本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種CMOS晶體管的形成方法。

背景技術(shù)：
互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體（ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，CMOS）晶體管已成為集成電路中常用的半導(dǎo)體器件。所述CMOS晶體管包括：P型金屬氧化物半導(dǎo)體（PMOS）晶體管和N型金屬氧化物半導(dǎo)體（NMOS）晶體管。隨著半導(dǎo)體器件的元件密度和集成度的提高，PMOS晶體管或NMOS晶體管的柵極尺寸變得比以往更短。然而，PMOS晶體管或NMOS晶體管的柵極尺寸變短會產(chǎn)生短溝道效應(yīng)，進(jìn)而產(chǎn)生漏電流，影響CMOS晶體管的電學(xué)性能?，F(xiàn)有技術(shù)主要通過提高晶體管溝道區(qū)的應(yīng)力來提高載流子遷移率，進(jìn)而提高晶體管的驅(qū)動電流，減少晶體管中的漏電流?，F(xiàn)有技術(shù)中，為了提高PMOS晶體管或NMOS晶體管的溝道區(qū)的應(yīng)力，在PMOS晶體管或NMOS晶體管的源區(qū)和漏區(qū)形成應(yīng)力層。其中，PMOS晶體管的應(yīng)力層的材料為鍺硅（SiGe），硅和鍺硅之間因晶格失配形成的壓應(yīng)力，從而提高PMOS晶體管的性能；NMOS晶體管的應(yīng)力層的材料為碳化硅（SiC），硅和碳化硅之間因晶格失配形成的拉應(yīng)力，從而提高NMOS晶體管的性能?，F(xiàn)有工藝在形成包括上述NMOS晶體管和PMOS晶體管的CMOS晶體管時(shí)，包括如下步驟：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域用于形成PMOS晶體管，所述第二區(qū)域用于形成NMOS晶體管；在所述第一區(qū)域上形成第一柵極結(jié)構(gòu)，并在所述第二區(qū)域上形成第二柵極結(jié)構(gòu)；形成覆蓋第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁、第二柵極結(jié)構(gòu)頂部、第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)第二區(qū)域的第一氮化硅層；以第一氮化硅層和第一柵極結(jié)構(gòu)為掩模，在第一區(qū)域內(nèi)形成鍺硅層；通過濕法刻蝕工藝去除所述第一氮化硅層；在第一柵極結(jié)構(gòu)頂部、第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁、鍺硅層和第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁上由下至上依次形成第二氮化硅層和氧化硅層；以所述氧化硅層和第二柵極結(jié)構(gòu)為掩模，在第二區(qū)域內(nèi)形成碳化硅層；通過濕法刻蝕去除所述氧化硅層和第二氮化硅層。上述工藝雖然提高了CMOS晶體管中PMOS晶體管和NMOS晶體管溝道區(qū)中載流子的遷移率，但在鍺硅層形成后，需通過熱磷酸溶液去除第一氮化硅層，而熱磷酸溶液還會與鍺硅層發(fā)生反應(yīng)，對鍺硅層造成損傷。而且，在碳化硅層形成后，需先通過氫氟酸溶液去除氧化硅層，再通過熱磷酸溶液去除第二氮化硅層，在第二氮化硅層被完全去除之后，殘留的熱磷酸溶液繼續(xù)與暴露出的鍺硅層發(fā)生反應(yīng)，進(jìn)一步對鍺硅層造成損傷，影響了所形成PMOS晶體管的性能，所形成的CMOS晶體管性能不穩(wěn)定。更多形成上述CMOS晶體管的方法請參考公開號為US2011201164A1的美國專利申請。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明解決的問題是提供一種CMOS晶體管的形成方法，提高所形成CMOS晶體管的性能。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種CMOS晶體管的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述第一區(qū)域上形成第一柵極結(jié)構(gòu)，并在所述第二區(qū)域上形成第二柵極結(jié)構(gòu)；形成覆蓋所述第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第一掩膜層，并形成覆蓋所述第二柵極結(jié)構(gòu)頂部、第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)第二區(qū)域的第二掩膜層；以所述第一柵極結(jié)構(gòu)、第一掩膜層和第二掩膜層為掩模，在第一掩膜層兩側(cè)的第一區(qū)域內(nèi)形成第一應(yīng)力層；在所述第一柵極結(jié)構(gòu)、第一掩膜層、第一應(yīng)力層和第二掩膜層上形成第三掩膜層；刻蝕第二區(qū)域上方的第三掩膜層和第二掩膜層，至剩余位于第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的第三掩膜層和第二掩膜層；以第二柵極結(jié)構(gòu)、第二掩膜層和第三掩膜層為掩模，在第三掩膜層兩側(cè)的第二區(qū)域內(nèi)形成第二應(yīng)力層；其中，所述第一掩膜層和第二掩膜層的材料不同，第二掩膜層和第三掩膜層的材料相同。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：在第一區(qū)域上形成第一柵極結(jié)構(gòu)，以及在第二區(qū)域上形成第二柵極結(jié)構(gòu)之后，形成覆蓋第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第一掩膜層，并形成覆蓋第二柵極結(jié)構(gòu)頂部、第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)第二區(qū)域的第二掩膜層，接著，以第一柵極結(jié)構(gòu)、第一掩膜層和第二掩膜層為掩模，在第一掩膜層兩側(cè)的第一區(qū)域內(nèi)形成第一應(yīng)力層，然后在第一柵極結(jié)構(gòu)、第一掩膜層、第一應(yīng)力層和第二掩膜層上形成第三掩膜層，并刻蝕第二區(qū)域上方的第三掩膜層和第二掩膜層，至剩余位于第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的第三掩膜層和第二掩膜層，最后，以第二柵極結(jié)構(gòu)、第二掩膜層和第三掩膜層為掩模，在第三掩膜層兩側(cè)的第二區(qū)域內(nèi)形成第二應(yīng)力層。由于在第一應(yīng)力層形成之后僅需進(jìn)行一次刻蝕工藝，簡化了形成CMOS晶體管的步驟，避免了刻蝕工藝對所形成第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層造成損傷，提高了所形成CMOS晶體管的性能。進(jìn)一步的，所述第一應(yīng)力層的材料為鍺硅，第二應(yīng)力層的材料為碳化硅，相應(yīng)的，第一掩膜層的材料為氮化硅，第二掩膜層和第三掩膜層的材料為氧化硅，在第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層形成之后，通過氫氟酸溶液去除第二掩膜層和第三掩膜層時(shí)，氫氟酸溶液不會對第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層造成損傷，第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層的形貌較佳，提高了所形成CMOS晶體管的性能。附圖說明圖1~圖12為本發(fā)明CMOS晶體管的形成方法一個實(shí)施例的示意圖。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其它不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有工藝在形成CMOS晶體管時(shí)包含的刻蝕步驟較多，且所采用的濕法刻蝕易對已形成的鍺硅層造成損傷，影響了所形成PMOS晶體管的性能，所形成的CMOS晶體管性能不穩(wěn)定。針對上述缺陷，本發(fā)明提供了一種CMOS晶體管的形成方法，先形成覆蓋第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第一掩膜層，以及形成覆蓋第二柵極結(jié)構(gòu)頂部、第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)第二區(qū)域的第二掩膜層，再以第一柵極結(jié)構(gòu)、第一掩膜層和第二掩膜層為掩模，在第一區(qū)域內(nèi)形成第一應(yīng)力層，接著，在第一柵極結(jié)構(gòu)、第一掩膜層、第一應(yīng)力層和第二掩膜層上形成第三掩膜層，并刻蝕第二區(qū)域上方的第三掩膜層和第二掩膜層，至剩余位于第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的第三掩膜層和第二掩膜層，最后，以第二柵極結(jié)構(gòu)、第二掩膜層和第三掩膜層為掩模，在第二區(qū)域內(nèi)形成第二應(yīng)力層。本發(fā)明CMOS晶體管的形成方法減少了第一應(yīng)力層形成之后進(jìn)行刻蝕工藝的次數(shù)，避免刻蝕工藝對第一應(yīng)力層和第二應(yīng)力層造成損傷，提高了所形成CMOS晶體管的性能。下面結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。參考圖1~圖12，通過具體實(shí)施例對本發(fā)明CMOS晶體管的形成方法做進(jìn)一步說明。參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底300，所述半導(dǎo)體襯底300包括第一區(qū)域300a和第二區(qū)域300b，所述第一區(qū)域300a和第二區(qū)域300b之間還形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)302。本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底300的材料為單晶硅或者絕緣體上硅；或者還可以包括其它的材料，本發(fā)明對此不做限制。所述半導(dǎo)體襯底300的第一區(qū)域300a用于形成PMOS晶體管，而第二區(qū)域300b用于形成NMOS晶體管。本實(shí)施例中，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)302的材料為氧化硅，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)302的形成工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不作贅述。繼續(xù)參考圖1，在第一區(qū)域300a上形成第一柵極結(jié)構(gòu)，并在第二區(qū)域300b上形成第二柵極結(jié)構(gòu)。所述第一柵極結(jié)構(gòu)包括位于第一區(qū)域300a上的第一柵介質(zhì)層401和位于第一柵介質(zhì)層401上的第一柵極403；所述第二柵極結(jié)構(gòu)包括位于第二區(qū)域300b上的第二柵介質(zhì)層501和位于第二柵介質(zhì)層501上的第二柵極503。所述第一柵介質(zhì)層401和第二柵介質(zhì)層501的材料為氧化硅，所述第一柵極403和第二柵極503的材料為多晶硅。本實(shí)施例中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)還包括位于第一柵極403頂部的第一停止層405a；所述第二柵極結(jié)構(gòu)還包括位于第二柵極503頂部的第二停止層505a。所述第一停止層405a和第二停止層505a的材料可為氧化硅，以在后續(xù)工藝中分別保護(hù)所述第一柵極403和第二柵極503。本實(shí)施例中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)還包括位于第一柵介質(zhì)層401、第一柵極403和第一停止層405a側(cè)壁上的第一偏移間隙壁407；所述第二柵極結(jié)構(gòu)還包括位于第二柵介質(zhì)層501、第二柵極503和第二停止層505a側(cè)壁上的第二偏移間隙壁507。所述第一偏移間隙壁407和第二偏移間隙壁507的材料為氮化硅，所述第一偏移間隙壁407用于在后續(xù)工藝中保護(hù)所述第一柵介質(zhì)層401和第一柵極403的側(cè)壁免受損傷，所述第二偏移間隙壁507用于在后續(xù)工藝中保護(hù)所述第二柵介質(zhì)層501和第二柵極503的側(cè)壁免受損傷。需要說明的是，在第一區(qū)域300a上形成第一柵極結(jié)構(gòu)之前，還包括：對第一區(qū)域300a進(jìn)行n型阱區(qū)摻雜；而在第二區(qū)域300b上形成第二柵極結(jié)構(gòu)之前，還包括：對第二區(qū)域300b進(jìn)行p型阱區(qū)摻雜。參考圖2，形成覆蓋第一柵極結(jié)構(gòu)、第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)第一區(qū)域300a、第二柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)第二區(qū)域300b的第一掩膜材料304a。本實(shí)施例中，所述第一掩膜材料304a的材料為氮化硅，形成所述第一掩膜材料304a的方法可為原子層沉積（AtomicLayerDeposition，簡稱為ALD）工藝。繼續(xù)參考圖2，在第一區(qū)域300a上方的第一掩膜材料304a上形成第一光刻膠層306。本實(shí)施例中，可先通過旋涂工藝形成覆蓋圖2中第一掩膜材料304a的光刻膠層（圖未示），再對所形成的光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影工藝，暴露出第二區(qū)域300b上方的第一掩膜材料304a，形成第一光刻膠層306。參考圖3，以圖2中第一光刻膠層306為掩模，刻蝕所述第一掩膜材料304a，至暴露出所述第二柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二區(qū)域300b，形成覆蓋第一柵極結(jié)構(gòu)以及第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)第一區(qū)域300a的第一掩膜層304b。具體的，以圖2中第一光刻膠層306為掩模，刻蝕所述第一掩膜材料304a的方法可為干法刻蝕也可為濕法刻蝕，其不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。本實(shí)施例中，以第一光刻膠層306為掩模，刻蝕所述第一掩膜材料304a的方法為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕的溶液為磷酸溶液。參考圖4，采用灰化工藝去除圖3中所述第一光刻膠層306。繼續(xù)參考圖4，在所述第一掩膜層304b、第二柵極結(jié)構(gòu)以及第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)第二區(qū)域300b上形成第二掩膜材料。所述第二掩膜材料包括位于所述第一掩膜層304b上的第二掩膜材料308a以及位于第二柵極結(jié)構(gòu)頂部、第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁和第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)第二區(qū)域300b上的第二掩膜材料308b。本實(shí)施例中，所述第二掩膜材料308a和308b與第一掩膜材料304a的材料不同，所述第二掩膜材料308a和308b的材料為氧化硅，形成所述第二掩膜材料308a和308b的方法可為化學(xué)氣相沉積工藝，但本發(fā)明不限于此。繼續(xù)參考圖4，在第二掩膜材料308b上形成第二光刻膠層310。所述第二光刻膠層310的形成方法與第一光刻膠層306的方法類似，在此不再贅述。參考圖5，以所述第二光刻膠層310為掩模，刻蝕所述第二掩膜材料308a，至暴露出第一掩膜層304b，剩余位于第二光刻膠層310下方的第二掩膜材料308b（即第二掩膜層）。本實(shí)施例中，以所述第二光刻膠層310為掩模，刻蝕所述第二掩膜材料308a的方法可為干法刻蝕也可為濕法刻蝕，其不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。由于第一掩膜材料304a和第二掩膜材料308a的材料不同，相應(yīng)的，第一掩膜層304b和第二掩膜材料308a的材料不同，在刻蝕第二掩膜材料308a過程中保證第一掩膜層304b不受影響。參考圖6，采用灰化工藝去除圖5中所述第二光刻膠層310。繼續(xù)參考圖6，刻蝕圖5中所述第一掩膜層304b，至剩余位于第一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的第一掩膜層304c。本實(shí)施例中，刻蝕圖5中所述第一掩膜層304b的方法可為各向異性干法刻蝕工藝，其具體刻蝕工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。繼續(xù)參考圖6，以第一柵極結(jié)構(gòu)、第一掩膜層304c和第二掩膜層308b為掩模，刻蝕第一區(qū)域300a，形成第一凹槽409。具體的，形成所述第一凹槽409的方法可為干法刻蝕、濕法刻蝕或其結(jié)合。本實(shí)施例中，形成第一凹槽409的方法為先進(jìn)行干法刻蝕，再進(jìn)行濕法刻蝕，以形成呈西格瑪（sigma，Σ）狀的第一凹槽409，使后續(xù)形成的第一應(yīng)力層中原子與第一區(qū)域300a中硅原子晶格失配形成的壓應(yīng)力更大，進(jìn)而提高所形成PMOS晶體管溝道區(qū)的壓應(yīng)力，利于PMOS晶體管溝道區(qū)中空穴遷移率的提高。需要說明的是，本發(fā)明并不限制第一凹槽409的形狀。參考圖7，在圖6中所述第一凹槽409內(nèi)填充滿第一應(yīng)力層411。本實(shí)施例中，形成第一應(yīng)力層411的材料為鍺硅，形成第一應(yīng)力層411的方法可為外延生長工藝，其具體工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。參考圖8，在圖7中所述第一柵極結(jié)構(gòu)、第一掩膜層304c、第一應(yīng)力層411和第二掩膜層308b上形成第三掩膜層。所述第三掩膜層包括位于第一柵極結(jié)構(gòu)、第一掩膜層304c和第一應(yīng)力層411上的第三掩膜層314a以及位于第二掩膜層308b上的第三掩膜層314b。本實(shí)施例中，所述第三掩膜層314a和314b與第二掩膜層308b的材料同，第三掩膜層314a和314b的材料為氧化硅，形成所述第三掩膜層314a和314b的方法可為化學(xué)氣相沉積工藝。繼續(xù)參考圖8，在第三掩膜層314a上形成第三光刻膠層312。本實(shí)施例中，所述第三光刻膠層312的形成方法請參考第一光刻膠層306和第二光刻膠層310的形成方法，在此不再贅述。參考圖9，以圖8中所述第三光刻膠層312為掩模，刻蝕第三掩膜層314b和第二掩膜層308b，至剩余位于第二柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的第三掩膜層314c和第二掩膜層308c。本實(shí)施例中，以圖8中所述第三光刻膠層312為掩模，刻蝕第三掩膜層314b和第二掩膜層308b的方法可為各向異性干法刻蝕工藝，其具體刻蝕工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。參考圖10，去除圖9中所述第三光刻膠層312，并以第二柵極結(jié)構(gòu)、第二掩膜層308c、第三掩膜層314a和314c為掩模，刻蝕所述第二區(qū)域300b，形成第二凹槽509。具體的，形成所述第二凹槽509的方法可為干法刻蝕、濕法刻蝕或其結(jié)合。本實(shí)施例中，形成第二凹槽509的方法為干法刻蝕，所形成第二凹槽509的側(cè)壁與第二柵極結(jié)構(gòu)中第二偏移間隙壁507的側(cè)壁平行。但需要說明的是，本發(fā)明并不限制第二凹槽509的形狀。參考圖11，在圖10中所述第二凹槽509內(nèi)形成第二應(yīng)力層511。本實(shí)施例中，所述第二應(yīng)力層511的材料為碳化硅，形成所述第二應(yīng)力層511的方法可為外延生長工藝。通過在第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二區(qū)域300b內(nèi)形成第二應(yīng)力層511，使第二區(qū)域300b中的硅原子與第二應(yīng)力層511中的原子發(fā)生晶格失配，在NMOS晶體管的溝道區(qū)中形成拉伸應(yīng)力，進(jìn)而提高電子在NMOS晶體管的溝道區(qū)中電子的遷移率，提高了NMOS晶體管的響應(yīng)速度。參考圖12，去除圖11中第三掩膜層314a和314c以及第二掩膜層308c。本實(shí)施例中，去除第三掩膜層314a和314c以及第二掩膜層308c的方法可為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕的溶液為氫氟酸溶液，氫氟酸溶液的溫度為0℃~100℃，氫氟酸溶液中氫氟酸和水的體積比為1:100~1:1000。由于氫氟溶液不與第一應(yīng)力層411和第二應(yīng)力層511發(fā)生反應(yīng)，有效避免濕法刻蝕工藝對所形成第一應(yīng)力層411和第二應(yīng)力層511造成損傷，所形成第一應(yīng)力層411和第二應(yīng)力層511的形貌較佳，保證了所形成NMOS晶體管和PMOS晶體管的性能。需要說明的是，由于圖11中第一停止層405a和第二停止層505a的材料為氧化硅，在通過氫氟酸溶液去除第三掩膜層314a和314c以及第二掩膜層308c時(shí)，會消耗部分厚度的第一停止層405a和第二停止層505a，但由于第一停止層405a和第二停止層505a的作用僅限于分別保護(hù)第一柵極403和第二柵極503，且濕法刻蝕之后第一柵極403和第二柵極503仍分別被剩余的第一停止層405b和第二停止層505b覆蓋，因此，消耗部分厚度的第一停止層405a和第二停止層505a并不會對所形成CMOS晶體管的性能造成影響。而用于第一偏移間隙壁407和第二偏移間隙壁507的材料為氮化硅，其不與氫氟酸溶液發(fā)生反應(yīng)，濕法清洗不會對第一柵介質(zhì)層401、第一柵極403、第二柵介質(zhì)層501和第二柵極503的側(cè)壁造成影響。本實(shí)施例中，在去除圖11中第三掩膜層314a和314c以及第二掩膜層308c之后，還包括：以第一柵極結(jié)構(gòu)及其側(cè)壁上的第一掩膜層304c為掩模，對第一應(yīng)力層411進(jìn)行離子注入，形成PMOS晶體管的重?fù)诫s區(qū)，并以第二柵極結(jié)構(gòu)為掩模，對第二區(qū)域300b和第二應(yīng)力層511進(jìn)行離子注入，形成NMOS晶體管的重?fù)诫s區(qū)。形成PMOS晶體管和NMOS晶體管的重?fù)诫s區(qū)的方法作為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技術(shù)，在此不再贅述。以上實(shí)施例中，在第一應(yīng)力層411和第二應(yīng)力層511形成之后，僅通過一步濕法刻蝕去除第三掩膜層314a和314c以及第二掩膜層308c，避免多次刻蝕工藝對第一應(yīng)力層411和第二應(yīng)力層511造成損傷，有效提高了所形成第一應(yīng)力層411和第二應(yīng)力層511的形貌，進(jìn)而提高了CMOS晶體管的性能。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。