使用燈組件的基板下側(cè)斜向加熱領(lǐng)域本文所公開的實施例涉及半導(dǎo)體處理。更具體地說，本文所公開的實施例涉及用于半導(dǎo)體基板的材料及熱處理的設(shè)備及方法。背景熱處理在半導(dǎo)體制造中較常見。半導(dǎo)體基板通常繼諸如沉積、注入或蝕刻的材料處理之后經(jīng)受熱處理。在許多情況下，在與材料處理不同的腔室中中執(zhí)行熱處理。將基板自材料處理腔室移送至熱處理腔室費時且降低生產(chǎn)產(chǎn)量。機器利用率，也就是操作機器來處理基板的時間，為降低生產(chǎn)每一芯片的成本的關(guān)鍵因素。因此，存在對于更有效率的半導(dǎo)體制造工藝及設(shè)備的不斷需求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明公開用于使用雙重功能處理腔室處理基板的方法及設(shè)備，所述雙重功能處理腔室可在基板上執(zhí)行材料處理與熱處理兩者。腔室具有輻射能源，所述輻射能源安置于腔室周邊處的腔室的處理位置與輸送位置之間，在所述處理位置處基板經(jīng)定位用于處理，在所述輸送位置處基板可經(jīng)定位用于自腔室移除?；逯渭哂谢迦菁{表面，在所述基板容納表面上，基板可經(jīng)定位以經(jīng)歷材料處理。反射體安置于輻射能源周圍，且氣源安置于腔室的處理位置上方。輻射能源界定穿過輻射能源的輻射源平面，且輻射源平面大體平行于基板支撐件的基板容納表面。升降銷可用以提供基板的輻射加熱，所述升降銷的長度足以在基板支撐件定位于輻射源平面與輸送位置之間時將基板維持在處理位置。具有反射表面的邊緣環(huán)可安置于基板支撐件周圍。在一個方面中，一種處理具有孔且包括形成于基板的第一表面中的溝槽的基板的方法包括以下步驟：在溝槽中的第一表面上沉積材料，及通過將能量引導(dǎo)至與第一表面相對的基板的第二表面來使材料再流。接著可沉積第二材料，從而部分或完全地填充孔。或者，可執(zhí)行循環(huán)沉積作用/再流處理來填充孔。附圖簡單說明因此，以可詳細(xì)理解本發(fā)明的上述特征結(jié)構(gòu)的方式，上文簡要概述的本發(fā)明的更特定描述可參照實施例進(jìn)行，實施例中的一些實施例圖示于附圖中。然而，應(yīng)注意，附圖僅圖示本發(fā)明的典型實施例，且因此不欲將附圖視為本發(fā)明的范圍的限制，因為本發(fā)明可允許其它同等有效的實施例。圖1為根據(jù)一個實施例的腔室的示意性橫截面圖。圖2A為圖1的腔室的一部分的詳細(xì)視圖。圖2B為根據(jù)另一實施例的基板支撐件的近視圖。圖2C為可用于圖1的腔室中的輻射源的透視圖。圖3為概述根據(jù)另一實施例的方法的流程圖。圖4為根據(jù)另一實施例的組合工具的平面圖。圖5為根據(jù)另一實施例的組合工具的平面圖。為了促進(jìn)理解，在可能情況下已使用相同元件符號以指定為各圖所共享的相同元件。預(yù)期在一個實施例中所公開的元件可有利地用于其它實施例中，而無需特定敘述。具體描述腔室經(jīng)設(shè)置用于在基板的第一側(cè)上沉積材料且用于在基板的第二側(cè)上輻照，所述基板的第二側(cè)與基板的第一側(cè)相對。此腔室為能夠在基板上執(zhí)行材料處理與熱處理兩者而無需自腔室移除基板的雙重功能腔室，從而消除將基板自沉積腔室輸送至退火腔室所需要的時間。腔室具有：輻射能組件，所述輻射能組件定位于腔室的周邊區(qū)域且界定位于腔室的處理位置與輸送位置之間的輻射源平面；反射體，所述反射體安置于所述輻射能組件周圍；以及氣源，所述氣源安置于所述處理位置上方。圖1為根據(jù)一個實施例的腔室100的示意性橫截面圖。腔室100具有壁104及蓋部102，所述壁104和所述蓋部102封閉腔室100的內(nèi)部容積138。基板支撐件106將內(nèi)部容積138分隔成上部容積136及下部容積134。允許處理氣體經(jīng)由形成于蓋部102中的入口108進(jìn)入腔室的上部容積136，且將安置于基板支撐件106的基板容納表面116上的基板在腔室100的處理位置160處暴露于處理氣體。處理氣體流經(jīng)基板支撐件106的基板容納表面116、環(huán)繞基板支撐件106的周邊部分周圍流動且經(jīng)由泵入口110離開腔室100。基板支撐件106的軸132穿透腔室的底壁140，且基板支撐件106的軸132包括導(dǎo)管130，所述導(dǎo)管130提供冷卻氣源（未圖示）與基板容納表面116之間的流體連通。將基板支撐件106垂直地致動，以使安置于基板支撐件106的基板容納表面116上的基板在腔室的處理位置160與輸送位置124之間移動。輸送位置124界定基板的位置，基板搬運設(shè)備（未圖示）可在基板的位置處經(jīng)由入口122操縱基板。輻射源組件112安置于腔室100的周邊142處，且輻射源組件112界定介于處理位置160與輸送位置124之間的輻射源平面126。多個升降銷114穿過基板支撐件106的基板容納表面116而安置，且當(dāng)基板支撐件106回縮至輻射源平面126下方時，所述多個升降銷114經(jīng)致動以保持基板接近于處理位置160?；逵纱吮┞队趤碜暂椛湓唇M件112的輻射。在一個方面中，通過致動升降銷，可將基板定位于不同于處理位置160的熱處理位置128處，所述處理位置160可為材料處理位置。輻射源組件112通常圍繞基板支撐件106。輻射源組件112的內(nèi)部范圍144位于距基板支撐件106的外部范圍146徑向距離“d”處。選擇距離“d”以產(chǎn)生位于處理位置160處或位于處理位置160附近的基板的選定的輻照度。通過改變輻射源組件112與基板支撐件106的外部范圍146之間的距離“d”，可調(diào)整影響基板的輻射量及輻射強度。距離“d”在輻射源組件112的所有點處通常實質(zhì)上為恒定的，且對于經(jīng)設(shè)置以處理300mm晶片的腔室而言，距離“d”介于約0.001cm（亦即，10μm）與約5cm之間，例如，介于約1cm與約3cm之間。根據(jù)任何所需設(shè)計，在腔室100中的不同位置處，距離“d”也可不同。舉例而言，在輻射能組件112的范圍周圍的不同點處，距離“d”可不同。遮蔽環(huán)118安置于基板容納表面116的邊緣148周圍，所述遮蔽環(huán)118可為金屬或陶瓷。遮蔽環(huán)118大體上覆蓋基板支撐件106的外部范圍146以防止外部范圍146上的沉積。遮蔽環(huán)118靜置于在基板容納表面116的外部范圍146中形成的突出部分150上。在大多數(shù)情況下，安置于基板容納表面116上的基板與遮蔽環(huán)118接觸。在替代性實施例中，基板的外半徑可小于遮蔽環(huán)118的內(nèi)半徑，以使得基板不與遮蔽環(huán)118接觸。在操作中，基板支撐件106在腔室100內(nèi)垂直移動，從而在處理的不同階段延伸且回縮至各個位置。在完全回縮至輸送位置的情況下，基板容納表面116定位于接近輸送位置124，以允許基板搬運機構(gòu)（未圖示）放置且取回基板。由致動器162延伸升降銷114，以將基板升降于基板容納表面116上方。致動器162通過耦接至致動器162的馬達(dá)（未圖示）獨立于基板支撐件106移動。隨著基板支撐件106自輸送位置升高，升降銷114回縮，因此基板容納表面116與基板接合?；迦菁{表面116可結(jié)合靜電夾盤，所述靜電夾盤通常為安置于絕緣基板容納表面116中的導(dǎo)體158。導(dǎo)體158可為平板、金屬線絲網(wǎng)或穿過基板容納表面116曲折布線的單一路徑金屬線。功率通常經(jīng)由導(dǎo)管156耦合至導(dǎo)體158，所述導(dǎo)管156穿過基板支撐件的軸132安置。當(dāng)基板容納表面116接合基板時，可激勵靜電夾盤以將基板固定于基板支撐件106上。在此時也可經(jīng)由導(dǎo)管130建立冷卻氣體。基板支撐件106上定位有基板，所述基板支撐件106將基板移向處理位置128及160。隨著基板支撐件106向處理位置160升高，所述基板支撐件106經(jīng)過輻射源組件112，所述基板支撐件106具有靜置于突出部分150上的遮蔽環(huán)118。當(dāng)基板容納表面116到達(dá)處理位置160時，基板可經(jīng)受材料處理，諸如，沉積、注入或蝕刻。遮蔽環(huán)118可具有用于接合蓋環(huán)166的凹槽164，所述蓋環(huán)166可為金屬或陶瓷，所述蓋環(huán)166自遮蔽環(huán)118向外朝蓋部102延伸。蓋環(huán)166及凹槽164通過控制自上部容積136經(jīng)過蓋環(huán)166進(jìn)入下部容積134中的氣流來改善遮蔽環(huán)118的功能。凹槽164及阻擋件166為可選的。隨著基板支撐件106移向處理位置160及128，遮蔽環(huán)118與蓋環(huán)166接合。隨著基板支撐件106自處理位置160移向處理位置128，蓋環(huán)與遮蔽環(huán)118及基板支撐件106一起移動。在一些實施例中，可在輻射源組件112與輸送位置124之間的點處提供邊緣支撐件，所述邊緣支撐件自側(cè)壁104向內(nèi)延伸。邊緣支撐件（未圖示）可經(jīng)設(shè)置以在基板支撐件106移向輸送位置124時與遮蔽環(huán)118接合。在此實施例中，突出部分150的外半徑小于遮蔽環(huán)118的外半徑，以使得遮蔽環(huán)118的一部分延伸超出基板支撐件106的外部范圍146。此設(shè)置實現(xiàn)自基板支撐件106移除遮蔽環(huán)118，以改善對輸送位置124處基板容納表面116的接近。在完成處理位置160處的處理之后，基板支撐件106可經(jīng)定位用于基板的背側(cè)熱處理。通過中斷至導(dǎo)體158的功率（或在真空夾盤實施例中中斷至基板容納表面的真空）來使基板的任何夾緊脫離，基板支撐件106回縮，且升降銷114經(jīng)致動至延伸位置中。此舉使基板自基板容納表面116脫離，且當(dāng)基板支撐件106回縮至輻射源平面126下方的熱處理位置時，此舉將基板保持在處理位置160?；灞硞?cè)由此暴露于來自輻射源組件112的輻射。若需要，則可通過致動升降銷來將基板移動至不同于處理位置160的熱處理位置128。在這類實施例中，處理位置160可為材料處理位置。應(yīng)注意，取決于特定實施例的能量暴露需要，熱處理位置可根據(jù)需要在材料處理位置上方或下方?；?68在圖1中圖標(biāo)于熱處理位置。在熱處理期間，給輻射源組件112提供功率，且能量自輻射源組件112向基板168輻射。以此方式輻照基板168的“背側(cè)”，所述“背側(cè)”意謂與表面170相對的基板表面172，在表面170上執(zhí)行材料處理。除提供經(jīng)集成的材料及熱處理腔室之外，以此方式輻照基板168的背側(cè)172可通過輻照基板168的較少反射表面來改善熱處理的能量效率。在一些實施例中，在基板168上執(zhí)行的材料處理在表面170上形成反射層或部分層，所述反射層或部分層減少能量吸收。輻照背側(cè)172避免反射性的增加。此外，表面170的反射性可反射來自輻射源組件112的輻射，所述輻射經(jīng)由基板168穿過基板168的背面以進(jìn)一步改善效率。在一些實施例中，在熱處理期間的基板168的位置可經(jīng)調(diào)變以改善基板168上輻射的均勻性。可通過致動升降銷114來將基板168自熱處理位置128進(jìn)一步向上或向下循環(huán)地移動，以將輻射模式中的任何非均勻性移動至背側(cè)172上的各個位置，從而降低非均勻性及/或基板彎曲對基板處理的影響。可將背側(cè)172與熱處理位置128的最大偏差表達(dá)為與基板厚度的比率。上升比率可在約0.1倍與約100倍基板厚度之間變化。當(dāng)基板支撐件106在如圖1中所示的熱處理位置處時，熱傳感器120由穿過輻射源組件112與遮蔽環(huán)118之間的間隙154的視程來感測定位于經(jīng)延伸的升降銷114上的基板容納表面116上方的基板168的熱條件。在省略遮蔽環(huán)118的實施例中，間隙154將介于輻射源組件112與基板支撐件106的外部范圍146之間。因此，熱處理位置可由輻射源組件112與遮蔽環(huán)118之間或基板支撐件106的外部范圍146與輻射源組件112的內(nèi)部范圍144之間的所需間隙154界定。在熱處理完成之后，通常通過回縮升降銷114來將基板與基板容納表面116再接合?？稍賾?yīng)用夾緊，且重建冷卻氣體以冷卻基板?？山又鴮⒒逯渭?06移動至用于進(jìn)一步處理的位置中（若需要）或?qū)⒒逯渭?06移動返回至用于取回基板的輸送位置。當(dāng)基板支撐件106定位于輸送位置處時，通過延伸升降銷114來提供對基板的接近，以便機器人葉片可插入于基板與基板容納表面116之間。圖2A為圖示基板支撐件106與輻射源組件112的關(guān)系的腔室100的詳細(xì)視圖。通過腔室壁104與蓋部102之間的延伸部230自腔室壁104支撐輻射源組件112。輻射源組件112包括外殼202、輻射能源204、至少一個支撐件206及反射表面208，所述至少一個支撐件206自外殼202伸出且支撐輻射能源204。外殼202通常由導(dǎo)熱材料制成，所述導(dǎo)熱材料諸如為金屬，例如不銹鋼。外殼202內(nèi)的通道212實現(xiàn)冷媒、氣體或液體的循環(huán)。支撐件206可為諸如金屬（例如不銹鋼）的導(dǎo)熱材料或諸如陶瓷的折射材料。輻射能源204可為燈，所述燈產(chǎn)生在自紅外線至紫外或微波、毫米波、兆赫波、亞毫米波或遠(yuǎn)紅外源的波長處的輻射。輻射能源204可產(chǎn)生具有自約5x10-2m至約1x10-7m的波長的輻射。示例性輻射能源包括熱燈、鹵素?zé)?、弧光燈及同軸的微波波源或毫米波源。外殼202具有多個導(dǎo)管242的特征結(jié)構(gòu)，所述多個導(dǎo)管242延伸穿過所述外殼202。導(dǎo)管242在處理期間及在腔室抽氣操作期間使氣體能夠自上部容積136流動至下部容積134。外殼202的反射表面208經(jīng)成形以將來自輻射能源204的輻射向定位于處理位置128或160處的基板的背側(cè)反射。在一些實施例中，反射表面208經(jīng)成形以允許基板的大體上均勻的輻照。反射表面208可具有任何所需形狀，諸如，圓柱形、環(huán)形、橢圓形、卵形或不規(guī)則的彎曲形狀。反射表面208可具有除曲面形狀之外或代替曲面形狀的刻面形狀。在一個實施例中，反射表面208可為具有相同或不同曲率半徑的圓柱面的經(jīng)接合區(qū)段，所述經(jīng)接合區(qū)段中的每一經(jīng)接合區(qū)段也可部分地經(jīng)錐形化或刻面化。在一個實施例中，反射表面208為半環(huán)形。在另一實施例中，反射表面208包含多個反射件，所述多個反射件中的每一反射件可獨立地為大體上平坦、曲形、錐形或刻面，所述反射件經(jīng)定位以便近似彎曲表面。例如支撐銷、支撐桿或凸出物的支撐件206通常為不連續(xù)的，因此來自輻射能源204的輻射實質(zhì)上到達(dá)反射表面208的所有范圍且輻射反射向基板。外殼202的上部部分232自反射表面208徑向向內(nèi)延伸距離“x”，所述距離“x”基于兩個考慮而選定。首先，對于省略阻擋件166的實施例而言，選擇距離“x”以在基板支撐件106布署于基板支撐件106的最上部的處理位置時提供在遮蔽環(huán)118與上部部分232之間的所需空間。在這類實施例中，遮蔽環(huán)118與上部部分232之間的空間影響沉積材料可進(jìn)入下部容積134且在下部容積134中的腔室表面上沉積的范圍。其次，選擇距離“x”以在熱處理期間遮蔽最接近輻射能源204的基板的部分，從而避免基板上的過度輻射。上部部分232可具有延伸部210，所述延伸部210具有突起部234，所述突起部234經(jīng)提供以截取來自輻射能源204的所需輻射量。在一些實施例中，歸因于延伸部210相對接近于輻射能源204及通道212，所述延伸部210可由諸如陶瓷的耐火材料制成。在其它實施例中，延伸部210可由具有關(guān)于所發(fā)射輻射的所需光學(xué)性質(zhì)的材料形成，以使得輻射可選擇性地阻斷、傳輸或吸收且再發(fā)射。在一些實施例中，延伸部210的內(nèi)半徑可與內(nèi)半徑144大約相同，所述內(nèi)半徑144自腔室100的中心區(qū)域測量。在一些實施例中，距離“x”及突起部234可經(jīng)設(shè)置以阻斷自輻射能源至定位于處理位置128及160處的基板的任何部分的視程。對于經(jīng)設(shè)置以處理300mm晶片的腔室而言，取決于輻射能源204的設(shè)置，外殼的上部部分及下部部分自腔室壁104延伸介于約1cm至約6cm之間。在一個實施例中，外殼的上部部分及下部部分自腔室壁延伸約2cm?？墒褂闷渌椒p少基板受輻射能源204的直接照明。在一個實施例中，面向基板的輻射能源204的表面，例如，背向外殼202或反射表面208的表面，可涂布有涂層，所述涂層經(jīng)設(shè)置以減少或消除在基板上入射的直接視程輻射。在一些實施例中，涂層可為反射性的，以使得在涂層上入射的來自輻射能源204的光向外殼202的反射表面反射，所述反射表面諸如為反射表面208。在其它實施例中，涂層可為吸收性的、半透明的、不透明的、黑色或白色的。在一些實施例中，涂層可為金屬或陶瓷。涂層通常經(jīng)選擇以耐受輻射能源204的熱環(huán)境。視情況與延伸部210的突起部234及上部部分232結(jié)合使用涂層可確保在熱處理期間到達(dá)基板的所有光為經(jīng)反射的光。在一些實施例中，使用涂層可通過消除基板表面受所發(fā)射輻射的直接照明的可能性來消除對外殼202的上部部分232的需要。遮蔽環(huán)118可具有上表面224，所述上表面224經(jīng)設(shè)置以將來自輻射能源204的輻射向定位于處理位置160處的基板反射。遮蔽環(huán)118的輪廓部分(contouredportion)240可經(jīng)升高、成角度或彎曲以將經(jīng)反射的輻射投射向基板。阻擋件166可具有輪廓部分236，所述輪廓部分236經(jīng)成形以與遮蔽環(huán)118的輪廓部分240的形狀匹配。輪廓部分236可經(jīng)彎曲、成角度或成錐形而與遮蔽環(huán)118的輪廓部分240呈匹配關(guān)系，以確?？刂拼┻^凹槽164及在阻擋件166周圍的任何氣流。遮蔽環(huán)118可為例如不銹鋼的金屬，或涂布有金屬的陶瓷。一般而言，遮蔽環(huán)118由耐高溫處理的材料形成，且遮蔽環(huán)118的表面224為反射性的。遮蔽環(huán)118可為涂布有諸如銀的反射性金屬的陶瓷，或遮蔽環(huán)118可使用電介質(zhì)反射鏡，諸如，具有不同折射率的層狀陶瓷。可將遮蔽環(huán)118的上表面224以與反射表面208的曲率及/或刻面相容的方式彎曲及/或形成刻面，以使得反射表面208及遮蔽環(huán)118的上表面224一起形成復(fù)合反射體，所述復(fù)合反射體經(jīng)設(shè)置以將盡可能多的輻射自輻射能源204盡可能均勻地引導(dǎo)至定位于輻射能源204上方的基板背側(cè)。熱傳感器120包括光譜傳感器214，光譜傳感器214穿過腔室壁104中的開口216而安置。平板218將光譜傳感器214緊固于所需位置，所述所需位置用于經(jīng)由間隙154查看在處理位置160處的基板的背側(cè)。光譜傳感器214可為高溫計。在一個實施例中，光譜傳感器214將為高溫計，所述高溫計經(jīng)調(diào)諧以測量具有約1μm的波長的輻射的強度。在另一實施例中，高溫計可在約7-15μm的波長區(qū)域內(nèi)操作。在基板支撐件106的基板容納表面116中形成通道228，以促進(jìn)使冷媒與安置于所述基板容納表面116上的基板接觸。通道228與導(dǎo)管130流體連通。經(jīng)由導(dǎo)管130向通道228提供例如冷卻氣體的冷媒，所述冷媒自基板容納表面116的中心流動至邊緣。通道228可具有自基板容納表面116的中心至邊緣而增加的深度以促進(jìn)流體流動。流體流動的增加區(qū)域抵消冷媒因加熱的膨脹。冷媒的膨脹產(chǎn)生壓力，所述壓力阻礙至基板容納表面116的周邊的流動。通道的漸增的深度抵消了阻礙。取決于所需的精確的冷卻分布，所述通道可設(shè)計有任何有用的深度分布。在一個實施例中，通道深度隨著距基板容納表面116的中心的距離線性地增加。在此實施例中，流體流動的通量區(qū)域也線性地增加。在另一實施例中，通道228的深度可隨著距基板容納表面116的中心的距離的平方而增加。圖2B為諸如圖1的基板支撐件106這樣的基板支撐件的近視圖，所述基板支撐件具有通道228，所述通道228的深度隨著距基板容納表面的中心的距離的平方而增加。在另一實施例中，通道228的深度可設(shè)置為自基板容納表面116的中心至邊緣的近似恒定的質(zhì)量通量?；迦菁{表面116可為反射性的。在一個實施例中提供電介質(zhì)反射鏡表面。在其它實施例中，將諸如銀的反射性金屬涂覆在陶瓷材料上方或透明材料下方?？蓪⒎瓷湫圆牧弦员Ｐ畏绞窖由熘亮黧w流動的凹部中。舉例而言，若需要，可將反射性襯里涂覆于流體流動的凹部。若需要，任何已知保形處理可用以形成保形反射表面。在另一實施例中，例如，通過以諸如研磨的物理手段或者以諸如蝕刻的化學(xué)手段保形地沉積反射性材料且自凹部之間的平坦表面移除反射性材料，可將反射性材料僅涂覆于流體流動的凹部。反射性的基板容納表面116可經(jīng)設(shè)置以選擇性地反射可能被基板168吸收的輻射。舉例而言，在一個實施例中，電介質(zhì)反射鏡可能是有用的，電介質(zhì)反射鏡經(jīng)設(shè)置以反射具有介于約0.2μm與約1.0μm之間的波長的輻射。可通過在基板容納表面116上形成具有不同折射率的交替層來使此電介質(zhì)反射鏡成型。圖2C為可用作圖2A的實施例中的輻射能源204的輻射能源250的透視圖。輻射能源250為半圓形，以供用于處理圓形基板的實質(zhì)上圓柱形腔室中使用。輻射能源250為具有輻射區(qū)段252及兩個連接器254的鹵素?zé)簦谒鰺舻拿恳欢颂幱幸粋€連接器254。連接器254經(jīng)設(shè)置以突出穿過外殼202及上文關(guān)于圖2A所述的腔室壁104中的開口，以連接至功率源（未圖示）。通常，導(dǎo)體安置于腔室壁的外部周圍以將功率傳遞至連接器254。兩個此種輻射能源250將通常以彼此相對的方式用于一個腔室中以在各處產(chǎn)生均勻的輻射。在一個實施例中，輻射能源250為7.5kW、480V白熾鎢絲燈或鹵素白熾鎢絲燈。在另一實施例中，輻射能源250為氙氣放電燈。輻射能源250可具有接觸區(qū)域256，所述接觸區(qū)域256用于接觸諸如圖2A的支撐件206這樣的支撐件。接觸區(qū)域256可為絕熱墊，以減少支撐件206與輻射能源250接觸的直接加熱。建議本文圖示為204及250的輻射能源與基板容納表面116實質(zhì)上共平面，從而界定輻射源平面126。應(yīng)注意，在一些實施例中，使用具有橫向或垂直于基板容納表面116的移位元件的輻射源可能有利的。這類輻射源可用來通過增加輻射發(fā)射的直線距離而增加功率至輻射源。在一個實施例中，多個直的狹長輻射源可沿垂直于基板容納表面116的方向安置。在另一實施例中，輻射源可具有交替的橫向移位（亦即，波型圖案）的特征。在這類實施例中，外殼及外殼的反射表面可經(jīng)最佳化用于所產(chǎn)生的特定輻射圖案。在其它實施例中，燈可包含形成多邊形燈的多個經(jīng)接合的線性區(qū)段。在其它實施例中，輻射源可為多個線性燈，所述多個線性燈以共平面方式以實質(zhì)上平行于基板支撐件106的基板容納表面116的平面布置于腔室的周邊周圍，基板容納表面每一燈的長軸實質(zhì)上平行于基板容納表面116。在其它實施例中，可使用多個這類平面的燈，每一平面在垂直于基板容納表面116的方向上自另一平面移位。在其它實施例中，可視情況結(jié)合上文論述的其它燈形成來使用螺旋狀(spiral)或螺旋形(helical)燈。在其它實施例中，可使用多個u形燈，其中u形的直線部分實質(zhì)上平行于基板容納表面延伸，且一個u形燈的末端緊鄰于另一u形燈的末端定位，以使得兩個鄰近燈的電觸點穿透盡可能小的區(qū)域的外殼及腔室壁，以最小化外殼的反射表面的破壞。通過將一個燈的電氣出口連接至鄰近燈的電氣入口，可輕易地串聯(lián)連接這些燈。在具有安置于腔室的周邊周圍的多個源的特征的實施例中，每一源可具有分離的反射體及外殼，或可提供一個反射體及外殼用于源的組，甚至包括所有源的單一反射體及外殼。在一個實施例中，使用兩個輻射源。再次參閱圖2A，外殼202的上部部分232具有下表面238，所述下表面238通常圖示為平行于基板容納表面116。下表面238可為反射性的以改善輻射源組件112的效率。在一個實施例中，下表面238相對于基板容納表面116傾斜以使得下表面238與基板容納表面116之間的距離隨著距腔室壁104的徑向距離減小。此傾斜可為線性或非線性的，且此傾斜可自輻射能源204向基板表面提供增加的輻射。在一個實施例中，下表面238的傾斜為線性的，且傾斜與基板容納表面116形成角度，所述角度介于約1°與約10°之間，諸如，介于約3°與約7°之間，例如，約5°。在其它實施例中，可根據(jù)任何便利的設(shè)計彎曲下表面238。下表面238可具有單一曲率半徑或焦點，或下表面238可具有多個曲率半徑或焦點。在一個實例中，下表面238可為近似圓柱形，所述近似圓柱形具有實質(zhì)上與燈的放電線圈或燈絲重合的聚焦區(qū)域。來自下表面238的經(jīng)反射的輻射可幫助升高放電線圈的溫度至操作范圍，以使得需要較少電能來實現(xiàn)所需輻射輸出功率。在其它實施例中，下表面238可經(jīng)設(shè)置以引導(dǎo)經(jīng)反射的輻射遠(yuǎn)離燈或?qū)⒔?jīng)反射的輻射向表面208聚焦以反射直至基板。在其它實施例中，下表面238可為尖狀以將輻射反射至外殼202內(nèi)的多個點或?qū)⑤椛浞瓷渲粱逯渭?06或遮蔽環(huán)118。應(yīng)注意，基板不必定位于材料處理（亦即，沉積或注入）及熱處理的相同位置處。在上述描述中，建議處理位置160在材料處理及熱處理期間為相同的，但并不是必需如此。舉例而言，熱處理位置可不同于材料處理位置。基板可自材料處理位置升高或降低至熱處理位置。熱處理位置相對于材料處理位置的位置通常取決于輻射源的設(shè)計及材料處理的需要。在一個實施例中，腔室100可為物理氣相沉積(physicalvapordeposition;PVD)腔室。在此實施例中，腔室100的蓋部102將包括此項技術(shù)中已知的濺射靶、磁控管及氣體饋送系統(tǒng)。在替代性實施例中，腔室100可為化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition;CVD)腔室、等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(plasmaenhancedchemicalvapordeposition;PECVD)腔室或蝕刻腔室，所述CVD腔室、PECVD腔室或蝕刻腔室具有安置于此項技術(shù)中已知的蓋部102中的噴頭或噴頭電極。在另一實施例中，腔室100可為P3i腔室，所述P3i腔室具有安置于此項技術(shù)中已知的蓋部102中或耦接至蓋部102的感應(yīng)等離子體源。諸如輻射源組件112的輻射源組件可用于希望集成的熱處理的任何處理腔室中。圖3為概述根據(jù)另一實施例的方法300的流程圖。方法300利用上述實施例中的任何實施例中描述的雙重功能腔室來在單一腔室中完成材料處理（亦即，沉積、蝕刻及/或注入）及熱處理。在步驟310處，在腔室中的基板支撐表面上安置基板。在步驟320處，將基板定位于材料處理位置處，且在所述基板的第一表面上執(zhí)行材料處理。在步驟330處，將基板與基板支撐表面以間隔分離。在步驟340處，通過將與第一表面相對的基板的第二表面暴露于輻射能源來執(zhí)行熱處理，所述輻射能源安置在基板支撐件的周邊周圍。在步驟350處，將基板與基板支撐件再接合且將基板冷卻?？蓪⒄麄€方法300重復(fù)任何所需次數(shù)以在單一腔室中執(zhí)行循環(huán)的材料/熱處理。此外，若需要，可將材料操作及熱操作獨立地重復(fù)相同次數(shù)或不同次數(shù)。在一個實施例中，步驟320的材料處理為用于在基板上沉積金屬的PVD處理。在腔室的蓋部中向腔室提供濺射氣體。用射頻(radiofrequency;RF)或直流(directcurrent;DC)電功率激勵安置于蓋部中的濺射靶以形成等離子體。等離子體將材料自靶濺射至基板上。在金屬填充處理情況下，在金屬化之前將諸如TiN或TaN的阻擋層沉積于待填充的特征結(jié)構(gòu)中。在硅化情況下，省略阻擋層，且在硅上直接沉積金屬。在金屬沉積處理情況下，在步驟320處執(zhí)行的熱處理可為減少在基板的凹部中的金屬懸垂物的再流處理，或熱處理可為驅(qū)動金屬與硅之間的反應(yīng)的硅化處理。在一個PVD實施例中，取決于所需沉積速率及基板大小，由氬濺射氣體來濺射銅靶，所述氬濺射氣體以介于約200sccm與約20,000sccm之間的流量提供。將介于約100W與約10,000W之間的RF功率施加于靶。繼金屬沉積處理之后，在步驟330處將基板以斜率自第一溫度分布加熱至第二溫度分布，所述斜率介于約10℃/s與約20℃/s之間，諸如，介于約15℃/s與約17℃/s之間，例如，約16.2℃/s。第一溫度分布具有平均溫度的特征，所述平均溫度介于約20℃與約200℃之間，例如，約50℃，所述平均溫度具有約5℃內(nèi)的均勻性。本文所述的加熱方法具有關(guān)于金屬沉積處理的優(yōu)點。當(dāng)在基板表面上沉積金屬時，表面獲得反射性。通常輻射能的吸收在金屬化表面上減少，因此輻照金屬化表面并不比加熱與金屬化表面相對的表面（例如，基板背側(cè)）有效。例如，金屬上方的硅的經(jīng)改善的能量吸收改善熱處理工藝的能量效率。對于銅再流處理而言，第二溫度分布具有平均溫度的特征，所述平均溫度介于約250℃與約350℃之間，諸如，介于約275℃與約325℃之間，例如，約320℃，所述平均溫度具有約20℃內(nèi)的均勻性，例如，約15℃內(nèi)的均勻性。溫度在周期內(nèi)斜升，所述周期介于約10s與約30s之間，諸如，介于約15s與約25s之間，例如，約20s。在加熱之后將第二溫度分布實質(zhì)上維持長達(dá)一周期以完成再流處理，所述周期介于約0s與約30s之間，諸如，介于約5s與約25s之間，例如，約20s。必要時，此方法可使用不同溫度及時間用于不同材料的沉積及再流。諸如腔室100的腔室可經(jīng)由最小的調(diào)適用于此方法。在一些實施例中，通過將第一功率設(shè)定施加于輻射源使基板溫度斜升，且接著在達(dá)到目標(biāo)溫度之后，通過將第二功率設(shè)定施加于輻射源使溫度保持實質(zhì)上恒定。在一個實施例中，第一功率設(shè)定為輻射源的額定功率的約90%，且第二功率設(shè)定為輻射源的額定功率的約10%。在上文涉及的7.5kW鎢絲燈的情況下，90%的功率設(shè)定將施加約6.75kW的功率至每一個燈，且10%的功率設(shè)定將施加約750W的功率至每一個燈。取決于所使用的輻射源的類型及正在執(zhí)行的熱操作，加熱的工作循環(huán)將介于約60%與約95%之間，且維持溫度的工作循環(huán)將介于約5%與約30%之間。在步驟340處將基板冷卻至第三溫度分布，所述第三溫度分布在持續(xù)時間內(nèi)具有低于約50℃的平均溫度，所述持續(xù)時間介于約30s與約120s之間，諸如，約60s。在冷卻期間，將整個基板上最高溫度非均勻性保持在小于約55℃，以最小化基板上的熱應(yīng)力。此舉可使用上文結(jié)合圖1及圖2A所述的基板支撐件來完成。在一個實施例中，最高溫度非均勻性小于約50℃。在金屬沉積處理中，可在單一腔室中將以上所述沉積金屬及再流的操作重復(fù)任何次數(shù)，以用金屬達(dá)成圖案化基板中的開口的填充。此循環(huán)再流處理達(dá)成凹部的快速無空隙填充。在大多數(shù)實施例中，將沉積及熱處理重復(fù)五次或少于五次。在一個實例中，將沉積及熱處理執(zhí)行三次。在一些實施例中，在開始以上所述的填充處理之前，可在基板上方形成傳統(tǒng)的阻擋層。阻擋層降低在連續(xù)的沉積及熱處理期間金屬遷移至基板中的趨勢。在硅化處理中，以上所述的周邊輻射源可用以將基板加熱至介于約150℃與約500℃之間的溫度，以促進(jìn)硅與諸如鈷及鉬的經(jīng)沉積金屬之間的反應(yīng)。也可在用于硅化的循環(huán)中重復(fù)地執(zhí)行沉積及熱處理。在另一實施例中，方法300可為氮化及再氧化處理?？赏ㄟ^將基板暴露于氮等離子體中來執(zhí)行諸如去耦合等離子體氮化(decoupledplasmanitridation;DPN)處理這樣的等離子體氮化處理。通過定位用于熱處理的基板且激活輻射能源，可接著在相同腔室中使用本文所述的多功能材料/熱腔室執(zhí)行再氧化處理，所述輻射能源經(jīng)定位以輻照基板表面，所述基板表面與暴露于氮等離子體中的表面相對。可在熱處理期間提供諸如包含氧自由基的氣氛的氧化氣氛?？蓪⒀h(huán)氮化/再氧化處理重復(fù)任何所需次數(shù)。上文結(jié)合圖1至圖2B所述的腔室100為雙重功能腔室，所述雙重功能腔室在單一腔室中的基板上執(zhí)行材料處理及熱處理。此雙重功能腔室可用于在材料處理后接著熱處理的處理。這類處理包括（但不限于）金屬沉積及再流、硅化、沉積（CVD、原子層沉積(atomiclayerdeposition;ALD)、PECVD、外延法）及退火、注入及退火，及等離子體氮化及再氧化。通過將上文大體上所述的周邊輻射源耦接至執(zhí)行材料處理的腔室，可在單一腔室中執(zhí)行這類處理。圖4為根據(jù)另一實施例的組合工具400的平面圖。組合工具400具有如上所述的至少一個雙重功能材料/熱腔室的特征。組合工具400的實例為可購自加利福尼亞的圣克拉拉（SantaClara,California）的應(yīng)用材料公司（AppliedMaterials,Inc.）的系統(tǒng)。也可使用由其它制造商制造的組合工具。任何便利類型的移送機器人404安置于組合工具的移送腔室402中。將具有兩個負(fù)載鎖定腔室406A/B的負(fù)載鎖定物406耦接至移送腔室402。多個處理腔室408、410、412、414及416也耦接至移送腔室402。在傳統(tǒng)組合工具中，一或多個處理腔室可為熱處理腔室，諸如，退火腔室、除氣腔室或氧化腔室。使用本文所述的雙重功能腔室可消除熱腔室且增加生產(chǎn)率。在一個實施例中，組合工具400可為邏輯門形成工具。腔室408可為硅沉積腔室，所述硅沉積腔室可為PVD或CVD的，且所述硅沉積腔室可為等離子體增強的。腔室410可相應(yīng)地為雙重功能等離子體氮化及熱處理腔室。腔室412可根據(jù)需要專用于氧化物形成、氮化/熱處理或硅形成以最大化生產(chǎn)率。因為沒有單一腔室單獨專用于熱處理，所以可通過使用雙重功能材料/熱腔室來增加生產(chǎn)率。在另一實施例中，腔室408、410、412、414及416中的任何腔室可為經(jīng)組合的等離子體清潔及再氧化腔室。圖5為根據(jù)另一實施例的組合工具500的平面圖。組合工具500具有耦接至兩個移送腔室502及504的多個處理腔室的特征。組合工具500的實例為AppliedMaterials,Inc.的系統(tǒng)。也可使用由其它制造商制造的組合工具。移送腔室502及504中的每一移送腔室分別具有移送機器人506及508。將具有兩個負(fù)載鎖定腔室510A/B的特征的負(fù)載鎖定物510耦接至第一移送腔室502。使用通過腔室（passthroughchamber）520及522將基板在移送腔室之間傳遞，所述通過腔室520及522可由移送機器人506與508兩者接近。在典型的設(shè)置中，根據(jù)處理腔室的蓋部的設(shè)置，處理腔室524、526、528、530及532中的任何或全部處理腔室可為雙重功能沉積/熱處理腔室，所述雙重功能沉積/熱處理腔室具有由CVD、PVD或ALD處理進(jìn)行的沉積，所述CVD、PVD或ALD處理可為等離子體增強的。在一個實施例中，處理腔室524及526為用于形成阻擋層的PVD腔室，且腔室528、530及532為雙重功能PVD金屬沉積/再流腔室，每一腔室能夠執(zhí)行類似于圖3的處理的處理。腔室516及518可為預(yù)清潔腔室，且腔室512及514可為除氣腔室、冷卻腔室或表面鈍化腔室。腔室516、518、524、526、528及532中的任何腔室可為組合的等離子體清潔腔室和再氧化腔室。盡管上文針對本發(fā)明的實施例，但在不脫離本發(fā)明的基本范圍的情況下可設(shè)計本發(fā)明的其它及進(jìn)一步實施例。