、間隔貼覆于封裝蓋1的凹坑2內(nèi)。為了達(dá)到封裝效果，現(xiàn)對吸水體與吸氧體做出如下限定：1.所述吸水體和吸氧體的厚度在0.05-0.5mm，本實(shí)施例為0.5mm；2.各所述吸水體和吸氧體的總表面積(長寬乘積之和)占有效發(fā)光區(qū)面積的30%以上,本實(shí)施例總表面積占有效發(fā)光區(qū)面積的40%，吸水體與吸氧體的面積比為5:1；3．所述吸水體和吸氧體均勻分布于凹坑內(nèi)，且呈間隔設(shè)置，相鄰吸水體和吸氧體之間的間隔距離d≥1mm，本實(shí)施例為1mm；本實(shí)施例還提供一種紅光OLED屏體，發(fā)光面積40mm×40mm，具有如下結(jié)構(gòu)：ITO（20nm）/HATCN(20nm)/NPB(40nm)/mCBP:10wt%Ir（piq）3（30nm）/TPBi（50nm）/Al（20nm）。其中，第一電極為ITO層；空穴注入層為HATCN（2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜）層；空穴傳輸層為NPB（N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺）層；發(fā)光層為Ir(piq)3三[1-苯基異喹啉-C2,N]銥(III)的摻雜層；空穴阻擋層為TPBi（1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯）層；第二電極為Al層。實(shí)施例2所述吸水體和吸氧體也可以選擇呈凝膠狀的吸水劑和吸氧劑起到封裝效果,吸水體中具有吸水效果的主要成分為金屬氧化物，如氧化鈣，吸氧體中具有吸氧效果的主要成分為堿金屬及堿土金屬、分子篩或活性金屬。具體設(shè)置方式如下：方式2，如圖2：吸水體3或者吸氧體4以點(diǎn)膠形式點(diǎn)設(shè)于封裝蓋1的凹坑2內(nèi)，形狀可以呈相互間隔套設(shè)的閉合形狀(如圖2所示)。為了達(dá)到封裝效果，現(xiàn)對吸水體和吸氧體做出如下限定1.吸水體和吸氧體的厚度在0.05-0.5mm,本實(shí)施例為0.5mm；2.吸水體和吸氧體的總面積占有效發(fā)光區(qū)面積的30%以上,本實(shí)施例總表面積占有效發(fā)光區(qū)面積的40%，吸水體與吸氧體的面積比為5:1；3．吸水體和吸氧體以線條方式分布在凹坑內(nèi)，且呈間隔設(shè)置，相鄰線條間隔距離d≥1mm,本實(shí)施例為1mm。4．對上述吸水體和吸氧體在一定溫度下(50-100℃)進(jìn)行烘烤形成固態(tài)，以增加吸水和吸氧的能力。本實(shí)施例具有與實(shí)施例1相同的屏體結(jié)構(gòu)。實(shí)施例3吸水體3或者吸氧體4以點(diǎn)膠形式點(diǎn)設(shè)于封裝蓋1的凹坑2內(nèi)，各自形成的獨(dú)立的半閉合形狀(如圖3所示)。為了達(dá)到封裝效果，現(xiàn)對吸水體和吸氧體做出如下限定1.吸水體和吸氧體的厚度在0.05-0.5mm,本實(shí)施例為0.5mm；2.吸水體和吸氧體的總面積占有效發(fā)光區(qū)為30%以上，本實(shí)施例總表面積占有效發(fā)光區(qū)面積的40%，吸水體與吸氧體的面積比為5:1；3．吸水體和吸氧體以線條方式分布在凹坑內(nèi)，且呈間隔設(shè)置，相鄰線條間隔距離d≥1mm，本實(shí)施例為1mm。4．對上述吸水體和吸氧體在一定溫度下(50-100℃)進(jìn)行烘烤形成固態(tài)，以增加吸水和吸氧的能力。本實(shí)施例具有與實(shí)施例1相同屏體設(shè)計，不同之處僅在封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施可不必局限上述方法，可以是方式1及方式2混合。如圖4所示，可以在多個相互套設(shè)的凝膠狀封閉狀的吸水體3和吸氧體4的中心矩陣排列設(shè)置固體片狀的吸水體3和吸氧體4。對比例1：在封裝蓋的凹坑內(nèi)只設(shè)置吸水體，其他設(shè)計與實(shí)施例1相同。對比例2：在封裝蓋的凹坑內(nèi)只設(shè)置吸氧體，其他設(shè)計與實(shí)施例1相同。對比例3：在封裝蓋的凹坑內(nèi)設(shè)置吸氧體與吸水體，吸氧體與吸水體交疊設(shè)置，其他設(shè)計與實(shí)施例1相同。壽命測試結(jié)果如下：壽命水平LT75@2000nit（h）實(shí)施例12420實(shí)施例22450實(shí)施例32400對比例12000對比例21800對比例32100以上所述實(shí)施例僅是為充分說明本發(fā)明而所舉的較佳的實(shí)施例，本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于此。本
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員在本發(fā)明基礎(chǔ)上所作的等同替代或變換，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁1 2 3