半導(dǎo)體發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包含：電路板，具有布線層和固晶區(qū)；至少一個正端點(diǎn)，設(shè)置于所述布線層上；至少一個負(fù)端點(diǎn)，設(shè)置于所述布線層上；至少一個功能端點(diǎn)，設(shè)置于所述布線層上；以及至少一個半導(dǎo)體發(fā)光晶片，設(shè)置于所述固晶區(qū)內(nèi)，并與所述正端點(diǎn)、所述負(fù)端點(diǎn)或所述功能端點(diǎn)電性耦合，以形成各種排列配置。
【專利說明】半導(dǎo)體發(fā)光裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，特別是一種電路板布線設(shè)計(jì)，使得半導(dǎo)體發(fā)光裝置可適用于各種不同輸入電壓，和/或可提供不同光通量。
【背景技術(shù)】
[0002]在傳統(tǒng)發(fā)光二極體裝置的封裝中，一般是將多個發(fā)光二極體晶片設(shè)置于電路板上。先通過內(nèi)部連接線，將發(fā)光二極體晶片形成所需要的串聯(lián)/并聯(lián)連接型態(tài)。在將發(fā)光二極體晶片固設(shè)在電路板上后，分別連接至電路板上輸入電壓的正端與負(fù)端。
[0003]根據(jù)傳統(tǒng)發(fā)光二極體裝置的封裝結(jié)構(gòu)，如果要應(yīng)用于不同的輸入電壓(例如110伏特或220伏特)或者提供不同的光通量(luminous flux)規(guī)格需求,發(fā)光二極體晶片必須先進(jìn)行復(fù)雜的內(nèi)部連線，因而使得發(fā)光二極體晶片的制造變得不具靈活性。例如，每當(dāng)客戶端對于輸入電壓/光通量規(guī)格有改變時，發(fā)光二極體晶片的制造者就必須重新設(shè)計(jì)電路板且將發(fā)光二極體晶片作不同的排列配置及電性連接。
[0004]因此，亟需提出一種發(fā)光二極體裝置，當(dāng)應(yīng)用于各種不同輸入電壓和/或提供不同光通量之規(guī)格需求時，可增加發(fā)光二極體晶片與電路板之間搭配的靈活性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于上述發(fā)明背景，本發(fā)明的實(shí)施例提出一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其可通過電路板的正、負(fù)端點(diǎn)及功能端點(diǎn)的排列配置，使得多個半導(dǎo)體發(fā)光晶片形成各種串并聯(lián)型態(tài)，從而可適用于各種不同輸入電壓和/或提供不同光通量的規(guī)格需求。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包含:電路板，具有布線層和固晶區(qū)；至少一個正端點(diǎn)，設(shè)置于所述布線層上；至少一個負(fù)端點(diǎn)，設(shè)置于所述布線層上；至少一個功能端點(diǎn)，設(shè)置于所述布線層上；以及至少一個半導(dǎo)體發(fā)光晶片，設(shè)置于所述固晶區(qū)內(nèi)，并與所述正端點(diǎn)、所述負(fù)端點(diǎn)或所述功能端點(diǎn)電性耦合，以形成各種排列配置。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1A示出本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的頂視圖。
[0008]圖1B則示出圖1A的分解圖。
[0009]圖2A至圖2D示出電子元件與第一 A/B圖電路板的正端點(diǎn)/負(fù)端點(diǎn)、第一 /第二功能端點(diǎn)、外部輸入電壓的正端V+/負(fù)端V-和/或接地端的連接關(guān)系示意圖。
[0010]圖3A至圖3E示出一些半導(dǎo)體發(fā)光晶片與第一 /第二長形墊、內(nèi)正/內(nèi)負(fù)端點(diǎn)的連接型態(tài)示意圖。
[0011]圖4示出另一變化的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的電路板。
[0012]圖5示出又一變化的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的電路板。
[0013]圖6示出一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其使用圖5所示的電路板并搭配圖3C所示的連接型態(tài)。[0014]附圖標(biāo)號說明
[0015]1000電路板
[0016]2000電路板
[0017]3000電路板
[0018]I正端布線區(qū)
[0019]11正端點(diǎn)
[0020]IlH正端點(diǎn)孔
[0021]12內(nèi)正端點(diǎn)
[0022]12H內(nèi)正端點(diǎn)孔
[0023]2負(fù)端布線區(qū)
[0024]21負(fù)端點(diǎn)
[0025]21H負(fù)端點(diǎn)孔
[0026]22內(nèi)負(fù)端點(diǎn)
[0027]22H內(nèi)負(fù)端點(diǎn)孔
[0028]3第一功能端布線區(qū)
[0029]31第一功能端點(diǎn)
[0030]31H第一功能端點(diǎn)孔
[0031]32第一長形墊
[0032]32H第一長形墊孔
[0033]33第一短形墊
[0034]33B短形墊
[0035]33H第一短形墊孔
[0036]4第二功能端布線區(qū)
[0037]41第二功能端點(diǎn)
[0038]4IH第二功能端點(diǎn)孔
[0039]42第二長形墊
[0040]42H第二長形墊孔
[0041]43第二短形墊
[0042]43B短形墊
[0043]43H第二短形墊孔
[0044]5固晶區(qū)
[0045]5H固晶區(qū)孔
[0046]61半導(dǎo)體發(fā)光晶片
[0047]200電子元件
[0048]S+正端點(diǎn)
[0049]S-負(fù)端點(diǎn)
[0050]SI第一功能端點(diǎn)
[0051]S2第二功能端點(diǎn)
[0052]GND接地端[0053]V+輸入電壓的正端
[0054]V-輸入電壓的負(fù)端
【具體實(shí)施方式】
[0055]圖1A示出本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的頂視圖，圖1B則示出圖1A的分解圖。本發(fā)明實(shí)施例所公開的半導(dǎo)體發(fā)光裝置具有特定的電路板布線設(shè)計(jì)，可適用于各種不同輸入電壓和/或提供不同光通量(luminous flux,其單位為流明(lumen))規(guī)格需求。
[0056]如圖1B所示，本實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置主要包含電路板1000，其可以是一種金屬芯電路板(metal-core printed circuit board, MCPCB),由下而上依序堆迭包含有金屬基板101(其作為金屬芯)、絕緣層102、布線層103以及覆蓋層104。圖示的電路板1000的形狀雖為圓形，但不限制于此。
[0057]本實(shí)施例的金屬基板101的材料可以是鋁或其他金屬。本實(shí)施例的絕緣層
102的材料可以是樹脂(例如酹醒樹脂(PhenoI ic )、環(huán)氧樹脂(Epoxy )、聚亞酰胺樹脂(Polyimide)、聚四氟乙烯(Polytetrafluorethylene,簡稱 PTFE 或 TEFLON)、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂(Bismaleimide Triazine,簡稱BT))、陶瓷、三氧化二招、氮化招、氧化招或氮化娃等。本實(shí)施例的布線層103的材料可以是銅、金或其他金屬。本實(shí)施例的覆蓋層104可以是防焊漆(resist ink)層,但不限制于此。
[0058]上述絕緣層102、布線層103及覆蓋層104的相應(yīng)位置(例如靠近中央位置)設(shè)有至少一個固晶區(qū)孔5H，該固晶區(qū)孔5H曝露出部分金屬基板101，并定義出固晶區(qū)5(圖1A)，用以在金屬基板101上固設(shè)多個半導(dǎo)體發(fā)光晶片(未顯示于圖1A和圖1B)，例如發(fā)光二極體晶片。根據(jù)本實(shí)施例的特征之一，電路板1000包含正端布線區(qū)1、負(fù)端布線區(qū)2及至少一個功能端布線區(qū)(例如圖示的第一功能端布線區(qū)3及第二功能端布線區(qū)4)。在本實(shí)施例中，正端布線區(qū)I與負(fù)端布線區(qū)2分別位于固晶區(qū)5的相對兩側(cè)，而第一功能端布線區(qū)3或第二功能端布線區(qū)4則介于正端布線區(qū)I與負(fù)端布線區(qū)2之間。
[0059]在正端布·線區(qū)1，覆蓋層104靠近外緣處設(shè)有正端點(diǎn)孔11H，其在布線層103定義出正端點(diǎn)11 (圖示的S+)，用以連接至外部(交/直流)輸入電壓(未示出)的正端或一電子元件(未圖示)，例如半導(dǎo)體集成電路元件(integrated circuit, 1C)、印刷電子元件(printed electronics)或無源器件。此外，覆蓋層104靠近固晶區(qū)5處設(shè)有至少一個內(nèi)正端點(diǎn)孔12H，其在布線層103定義出內(nèi)正端點(diǎn)12，用以連接至半導(dǎo)體發(fā)光晶片。
[0060]類似地，在負(fù)端布線區(qū)2，覆蓋層104靠近外緣處設(shè)有負(fù)端點(diǎn)孔21H，其在布線層103定義出負(fù)端點(diǎn)21 (圖示的S-)，用于連接至外部輸入電壓的負(fù)端或一電子元件(未圖示)，例如半導(dǎo)體集成電路元件(integrated circuit, IC),印刷電子元件(printedelectronics)或無源器件。此外，覆蓋層104靠近固晶區(qū)5處設(shè)有至少一個內(nèi)負(fù)端點(diǎn)孔22H，其在布線層103定義出內(nèi)負(fù)端點(diǎn)22，用以連接至半導(dǎo)體發(fā)光晶片。
[0061]在第一功能端布線區(qū)3，覆蓋層104靠近外緣處設(shè)有第一功能端點(diǎn)孔31H，其在布線層103定義出第一功能端點(diǎn)31 (圖示之SI)，用以電性耦合至另一功能端點(diǎn)41H，或一電子元件(未圖示)，例如半導(dǎo)體集成電路元件(integrated circuit, IC),印刷電子元件(printed electronics)或無源器件。此外,覆蓋層104靠近固晶區(qū)5處設(shè)有至少一個內(nèi)功能端點(diǎn)孔32H，該內(nèi)功能端點(diǎn)孔32H包括第一長形墊孔，其在布線層103上根據(jù)其形狀而定義出第一長形墊32 (功能端點(diǎn))，用以電性耦合至半導(dǎo)體發(fā)光晶片，并用以串聯(lián)或并聯(lián)半導(dǎo)體發(fā)光晶片。覆蓋層104靠近固晶區(qū)5處還可設(shè)有至少一個第一短形墊孔33H，其在布線層
103上根據(jù)其形狀而定義出第一短形墊33，用以電性耦合至半導(dǎo)體發(fā)光晶片。其中，第一短形墊33可作為抽頭端(tapped point)。
[0062]類似地，在第二功能端布線區(qū)4，覆蓋層104靠近外緣處設(shè)有第二功能端點(diǎn)孔41H，其在布線層103定義出第二功能端點(diǎn)41 (圖示之S2)，用以電性耦合至另一功能端點(diǎn)31H，或一電子元件(未圖示)，例如半導(dǎo)體集成電路元件(integrated circuit, IC),印刷電子元件(printed electronics)或無源器件。此外，覆蓋層104靠近固晶區(qū)5處設(shè)有至少一個第二長形墊孔42H，其在布線層103上根據(jù)其形狀而定義出第二長形墊42 (功能端點(diǎn))，用以電性耦合至半導(dǎo)體發(fā)光晶片，以供串聯(lián)或并聯(lián)半導(dǎo)體發(fā)光晶片。覆蓋層104靠近固晶區(qū)5處還可設(shè)有至少一個第二短形墊孔43H，其在布線層103上根據(jù)其形狀而定義出第二短形墊43，用以電性耦合至半導(dǎo)體發(fā)光晶片。其中，第二短形墊43可作為抽頭端(tappedpoint)。
[0063]其中，半導(dǎo)體發(fā)光晶片包括在藍(lán)寶石(Al2O3)基板上成長三族氮化物，例如氮化銦(InN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化銦鋁鎵(InAlGaN)等的發(fā)光二極體，但不限于上述基板及累晶材料。在一個實(shí)施例中，半導(dǎo)體發(fā)光晶片還包括在磷化鎵(GaP)基板上成長磷化鋁鎵銦(AlGaInP)的發(fā)光二極體；在砷化鎵(GaAs)基板上成長砷化銦鎵(InGaAs)的發(fā)光二極體；在砷化鎵(GaAs)基板上成長砷化鋁鎵(AlGaAs)的發(fā)光二極體；在碳化硅(SiC)基板或藍(lán)寶石基板上成長碳化硅(SiC)的發(fā)光二極體；或是，半導(dǎo)體發(fā)光晶片由三五族材料成長在砷化鎵(GaAs)、鍺(Ge)表面形成鍺化硅(SiGe)、硅(Si)表面形成碳化硅(SiC)、鋁(Al)表面形成氧化鋁(Al203)、氮化鎵(GaN)、氮化銦(InN)、氧化鋅(ZnO)、氮化招(A1N)、藍(lán)寶石(sapphire)、玻璃、石英或其組合的基板上所形成的發(fā)光二極體，但不限定于上述。此外，部分實(shí)施例是由二六族累晶材料成長于基板上而形成的發(fā)光二極體。然而，在最終的發(fā)光二極體封裝體中，可移除基板。
[0064]圖2A至圖2D示出電子元件200與圖1A、圖1B的電路板1000的正端點(diǎn)11/負(fù)端點(diǎn)21 (亦即S+/S-)、第一 /第二功能端點(diǎn)31/41 (亦即S1/S2)、外部輸入電壓的正端V+/負(fù)端V-和/或接地端GND的連接型態(tài)示意圖。其中，電路板1000與電子元件200以電性耦合的方式，可通過金屬線，將電路板1000上的正端點(diǎn)11/負(fù)端點(diǎn)21 (亦即S+/S-)及第一 /第二功能端點(diǎn)31/41 (亦即S1/S2)直接導(dǎo)電至電子元件200 ;或者，在正端點(diǎn)11/負(fù)端點(diǎn)21(亦即S+/S-)和第一 /第二功能端點(diǎn)31/41 (亦即S1/S2)上形成柱狀結(jié)構(gòu)或球狀結(jié)構(gòu)的電極，通過覆晶(flip chip)方式而與電子元件200電性稱合；再或者,在電子元件200上預(yù)留一耦合位置(未圖示)，通過直接封裝(Chip on board,COB)方式，將柱狀結(jié)構(gòu)或球狀結(jié)構(gòu)的電極對準(zhǔn)接合上述耦合位置，而直接與電子元件200電性耦合。
[0065]如圖2A所不，電子兀件200電性稱合于外部輸入電壓的正端V+與電路板1000上的正端點(diǎn)11 (亦即S+)之間，且電子元件200的第三端電性耦合至第一 /第二功能端點(diǎn)31/41 (亦即S1/S2)。如圖2B所示，電子元件200電性耦合于外部輸入電壓的負(fù)端V-，以及電路板1000上的負(fù)端點(diǎn)21 (亦即S-)或接地端GND之間，且電子元件200的第三端電性耦合至第一 /第二功能端點(diǎn)31/41 (亦即S1/S2)。如圖2C所示，電子元件200設(shè)置在電路板1000上，并電性耦合于電路板1000上的正端點(diǎn)11 (亦即S+)與電路板1000上的半導(dǎo)體發(fā)光晶片61之間，且電子元件200的第三端電性耦合至第一 /第二功能端點(diǎn)31/41 (亦即S1/S2)。如圖2D所示，電子元件200設(shè)置在電路板1000上，并電性耦合于電路板1000上的半導(dǎo)體發(fā)光晶片61，以及電路板1000上的負(fù)端點(diǎn)21 (亦即S-)或接地端GND之間，且電子元件200的第三端電性耦合至第一 /第二功能端點(diǎn)31/41 (亦即S1/S2)。
[0066]圖3A至圖3E示出一些半導(dǎo)體發(fā)光晶片與第一 /第二長形墊32/42、內(nèi)正/內(nèi)負(fù)端點(diǎn)12/22的連接型態(tài)示意圖。如圖3A所示，通過第一長形墊32、第二長形墊42(如圖中實(shí)線所示)及八個半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的內(nèi)連線(如圖中虛線所示)，形成八個半導(dǎo)體發(fā)光晶片61串聯(lián)(簡稱8S1P)的連接型態(tài)。如果每個半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的工作電壓為15伏特，則圖3A所示的半導(dǎo)體發(fā)光晶片61即可適用于110伏特的輸入電壓。也就是說，所串聯(lián)的半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的工作電壓總和(15伏特*8為120伏特)大于或等于輸入電壓(110伏特)。一般來說，可適用的輸入電壓的大小正比于半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的工作電壓與半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的串聯(lián)數(shù)目的乘積。此外，目標(biāo)光通量的大小正比于半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的面積與半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的總數(shù)目的乘積。圖3B顯示另一類似的8S1P連接型態(tài)。
[0067]如圖3C所示，通過第一長形墊32、第二長形墊42(如圖中實(shí)線所示)及九個半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的內(nèi)連線(如圖中虛線所示)，形成這些半導(dǎo)體發(fā)光晶片61串聯(lián)(簡稱9S1P)的連接型態(tài)。如果每個半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的工作電壓為27伏特，則圖3C所示的半導(dǎo)體發(fā)光晶片61即可適用于220伏特的輸入電壓。
[0068]如圖3D所示，通過第一長形墊32、第二長形墊42(如圖中實(shí)線所示)及九個半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的內(nèi)連線(如圖中虛線所示)，使得這些半導(dǎo)體發(fā)光晶片61形成三個并聯(lián)、且每個并聯(lián)由三個半導(dǎo)體發(fā)光晶片61所串聯(lián)(簡稱3S3P)的連接型態(tài)。如果每個半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的工作電壓為32伏特，則圖3D所示的半導(dǎo)體發(fā)光晶片61即可適用于110伏特的輸入電壓。
[0069]如圖3E所示，通過第一長形墊32、第二長形墊42(如圖中實(shí)線所示)及十六個半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的內(nèi)連線(如圖中虛線所示)，使得這些半導(dǎo)體發(fā)光晶片61形成二個并聯(lián)、且每個并聯(lián)由八個半導(dǎo)體發(fā)光晶片61所串聯(lián)(簡稱8S2P)的連接型態(tài)。如果每個半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的工作電壓為15伏特，則圖3E所示的半導(dǎo)體發(fā)光晶片61即可適用于110伏特的輸入電壓。
[0070]如圖3A至圖3E所示，本實(shí)施例可通過多個半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的內(nèi)連線(如圖中虛線所示)，并特別是通過正端點(diǎn)11 (亦即S+)、負(fù)端點(diǎn)21 (亦即S-)及功能端點(diǎn)31/41 (亦即S1/S2)的排列配置，用以形成這些半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的各種串并聯(lián)型態(tài)，從而可適用于各種不同輸入電壓和/或提供不同光通量的規(guī)格需求。
[0071]上述圖1A、圖1B所示實(shí)施例的電路板1000僅作為示例，其可作等效的修改。圖4示出另一變化的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的電路板2000，其類似于圖1A所示，同樣包含有正端布線區(qū)1、負(fù)端布線區(qū)2、第一功能端布線區(qū)3及第二功能端布線區(qū)4。圖5示出又一變化的半導(dǎo)體發(fā)光裝置之電路板3000，其中的正端布線區(qū)I與第二功能端布線區(qū)4之間沒有實(shí)體的區(qū)隔，且負(fù)端布線區(qū)2與第一功能端布線區(qū)3之間沒有實(shí)體的區(qū)隔。
[0072]上述的各種電路板(例如1000、2000或3000)可搭配各種連接型態(tài)(如圖3A至圖3E所示)以形成半導(dǎo)體發(fā)光裝置。圖6示出一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其使用圖5所示的電路板3000并搭配圖3C所示的9S1P連接型態(tài)。具體而言，左邊三個串聯(lián)半導(dǎo)體發(fā)光晶片61，其頂部端點(diǎn)經(jīng)由內(nèi)正端點(diǎn)12而與正端點(diǎn)11 (亦即S+)電性耦合，其底部端點(diǎn)經(jīng)由第一短形墊33、第一長形墊32及短形墊33B而與中間三個串聯(lián)半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的頂部端點(diǎn)電性耦合。中間三個串聯(lián)半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的底部端點(diǎn)經(jīng)由短形墊43B、第二長形墊42及第二短形墊43而與右邊三個串聯(lián)半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的頂部端點(diǎn)電性耦合。右邊三個串聯(lián)半導(dǎo)體發(fā)光晶片61的底部端點(diǎn)經(jīng)由內(nèi)負(fù)端點(diǎn)22而與負(fù)端點(diǎn)21 (亦即S-)電性耦合。
[0073]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并非用來限定本發(fā)明的范圍；凡是未脫離發(fā)明所公開精神下所完成的等效改變或修飾，均理解為應(yīng)包含在下述的權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包含: 電路板，具有布線層和固晶區(qū)； 至少一個正端點(diǎn)，設(shè)置于所述布線層上； 至少一個負(fù)端點(diǎn)，設(shè)置于所述布線層上； 至少一個功能端點(diǎn)，設(shè)置于所述布線層上；以及 至少一個半導(dǎo)體發(fā)光晶片，設(shè)置于所述固晶區(qū)內(nèi)，并與所述正端點(diǎn)、所述負(fù)端點(diǎn)或所述功能端點(diǎn)電性耦合，以形成各種排列配置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述半導(dǎo)體發(fā)光晶片是發(fā)光二極體晶片，且所述半導(dǎo)體發(fā)光晶片的數(shù)量為多個，這些半導(dǎo)體發(fā)光晶片可以串聯(lián)、并聯(lián)或串聯(lián)與并聯(lián)的組合型態(tài)電性耦合，從而可適用于各種不同輸入電壓和/或提供不同光通量的規(guī)格需求。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中這些半導(dǎo)體發(fā)光晶片可相互堆迭。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述電路板是一種金屬芯電路板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述電路板還包含: 絕緣層，位于所述布線層之下； 金屬基板，位于所述絕緣層之下 '及 覆蓋層，位于所述布線層之上；` 其中，所述絕緣層、所述布線層及所述覆蓋層的相應(yīng)位置設(shè)有至少一個固晶區(qū)孔，用以曝露部分所述金屬基板，從而定義出所述固晶區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述絕緣層包含樹脂、陶瓷、三氧化二鋁、氮化鋁、氧化鋁或氮化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述覆蓋層包含防焊漆層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中所述布線層包含: 正端布線區(qū)，在該正端布線區(qū)內(nèi)設(shè)有所述正端點(diǎn)； 負(fù)端布線區(qū)，在該負(fù)端布線區(qū)內(nèi)設(shè)有所述負(fù)端點(diǎn) '及 至少一個功能端布線區(qū)，在該功能端布線區(qū)內(nèi)設(shè)有所述功能端點(diǎn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，在所述正端布線區(qū)內(nèi)，所述覆蓋層靠近外緣處設(shè)有至少一個正端點(diǎn)孔，該正端點(diǎn)孔在所述布線層定義出相應(yīng)的所述正端點(diǎn)，用以連接至外部輸入電壓的正端；所述覆蓋層靠近該固晶區(qū)處設(shè)有至少一個內(nèi)正端點(diǎn)孔，該內(nèi)正端點(diǎn)孔在所述布線層定義出相應(yīng)的所述正端點(diǎn)，用以連接至所述半導(dǎo)體發(fā)光晶片。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，在所述負(fù)端布線區(qū)內(nèi)，所述覆蓋層靠近外緣處設(shè)有至少一個負(fù)端點(diǎn)孔，該負(fù)端點(diǎn)孔在所述布線層定義出相應(yīng)的所述負(fù)端點(diǎn)，用以連接至外部輸入電壓的負(fù)端；所述覆蓋層靠近所述固晶區(qū)處設(shè)有至少一個內(nèi)負(fù)端點(diǎn)孔，該內(nèi)負(fù)端點(diǎn)孔在所述布線層定義出相應(yīng)的所述負(fù)端點(diǎn)，用以連接至所述半導(dǎo)體發(fā)光晶片。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，在所述功能端布線區(qū)內(nèi)，所述覆蓋層靠近外緣處設(shè)有至少一個功能端點(diǎn)孔，該功能端點(diǎn)孔在所述布線層定義出相應(yīng)的所述功能端點(diǎn)，用以連接至電子元件或另一功能端點(diǎn)；所述覆蓋層靠近所述固晶區(qū)處設(shè)有至少一個內(nèi)功能端點(diǎn)孔，該內(nèi)功能端點(diǎn)孔在所述布線層定義出相應(yīng)的所述功能端點(diǎn)，用以連接至所述半導(dǎo)體發(fā)光晶片。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述至少一個功能端布線區(qū)包含第一功能端布線區(qū)及第二功能端布線區(qū)，所述正端布線區(qū)與所述負(fù)端布線區(qū)分別位于所述固晶區(qū)的相對兩側(cè)，且所述第一功能端布線區(qū)及所述第二功能端布線區(qū)分別介于所述正端布線區(qū)與所述負(fù)端布線區(qū)之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求 8所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述功能端點(diǎn)包括抽頭端。
【文檔編號】H01L33/48GK103633231SQ201310049777
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年2月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月22日
【發(fā)明者】邵世豐, 劉恒, 許進(jìn)恭 申請人:華夏光股份有限公司