本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED顯示單元及其制作方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Display，OLED)顯示裝置因其具有輕便、可折疊、視角廣以及成本低等優(yōu)點(diǎn)而獲得了越來越廣泛的應(yīng)用。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種常用的頂發(fā)光型OLED發(fā)光顯示單元的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，該OLED發(fā)光顯示單元包括，設(shè)置于基底1上的第一電極10，該第一電極10為陽極，且為反射電極，同時(shí)用于作為顯示裝置中的像素電極，由具有高功函的導(dǎo)電金屬制作形成。位于發(fā)光材料層20上方的第二電極30，該第二電極30為陰極，由具有低功函的導(dǎo)電金屬制作形成。與陽極電極不同的是，陰極電極的形成需要對(duì)像素單元施加常用電壓。因此，為便于對(duì)所有像素單元施加常用電壓，陰極電極的結(jié)構(gòu)為對(duì)于每一像素單元而言是連通的公共電極的形式。

在陰極上方還制作了輔助電極40，設(shè)置輔助電極40是因?yàn)樵诖笮惋@示器中，覆蓋所有像素電極(陽極)的陰極增加了的導(dǎo)線電阻產(chǎn)生電壓降，導(dǎo)致各像素單元發(fā)光不均勻以及顯示面板的功耗增加，設(shè)置輔助電極40可以防止像素電極的電壓降。

上述發(fā)光顯示單元的結(jié)構(gòu)存在的主要問題是，輔助電極40的制作是在發(fā)光材料層30制作完成之后進(jìn)行的，因此，輔助電極40的制作會(huì)對(duì)發(fā)光材料層30產(chǎn)生一定的破壞和老化影響，從而降低顯示器的發(fā)光效率和壽命。同時(shí)為了保護(hù)發(fā)光材料上方的第二電極，需要在制作輔助電極前在無輔助電極位置制作輔助保護(hù)層，輔助保護(hù)層在輔助電極制作時(shí)保護(hù)第二電極而防止被破壞，這樣的工序復(fù)雜，且輔助保護(hù)層與輔助電極的接觸不夠緊密。

綜上，亟需對(duì)現(xiàn)有OLED發(fā)光顯示單元的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)以解決上述問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之一是需要對(duì)現(xiàn)有OLED發(fā)光顯示單元的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)以避免由于制作輔助電極而對(duì)發(fā)光材料層產(chǎn)生破壞和老化影響。

為了解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)的實(shí)施例首先提供了一種OLED顯示單元，包括：第一電極，設(shè)置于靠近基底的平坦層上方，由具有高功函的導(dǎo)電金屬制成，所述第一電極為反射電極；發(fā)光材料層，設(shè)置于所述第一電極上方，在外加電場(chǎng)的作用下發(fā)光以形成圖像顯示；第二電極，設(shè)置于所述發(fā)光材料層上方，由具有低功函的導(dǎo)電金屬制成，構(gòu)成顯示裝置時(shí)各顯示單元的所述第二電極相互連通；輔助電極，設(shè)置于所述第二電極的下方，先于所述發(fā)光材料層制作形成，與所述第二電極相互連通以降低所述第二電極的阻抗。

優(yōu)選地，在基底與平坦層之間還布設(shè)有薄膜晶體管陣列以及數(shù)據(jù)線；所述輔助電極與所述薄膜晶體管的源極和/或漏極同層設(shè)置，所述輔助電極為條狀電極，其長邊與所述數(shù)據(jù)線平行；所述第二電極經(jīng)由過孔與所述輔助電極相互連通。

優(yōu)選地，在基底與平坦層之間還布設(shè)有薄膜晶體管陣列以及掃描線；所述輔助電極與所述薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置，所述輔助電極為條狀電極，其長邊與所述掃描線平行；所述第二電極經(jīng)由過孔與所述輔助電極相互連通。

優(yōu)選地，在基底與平坦層之間還布設(shè)有薄膜晶體管陣列以及掃描線；所述輔助電極與所述薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置，所述輔助電極為條狀電極，其長邊與所述掃描線平行；在與所述薄膜晶體管的源/漏極同層，且對(duì)應(yīng)于所述輔助電極的位置設(shè)置有島狀的連接電極，所述第二電極經(jīng)由過孔與所述連接電極及輔助電極相互連通。

優(yōu)選地，在基底與平坦層之間還布設(shè)有薄膜晶體管陣列、數(shù)據(jù)線以及掃描線；所述輔助電極包括第一輔助電極與第二輔助電極，所述第一輔助電極與所述薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置，所述第二輔助電極與所述薄膜晶體管的源極和/或漏極同層設(shè)置；所述第一輔助電極與第二輔助電極均為條狀電極，其中，所述第一輔助電極的長邊與所述掃描線平行，所述第二輔助電極的長邊與所述數(shù)據(jù)線平行；所述第二電極經(jīng)由過孔與所述第一輔助電極及第二輔助電極相互連通。

優(yōu)選地，沿平行于數(shù)據(jù)線的方向布設(shè)的各輔助電極和/或沿平行于掃描線的方向布設(shè)的各輔助電極相互連通，并接收與所述第二電極相同的電壓信號(hào)。

優(yōu)選地，所述輔助電極與所述第一電極同層設(shè)置，所述第二電極經(jīng)由過孔與所述輔助電極相互連通。

優(yōu)選地，在所述平坦層上方還設(shè)置有像素限定層，在所述像素限定層上制作有容納部位，所述輔助電極沉積于所述容納部位內(nèi)。

本申請(qǐng)的實(shí)施例還提供了一種OLED顯示單元的制作方法，包括：在靠近基底的平坦層上方制作第一電極；在所述第一電極上方制作像素限定層；利用灰階光罩在所述像素限定層上制作容納部位；在所述容納部位內(nèi)沉積形成輔助電極；在所述第一電極上方制作發(fā)光材料層；在所述輔助電極與所述發(fā)光材料層上方制作第二電極。

優(yōu)選地，采用具有精細(xì)圖案的沉積掩模的沉積法形成輔助電極。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述方案中的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：

通過將輔助電極設(shè)置在第二電極下方的其他膜層上，并使輔助電極先于發(fā)光材料層加工，可以減少或者消除大面積時(shí)陰極導(dǎo)線電阻產(chǎn)生電壓降，避免發(fā)光不均所導(dǎo)致的功耗增加，同時(shí)不會(huì)對(duì)發(fā)光材料層產(chǎn)生破壞或老化影響。

本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)，和特征在某種程度上將在隨后的說明書中進(jìn)行闡述，并且在某種程度上，基于對(duì)下文的考察研究對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的，或者可以從本發(fā)明的實(shí)踐中得到教導(dǎo)。本發(fā)明的目標(biāo)和其他優(yōu)點(diǎn)可以通過下面的說明書，權(quán)利要求書，以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說明

附圖用來提供對(duì)本申請(qǐng)的技術(shù)方案或現(xiàn)有技術(shù)的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分。其中，表達(dá)本申請(qǐng)實(shí)施例的附圖與本申請(qǐng)的實(shí)施例一起用于解釋本申請(qǐng)的技術(shù)方案，但并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案的限制。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種常用的頂發(fā)光型OLED發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的OLED顯示單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的OLED顯示單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的OLED顯示單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的OLED顯示單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的OLED顯示單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7a和圖7b為根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的OLED顯示單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的制作圖7a和圖7b所示的OLED顯示單元的方法的流程示意圖；

圖9a-圖9e為根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例制作圖7a和圖7b所示的OLED顯示單元的示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成相應(yīng)技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。本申請(qǐng)實(shí)施例以及實(shí)施例中的各個(gè)特征，在不相沖突前提下可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

本發(fā)明實(shí)施例所提出的OLED顯示單元主要包括第一電極、發(fā)光材料層、第二電極以及輔助電極。

其中，第一電極、發(fā)光材料層以及第二電極的結(jié)構(gòu)以及相互之間的位置關(guān)系與現(xiàn)有技術(shù)中常用的OLED發(fā)光顯示單元的結(jié)構(gòu)形式相同。即第一電極設(shè)置于靠近基底的平坦層上方，由具有高功函的導(dǎo)電金屬制成，該第一電極為反射電極。發(fā)光材料層設(shè)置于第一電極上方，在外加電場(chǎng)的作用下發(fā)光用以形成圖像顯示。第二電極設(shè)置于發(fā)光材料層上方，由具有低功函的導(dǎo)電金屬制成，參見圖1。構(gòu)成顯示裝置時(shí)各顯示單元的第二電極相互連通成為一整體的結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實(shí)施例中的輔助電極設(shè)置于第二電極的下方，且輔助電極先于發(fā)光材料層制作形成，與第二電極相互連通以降低第二電極的阻抗。

由于輔助電極的制作先于發(fā)光材料層進(jìn)行，因此不會(huì)對(duì)發(fā)光材料層產(chǎn)生破壞或老化影響，下面結(jié)合具體的實(shí)施例詳細(xì)說明。

第一實(shí)施例：

圖2為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的OLED顯示單元的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，在該OLED顯示單元所在的基底1上設(shè)置有緩沖層2和平坦層5，在基底1(實(shí)際為基底1上的緩沖層2)和平坦層5之間設(shè)置有薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。

具體的，薄膜晶體管結(jié)構(gòu)由半導(dǎo)體活性層9、柵極絕緣層(GI層)3，第一金屬層(薄膜晶體管的柵極)8，層間絕緣層4以及第二金屬層(薄膜晶體管的源/漏極)7構(gòu)成。如圖2所示，薄膜晶體管的柵極8與源/漏極7之間通過層間絕緣層4彼此絕緣，在薄膜晶體管的源/漏極7的上方設(shè)置有平坦層5，薄膜晶體管的源極或漏極通過平坦層5中的過孔與第一電極(陽極)10相連接。

另外，將本實(shí)施例中的OLED顯示單元排列成矩陣的形式，可以構(gòu)成OLED顯示裝置，實(shí)現(xiàn)畫面顯示。同時(shí)為了向各OLED顯示單元的第一電極10(陽極、像素電極)傳輸電壓信號(hào)，薄膜晶體管的漏極或源極7還在晶體管開啟后連通數(shù)據(jù)線，各數(shù)據(jù)線沿顯示單元矩陣的列的方向，相互平行地布設(shè)在源極和/或漏極7所在的層。薄膜晶體管的柵極8與掃描線相連接，各掃描線沿顯示單元矩陣的行的方向，相互平行地布設(shè)在柵極8所在的層。

需要說明的是，上述內(nèi)容僅用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本實(shí)施例中的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)以及其所包含的各膜層之間的位置關(guān)系不限于此，本實(shí)施例中對(duì)其不做限定。

在本實(shí)施例中，輔助電極40與薄膜晶體管的源極和/或漏極7同層設(shè)置，具體如圖2所示，輔助電極40設(shè)置在層間絕緣層4的上方，且輔助電極40與第二電極30經(jīng)由平坦層5和像素限定層6中的第一過孔31相互連通。

優(yōu)選平坦層5和像素限定層6在同一制程中制作孔。例如在pattern化像素限定層時(shí)同時(shí)在平坦層和像素限定層同一位置制作過孔，兩者厚度分別優(yōu)選為0.5～3um，例如平坦層和像素限定層厚度都為為1.2um。其中平坦層和像素限定層優(yōu)選都為有機(jī)材料或者無機(jī)材料，再優(yōu)選為同種材料。材料包括但不限于：無機(jī)材料中的氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅。有機(jī)材料中的丙烯酸有機(jī)化合物、聚酰胺或聚酰亞胺的有機(jī)絕緣材料。

進(jìn)一步地，輔助電極40為條狀電極，其形狀為長方體形，且長方體的長邊與數(shù)據(jù)線平行。

輔助電極40與薄膜晶體管的源極和/或漏極7采用同種材料制作。相對(duì)于第二電極30，源/漏極7一般具有較大的厚度和較低的阻抗，因此本實(shí)施例中的輔助電極40可以減少或者消除大面積時(shí)第二電極30的導(dǎo)線電阻所產(chǎn)生的電壓降，避免發(fā)光不均以及由于電阻的增大而導(dǎo)致的功耗的增加。

輔助電極40可以與薄膜晶體管的源極和/或漏極7在同一工藝制程中同步制作形成。且輔助電極40位于平坦層5的下方，先于第二電極30制作，這樣避免了在第二電極30上方制作輔助電極時(shí)需先制作輔助保護(hù)層來保護(hù)第二電極30，因此簡化了生產(chǎn)工藝。

輔助電極40先于發(fā)光材料層20制作，因而不會(huì)對(duì)發(fā)光材料層20產(chǎn)生破壞或老化的影響。

第二實(shí)施例：

圖3為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的OLED顯示單元的結(jié)構(gòu)示意圖，其與第一實(shí)施例中相同的結(jié)構(gòu)請(qǐng)參見第一實(shí)施例，此處不再贅述。

如圖3所示，在本實(shí)施例中，輔助電極40與薄膜晶體管的柵極8同層設(shè)置，具體如圖3所示，輔助電極40設(shè)置在柵極絕緣層3的上方，且輔助電極40與第二電極30經(jīng)由層間絕緣層4、平坦層5以及像素限定層6中的第一過孔31相互連通。

進(jìn)一步地，輔助電極40為條狀電極，其形狀為長方體形，且長方體的長邊與掃描線平行。

輔助電極40與薄膜晶體管的柵極8采用同種材料制作。相對(duì)于第二電極30，柵極8一般具有較大的厚度和較低的阻抗，因此本實(shí)施例中的輔助電極40可以減少或者消除大面積時(shí)第二電極30的導(dǎo)線電阻所產(chǎn)生的電壓降，避免發(fā)光不均以及由于電阻的增大而導(dǎo)致的功耗的增加。

輔助電極40可以與薄膜晶體管的柵極8在同一工藝制程中同步制作形成。且輔助電極40位于平坦層5的下方，先于第二電極30制作，這樣在制作第二電極30時(shí)就無需制作輔助保護(hù)層來保護(hù)第二電極30，因此簡化了生產(chǎn)工藝。

輔助電極40先于發(fā)光材料層20制作，因而不會(huì)對(duì)發(fā)光材料層20產(chǎn)生破壞或老化的影響。

第三實(shí)施例：

圖4為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的OLED顯示單元的結(jié)構(gòu)示意圖，其與第一實(shí)施例中相同的結(jié)構(gòu)請(qǐng)參見第一實(shí)施例，此處不再贅述。

如圖4所示，在本實(shí)施例中，輔助電極40與薄膜晶體管的柵極8同層設(shè)置，具體如圖4所示，輔助電極40設(shè)置在柵極絕緣層3的上方。

輔助電極40為條狀電極，其形狀為長方體形，且長方體的長邊與掃描線平行。

進(jìn)一步地，在層間絕緣層4的上方，與薄膜晶體管的源極和/或漏極7同層設(shè)置有島狀的連接電極50，島狀的連接電極50可以為圓形電極或方形電極，連接電極50起到連接上/下兩側(cè)電極的作用。連接電極50與輔助電極40經(jīng)由層間絕緣層4中的第二過孔41相互連通，連接電極50與第二電極30經(jīng)由平坦層5和像素限定層6中的第一過孔31相互連通，因此輔助電極40與第二電極30經(jīng)由第一過孔31/第二過孔41/連接電極50相互連通。

優(yōu)選平坦層5和像素限定層6在同一制程中制作孔。相關(guān)內(nèi)容請(qǐng)參見第一實(shí)施例。

輔助電極40與薄膜晶體管的柵極8采用同種材料制作，連接電極50與薄膜晶體管的源極和/或漏極7采用同種材料制作，相對(duì)于第二電極30，本實(shí)施例中連通的輔助電極40和連接電極50可以減少或者消除大面積時(shí)第二電極30的導(dǎo)線電阻所產(chǎn)生的電壓降，避免發(fā)光不均以及由于電阻的增大而導(dǎo)致的功耗的增加。

輔助電極40可以與薄膜晶體管的柵極8在同一工藝制程中同步制作形成，連接電極50可以與薄膜晶體管的源極和/或漏極7在同一工藝制程中同步制作形成。且輔助電極40和連接電極50均位于平坦層5的下方，先于第二電極30制作，這樣在制作第二電極30時(shí)就無需制作輔助保護(hù)層來保護(hù)第二電極30，因此簡化了生產(chǎn)工藝。

輔助電極40和連接電極50均先于發(fā)光材料層20制作，因而不會(huì)對(duì)發(fā)光材料層20產(chǎn)生破壞或老化的影響。

第四實(shí)施例：

圖5為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的OLED顯示單元的結(jié)構(gòu)示意圖，其與第一實(shí)施例中相同的結(jié)構(gòu)請(qǐng)參見第一實(shí)施例，此處不再贅述。

如圖5所示，在本實(shí)施例中，輔助電極40進(jìn)一步劃分為第一輔助電極401與第二輔助電極402，其中第一輔助電極401與薄膜晶體管的柵極8同層設(shè)置，第二輔助電極402與薄膜晶體管的源極和/或漏極7同層設(shè)置。

第一輔助電極401與第二輔助電極402均為條狀電極，其形狀為長方體形。其中，第一輔助電極401的長方體電極的長邊與掃描線平行，第二輔助電極402的長方體電極的長邊與數(shù)據(jù)線平行。

進(jìn)一步地，第一輔助電極401與第二輔助電極402經(jīng)由層間絕緣層4中的第二過孔41相互連通，第二輔助電極402與第二電極30經(jīng)由平坦層5和像素限定層6中的第一過孔31相互連通。

優(yōu)選平坦層5和像素限定層6在同一制程中制作孔。相關(guān)內(nèi)容請(qǐng)參見第一實(shí)施例。

第一輔助電極401與薄膜晶體管的柵極8采用同種材料制作，第二輔助電極402與薄膜晶體管的源極和/或漏極7采用同種材料制作，相對(duì)于第二電極30，本實(shí)施例中連通的第一輔助電極401和第二輔助電極402可以減少或者消除大面積時(shí)第二電極30的導(dǎo)線電阻所產(chǎn)生的電壓降，避免發(fā)光不均以及由于電阻的增大而導(dǎo)致的功耗的增加。

第一輔助電極401可以與薄膜晶體管的柵極8在同一工藝制程中同步制作形成，第二輔助電極402可以與薄膜晶體管的源極和/或漏極7在同一工藝制程中同步制作形成。且第一輔助電極401和第二輔助電極402均位于平坦層5的下方，先于第二電極30制作，這樣在制作第二電極30時(shí)就無需制作輔助保護(hù)層來保護(hù)第二電極30，因此簡化了生產(chǎn)工藝。

第一輔助電極401和第二輔助電極402均先于發(fā)光材料層20制作，因而不會(huì)對(duì)發(fā)光材料層20產(chǎn)生破壞或老化的影響。

第五實(shí)施例：

圖6為根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的OLED顯示單元的結(jié)構(gòu)示意圖，其與第一實(shí)施例中相同的結(jié)構(gòu)請(qǐng)參見第一實(shí)施例，此處不再贅述。

如圖6所示，在本實(shí)施例中，輔助電極40與第一電極10同層設(shè)置，具體如圖6所示，輔助電極40設(shè)置在平坦層5的上方，且輔助電極40與第二電極30經(jīng)由像素限定層6中的第一過孔31相互連通。輔助電極40與第一電極10可以采用同種材料制作，輔助電極40可以與第一電極10在同一工藝制程中同步制作形成。同時(shí)輔助電極40與第一電極10可以采用不同種材料制作，輔助電極40可以先于或者后于第一電極10制作形成。

輔助電極40可以為條狀電極，其形狀為長方體形，輔助電極40的長方體電極的長邊與掃描線平行，或者輔助電極40的長方體電極的長邊與數(shù)據(jù)線平行。輔助電極40還可以為“井”字形，即輔助電極40由多條長邊與掃描線平行和長邊與數(shù)據(jù)線平行的長方體電極交叉而成。此實(shí)施例的輔助電極形狀并不限于此，還可以為其他任意多個(gè)像素中輔助電極相互連通的形狀。

本實(shí)施例中的輔助電極40可以減少或者消除大面積時(shí)第二電極30的導(dǎo)線電阻所產(chǎn)生的電壓降，避免發(fā)光不均以及由于電阻的增大而導(dǎo)致的功耗的增加。且由于輔助電極40先于第二電極30與發(fā)光材料層20制作，這樣在制作第二電極30時(shí)就無需制作輔助保護(hù)層來保護(hù)第二電極30，因此簡化了生產(chǎn)工藝，且不會(huì)對(duì)發(fā)光材料層20產(chǎn)生破壞或老化的影響。

第六實(shí)施例：

本實(shí)施例針對(duì)第一實(shí)施例、第二實(shí)施例、第三實(shí)施例以及第四實(shí)施例中設(shè)置有條狀輔助電極結(jié)構(gòu)的OLED顯示單元提出一種信號(hào)供給方式。

具體的，將沿平行于數(shù)據(jù)線的方向布設(shè)的各輔助電極相互連通，或者將沿平行于掃描線的方向布設(shè)的各輔助電極相互連通，或者將沿平行于數(shù)據(jù)線的方向布設(shè)的各輔助電極與沿平行于掃描線的方向布設(shè)的各輔助電極相互連通，并利用連通后形成的整體式電極接收與第二電極30相同的電壓信號(hào)。

本發(fā)明實(shí)施例可以僅通過在有源區(qū)以列作為單元(第一實(shí)施例)或者行作為單元(第二實(shí)施例和第三實(shí)施例)或者行和列作為單元(第四實(shí)施例)上將此行和/或此列每個(gè)像素中輔助電極連通，通過第二電極(陰極)引入信號(hào)，使在這些行和/或列單元的陰極信號(hào)不產(chǎn)生或者減少電壓降的產(chǎn)生。

本發(fā)明實(shí)施例還可以在無源區(qū)使行和/或列單元之間的輔助電極連接為一體，并連接至信號(hào)輸入端，通過陰極和輔助電極引入陰極信號(hào)，使在這些行和/或列單元的陰極信號(hào)不產(chǎn)生或者減少電壓降的產(chǎn)生。

第七實(shí)施例：

圖7a和圖7b為根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的OLED顯示單元的結(jié)構(gòu)示意圖，其與第一實(shí)施例中相同的結(jié)構(gòu)請(qǐng)參見第一實(shí)施例，此處不再贅述。

如圖7a所示，在本實(shí)施例中，在像素限定層6上制作有容納部位61，輔助電極40沉積于容納部位61內(nèi)。

圖7a中的輔助電極40未超出像素限定層6的上表面，因此在其后面沉積的第二電極30的上表面具有平整的表面，為后續(xù)阻擋層的制作、薄膜封裝制程等提供了便利。

圖7b中的輔助電極40超出容納部位61與像素限定層6的上表面，由于輔助電極40的厚度更大，因此有利于更有效地減少或者消除大面積時(shí)第二電極30的導(dǎo)線電阻所產(chǎn)生的電壓降，避免發(fā)光不均以及由于電阻的增大而導(dǎo)致的功耗的增加。

在實(shí)際中可以根據(jù)產(chǎn)品及工藝的需要對(duì)不同結(jié)構(gòu)輔助電極進(jìn)行選取。

本發(fā)明實(shí)施例中的輔助電極40先于第二電極30與發(fā)光材料層20制作，下面結(jié)合實(shí)施例八進(jìn)行說明。

第八實(shí)施例：

本實(shí)施例提出一種用于制作第七實(shí)施例中的輔助電極40的方法，圖8為該方法的流程示意圖，如圖所示，包括以下步驟：

步驟S810、在靠近基底1的平坦層5上方制作第一電極10。具體的，在制作第一電極10之前還包括在基底1上完成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)以及電容及其電路等制作。

步驟S820、在第一電極10上方制作像素限定層6，如圖9a所示。

步驟S830、利用灰階光罩在像素限定層6上制作容納部位61，如圖9b所示。具體的，利用灰階光罩工藝同時(shí)在像素限定層6上制作發(fā)光材料設(shè)置區(qū)和輔助電極容納部位。

步驟S840、在容納部位61內(nèi)沉積形成輔助電極40，如圖9c所示。具體的，采用具有精細(xì)圖案的沉積掩模的沉積法形成輔助電極40，如圖9d或圖9e所示。輔助電極40的材料可以為Mg、Al、Ag中的一種或合金，或者輔助電極40可以由與第二電極30相同的材料形成。

步驟S850、在第一電極10上方制作發(fā)光材料層20。

步驟S860、在輔助電極40與發(fā)光材料層20上方制作第二電極30。

本實(shí)施例在制作像素限定層時(shí)通過灰階光罩(gray-tone)工藝制作容納部位，先在容納部位采用具有精細(xì)圖案的沉積掩模的沉積法制作輔助電極，制作完輔助電極后再制作第二電極。因此，輔助電極的制作不會(huì)對(duì)發(fā)光材料層造成破壞或老化的影響。且輔助電極先于第二電極制作，無需制作輔助保護(hù)層保護(hù)第二電極，簡化了工藝。另外，部分實(shí)施例的方案中像素限定層位置的輔助電極容納部位提供了第二電極與輔助電極平滑的接觸表面或者平整表面，為后續(xù)阻擋層或薄膜封裝提供便利。

本發(fā)明以頂發(fā)光型OLED顯示器做為示例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明范疇并不限定于此，OLED顯示器還可以是底發(fā)光型的，可以是透明OLED顯示器等。

雖然本發(fā)明所揭露的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。