專利名稱：一種便攜式器件晶圓的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶圓的制造方法，具體的涉及一種便攜式器件晶圓的制造方法。
技術(shù)背景
在半導(dǎo)體便攜式設(shè)備的制造過程中，往往需要對便攜式設(shè)備器件晶圓的外延層進行減薄，而現(xiàn)有技術(shù)采用的是刻蝕的方法，第一步，用強酸刻蝕外延層，第二步用選擇比較高的酸選擇性刻蝕，停在外延層(此酸對外延層的刻蝕速率低)，傳統(tǒng)的拋光或化學(xué)刻蝕在上兩步完成后，可以用作繼續(xù)的減薄工藝，采用這些方法，器件晶圓外延層的最終深度只能由化學(xué)刻蝕的界面確定，并且其減薄后外延層的厚度的一致性難以得到保證。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供使用熱處理工藝促使摻雜劑從摻雜濃度高的基底區(qū)域擴散到摻雜濃度低的外延層，使外延層減薄，通過控制熱處理的溫度和時間來控制摻雜劑從濃度高的基底擴散到參雜濃度低的外延層的深度。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下一種便攜式器件晶圓外延層減薄的方法包括
步驟一，減薄器件晶圓外延層采用熱處理的工藝對晶圓基底進行加熱，摻雜劑在加熱的過程中產(chǎn)生運動，從而使摻雜劑從濃度高的基底相參雜濃度低的外延層進行擴散；
步驟二，在晶圓上制作功能器件，此功能器件為實際使用過程中為實現(xiàn)一定的功能而所需的器件在經(jīng)過熱處理的晶圓上制作移動設(shè)備和金屬電路，所述移動設(shè)備為可移植在晶圓上的功能器件，所述金屬電路為金屬連線，將各移動設(shè)備連接起來從而形成具有一定功能的電路，獲得便攜式器件晶圓；
步驟三將載有功能器件的晶圓與載片相鍵合，將載有功能器件的倒裝器件便攜式器件晶圓與載片相鍵合；
步驟四對鍵合后的晶圓襯底進行減薄處理。
在步驟一中，通過控制熱處理的溫度和時間來控制摻雜劑從濃度高的基底擴散到參雜濃度低的外延層的深度，調(diào)節(jié)熱處理器對晶圓熱處理的溫度和時間，所述熱處理的溫度越高，摻雜劑的擴散速率越大，熱處理的時間越長，摻雜劑的擴散深度越大。
本發(fā)明的有益效果是在使用熱處理工藝促使摻雜劑從摻雜濃度高的基底區(qū)域擴散到摻雜濃度低的外延層，使外延層減薄，通過控制熱處理的溫度和時間來控制摻雜劑從濃度高的基底擴散到參雜濃度低的外延層的深度，外延層與基底的界面可以由熱處理精確調(diào)整而不影響期間性能，而且調(diào)整精度高，同時外延層減薄的厚度的一致性也得以保障。


圖1為本發(fā)明一種便攜式器件晶圓的外延層減薄方法流程圖2為本 發(fā)明一種便攜式器件晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖中，各標(biāo)號所代表的步驟或部件列表如下
101、減薄器件晶圓外延層，102、在晶圓上制作功能器件，103、將載有功能器件的便攜式器件晶圓與載片相鍵合，104、對鍵合后的晶圓襯底進行減薄處理，1、基底，2、外延層。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
如圖1、2所示，一種便攜式器件晶圓外延層減薄的方法包括
步驟101 :減薄外延層，采用熱處理的工藝對晶圓基底I進行處理，使摻雜劑從濃度高的基底I相參雜濃度低的外延層2進行擴散，外延層2與基底I之間的界面處的摻雜劑濃度變高，使得外延層2的厚度減?。煌ㄟ^控制熱處理的溫度和時間來控制摻雜劑從濃度高的基底I擴散到參雜濃度低的外延層2的深度。
步驟102 :在晶圓上制作功能器件，在外延層2上添加移動設(shè)備或制作功能器件；
步驟103 :將載有功能器件的晶圓與載片相鍵合，將載有功能器件的倒裝器件晶圓與載片相鍵合；
步驟104 :對鍵合后的晶圓襯底進行減薄處理。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護 范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種便攜式器件晶圓的制造方法，其特征在于包括，步驟一，減薄器件晶圓外延層采用熱處理的工藝對晶圓基底進行處理，使摻雜劑從濃度高的基底向摻雜濃度低的外延層進行擴散；步驟二，在晶圓上制作功能器件在經(jīng)過熱處理過的晶圓上制作移動設(shè)備和金屬電路， 獲得載有功能器件的便攜式器件晶圓；步驟三，將載有功能器件的便攜式器件晶圓與載片相鍵合將載有功能器件倒裝后與載片鍵合；步驟四對鍵合后的晶圓襯底進行減薄處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種便攜式器件晶圓的制造方法，其特征在于在步驟一中， 通過控制熱處理的溫度和時間來控制摻雜劑從濃度高的基底擴散到摻雜濃度低的外延層的深度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種便攜式器件晶圓的制造方法，包括首先減薄器件晶圓外延層，采用熱處理的工藝對晶圓基底進行處理，使摻雜劑從濃度高的基底向摻雜濃度低的外延層進行擴散；然后在晶圓上制作功能器件；接著將載有功能器件的晶圓與載片相鍵合；最后對鍵合后的晶圓襯底進行減薄處理。在第一步中，通過控制熱處理的溫度和時間來控制摻雜劑從濃度高的基底擴散到摻雜濃度低的外延層的深度。通過控制熱處理的溫度和時間來控制摻雜劑從濃度高的基底擴散到摻雜濃度低的外延層的深度；外延層與基底的界面可以由熱處理精確調(diào)整而不影響期間性能，而且調(diào)整精度高，同時外延層減薄的厚度的一致性也得以保障。
文檔編號H01L21/02GK103065944SQ201310011850
公開日2013年4月24日 申請日期2013年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月14日
發(fā)明者李平 申請人:陸偉