Pad刻蝕工藝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及PAD(鈍化層）刻蝕工藝。
【背景技術(shù)】
[0002] 在集成電路制造工藝中，最后一步工序都是形成鈍化層，以增強器件對離子粘污 的阻擋能力，保護電路和內(nèi)部互連線免受機械和化學(xué)損傷。為了達到上述要求，一般都需要 形成很厚的（一般大于20K)的一層鈍化層（passivation layer，簡稱PAD)，現(xiàn)有PAD刻蝕 工藝中，由于刻蝕時間長（一般大于4min)，使用的光刻膠厚（一般大于4 ym)，PAD表面容 易發(fā)生聚合物殘留，后續(xù)的濕法和干法去膠不能有效地把聚合物去除干凈（干法去膠使用 微波，濕法去膠使用純化學(xué)腐蝕，都是各向同性的反應(yīng)，對于Al晶格間的聚合物去除能力 不如等離子刻蝕方法（各向異性反應(yīng)）強），在PAD表面聚合物中的氟會作為Al腐蝕的催 化劑，加快Al的腐蝕，如圖1中所示，Al腐蝕的反應(yīng)原理如下：
[0003] A1+F---->A1F3
[0004] A1F3+H20---->A1 (OH) 3+F
[0005]


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種PAD刻蝕工藝方法，它可以避免PAD表面發(fā) 生錯腐蝕。
[0007] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的PAD刻蝕工藝方法，在刻蝕時仍采用光刻膠做掩 膜，但在刻蝕氣體中加入O 2，用于去除刻蝕過程中殘留在PAD表面的聚合物。
[0008] 所述刻蝕氣體的組成包括：CF4、02、N2、Ar，所述刻蝕氣體中各組成成分的流量分別 為：CF 42〇sccm，0210sccm、N22〇sccm、Ar 2OOsccm0
[0009] 較佳的，刻蝕條件為：溫度20°C ±5°C，氣壓8Pa±2Pa，功率800W±100W。
[0010] 本發(fā)明通過在以CF4S主的刻蝕氣體中增加適量的0 2，去除刻蝕過程中殘留在PAD 表面的聚合物，增加了腐蝕窗口，有效避免了 PAD表面發(fā)生鋁腐蝕。
【附圖說明】
[0011] 圖1是現(xiàn)有PAD刻蝕工藝中，PAD表面發(fā)生鋁腐蝕。
[0012] 圖2是采用本發(fā)明的PAD刻蝕工藝后，PAD表面沒有發(fā)生鋁腐蝕。
【具體實施方式】
[0013] 為對本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、特點與功效有更具體的了解，現(xiàn)結(jié)合附圖，詳述如下：
[0014] 本實施例的PAD刻蝕工藝方法，是在以CF4為主的刻蝕氣體中，增加適量的新鮮0 2， 去除聚合物。
[0015] 具體的刻蝕工藝條件如下：
[0016] 溫度為20°C ±5°C，氣壓為8Pa±2Pa，功率為800W±100W，刻蝕氣體包括：20sccm CF4、IOsccm 02、20sccm N2、200sccm Ar。
【主權(quán)項】
1. PAD刻蝕工藝方法，刻蝕時采用光刻膠做掩膜，其特征在于：在刻蝕氣體中加入O2，用 于去除刻蝕過程中殘留在PAD表面的聚合物。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體的組成包括：CF4、02、N2、Ar。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體中各組成成分的流量分別 為：CF4 20sccm，02 10sccm、N2 20sccm、Ar 200sccm〇4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，刻蝕條件為：溫度20°C ±5°C，氣壓 8Pa±2Pa，功率 800W± 100W。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種PAD刻蝕工藝方法，該方法在刻蝕時仍采用光刻膠做掩膜，但在刻蝕氣體中加入O2，用于去除刻蝕過程中殘留在PAD表面的聚合物。本發(fā)明通過在以CF4為主的刻蝕氣體中增加適量的O2，去除刻蝕過程中殘留在PAD表面的聚合物，增加了腐蝕窗口，有效避免了PAD表面發(fā)生鋁腐蝕。
【IPC分類】H01L21/311, H01L21/60
【公開號】CN105161434
【申請?zhí)枴緾N201510369470
【發(fā)明人】沈海波
【申請人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年6月29日