技術編號：6787427
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種晶圓的制造方法，具體的涉及。技術背景在半導體便攜式設備的制造過程中，往往需要對便攜式設備器件晶圓的外延層進行減薄，而現(xiàn)有技術采用的是刻蝕的方法，第一步，用強酸刻蝕外延層，第二步用選擇比較高的酸選擇性刻蝕，停在外延層(此酸對外延層的刻蝕速率低)，傳統(tǒng)的拋光或化學刻蝕在上兩步完成后，可以用作繼續(xù)的減薄工藝，采用這些方法，器件晶圓外延層的最終深度只能由化學刻蝕的界面確定，并且其減薄后外延層的厚度的一致性難以得到保證。發(fā)明內容本發(fā)明所要解決的技術問題...
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