本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領(lǐng)域，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

有機電致發(fā)光器件(英文全稱Organic Light-Emitting Device，簡稱OLED)采用有機電致發(fā)光材料，是主動發(fā)光器件，具有低功耗、色域廣、體積更薄等優(yōu)點，有望成為下一代主流照明和平板顯示技術(shù)。目前，有機電致發(fā)光顯示技術(shù)已經(jīng)在智能手機顯示屏等小尺寸面板上得到了廣泛的應(yīng)用，而有機電致發(fā)光照明產(chǎn)品也漸漸進(jìn)入人們的生活。

在照明領(lǐng)域，OLED技術(shù)的一大特色在于能夠?qū)崿F(xiàn)造型設(shè)計。對于多個獨立發(fā)光的區(qū)域，且發(fā)光區(qū)域為閉合圖形的設(shè)計而言，通常是先對陽極圖案化，分別作出引線，從而實現(xiàn)分區(qū)域發(fā)光。然而，OLED器件通常由疊置的陽極層、發(fā)光層和陰極層組成，由于出光面通常為透明電極，因此，連接陽極圖案的引線會顯現(xiàn)出來，使得顯示區(qū)域出現(xiàn)黑線，從而影響顯示效果。

另外，由于透明陽極方阻較大，電壓降嚴(yán)重，一般的OLED面發(fā)光是離電源供給的地點越遠(yuǎn)電壓降現(xiàn)象越明顯，導(dǎo)致照明面板有明顯的亮度不均勻現(xiàn)象。同時，為了降低引線對顯示區(qū)域的影響，通常情況下，引線走線比較細(xì)，這就造成照明屏體壓降嚴(yán)重，顯著增加了屏體的能耗。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有技術(shù)中OLED照明面板中圖案區(qū)域電極引線影響顯示效果的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光器件，包括層疊設(shè)置在基板上的第一電極層、有機發(fā)光層和第二電極層；還包括設(shè)置在基板與所述第一電極層之間的導(dǎo)電引線層和絕緣層；所述絕緣層覆蓋所述引線層的上表面和側(cè)面，所述第一電極層通過設(shè)置在所述絕緣層之間的通孔與所述引線層電連接。

可選地，所述引線層包括若干導(dǎo)電引線，并延伸至電極區(qū)；所述引線的厚度為50nm～150nm。

可選地，所述第一電極層上還直接設(shè)置有像素限定層。

可選地，所述第二電極層上還設(shè)置有封裝層。

可選地，所述封裝層包括交錯層疊設(shè)置的若干無機阻擋層和有機平坦化層。

可選地，還包括設(shè)置在所述封裝層上的蓋板。

可選地，還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一種。

本發(fā)明還提供所述有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

在基板上形成包括若干引線的引線層；

形成覆蓋所述引線層的絕緣層，并在所述絕緣層上形成若干暴露所述引線層的通孔；

在所述絕緣層上形成第一電極層，所述第一電極層通過所述通孔與所述引線層電連接；

在所述第一電極層上依次形成有機發(fā)光層和第二電極層。

可選地，還包括在所述第一電極層上形成像素限定層的步驟。

可選地，還包括在所述第二電極層上形成封裝層和蓋板的步驟。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點：

1、本發(fā)明實施例提供一種有機電致發(fā)光器件，包括層疊設(shè)置在基板上的第一電極層、有機發(fā)光層和第二電極層；還包括設(shè)置在基板與所述第一電極層之間的導(dǎo)電引線層和絕緣層；所述絕緣層覆蓋所述引線層的上表面和側(cè)面，所述第一電極層通過設(shè)置在所述絕緣層之間的通孔與所述引線層電連接。引線層設(shè)置在絕緣層的下部，實現(xiàn)了發(fā)光區(qū)第一電極分層走線，從而實現(xiàn)了有機電致閉環(huán)發(fā)光，改善了器件的顯示效果。

2、本發(fā)明實施例提供一種有機電致發(fā)光器件，第一電極層連接引線層的結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑵骷崃繉?dǎo)出，同時絕緣層具有較高的導(dǎo)熱系數(shù)，進(jìn)而提高了器件的散熱能力。

3.本發(fā)明實施例提供一種有機電致發(fā)光器件，封裝層與絕緣層選擇具有相同或者相近的元素成分并直接貼合設(shè)置，進(jìn)而提高了器件的封裝效果。

4、本發(fā)明實施例提供一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，方法簡單、工藝成熟，生產(chǎn)成本低。

附圖說明

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中

圖1是本發(fā)明實施例所述的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中沿直線A-A’的截面圖；

圖3是圖1和圖2的對照圖；

圖4-圖6是本發(fā)明實施例所述的有機電致發(fā)光器件在制備過程中的俯視圖；

圖中附圖標(biāo)記表示為：1-顯示區(qū)域、2-電極區(qū)域、30-基板、31-引線層、32-絕緣層、33-第一電極層、34-有機發(fā)光層、35-第二電極層、36-封裝層、37-蓋板、4-通孔。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來限定。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件例如層、區(qū)域或基板被稱作“形成在”或“設(shè)置在”另一元件“上”時，該元件可以直接設(shè)置在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接形成在”或“直接設(shè)置在”另一元件上時，不存在中間元件。

實施例

本實施例提供一種有機電致發(fā)光器件，如圖1所示，包括顯示區(qū)域1和電極區(qū)域2。如圖2和圖3所示，顯示區(qū)域1包括層疊設(shè)置在基板30上的導(dǎo)電引線層31、絕緣層32、第一電極層33、有機發(fā)光層34和第二電極層35。絕緣層32覆蓋引線層31的上表面和側(cè)面，第一電極層33通過設(shè)置在開設(shè)在絕緣層32上的通孔4與引線層31電連接。引線層31設(shè)置在絕緣層32的下部，實現(xiàn)了發(fā)光區(qū)第一電極的分層走線，從而實現(xiàn)了有機電致閉環(huán)發(fā)光，改善了器件的顯示效果。

引線層31包括若干導(dǎo)電引線，并延伸至電極區(qū)域2；引線的厚度為50nm～150nm，選自但不限于任何導(dǎo)電材料。絕緣層選自但不限于氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、甲基丙烯酸甲酯等絕緣材料，優(yōu)選氮化硅材料，厚度為50nm～500nm。

第一電極層33連接引線層31的結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑵骷崃繉?dǎo)出，同時絕緣層32具有較高的導(dǎo)熱系數(shù)，進(jìn)而提高了器件的散熱能力。

通孔4的個數(shù)至少為1，可根據(jù)閉環(huán)大小適量增加通孔數(shù)量；通孔4的截面形狀可以為任意尺寸、任意形狀，能夠暴露引線層31的部分區(qū)域即可實現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍

作為本發(fā)明的一個實施例，本實施例中，引線層31為厚度為100nm的銦錫氧化物(ITO)層，絕緣層為厚度為200nm的氮化硅層。第一電極層33上還直接設(shè)置有像素限定層；第二電極層35上還層疊設(shè)置有封裝層36和蓋板37。

基板30選自但不限于各種聚合物柔性基板或玻璃基板。封裝層36包括交錯層疊設(shè)置的若干無機阻擋層和有機平坦化層；無機阻擋層選自但不限于氮化硅層或二氧化硅層等；有機平坦化層選自但不限于各種聚合物層。本實施例中，由于封裝層36與絕緣層32選擇具有相同或者相近的元素成分并接觸，進(jìn)而提高了器件的封裝效果。

蓋板37選自但不限于玻璃蓋板、柔性聚合物蓋板、鋁箔蓋板等。作為本發(fā)明的一個實施例，本實施例中，基板30為玻璃基板；封裝層36為交錯層疊設(shè)置的3層氮化硅層和2層聚酰亞胺層；蓋板37為玻璃蓋板。作為本發(fā)明的可變換實施例，該有機電致發(fā)光器件還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一種。

本實施例提供的有機電致發(fā)光器件，具有如下結(jié)構(gòu)：

ITO(20nm)/HATCN(20nm)/NPB(40nm)/mCBP：10wt％Ir(ppy)₃(30nm)/TPBi(50nm)/Al(20nm)。

其中，第一電極為ITO層；

空穴注入層為HATCN(2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮雜)層；

空穴傳輸層為NPB(N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺)層；

發(fā)光層為Ir(ppy)₃(三(2-苯基吡啶)合銥(III))與CBP(N′-二咔唑基聯(lián)苯)的摻雜層；

空穴阻擋層為TPBi(1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)層；

第二電極為Al層。

作為本發(fā)明的可變換實施例，有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)并不限于此，具有絕緣層和引線層，且絕緣層覆蓋引線層的上表面和側(cè)面，第一電極層通過設(shè)置在絕緣層之間的通孔與引線層電連接，即可實現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

該有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

S1、如圖4所示，通過濺射和刻蝕工藝在基板30上形成包括若干引線的引線層31，并延伸至電極區(qū)域2；

S2、如圖5所示，通過濺射工藝形成覆蓋引線層31的絕緣層32，并通過刻蝕工藝在絕緣層32上形成若干暴露引線層31的通孔4；

S3、如圖6所示，通過濺射工藝和刻蝕工藝在絕緣層32上形成第一電極層33，并延伸至電極區(qū)域2，第一電極33通過通孔4與引線層31電連接；

S4、如圖2所示，通過蒸鍍工藝在第一電極層33上依次形成有機發(fā)光層34，通過蒸鍍工藝在有機發(fā)光層34上形成第二電極層35，并可通過搭接區(qū)導(dǎo)電延伸至電極區(qū)域2；

S5、如圖2所示，通過濺射工藝和涂布工藝在第二電極層35上形成封裝層36，通過貼附工藝在封裝層36上形成蓋板37。

該有機電致發(fā)光器件的制備方法，方法簡單、工藝成熟，生產(chǎn)成本低。

作為本發(fā)明的可變換實施例，所述有機電致發(fā)光器件的制備方法不限于此，能夠?qū)崿F(xiàn)第一電極層通過設(shè)置在絕緣層之間的通孔與引線層電連接的方法，即可實現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。