技術(shù)編號(hào)：6787421
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種解決深溝槽刻蝕(DSIE)工藝中圓片表面糊膠的刻蝕方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造工藝中，通常在圓片上刻蝕形成溝槽。在一些特殊的應(yīng)用領(lǐng)域中，例如集成電路所使用的半導(dǎo)體器件，需要刻蝕較深的溝槽。深溝槽刻蝕(DSIE)工藝是一種用來(lái)蝕刻深溝槽的刻蝕方法。該工藝主要使用薄片作為襯底片、以光刻膠(PR)作為掩蔽層，通過該刻蝕工藝在薄片上實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移，實(shí)現(xiàn)某些特殊的功能。參見附圖1，在現(xiàn)有技術(shù)中，主要通過如下的步驟完成深溝槽...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。