專利名稱：一種解決薄膜剝落的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體的是一種解決薄膜剝落的方法。
背景技術(shù)：
氧化鉭在背照式影像傳感器作為抗反射層使用，然而其有剝落的問題，該問題被認(rèn)為是鉭的氧化物與底部之間的高應(yīng)力造成的，這一脫落問題迫切需要解決?，F(xiàn)階段，暫沒有相關(guān)的解決方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種解決薄膜剝落的方法解決上述問題。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種解決薄膜剝落的方法，包括以下步驟:步驟一:在晶圓的上表面淀積一層氧化層，所述淀積是指通過化學(xué)反應(yīng)或物理堆積的方式增加；步驟二:在所述氧化層的上表面淀積一層高介質(zhì)層，所述高介質(zhì)層是指介電常數(shù)較高的物質(zhì)構(gòu)成的層，例如=PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積)SiO2的介電常數(shù)為4.1 4.3 ；步驟三:在所述高介質(zhì)層的上表面通過射頻發(fā)生器淀積一層抗反射層。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。進(jìn)一步，淀積所述抗反射層使用的射頻發(fā)生器的功率為1000 2000W。進(jìn)一步，所述抗反射層為鉭的氧化物。本發(fā)明的有益效果是:現(xiàn)有工藝使用的射頻發(fā)生器的功率4000 6000W，由于RF(Radio Frequency:無線電頻率)射頻功率與薄膜應(yīng)力表現(xiàn)出較強(qiáng)的相關(guān)性,本發(fā)明優(yōu)化了該工藝參數(shù)，將現(xiàn)有工藝使用的射頻發(fā)生器的功率4000 6000W改進(jìn)為1000 2000W，減少了抗反射層與底部之間的界面應(yīng)力，在現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)中可以有效避免薄膜(抗反射層)脫落的問題。


圖1為本發(fā)明的操作流程圖；圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中，各標(biāo)號所代表的部件列表如下:1、晶圓，2、氧化層，3、高介質(zhì)層，4、抗反射層。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
如圖1所示，一種解決薄膜剝落的方法，包括以下步驟:步驟01:在晶圓I的上表面淀積一層氧化層2，圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖，其結(jié)構(gòu)如圖2所示；步驟02:在所述氧化層2的上表面淀積一層高介質(zhì)層3，所述高介質(zhì)層3是指介電常數(shù)較高的物質(zhì)構(gòu)成的層，例如=PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積)Si02的介電常數(shù)為
4.1 4.3 ;步驟03:在所述高介質(zhì)層3的上表面通過射頻發(fā)生器淀積一層抗反射層4。淀積所述抗反射層4使用的射頻發(fā)生器的功率為1000 2000W。所述抗反射層為鉭的氧化物，例如氧化鉭。本發(fā)明將現(xiàn)有工藝使用的射頻發(fā)生器的功率4000 6000W改進(jìn)為1000 2000W，
減少了抗反射層與底部之間的界面應(yīng)力，在現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)中可以有效避免薄膜(抗反射層)脫落的問題。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種解決薄膜剝落的方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟一:在晶圓的上表面淀積一層氧化層； 步驟二:在所述氧化層的上表面淀積一層高介質(zhì)層； 步驟三:在所述高介質(zhì)層的上表面通過射頻發(fā)生器淀積一層抗反射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種解決薄膜剝落的方法，其特征在于，淀積所述抗反射層使用的射頻發(fā)生器的功率為1000 2000W。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種解決薄膜剝落的方法，其特征在于，所述抗反射層為鉭的氧化物。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體的是一種解決薄膜剝落的方法。包括以下步驟步驟一在晶圓的上表面淀積一層氧化層；步驟二在所述氧化層的上表面淀積一層高介質(zhì)層；步驟三在所述高介質(zhì)層的上表面淀積一層抗反射層，所述抗反射層即鉭的氧化物，如氧化鉭，淀積所述抗反射層使用的射頻發(fā)生器的功率為1000～2000W?，F(xiàn)有工藝使用的射頻發(fā)生器的功率4000～6000W，由于RF(Radio Frequency)射頻功率與薄膜應(yīng)力表現(xiàn)出較強(qiáng)的相關(guān)性，本發(fā)明優(yōu)化了該工藝參數(shù)，減少了抗反射層與底部之間的界面應(yīng)力，在現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)中可以有效避免抗反射層脫落的問題。
文檔編號H01L21/02GK103077884SQ20131001194
公開日2013年5月1日 申請日期2013年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月14日
發(fā)明者李平 申請人:陸偉