發(fā)光二極管及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管及其制作方法。該發(fā)光二極管包含第一半導(dǎo)體層、位于第一半導(dǎo)體層上的活性層、位于活性層之上的第二半導(dǎo)體層，以及位于第二半導(dǎo)體層之上的半導(dǎo)體接觸層。第二半導(dǎo)體層包含第一次層與形成于第一次層之上的第二次層，其中第二次層的材料包含AlxGa1-xN(0<x<1)，且第二次層的表面包含不規(guī)則分布的孔洞結(jié)構(gòu)。
【專利說明】發(fā)光二極管及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及其制作方法，尤其是涉及改善發(fā)光二極管的光電特性。
【背景技術(shù)】
[0002]用于固態(tài)照明裝置的發(fā)光二極管(light-emitting diode ;LED)具有耗能低、低發(fā)熱、操作壽命長、防震、體積小、反應(yīng)速度快以及輸出的光波長穩(wěn)定等良好光電特性，因此發(fā)光二極管被廣泛地應(yīng)用于各種照明用途上。當(dāng)發(fā)光二極管在導(dǎo)通的情況下，通過發(fā)光二極管的電流被稱做順向操作電流(If)，在通過順向操作電流下量測發(fā)光二極管兩端的電壓則被稱作為順向電壓(Vf)。
[0003]發(fā)光二極管的優(yōu)點(diǎn)在于低耗能，但是在日常生活中更需要的是足夠的亮光。除了增加所使用的發(fā)光二極管之外，也可增加發(fā)光二極管的操作電流以提升每個(gè)發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度。但是在增加發(fā)光二極管的順向電流時(shí)，同時(shí)會造成順向電壓與順向電流的乘積增加，連帶增加了被消耗成熱能的能量。為了能讓發(fā)光二極管被使用在低耗能的狀況下，又同時(shí)讓發(fā)光二極管能維持在足夠的發(fā)光強(qiáng)度，降低發(fā)光二極管的順向電壓避免順向電壓與順向電流的乘積過大，過多的能量被消耗成熱能，成為促使發(fā)光二極管廣泛被應(yīng)用的重要研究方向。
[0004]前述的發(fā)光二極管可以與其他元件組合連接以形成一發(fā)光裝置，在發(fā)光裝置內(nèi)的元件包含了具有電路的次載體、粘結(jié)發(fā)光二極管于次載體上并使發(fā)光二極管的基板與次載體上的電路電連接的焊料，以及電連接發(fā)光二極管的電極與次載體電路的電連接結(jié)構(gòu)。其中，上述的次載體可以是導(dǎo)線架或大尺寸鑲嵌基底，以方便發(fā)光裝置的電路規(guī)劃并提高其發(fā)光二極管的散熱效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，其包含第一半導(dǎo)體層、一位于第一半導(dǎo)體層之上的活性層、位于活性層之上的第二半導(dǎo)體層以及位于第二半導(dǎo)體層之上的半導(dǎo)體接觸層。第二半導(dǎo)體層包含有第一次層與形成于第一次層之上的第二次層，其中第二次層的材料包含AlXGal-XN(0〈X〈l)，且第二次層的表面包含不規(guī)則分布的孔洞結(jié)構(gòu)。
[0006]本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管的制作方法，包含提供一基板，形成一第一半導(dǎo)體層于基板之上，接著形成一活性層于第一半導(dǎo)體層之上，再外延形成包含AlxGahN(CKxd)的一第二半導(dǎo)體層于活性層之上；其中，第二半導(dǎo)體層的表面包含不規(guī)則分布的孔洞結(jié)構(gòu)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1所示為本發(fā)明所公開的第一發(fā)光二極管疊層的實(shí)施例；
[0008]圖2所示為本發(fā)明所公開的第二半導(dǎo)體層的實(shí)施例；
[0009]圖3所示為本發(fā)明所公開的第二發(fā)光二極管疊層的實(shí)施例；[0010]圖4所示為本發(fā)明所公開的第三發(fā)光二極管疊層的實(shí)施例。
[0011]主要元件符號說明
[0012]100,200,300:發(fā)光二極管疊層
[0013]102:基板
[0014]104:超晶格層
[0015]106:第一半導(dǎo)體層
[0016]108:應(yīng)變層
[0017]110:活性層
[0018]112:電子阻擋層
[0019]114:第二半導(dǎo)體層
[0020]1141:第一次層
[0021]1142:第一次層
[0022]1143:第二次層
[0023]1144:第三次層
[0024]1146:第二次層
[0025]116、118:半導(dǎo)體接觸層
[0026]120:透明導(dǎo)電氧化層
【具體實(shí)施方式】
[0027]圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的第一發(fā)光二極管疊層100的剖視圖，第一發(fā)光二極管疊層100包含有基板102、超晶格層104、第一半導(dǎo)體層106、活性層110、第二半導(dǎo)體層114、半導(dǎo)體接觸層116與透明導(dǎo)電氧化層120?；?02的材料可包含有Ga、As、S1、C、P、Al、Ν、?、Zn、O、Li等元素或者這些元素的組合但不限于這些元素，基板102可以是導(dǎo)電基板、絕緣性基板或是復(fù)合基板，其中的導(dǎo)電基板可以是金屬基板，例如包含有鋁或是硅的基板；而絕緣基板可以是藍(lán)寶石(Sapphire)基板或者是兼具導(dǎo)熱與絕緣的陶瓷基板；又或者是復(fù)合基板，例如結(jié)合導(dǎo)電材料與絕緣材料以達(dá)到改變電流分布以解決電流擁擠(currentcrowding)的現(xiàn)象或改善基板上的反射效果以減少內(nèi)部吸光的情形。此外,基板102也可以是表面上具有圖形的圖案化基板?；?02與第一半導(dǎo)體層106之間具有超晶格層104，而超晶格層104是為了減少基板102與第一半導(dǎo)體層106之間因?yàn)榫Ц癯?shù)差異所造成的應(yīng)力而使用的緩沖層，以避免因?yàn)閮烧咧g的應(yīng)力造成外延結(jié)構(gòu)受到破壞或者不穩(wěn)固。而在其他實(shí)施例中，基板102與第一半導(dǎo)體層106之間更包含作為連結(jié)用途的粘著層(未繪示于圖中)，以強(qiáng)化基板102與第一半導(dǎo)體層106之間的結(jié)合。當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體層106為P型半導(dǎo)體時(shí)，第二半導(dǎo)體層114為相異電性的η型半導(dǎo)體；反之，當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體層106為η型半導(dǎo)體時(shí)，第二半導(dǎo)體層114為相異電性的P型半導(dǎo)體，其中第一半導(dǎo)體層106與第二半導(dǎo)體層114可作為束縛層?；钚詫?10位于第一半導(dǎo)體層106與第二半導(dǎo)體層114之間，可以是單層結(jié)構(gòu)或者是由多個(gè)阱層和障壁層組成的多重量子阱層結(jié)構(gòu)以發(fā)出特定波長的光線。在本實(shí)施例中，活性層110發(fā)出一主波長介于44(T470nm的藍(lán)光，并且是一非同調(diào)性的光。
[0028]在第二半導(dǎo)體層114內(nèi)分為第一次層1141與位于第一次層1141之上的第二次層1143，且一半導(dǎo)體接觸層116覆蓋在第二次層1143之上，其中第二半導(dǎo)體層114的組成包含II1-V族材料，且第二次層1143的材料為AlxGa^N,其中0〈χ〈1。在鄰接第二次層1143與半導(dǎo)體接觸層116之間的一面為不規(guī)則的表面，如圖1所示，并且在這不規(guī)則的表面上有不規(guī)則的孔洞結(jié)構(gòu)。這些不規(guī)則表面以及不規(guī)則分布的孔洞，是以外延方式形成由AlxGahN組成的第二次層1143時(shí)同時(shí)形成，這些孔洞以不規(guī)則且深度不一的型態(tài)散布在前述的不規(guī)則表面上。于本實(shí)施例中，這些因?yàn)橥庋映砷L方式形成AlxGahN而同時(shí)造成的孔洞結(jié)構(gòu)不僅分布在表面，還包含多個(gè)向下延伸的六角孔穴構(gòu)造，其中至少一六角孔穴會延伸至作為束縛層的第二半導(dǎo)體層114的內(nèi)部(未繪示于圖中)。
[0029]在半導(dǎo)體接觸層116之上是透明導(dǎo)電氧化層120，在透明導(dǎo)電氧化層120之上則有一電極層(未繪示于圖中)。透明導(dǎo)電氧化層120所使用的材料可以是ΙΤ0;半導(dǎo)體接觸層116的材料包含能隙低于第二半導(dǎo)體層的材料，例如AlGaN或者InGaN，通過重度摻雜載流子的方式，可降低半導(dǎo)體接觸層116的能隙，使得半導(dǎo)體接觸層116在透明導(dǎo)電氧化層120與第二半導(dǎo)體層114之間形成良好的歐姆接觸(Ohmic contact)。
[0030]本實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體層106具有第一晶格常數(shù)，位于第一半導(dǎo)體層106之上的活性層Iio具有第二晶格常數(shù)，而位于活性層110之上的第二半導(dǎo)體層114具有第三晶格常數(shù)。因第二晶格常數(shù)大于第一晶格常數(shù)，造成活性層110受到來自于第一半導(dǎo)體層106向外的應(yīng)力，使得外延品質(zhì)不佳。為了改善活性層110所受到的應(yīng)力，通過選擇不同的材料使第二半導(dǎo)體層114具有的第三晶格常數(shù)小于第一晶格常數(shù)，以對活性層110形成向內(nèi)的應(yīng)力，使第一發(fā)光二極管疊層100的內(nèi)部達(dá)到應(yīng)力平衡，提升外延品質(zhì)。換句話說，第一半導(dǎo)體層106具有的第一晶格常數(shù)介于活性層110的第二晶格常數(shù)與第二半導(dǎo)體層114的第三晶格常數(shù)之間，以形成良好的外延品質(zhì)，降低第一發(fā)光二極管疊層100操作時(shí)的順向電壓(Vf)。
[0031]在本實(shí)施例中，位于活性層110之上的第二半導(dǎo)體層114包含多個(gè)具有不同雜質(zhì)濃度但電性相同的次層，如圖2所示。在這些多個(gè)次層中，第一次層1142最接近活性層110，第二次層1146則位于第一次層1142之上，而第三次層1144位于第一次層1142與第二次層1146之間。其中第二次層1146最接近半導(dǎo)體接觸層116，并且在第二次層1146最接近半導(dǎo)體接觸層116的外表面上包含有不規(guī)則分布的孔洞結(jié)構(gòu)。第一次層1142與第二次層1146的材料包含鋁，其中第一次層1142與第二次層1146包含有AlyGa^N,其中0〈y〈0.3 ;于另一實(shí)施例中，為配合鄰接第二半導(dǎo)體層114的活性層110與半導(dǎo)體接觸層116具有不同晶格常數(shù)，例如當(dāng)活性層110與半導(dǎo)體接觸層116晶格常數(shù)更大時(shí)，便選擇更小的y值介于0-0.1之間，使得第一次層1142與第二次層1146具有較大的晶格常數(shù)，以減少兩個(gè)疊層之間相對的應(yīng)力。這些次層雖然具有相同的導(dǎo)電性但是所具有的雜質(zhì)濃度不相同，其中第三次層1144具有的第三雜質(zhì)濃度介于第一次層1142具有的第一雜質(zhì)濃度以及第二次層1146具有的第二雜質(zhì)濃度之間。在本實(shí)施例中，第一雜質(zhì)濃度約為5*1018cm3、第三雜質(zhì)濃度約為3*1019 cm3、第二雜質(zhì)濃度約為l*102°cm3。此外，三個(gè)次層的厚度也不相同，第三次層1144的厚度大于第一次層1142與第二次層1146的厚度。于另一實(shí)施例中，第三次層1144由不含有鋁成 分的材料組成，而第一次層1142與第二次層1146包含有鋁的成分。
[0032]如圖3所示，本發(fā)明另一實(shí)施例第二發(fā)光二極管疊層200包含有基板102、超晶格層104、第一半導(dǎo)體層106、應(yīng)變層108、活性層110、第二半導(dǎo)體層114、電子阻擋層112、半導(dǎo)體接觸層116與透明導(dǎo)電氧化層120。在本實(shí)施例中，通過超晶格層104減少第二半導(dǎo)體層106與基板102之間因?yàn)榫Ц癯?shù)不匹配形成的應(yīng)力，避免后續(xù)形成半導(dǎo)體疊層時(shí)受應(yīng)力影響而造成變形。當(dāng)活性層110為多重量子阱時(shí)，最接近第二半導(dǎo)體層114的一障層包含有氮化銦鎵，亦即最接近第一次層1142的障層包含有氮化銦鎵。
[0033]在本實(shí)施例中，形成多重量子阱之前先在第一半導(dǎo)體層106上形成一應(yīng)變層108，而在本實(shí)施例中應(yīng)變層108的材料與活性層110同樣由II1-V族的材料組成，但是應(yīng)變層108的雜質(zhì)濃度小于活性層110，以減少活性層110中多重量子阱與第一半導(dǎo)體層106之間由于晶格常數(shù)不同造成差排而產(chǎn)生的應(yīng)力，以提升活性層110的外延品質(zhì)。本實(shí)施例中，活性層Iio發(fā)出一主波長介于44(T470nm的藍(lán)光，并且為一非同調(diào)性的光。而本實(shí)施例中第一半導(dǎo)體層106、活性層110、第二半導(dǎo)體層114以及應(yīng)變層108的材料選自包含有Al、In、Ga、以及N等元素的II1-V族材料組成不同的疊層，例如InGaN與GaN組成的疊層或是AlGaN和InGaN組成的疊層，使得疊層之間的晶格常數(shù)差異在一預(yù)定的范圍內(nèi)，以達(dá)到減少疊層之間應(yīng)力的效果。應(yīng)變層108的材料雖然與活性層110同樣以II1-V族材料組成，但是組成的成分與活性層110的成分不同，使得應(yīng)變層108的晶格常數(shù)介于活性層110以及第一半導(dǎo)體層106之間，以改善成長于第一半導(dǎo)體層106之上的外延疊層的外延品質(zhì)，并改善發(fā)光效率。
[0034]在本實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體層106為η型半導(dǎo)體，而第二半導(dǎo)體層114為ρ型，在活性層Iio與第二半導(dǎo)體層114之間形成電子阻擋層112，以避免第一半導(dǎo)體層106往活性層110移動的電子溢流到第二半導(dǎo)體層114造成電子在活性層110以外的地方結(jié)合而降低發(fā)光效率。要達(dá)到這個(gè)效果，必須讓電子阻擋層112的雜質(zhì)濃度高于第二半導(dǎo)體層114的雜質(zhì)濃度，或者是高于第二半導(dǎo)體層114所包含的第二次層1146所具有的第二雜質(zhì)濃度，而電子阻擋層112的材料可以包含II1-V族材料例如是AlzGa1=N,其中0.15<ζ<0.4，可以通過增加Al的含量以增加阻擋電子的效果。
[0035]在圖3中，第二半導(dǎo)體層114更可以包含多個(gè)具有不同Al濃度而由AlGaN組成的次層，這些次層也具有不同的晶格常數(shù)。而其中第二半導(dǎo)體層114的晶格常數(shù)介于電子阻擋層112與活性層110的晶格常數(shù)之間，且活性層110的晶格常數(shù)大于電子阻擋層112以及第二半導(dǎo)體層114，除了可避免活性層110直接接觸晶格常數(shù)差異較大的第二半導(dǎo)體層114，更可以通過電子阻擋層112改善原本活性層110與第二半導(dǎo)體層114晶格常數(shù)差異過大時(shí)造成的應(yīng)力。而第二半導(dǎo)體層114內(nèi)包含的多個(gè)具有不同晶格常數(shù)的次層與相鄰的電子阻擋層112之間的應(yīng)力也不至于過大，因此可以達(dá)到改善外延的品質(zhì)進(jìn)而降低第二發(fā)光二極管疊層200的順向電壓(Vf)。
[0036]圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，第三發(fā)光二極管疊層300的剖視圖，第三發(fā)光二極管疊層300具有與圖3中第二發(fā)光二極管疊層200類似的結(jié)構(gòu)，但是基板102、第一半導(dǎo)體層106以及超晶格層104與其他層相比具有較大的面積，使得其他各層僅覆蓋第一半導(dǎo)體層106部分的面積。而第三發(fā)光二極管疊層300中，半導(dǎo)體接觸層118形成于第二半導(dǎo)體層114之上，并且至少覆蓋第一半導(dǎo)體層106的部分面積上，后續(xù)更可以形成電極層(未繪示于圖中)于半導(dǎo)體接觸層118之上。
[0037]依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制作的發(fā)光二極管疊層100的流程是先提供一基板102，接著在形成第一半導(dǎo)體層106之前，根據(jù)第一半導(dǎo)體層106與基板102的晶格常數(shù)的差異選擇晶格常數(shù)介于其中的材料作為超晶格層104形成于基板102之上，在本發(fā)明的實(shí)施例中是選擇II1-V族的材料制作第一半導(dǎo)體層106以及超晶格層104，通過加入超晶格層104以減緩基板102與第一半導(dǎo)體層106之間的應(yīng)力。再形成第一半導(dǎo)體層106于超晶格層104之上，然后形成活性層110在第一半導(dǎo)體層106之上，其中的活性層110也可以是多重量子阱結(jié)構(gòu)。接著在活性層110之上形成包含材料為AlxGahN的第二半導(dǎo)體層114，而其中0〈χ〈1。再接著形成一半導(dǎo)體接觸層116于第二半導(dǎo)體層114之上，以及一透明導(dǎo)電氧化層120于半導(dǎo)體接觸層116之上。其中，第二半導(dǎo)體層114最接近半導(dǎo)體接觸層116的一側(cè)包含Α1χ6&1_χΝ(0〈χ〈1)的材料，并在第二半導(dǎo)體層114與半導(dǎo)體接觸層116之間有不規(guī)則的平面以及在平面上的不規(guī)則孔洞結(jié)構(gòu)，這些不規(guī)則的孔洞結(jié)構(gòu)是以外延方式形成第二半導(dǎo)體層114時(shí)同時(shí)形成，并且包含有六角孔穴的構(gòu)造，其中至少一六角孔穴延伸至第二半導(dǎo)體層114(未繪示于圖中)。本實(shí)施例中，活性層110發(fā)出一主波長介于44(T470nm的藍(lán)光，并且為一非同調(diào)性的光。
[0038]而如圖2的結(jié)構(gòu)圖所示，第二半導(dǎo)體層114包含第一次層1142、第二次層1146與第三次層1144，形成第二半導(dǎo)體層114的步驟包含以一預(yù)定流量通入含有Ga以及N的氣體以及含鋁的有機(jī)金屬氣體以形成AlGaN，其中通入含鋁的有機(jī)金屬氣體的制作工藝條件是在環(huán)境溫度90(Tll0(TC之間，以壓力范圍30(T500Torr的條件通入3(T300sccm的有機(jī)金屬氣體，而含有鋁的有機(jī)金屬氣體可以是含有鋁的三甲基鋁((CH3)3A1，TMA1)。而如前面所述，第一次層1142、第二次層1146與第三次層1144的雜質(zhì)濃度不同，因此在形成第二次層1146時(shí)所通入的具有雜質(zhì)的氣體濃度要大于形成第一次層1142時(shí)所通入的氣體濃度，接著在形成第三次層1144時(shí)更進(jìn)一步提高所通入的具有雜質(zhì)的氣體濃度，使得各次層所具有的雜質(zhì)濃度往遠(yuǎn)離活性層110的方向而增加。在本發(fā)明的實(shí)施例中，第二半導(dǎo)體層114為P型半導(dǎo)體，因此形成第二半導(dǎo)體層114時(shí)通入二茂鎂(Mg(C5H5)2,Magnesocene)以提供鎂作為摻雜雜質(zhì)。
[0039]接著再于第二半導(dǎo)體層114上形成半導(dǎo)體接觸層116與透明導(dǎo)電氧化層120，其中透明導(dǎo)電氧化層120的材料為ΙΤ0，可作為窗戶層而增加出光。接著在透明導(dǎo)電氧化層120上形成電極層(未繪示于圖中)，而當(dāng)基板102為導(dǎo)電型材料時(shí)，可在基板102上相對于成長半導(dǎo)體疊層的另一側(cè)形成一電極層(未繪示于圖中)；或者是先移除基板102之后，再將導(dǎo)電基板與超晶格層104相結(jié)合，并在導(dǎo)電基板的另一側(cè)上形成電極層。
[0040]圖3中，第二發(fā)光二極管疊層200與圖1中發(fā)光二極管疊層100的差異在于形成第二發(fā)光二極管疊層200的活性層110之前,先形成應(yīng)變層108在第一半導(dǎo)體層106之上，接著形成活性層110時(shí)會因?yàn)閼?yīng)變層108與活性層110之間的晶格常數(shù)差異較少使得成長的外延的品質(zhì)比較好。另一個(gè)差異是在形成活性層110之后先形成電子阻擋層112再形成第二半導(dǎo)體層114，使得電子阻擋層112介于活性層110與第二半導(dǎo)體層114之間，而其中電子阻擋層112的材料可以是AlyGai_yN并且0.15〈y〈0.4。如前所述，通過電子阻擋層112的加入使得活性層110的晶格常數(shù)與第二半導(dǎo)體層114相近，減少外延疊層之間的應(yīng)力讓外延的品質(zhì)較好而達(dá)到降低發(fā)光二極管疊層順向電壓的結(jié)果。
[0041]圖4中的第三發(fā)光二極管疊層300則是在圖3中的第二發(fā)光二極管疊層200形成之后，再蝕刻發(fā)光疊層直到露出部分的第一半導(dǎo)體層106。接著再于露出的部分第一半導(dǎo)體層106之上形成半導(dǎo)體接觸層118，使得半導(dǎo)體接觸層118至少覆蓋在部分的第一半導(dǎo)體層106之上。然后在圖4中的第三發(fā)光二極管疊層300的透明導(dǎo)電氧化層120與半導(dǎo)體接觸層118之上分別形成兩個(gè)電極層(未繪示于圖中)。
[0042]上述實(shí)施例僅為例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者均可在不違背本發(fā)明的技術(shù)原理及精神的情況下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍如所述的權(quán)利要求所列。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管，包含: 第一半導(dǎo)體層； 活性層，位于該第一半導(dǎo)體層之上； 第二半導(dǎo)體層，位于該活性層之上，包含第一次層與形成于該第一次層之上的第二次層，其中該第二次層的材料包含AlxGahN(0〈χ〈1)且該第二次層的表面包含不規(guī)則分布的孔洞結(jié)構(gòu)；以及 半導(dǎo)體接觸層，位于該第二半導(dǎo)體層之上。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中該第一次層具有第一雜質(zhì)濃度，該第二次層具有第二雜質(zhì)濃度，其中該第一次層與該第二次層具有相同的導(dǎo)電性，并且該第二雜質(zhì)濃度大于該第一雜質(zhì)濃度。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其中該第二半導(dǎo)體層還包含第三次層，位于該第一次層與該第二次層之間，其中該第三次層具有與該第二次層相同的導(dǎo)電性；及其中該第三次層具有第三雜質(zhì)濃度，并且該第三雜質(zhì)濃度介于該第一雜質(zhì)濃度以及該第二雜質(zhì)濃度之間。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其中該第三次層的厚度大于該第一次層以及該第二次層，并且該第三次層不含有鋁成分而該第一次層含有鋁成分。
5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，還包含電子阻擋層，介于該活性層與該第二半導(dǎo)體層之間，其中該電子阻擋層的材料包含AlzGa1=N(0.15<z<0.4)，且該電子阻擋層的雜質(zhì)濃度高于該第二雜質(zhì)濃度。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中該孔洞結(jié)構(gòu)以外延成長方式形成，包含六角孔穴，并且至少一該六角孔穴延伸至該第二半導(dǎo)體層。
7.一種發(fā)光二極管的制作方法，包含: 提供一基板； 形成一第一半導(dǎo)體層于該基板上； 形成一活性層于該第一半導(dǎo)體層之上；以及 外延形成包含AlxGahN(0〈χ〈1)的一第二半導(dǎo)體層于該活性層之上，其中該第二半導(dǎo)體層的表面包含不規(guī)則分布的孔洞結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制作方法，其中形成該第二半導(dǎo)體層的步驟還包含以一預(yù)定流量通入含鋁的有機(jī)金屬氣體至一有機(jī)金屬氣相沉積反應(yīng)器中；其中，該預(yù)定流量介于30?300sccm。
9.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制作方法，其中該有機(jī)金屬氣相沉積反應(yīng)器的壓力介于30(T500torr之間，及/或該有機(jī)金屬氣相沉積反應(yīng)器的溫度介于90(Tl 100°C之間。
10.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制作方法，其中形成該第二半導(dǎo)體層的步驟還包含同時(shí)形成該孔洞結(jié)構(gòu)；該孔洞結(jié)構(gòu)包含六角孔穴，并且至少一該六角孔穴延伸至該第二半導(dǎo)體層。
【文檔編號】H01L33/12GK103985802SQ201310049983
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2013年2月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月8日
【發(fā)明者】林予堯, 柯淙凱, 曾建元, 陳彥志, 游俊達(dá), 凌碩均, 顏政雄, 吳欣顯 申請人:晶元光電股份有限公司