專利名稱：一種解決深溝槽刻蝕工藝中圓片表面糊膠的刻蝕方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種解決深溝槽刻蝕(DSIE)工藝中圓片表面糊膠的刻蝕方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造工藝中，通常在圓片上刻蝕形成溝槽。在一些特殊的應(yīng)用領(lǐng)域中，例如集成電路所使用的半導(dǎo)體器件，需要刻蝕較深的溝槽。深溝槽刻蝕(DSIE)工藝是一種用來蝕刻深溝槽的刻蝕方法。該工藝主要使用薄片作為襯底片、以光刻膠(PR)作為掩蔽層，通過該刻蝕工藝在薄片上實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移，實(shí)現(xiàn)某些特殊的功能。參見附圖1，在現(xiàn)有技術(shù)中，主要通過如下的步驟完成深溝槽刻蝕工藝。在100開始深溝槽刻蝕工藝，首先進(jìn)行步驟110，在圓片工藝前，利用靜電吸盤(E-CHUCK)對圓片進(jìn)行靜電吸附，并穩(wěn)定工藝所需要的氣氛。然后進(jìn)行到步驟120，圓片主工藝刻蝕步驟，在該步驟中主要利用等離子態(tài)的刻蝕氣體對已經(jīng)制備好掩膜的圓片進(jìn)行刻蝕。圓片主工藝刻蝕步驟是DSIE的主要刻蝕步驟，由于在圓片中刻蝕溝槽的深度比較深(深度可達(dá)幾百ym)，該步驟持續(xù)時間比較長(通常刻蝕深度在400 μ m左右，刻蝕時間根據(jù)不同的菜單速率設(shè)置略有差異)。完成步驟120后，進(jìn)行到步驟130，即圓片主工藝刻蝕步驟結(jié)束，解除靜電吸盤對圓片的靜電吸附，并進(jìn)行靜電釋放。最后到達(dá)步驟140，圓片刻蝕結(jié)束，對圓片進(jìn)行傳輸。對于現(xiàn)有的DSIE工藝，由于DSIE工藝時間長、刻蝕深度深(深度可達(dá)幾百μ m)，并且存在著PR厚度限制，在進(jìn)行完深溝槽刻蝕后，在圓片表面常常出現(xiàn)糊膠的現(xiàn)象，甚至在圓片出現(xiàn)局部光刻膠被刻蝕干凈的現(xiàn)象。上述的兩個現(xiàn)象導(dǎo)致工藝后圓片圖形不完整，尺寸出現(xiàn)很大的偏差和不規(guī)則、工藝后圓片表面光刻膠難以去除的問題。同時由于光刻膠保護(hù)不足，嚴(yán)重限制了 DSIE刻蝕深度繼續(xù)增加滿足更多工藝需求的目的。因此，DSIE工藝后圓片表面糊膠的問題成為某些產(chǎn)品研發(fā)的工藝瓶頸。為了解決在DSIE中使用光刻I父而導(dǎo)致的圓片表面糊I父，工藝后圓片圖形不完整、圓片表面光刻膠難以去除的問題?，F(xiàn)有技術(shù)中提出了改用SiO2或者SiN作為刻蝕掩蔽層取代光刻膠，以試圖規(guī)避由于使用光刻膠作為掩膜層而導(dǎo)致的各種問題。但使用SiO2或者SiN作為刻蝕掩蔽層實(shí)際上并沒有真正意義上的解決用光刻膠作為掩蔽層導(dǎo)致的工藝中圓片表面糊膠的問題，并且還帶來了新的問題。采用SiO2或者SiN作為掩蔽層，在DSIE工藝后Si02和SiN無法去除干凈，同時在圓片表面會出現(xiàn)碎片的情況，這也進(jìn)一步限制了更加廣泛的應(yīng)用DSIE工藝的需求。因此，如何能較好的解決DSIE工藝中圓片表面糊膠問題從而能較好適應(yīng)更加廣泛的DSIE工藝成為現(xiàn)有技術(shù)急需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決DSIE工藝中圓片表面糊膠問題以滿足廣泛使用DSIE工藝的需要，因此本發(fā)明提出了一種解決DSIE工藝中圓片表面糊膠問題的刻蝕方法。
為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種解決深溝槽刻蝕工藝中圓片表面糊膠的刻蝕方法，其特征在于，包括如下步驟:a.利用靜電吸盤對圓片進(jìn)行靜電吸附，并穩(wěn)定工藝所需要的氣氛；b.進(jìn)行圓片主工藝子步驟，所述主工藝子步驟的時間小于圓片主工藝要求的時間；c.解除所述靜電吸盤對所述圓片的靜電吸附，并進(jìn)行靜電釋放；d.判斷之前進(jìn)行的所有的所述主工藝子步驟的累積時間是否達(dá)到預(yù)期設(shè)定，如果判斷結(jié)果為“是”，則進(jìn)行步驟e，如果判斷結(jié)果為“否”，則再次進(jìn)行步驟a，從而順次再進(jìn)行一次主工藝子步驟；e.圓片制造結(jié)束，進(jìn)行圓片的傳輸。優(yōu)選地，在所述判斷結(jié)果為“是”，進(jìn)行步驟e之前，還有步驟f:將所述圓片與地極接觸，進(jìn)行靜電的完全釋放。優(yōu)選地，在步驟d中的所述預(yù)期設(shè)定為圓片主工藝要求的時間。優(yōu)選地，所述主工藝子步驟的時間小于等于30分鐘。優(yōu)選地，所述靜電釋放的時間為1-2分鐘。優(yōu)選地，在所述主工藝子步驟的過程中，利用氦氣流對所述圓片進(jìn)行冷卻。所述氦氣流是對所述圓片的背部進(jìn)行冷卻。更優(yōu)選地，所述氦氣流的氣流強(qiáng)度為1.5mbar。所述主工藝為相同的工藝或者不同的工藝的組合。優(yōu)選地，所述主工藝為刻蝕。本發(fā)明采用了分步刻蝕的原則，并增加了靜電釋放步驟。避免圓片持續(xù)與靜電吸盤接觸，長時間接受等離子體轟擊而使圓片表面溫度變高，產(chǎn)生圓片表面糊膠，甚至PR被刻蝕干凈的現(xiàn)象；同時不斷的靜電釋放減少了圓片長時間工藝產(chǎn)生的表面靜電積聚的數(shù)量保證圓片工藝結(jié)束后靜電釋放不凈而偏離靜電吸盤位置碎片。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)的深溝槽刻蝕(DSIE)刻蝕工藝的流程圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1的一種解決圓片表面糊膠的刻蝕方法的流程圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2的一種解決圓片表面糊膠的刻蝕方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。實(shí)施例1附圖2示出了本發(fā)明的第一實(shí)施例的解決圓片表面糊膠的刻蝕方法的流程圖。實(shí)施例I中，將常規(guī)的單一的圓片主工藝刻蝕步驟分成若干個主工藝刻蝕子步驟，子步驟的時間小于原先的單一的主工藝刻蝕步驟，優(yōu)選為遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于原先的單一的主工藝刻蝕步驟，在每一個主工藝刻蝕子步驟結(jié)束后，對圓片進(jìn)行靜電釋放(DECHUCK)步驟，然后再次利用靜電吸盤吸附圓片，并重新穩(wěn)定工藝氣氛，以便進(jìn)行下一步主刻蝕子步驟，下一步刻蝕子步驟結(jié)束后，再次對圓片進(jìn)行靜電釋放，如此循環(huán)，直到之前進(jìn)行的所有主工藝刻蝕子步驟的累積時間達(dá)到預(yù)期設(shè)定。具體而言，實(shí)施例1包括如下步驟:首先是步驟200，開始流程。其次進(jìn)行圓片前的準(zhǔn)備工作，即步驟210，在該步驟中，利用靜電吸盤(E-CHUCK)對圓片進(jìn)行靜電吸附，并穩(wěn)定工藝所需要的氣氛。然后進(jìn)行到步驟220，圓片主工藝刻蝕子步驟，在步驟220中主要利用等離子態(tài)的刻蝕氣體對已經(jīng)制備好掩膜的圓片進(jìn)行刻蝕。與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，步驟220的持續(xù)時間小于原先的單一的主工藝刻蝕步驟，優(yōu)選為遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于原先的單一的主工藝刻蝕步驟。在主工藝子步驟220結(jié)束后，進(jìn)行到步驟230，在該步驟中，解除靜電吸盤對圓片的靜電吸附，并進(jìn)行靜電釋放。接下來進(jìn)行到步驟240，判斷之前進(jìn)行的所有主工藝刻蝕子步驟的累積時間是否達(dá)到預(yù)期設(shè)定，具體來說，是否達(dá)到主工藝刻蝕所要求的累積時間，如果判斷的結(jié)果為“是”，則進(jìn)行到步驟250，圓片制造結(jié)束，進(jìn)行圓片的傳輸；如果判斷的結(jié)果為“否”，則說明主工藝刻蝕子步驟的累積時間沒有達(dá)到主工藝刻蝕的要求，步驟重新回到步驟210，圓片重新被靜電吸盤吸附(RECHUCK)，并穩(wěn)定主工藝所需要的氣氛；然后進(jìn)行圓片主工藝刻蝕子步驟，在步驟220中主要利用等離子態(tài)的刻蝕氣體對已經(jīng)制備好掩膜的圓片進(jìn)行刻蝕。在主工藝子步驟220結(jié)束后，進(jìn)行到步驟230，解除靜電吸盤對圓片的靜電吸附，并進(jìn)行靜電釋放。接下來進(jìn)行到步驟240，再一次判斷之前進(jìn)行的所有主工藝刻蝕子步驟的累積時間是否達(dá)到主工藝刻蝕所要求的累積時間，以此循環(huán)，直到所有主工藝刻蝕子步驟的累積時間達(dá)到主工藝刻蝕所要求的時間，則進(jìn)行到步驟250，圓片制造結(jié)束，進(jìn)行圓片的傳輸。從實(shí)施例1中可見，整個工藝過程不同于常規(guī)的單步刻蝕，而是采用分步刻蝕原貝U，將單一的刻蝕改成若干步循環(huán)的刻蝕子步驟，在每一小步刻蝕工藝結(jié)束后增加靜電釋放步驟，避免圓片持續(xù)與靜電吸盤(E-CHUCK)接觸,長時間接受等離子(plasma)轟擊而使圓片表面溫度變高，光刻膠(PR)損失速率增大，產(chǎn)生圓片表面糊膠，甚至PR被刻蝕干凈的現(xiàn)象。此外，該方法可以減少圓片長時間工藝產(chǎn)生的表面靜電積聚的數(shù)量保證圓片工藝結(jié)束后靜電釋放不凈而偏離靜電吸盤位置碎片。實(shí)施例2附圖3示出了本發(fā)明的第二實(shí)施例的解決圓片表面糊膠的刻蝕方法的流程圖。實(shí)施例2與實(shí)施例1基本相同，將常規(guī)的單一的圓片主工藝刻蝕步驟分成若干個主工藝刻蝕子步驟，子步驟的時間遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于原先的單一的主工藝刻蝕步驟，在每一個主工藝刻蝕子步驟結(jié)束后，對圓片進(jìn)行靜電釋放(DECHUCK)步驟，然后再次利用靜電吸盤吸附圓片，并重新穩(wěn)定工藝氣氛，以便進(jìn)行下一步主刻蝕子步驟，下一步刻蝕子步驟結(jié)束后，再次對圓片進(jìn)行靜電釋放，如此循環(huán)，直到之前進(jìn)行的所有主工藝刻蝕子步驟的累積時間達(dá)到預(yù)期設(shè)定。所不同的是，當(dāng)判斷所有主工藝刻蝕子步驟的累積時間達(dá)到預(yù)期設(shè)定后，圓片不是直接傳輸送走，而是在圓片傳輸前增加一個步驟，在該步驟中，讓圓片與地極接觸，使得圓片中的靜電完全的釋放，再將圓片傳輸傳出主工藝腔體。實(shí)施例2中與實(shí)施例1相同的步驟，采用了相同的附圖標(biāo)記，不同的是數(shù)目增加了100。具體而言，實(shí)施例2包括如下步驟:首先是步驟300，開始流程。其次進(jìn)行圓片前的準(zhǔn)備工作，即步驟310，在該步驟中，利用靜電吸盤對圓片進(jìn)行靜電吸附，并穩(wěn)定工藝所需要的氣氛。然后進(jìn)行到步驟320，圓片主工藝刻蝕子步驟，在步驟320中主要利用等離子態(tài)的刻蝕氣體對已經(jīng)制備好掩膜的圓片進(jìn)行刻蝕。與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，步驟320的持續(xù)時間小于原先的單一的主工藝刻蝕步驟，優(yōu)選為遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于原先的單一的主工藝刻蝕步驟。在主工藝子步驟320結(jié)束后，進(jìn)行到步驟330，在該步驟中，解除靜電吸盤對圓片的靜電吸附，并進(jìn)行靜電釋放。接下來進(jìn)行到步驟340，判斷之前進(jìn)行的所有主工藝刻蝕子步驟的累積時間預(yù)期設(shè)定，具體來說，是否達(dá)到主工藝刻蝕所要求的時間，如果判斷的結(jié)果為“是”，則進(jìn)行到步驟350，使得圓片與地極接觸，進(jìn)行靜電的完全釋放；如果判斷的結(jié)果為“否”，則說明主工藝刻蝕子步驟的累積時間沒有達(dá)到主工藝刻蝕的要求，步驟重新回到步驟310，圓片重新被靜電吸盤吸附(RECHUCK)，并穩(wěn)定主工藝所需要的氣氛；然后進(jìn)行圓片主工藝刻蝕子步驟，如此循環(huán)，直到所有主工藝刻蝕子步驟的累積時間達(dá)到主工藝刻蝕所要求的累積時間，則進(jìn)行到步驟350，使得圓片與地極接觸，進(jìn)行靜電的完全釋放。最后進(jìn)行步驟360，在該步驟中圓片制造結(jié)束，進(jìn)行圓片的傳輸。在該實(shí)施例中，整個工藝過程采用分步刻蝕原則，將單一的刻蝕改成若干步循環(huán)的刻蝕子步驟，在每一小步刻蝕工藝結(jié)束后增加靜電釋放步驟，避免圓片持續(xù)與靜電吸盤接觸，長時間接受等離子轟擊而使圓片表面溫度變高，光刻膠損失速率增大，產(chǎn)生圓片表面糊膠，甚至PR被刻蝕干凈的現(xiàn)象。同時，該方法還可以減少圓片長時間工藝產(chǎn)生的表面靜電積聚的數(shù)量，此外該實(shí)施例在最后的刻蝕工藝結(jié)束后除了常規(guī)的靜電釋放外，還增加了圓片與地極的接觸，相比與實(shí)施例1，靜電釋放更加完全徹底，使得圓片工藝結(jié)束后位置碎片更少。實(shí)施例3實(shí)施例3是對實(shí)施例1、2的進(jìn)一步的改進(jìn)。從實(shí)施例1、2的描述可知，只要采用了該方法，將主工藝刻蝕步驟改成若干步小的主工藝刻蝕子步驟，使得主工藝刻蝕子步驟的時間小于原先的主工藝步驟的時間，就能夠改進(jìn)糊膠問題和靜電聚積造成的吸盤位置碎片的問題。雖然將主工藝刻蝕步驟改成若干步小的主藝刻蝕子步驟能夠改進(jìn)糊膠問題和靜電聚積造成的吸盤位置碎片的問題。但由于溝槽的深度較深，刻蝕子步驟的持續(xù)時間也可能比較長，從而造成即使采用了該方法，由于溝槽過深，還可能存在輕微的糊膠問題和吸盤位置碎片的問題。因此，主工藝刻蝕子步驟的時間不應(yīng)過長，應(yīng)當(dāng)盡量的小，以解決上述問題。優(yōu)選地，每一個主工藝刻蝕子步驟的時間應(yīng)當(dāng)小于等于30分鐘，以實(shí)現(xiàn)較優(yōu)的效果。實(shí)施例4從實(shí)施例1、2的描述可知，根據(jù)本發(fā)明的原理，靜電釋放步驟有兩個作用，一個作用是避免了圓片與靜電吸盤的持續(xù)接觸，長時間接受等離子轟擊而導(dǎo)致的圓片表面溫度升高，進(jìn)而產(chǎn)生的圓片糊膠問題。第二個作用是對圓片長時間工藝中累積的表明靜電進(jìn)行釋放，以減弱靜電吸盤的碎片。因此，靜電釋放的時間將與圓片表面溫度的降低，以及靜電釋放的程度有關(guān)。過短的靜電釋放時間不利于圓片表面溫度降低，和靜電釋放；過長的靜電釋放時間使得在圓片表面溫度有效降低后，靜電有效釋放后，工藝流程時間無謂的浪費(fèi)，從而導(dǎo)致整個工藝流程時間過長，降低了生產(chǎn)效率。因此，靜電釋放的時間優(yōu)選為1-2分鐘之間。實(shí)施例5本實(shí)施例是對上述實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn)，雖然采用了循環(huán)的刻蝕子步驟的方法來降低圓片的溫度，但在主刻蝕工藝的過程中，仍然可能出現(xiàn)圓片溫度過高的問題。如果僅僅依靠增加刻蝕子步驟，以及靜電釋放來降低圓片溫度，比如導(dǎo)致整個工藝時間增加，甚至過長，降低整體生產(chǎn)效率。因此，可以優(yōu)選在整個主工藝過程中采用氦氣流(He Flow)對圓片進(jìn)行冷卻，保持圓片整體良好的冷卻效果。即，在每個工工藝刻蝕子步驟中采用氦氣流對圓片進(jìn)行冷卻。優(yōu)選地，氦氣流對圓片背面進(jìn)行冷卻，這樣不至于影響整個主工藝刻蝕過程，可使得刻蝕不受任何的影響。優(yōu)選地，應(yīng)當(dāng)設(shè)定氦氣流一定的氣壓強(qiáng)度。氦氣流氣壓強(qiáng)度過低將起不到冷卻的效果，氦氣流氣壓強(qiáng)度過高將可能沖擊圓片，影響刻蝕工藝中的圓片的穩(wěn)定性。因此，氦氣流的氣壓強(qiáng)度為優(yōu)選為1.5mbar (毫巴)。應(yīng)當(dāng)知道，上述的各個實(shí)施例之間并不是相互排斥的，本領(lǐng)域技術(shù)人員完全可以結(jié)合不同的實(shí)施例以獲得最優(yōu)的效果。還應(yīng)當(dāng)知道，雖然在本發(fā)明的實(shí)施例中，采用了刻蝕說明了主工藝步驟，但這只是一種例舉而非限定，該主工藝步驟可以是相同的工藝步驟，也可以是不同工藝步驟的組合，只要是在深溝槽刻蝕工藝任何長時間工作而導(dǎo)致晶片制造效果不佳的工藝，均可以是主工藝步驟。因此，本發(fā)明采用了分步刻蝕的原則，并增加了靜電釋放步驟。避免圓片持續(xù)與靜電吸盤接觸，長時間接受等離子體轟擊而使圓片表面溫度變高，產(chǎn)生圓片表面糊膠，甚至PR被刻蝕干凈的現(xiàn)象；同時不斷的靜電釋放減少了圓片長時間工藝產(chǎn)生的表面靜電積聚的數(shù)量保證圓片工藝結(jié)束后靜電釋放不凈而偏離靜電吸盤位置碎片。此外，選擇適當(dāng)?shù)姆植娇涛g時間和靜電釋放時間將進(jìn)一步的優(yōu)化本發(fā)明的避免糊膠和減少碎片的效果。同時，在整個刻蝕過程中利用在圓片背面的1.5mbar的氦氣流持續(xù)對圓片進(jìn)行冷卻在減少圓片表面溫度的同時，縮短了整體工藝持續(xù)時間。注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。
權(quán)利要求
1.一種解決深溝槽刻蝕工藝中圓片表面糊膠的刻蝕方法，其特征在于，包括如下步驟: a.利用靜電吸盤對圓片進(jìn)行靜電吸附，并穩(wěn)定工藝所需要的氣氛； b.進(jìn)行圓片主工藝子步驟，所述主工藝子步驟的時間小于圓片主工藝要求的時間； c.解除所述靜電吸盤對所述圓片的靜電吸附，并進(jìn)行靜電釋放； d.判斷之前進(jìn)行的所有的所述主工藝子步驟的累積時間是否達(dá)到預(yù)期設(shè)定，如果判斷結(jié)果為“是”，則進(jìn)行步驟e，如果判斷結(jié)果為“否”，則再次進(jìn)行步驟a，從而順次再進(jìn)行一次主工藝子步驟； e.圓片制造結(jié)束，進(jìn)行圓片的傳輸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于: 在所述判斷結(jié)果為“是”，進(jìn)行步驟e之前，還有步驟f: f.將所述圓片與地極接觸，進(jìn)行靜電的完全釋放。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的刻蝕方法，其特征在于: 在步驟d中的所述預(yù)期設(shè)定為圓片主工藝要求的時間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的刻蝕方法，其特征在于: 所述主工藝子步驟的時間小于等于30分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的刻蝕方法，其特征在于: 所述靜電釋放的時間為1-2分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的刻蝕方法，其特征在于: 在所述主工藝子步驟的過程中，利用氦氣流對所述圓片進(jìn)行冷卻。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的刻蝕方法，其特征在于: 所述氦氣流是對所述圓片的背部進(jìn)行冷卻。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于: 所述氦氣流的氣流強(qiáng)度為1.5mbar。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的刻蝕方法，其特征在于: 所述主工藝為相同的工藝或者不同的工藝的組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的刻蝕方法，其特征在于: 所述主工藝為刻蝕。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種解決深溝槽刻蝕工藝中圓片表面糊膠的刻蝕方法，包括如下步驟a.利用靜電吸盤對圓片進(jìn)行靜電吸附，并穩(wěn)定工藝所需要的氣氛；b.進(jìn)行圓片主工藝子步驟，所述主工藝子步驟的時間小于圓片主工藝要求的時間；c.解除所述靜電吸盤對所述圓片的靜電吸附，并進(jìn)行靜電釋放；d.判斷之前進(jìn)行的所有的所述主工藝子步驟的累積時間是否達(dá)到要求，如果判斷結(jié)果為“是”，則進(jìn)行步驟e，如果判斷結(jié)果為“否”，則再次進(jìn)行步驟a；e.圓片制造結(jié)束，進(jìn)行圓片的傳輸。該刻蝕方法避免圓片持續(xù)與靜電吸盤接觸，減少了圓片表面靜電積聚，從而解決了DSIE工藝中圓片表面糊膠和位置碎片的問題。
文檔編號H01L21/683GK103107080SQ20131001177
公開日2013年5月15日 申請日期2013年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月11日
發(fā)明者章安娜, 李曉明 申請人:無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司