技術(shù)特征：
1.一種CMOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述第一區(qū)域上形成第一柵極結(jié)構(gòu)，并在所述第二區(qū)域上形成第二柵極結(jié)構(gòu)；形成覆蓋所述第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第一掩膜層，并形成覆蓋所述第二柵極結(jié)構(gòu)頂部、第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)第二區(qū)域的第二掩膜層，所述第二掩膜層和第一掩膜層的材料不同；以所述第一柵極結(jié)構(gòu)、第一掩膜層和第二掩膜層為掩模，在第一掩膜層兩側(cè)的第一區(qū)域內(nèi)形成第一應(yīng)力層；在所述第一柵極結(jié)構(gòu)、第一掩膜層、第一應(yīng)力層和第二掩膜層上形成第三掩膜層，所述第三掩膜層和第二掩膜層的材料相同；刻蝕第二區(qū)域上方的第三掩膜層和第二掩膜層，至剩余的第三掩膜層和第二掩膜層位于第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁上；以第二柵極結(jié)構(gòu)、第二掩膜層和第三掩膜層為掩模，在第三掩膜層兩側(cè)的第二區(qū)域內(nèi)形成第二應(yīng)力層。2.如權(quán)利要求1所述的CMOS晶體管的形成方法，其特征在于，刻蝕第二區(qū)域上方的第三掩膜層和第二掩膜層的方法為各向異性干法刻蝕。3.如權(quán)利要求1所述的CMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一應(yīng)力層的材料為鍺硅。4.如權(quán)利要求3所述的CMOS晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述第一應(yīng)力層的方法為外延生長(zhǎng)工藝。5.如權(quán)利要求1所述的CMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層的材料為氮化硅。6.如權(quán)利要求5所述的CMOS晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜層的方法為原子層沉積工藝。7.如權(quán)利要求1所述的CMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二應(yīng)力層的材料為碳化硅。8.如權(quán)利要求7所述的CMOS晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述第二應(yīng)力層的方法為外延生長(zhǎng)工藝。9.如權(quán)利要求1所述的CMOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜層和第三掩膜層的材料為氧化硅。10.如權(quán)利要求9所述的CMOS晶體管的形成方法，其特征在于，形成所述第二掩膜層和第三掩膜層的方法為化學(xué)氣相沉積工藝。11.如權(quán)利要求1所述的CMOS晶體管的形成方法，其特征在于，在形成所述第二應(yīng)力層之后，還包括：去除所述第二掩膜層和第三掩膜層。12.如權(quán)利要求11所述的CMOS晶體管的形成方法，其特征在于，去除所述第二掩膜層和第三掩膜層的方法為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕的溶液為氫氟酸溶液，所述氫氟酸溶液的溫度為0℃～100℃，所述氫氟酸溶液中氫氟酸和水的體積比為1:100～1:1000。