專利名稱：陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法。
背景技術(shù)：
液晶面板通常包括彩膜基板和陣列基板。液晶面板的生產(chǎn)工序通常包括陣列制程、組立制程以及模組制程。陣列制程主要包括陣列基板的生產(chǎn)過程。組立制程主要包括將陣列基板和彩膜基板貼合在一起的過程。模組制程則包括將FPC(Flexible PrintedCircuit，柔性電路板)等電路進(jìn)行組裝的過程。陣列基板上形成呈陣列排布的TFT (Thin-Film Transistor,薄膜晶體管)、電容和像素電極，以及形成于外圍的驅(qū)動(dòng)電極。驅(qū)動(dòng)電極控制TFT的通斷電，因此驅(qū)動(dòng)電極連接TFT和FPC。組立制程中，將陣列基板和彩膜基板貼合在一起的步驟之前還包括在陣列基板和彩膜基板的邊框處封膠的步驟。具體來說，封膠步驟包括灌膠和固化兩個(gè)步驟。OLED (Organic Electroluminesence Display,有機(jī)電激光顯不)面板作為液晶面板的未來發(fā)展新趨勢(shì)，其對(duì)水汽和氧氣等物質(zhì)非常敏感，因此其封裝條件較苛刻?，F(xiàn)有技術(shù)中，OLED面板的封裝工藝為灌膠后采用激光烘烤的方法使封框膠固化。激光固化的溫度達(dá)1000°c甚至更高。然而，封框膠的涂覆位置與驅(qū)動(dòng)電極的排布位置部分重合，若封框膠與驅(qū)動(dòng)電極直接接觸則固化過程中極易發(fā)生封框膠自驅(qū)動(dòng)電極的位置處發(fā)生剝離的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種改善封框效果的陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板的制造方法，該制造方法包括:提供一基板；于基板上形成源極、漏極、驅(qū)動(dòng)電極和第一電容電極；形成第一介電層，第一介電層覆蓋源極、漏極、驅(qū)動(dòng)電極和第一電容電極，第一介電層包括覆蓋第一電容電極的第一區(qū)域和覆蓋驅(qū)動(dòng)電極的第二區(qū)域，第二區(qū)域的厚度大于第一區(qū)域的厚度，第二區(qū)域用于在其上形成玻璃熔膠；于第一介電層的第一區(qū)域上形成第二電容電極，第二電容電極、第一電容電極以及其間的第一介電層形成第一電容。其中，第一區(qū)域的厚度為200 1000埃，第二區(qū)域的厚度為1000 8000埃。其中，形成第一介電層的步驟之后進(jìn)一步包括:于第一介電層上形成像素電極，像素電極連接源極；于第一介電層上形成有機(jī)材料層，有機(jī)材料層覆蓋第二電極板，像素電極裸露出有機(jī)材料層；于有機(jī)材料層上形成若干凸出的間隔裝置。其中，于基板上形成源極、漏極、驅(qū)動(dòng)電極和第一電容電極的步驟包括:于基板上形成第二介電層；于第二介電層上形成半導(dǎo)體層和第三電容電極；形成第三介電層，第三介電層形成于第二介電層上且覆蓋半導(dǎo)體層和第三電容電極；于第三介電層上形成柵極和第四電容電極，柵極和半導(dǎo)體層正對(duì)，第四電容電極、第三電容電極以及其間的第三介電層形成第二電容；形成第四介電層，第四介電層形成于第三介電層上且覆蓋柵極和第四電容電極；于第四介電層上形成源極、漏極、第一電容電極和驅(qū)動(dòng)電極，源極和漏極均連接至半導(dǎo)體層。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板，包括基板、驅(qū)動(dòng)電極、第一電容、源極、漏極和第一介電層，第一電容包括第一電容電極和第二電容電極，源極、漏極、驅(qū)動(dòng)電極和第一電容電極形成于基板上，第一介電層覆蓋源極、漏極、驅(qū)動(dòng)電極和第一電容電極，第一介電層包括覆蓋第一電容電極的第一區(qū)域和覆蓋驅(qū)動(dòng)電極的第二區(qū)域，第二區(qū)域的厚度大于第一區(qū)域的厚度，第二區(qū)域用于在其上形成玻璃熔膠，第二電容電極形成于第一區(qū)域上。其中，第一區(qū)域的厚度為200 1000埃，第二區(qū)域的厚度為1000 8000埃。其中，陣列基板進(jìn)一步包括像素電極、有機(jī)材料層和間隔裝置，像素電極形成于第一介質(zhì)層上且連接源極，有機(jī)材料層位于第一介電層上且覆蓋第二電極板，像素電極裸露出有機(jī)材料層，間隔裝置于有機(jī)材料層上凸出設(shè)置。其中，第二電容電極是金屬材料或透明導(dǎo)電材料。其中，陣列基板進(jìn)一步包括第二介電層、半導(dǎo)體層、第三介電層、柵極、第四介電層和第二電容,第二電容包括第三電容電極和第四電容電極,第二介電層形成于基板上,半導(dǎo)體層和第三電容電極位于第二介電層和第三介電層之間，柵極和第四電容電極位于第三介電層和第四介電層之間，源極和柵極均與半導(dǎo)體層連接。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括如上所述的陣列基板。本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明陣列基板的第一介電層包括位于第一電容電極、第二電容電極之間的第一區(qū)域和覆蓋驅(qū)動(dòng)電極的第二區(qū)域，第二區(qū)域的厚度大于第一區(qū)域的厚度設(shè)計(jì)；從而在保障第一電容的電荷存儲(chǔ)量的基礎(chǔ)上，避免發(fā)生因驅(qū)動(dòng)電極直接接觸封框工藝中的玻璃熔膠而使玻璃熔膠剝離的現(xiàn)象，進(jìn)一步地，驅(qū)動(dòng)電極對(duì)應(yīng)的第二區(qū)域的厚度較厚，因此封框工藝中的封框效果更好。


圖1是本發(fā)明陣列基板的局部主視示意圖；圖2是本圖1所示陣列基板應(yīng)用于顯示裝置中的俯視示意圖；圖3是圖2所示顯示裝置的區(qū)域A對(duì)應(yīng)的主視示意圖；圖4是是本發(fā)明陣列基板的制造方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式參閱圖1和圖2，本發(fā)明陣列基板包括基板1、驅(qū)動(dòng)電極2、第一電容3、TFT層(未標(biāo)不)、第一介電層51、像素電極6、有機(jī)材料層7和間隔裝置8。第一電容3包括第一電容電極31和第二電容電極32。TFT層包括第二介電層52、半導(dǎo)體層43、第三介電層53、柵極44、第四介電層54、源極41、漏極42和第二電容9。第二電容9包括第三電容電極91和第四電容電極92。
第二介電層52形成于基板I上。半導(dǎo)體層43和第三電容電極91形成于第二介電層52的遠(yuǎn)離基板I的一側(cè)上。第三電容電極91和半導(dǎo)體層43可以由不同的制程依次制成，或者在同一制程中同時(shí)生成。當(dāng)?shù)谌娙蓦姌O91和半導(dǎo)體層43由同一制程形成時(shí)，二者為同樣的材質(zhì)，即，第三電容電極91亦為半導(dǎo)體材料。第三介電層53形成于第二介電層52上。第三介電層53覆蓋半導(dǎo)體層43和第三電容電極91,使第三電容電極91和半導(dǎo)體層43位于第二介電層52和第三介電層53之間。柵極44和第四電容電極92形成于第三介電層53上。柵極44和第四電容電極92由同一制程同時(shí)形成，或者由不同制程依次形成。第四介電層形成于第三介電層53上。第四介電層54覆蓋柵極44和第四電容電極92,使柵極44和第四電容電極92位于第三介電層53和第四介電層54之間。源極41、漏極42、第一電容電極31和驅(qū)動(dòng)電極2形成于第四介電層54上；四者由相同的制程同時(shí)形成或者不同的制程先后形成。驅(qū)動(dòng)電極2形成于陣列基板100上靠近一側(cè)邊緣的位置處。第一介電層51形成于所述第四介電層54上。第一介電層51覆蓋源極41、漏極42、第一電容電極31和驅(qū)動(dòng)電極2。第一介電層51包括覆蓋第一電容電極31的第一區(qū)域511和覆蓋驅(qū)動(dòng)電極2的第二區(qū)域512。第二區(qū)域512的厚度大于第一區(qū)域511的厚度。優(yōu)選地，第一區(qū)域511的厚度為200 1000埃之間，第二區(qū)域512的厚度為1000 8000埃之間。第一介電層51的第一區(qū)域511上形成第二電容電極32。第一電容電極31、第二電容電極32和二者之間的第一介電層51形成第一電容3。因第一電容電極31和第二電容電極32之間的第一介電層51的厚度較小，使第一電容3能夠得到較高的電荷存儲(chǔ)量，以滿足使用需求。請(qǐng)一并參照?qǐng)D2和圖3，第一介電層51的第一區(qū)域511覆蓋驅(qū)動(dòng)電極2，第一區(qū)域511用于在其上形成玻璃熔膠22，以將陣列基板100和彩膜基板21進(jìn)行封裝。玻璃熔膠22的封裝工藝中，首先，將玻璃熔膠灌注在陣列基板100外圍的封膠區(qū)(未標(biāo)示)上，該封膠區(qū)與第二區(qū)域512部分重疊；接著，將采用激光烘烤的方法使玻璃熔膠固化。本發(fā)明中，因驅(qū)動(dòng)電極2與玻璃熔膠22之間設(shè)置較厚的第一介電層51，第一介電層51在二者之間形成良好的過渡，使玻璃熔膠22取得良好的固化封裝效果。進(jìn)一步地，像素電極6形成于第一介電層51上。像素電極6連接至源極41。像素電極6與第二電容電極32由相同的制程同時(shí)形成或者由不同的制程先后形成。優(yōu)選地，像素電極6和第二電容電極32采用相同的制程同時(shí)形成，二者均采用透明導(dǎo)電材料或者銀制程。當(dāng)二者采用不同制程時(shí)，第二電容電極32亦可采用其他的導(dǎo)電材料。有機(jī)材料層7形成于第一介電層51上。有機(jī)材料層7覆蓋第二電極板并將像素電極6裸露出來。間隔裝置8自有機(jī)材料層7上凸出間隔設(shè)置，以支撐與陣列基板100相互組裝的彩膜基板21。有機(jī)材料層7的設(shè)置面積小于第一介電層51。至少陣列基板100的框膠區(qū)上沒有鋪設(shè)有機(jī)材料層7，使得玻璃熔膠22灌注至設(shè)置于框膠區(qū)的表層的第一介質(zhì)層51上。本發(fā)明中，第一介質(zhì)層51、第二介質(zhì)層52、第三介質(zhì)層53和第四介質(zhì)層54均為氮化硅或氧化硅材料。實(shí)際應(yīng)用中，上述介質(zhì)層的材料不受上述材料限制。并且，相鄰的介質(zhì)層之間可以采用相同的材料，亦可以選用不同的材料。
區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明陣列基板100的第一介電層51包括位于第一電容電極31、第二電容電極32之間的第一區(qū)域511和覆蓋驅(qū)動(dòng)電極2的第二區(qū)域512，第二區(qū)域512的厚度大于第一區(qū)域511的厚度設(shè)計(jì)；從而在保障第一電容3的電荷存儲(chǔ)量的基礎(chǔ)上，避免發(fā)生因驅(qū)動(dòng)電極2直接接觸封框工藝中的玻璃熔膠22而使玻璃熔膠22剝離的現(xiàn)象，進(jìn)一步地，驅(qū)動(dòng)電極2對(duì)應(yīng)的第二區(qū)域512的厚度較厚，因此，封框工藝中的封框效果更好。請(qǐng)參照?qǐng)D2，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種顯示裝置，顯示裝置包括前述實(shí)施例中描述的陣列基板100、彩膜基板21、FPC20和玻璃熔膠22圍設(shè)的膠框。膠框位于陣列基板100和彩膜基板21之間。FPC20連接至驅(qū)動(dòng)電極2。請(qǐng)參照?qǐng)D4，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種陣列基板的制造方法。該制造方法包括:S10，提供一基板 I?；錓可以是玻璃基板或其他材料的透光板。S20，于基板I上形成源極41、漏極42、驅(qū)動(dòng)電極2和第一電容電極31。S30,形成第一介電層51。第一介電層51覆蓋源極41、漏極42、驅(qū)動(dòng)電極2和第一電容電極31。第一介電層51包括覆蓋第一電容電極31的第一區(qū)域511和覆蓋驅(qū)動(dòng)電極2的第二區(qū)域512。第二區(qū)域512的厚度大于第一區(qū)域511的厚度。第二區(qū)域512用于在其上形成玻璃熔膠22。S40,于第一介電層51的第一區(qū)域511上形成第二電容電極32。第二電容電極32、第一電容電極31以及其間的第一介電層51形成第一電容3。具體來說，步驟S20進(jìn)一步包括:于基板I上形成第二介電層52。于第二介電層52上形成半導(dǎo)體層43和第三電容電極91。形成第三介電層53,第三介電層53形成于第二介電層52上且覆蓋半導(dǎo)體層43和第三電容電極91。于第三介電層53上形成柵極44和第四電容電極92，柵極44和半導(dǎo)體層43正對(duì)，第四電容電極92、第三電容電極91以及其間的第三介電層形成第二電容9。形成第四介電層54，第四介電層54形成于第三介電層53上且覆蓋柵極44和第四電容電極92。于第四介電層92上形成源極41、漏極42、第一電容電極31和驅(qū)動(dòng)電極2，源極41和漏極42均連接至半導(dǎo)體層43。步驟S30中，優(yōu)選地，第一區(qū)域511的厚度為20(Tl000埃，第二區(qū)域512的厚度為1000 8000 埃。該制造方法于步驟S30之后進(jìn)一步包括:于第一介電層51上形成像素電極6，像素電極6連接至源極41。形成像素電極6的步驟可與步驟S40同步完成或先后完成。像素電極6和第二電容電極32選擇同一制程同步形成時(shí)，二者的材料相同，即均選擇透明電極材料或銀。像素電極6制成后,于第一介電層51上形成有機(jī)材料層7。有機(jī)材料層7覆蓋第二電容電極32。像素電極6裸露出有機(jī)材料層7。最后，于有機(jī)材料層7上凸出設(shè)置若干間隔裝置8，間隔裝置8用以支撐顯示裝置的與陣列基板100貼合組裝的彩膜基板21。以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括: 提供一基板； 于所述基板上形成源極、漏極、驅(qū)動(dòng)電極和第一電容電極； 形成第一介電層，所述第一介電層覆蓋所述源極、所述漏極、所述驅(qū)動(dòng)電極和所述第一電容電極，所述第一介電層包括覆蓋所述第一電容電極的第一區(qū)域和覆蓋所述驅(qū)動(dòng)電極的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域的厚度大于所述第一區(qū)域的厚度，所述第二區(qū)域用于在其上形成玻璃熔膠； 于所述第一介電層的所述第一區(qū)域上形成第二電容電極，所述第二電容電極、所述第一電容電極以及其間的所述第一介電層形成第一電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一區(qū)域的厚度為200^1000埃，所述第二區(qū)域的厚度為1000 8000埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述形成第一介電層的步驟之后進(jìn)一步包括: 于所述第一介電層上形成像素電極，所述像素電極連接所述源極； 于所述第一介電層上形成有機(jī)材料層，所述有機(jī)材料層覆蓋所述第二電極板，所述像素電極裸露出所述有機(jī)材料層； 于所述有機(jī)材料層上形成若干凸出的間隔裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述于所述基板上形成源極、漏極、驅(qū)動(dòng)電極和第一電容電極的步驟包括: 于所述基板上形成第二介電層； 于所述第二介電層上形成半導(dǎo)體層和第三電容電極； 形成第三介電層，所述第三介電層形成于所述第二介電層上且覆蓋所述半導(dǎo)體層和所述第三電容電極； 于所述第三介電層上形成柵極和第四電容電極，所述柵極和所述半導(dǎo)體層正對(duì)，所述第四電容電極、所述第三電容電極以及其間的所述第三介電層形成第二電容； 形成第四介電層，所述第四介電層形成于所述第三介電層上且覆蓋所述柵極和所述第四電容電極； 于所述第四介電層上形成所述源極、所述漏極、所述第一電容電極和所述驅(qū)動(dòng)電極，所述源極和所述漏極均連接至所述半導(dǎo)體層。
5.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括基板、驅(qū)動(dòng)電極、第一電容、源極、漏極和第一介電層，所述第一電容包括第一電容電極和第二電容電極，所述源極、所述漏極、所述驅(qū)動(dòng)電極和所述第一電容電極形成于所述基板上，所述第一介電層覆蓋所述源極、所述漏極、所述驅(qū)動(dòng)電極和所述第一電容電極，所述第一介電層包括覆蓋所述第一電容電極的第一區(qū)域和覆蓋所述驅(qū)動(dòng)電極的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域的厚度大于所述第一區(qū)域的厚度，所述第二區(qū)域用于在其上形成玻璃熔膠，所述第二電容電極形成于所述第一區(qū)域上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一區(qū)域的厚度為20(Γ1000埃，所述第二區(qū)域的厚度為1000 8000埃。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板進(jìn)一步包括像素電極、有機(jī)材料層和間隔裝置，所述像素電極形成于所述第一介質(zhì)層上且連接所述源極，所述有機(jī)材料層位于所述第一介電層上且覆蓋所述第二電極板，所述像素電極裸露出所述有機(jī)材料層，所述間隔裝置于所述有機(jī)材料層上凸出設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電容電極是金屬材料或透明導(dǎo)電材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板進(jìn)一步包括第二介電層、半導(dǎo)體層、第三介電層、柵極、第四介電層和第二電容，所述第二電容包括第三電容電極和第四電容電極，所述第二介電層形成于所述基板上，所述半導(dǎo)體層和所述第三電容電極位于所述第二介電層和所述第三介電層之間，所述柵極和所述第四電容電極位于所述第三介電層和所述第四介電層之間，所述源極和所述柵極均與所述半導(dǎo)體層連接。
10.一種顯示裝置 ，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求5、項(xiàng)任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
全文摘要
陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法。本發(fā)明公開了一種陣列基板的制造方法，包括于基板上形成源極、漏極、驅(qū)動(dòng)電極和第一電容電極；形成第一介電層，覆蓋源極、漏極、驅(qū)動(dòng)電極和第一電容電極，第一介電層包括第一區(qū)域和覆蓋驅(qū)動(dòng)電極、厚度大于第一區(qū)域的第二區(qū)域；于第一介電層的第一區(qū)域上形成第二電容電極，第二電容電極、第一電容電極以及其間的第一介電層形成第一電容。通過上述方式，采用本發(fā)明陣列基板的顯示裝置能夠取得良好的封膠效果。
文檔編號(hào)H01L21/77GK103137557SQ201310046310
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2013年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月5日
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