本發(fā)明涉及一種外延結(jié)構(gòu)體，尤其涉及一種具有石墨烯的外延結(jié)構(gòu)體。

背景技術(shù)：
外延襯底，尤其氮化鉀外延襯底為制作半導(dǎo)體器件的主要材料之一。例如，近年來，制備發(fā)光二極管(LED)的氮化鎵外延片成為研究的熱點(diǎn)。所述氮化鎵外延片是指在一定條件下，將氮化鎵材料分子，有規(guī)則排列，定向生長在外延襯底如藍(lán)寶石基底上，然后再用于制備發(fā)光二極管。高質(zhì)量氮化鎵外延片的制備一直是研究的難點(diǎn)?，F(xiàn)有技術(shù)中，外延襯底的制備方法為將藍(lán)寶石基底的一表面進(jìn)行拋光，形成一平面，然后用于生長氮化鎵外延片。然而，由于氮化鎵和藍(lán)寶石基底的晶格常數(shù)以及熱膨脹系數(shù)的不同，從而導(dǎo)致氮化鎵外延層存在較多位錯缺陷。而且，氮化鎵外延層和外延襯底之間存在較大應(yīng)力，應(yīng)力越大會導(dǎo)致氮化鎵外延層破裂。這種外延襯底普遍存在晶格失配現(xiàn)象，且易形成位錯等缺陷，從而使得制備的外延結(jié)構(gòu)體質(zhì)量不夠高，影響其應(yīng)用范圍。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
綜上所述，確有必要提供一種高質(zhì)量的外延結(jié)構(gòu)體。一種外延結(jié)構(gòu)體，其中，所述外延結(jié)構(gòu)體包括依次層疊設(shè)置的一基底，一石墨烯層及一外延層，所述基底與所述外延層接觸的表面具有多個微米級凹陷，相鄰的凹陷之間形成凸起，形成一圖案化的表面，所述石墨烯層設(shè)置于所述圖案化的表面，所述外延層與所述基底接觸的表面與所述圖案化的表面耦合，對應(yīng)凸起位置處的石墨烯層夾持于基底與外延層之間，對應(yīng)凹陷位置處的石墨烯層嵌入所述外延層中。一種外延結(jié)構(gòu)體，所述外延結(jié)構(gòu)體包括：一基底，所述基底一表面具有多個凹陷，形成一圖案化的表面；一石墨烯層，所述石墨烯層設(shè)置于所述圖案化的表面，所述石墨烯層具有多個空隙，所述石墨烯層的起伏趨勢與圖案化的表面的起伏趨勢相同；以及一外延層，所述外延層形成于所述基底圖案化的表面，所述石墨烯層位于所述外延層與所述基底之間。一種外延結(jié)構(gòu)體，其包括：一基底，該基底具有一圖案化的外延生長面，以及一外延層形成于所述圖案化的外延生長面，其中，進(jìn)一步包括一圖案化的單層石墨烯薄膜設(shè)置于所述外延層與基底之間，且該圖案化的單層石墨烯薄膜具有多個空隙，所述外延層貫穿石墨烯層的多個空隙與所述基底的外延生長面接觸。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于在所述基底的圖案化的外延生長面設(shè)置一石墨烯層作為生長外延層的掩模，進(jìn)而減小了外延層生長過程中的位錯缺陷，提高了所述外延層的質(zhì)量，從而提高了所述外延結(jié)構(gòu)體的質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的外延結(jié)構(gòu)體的制備方法的工藝流程圖。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例提供外延結(jié)構(gòu)體的制備方法中的圖案化基底工藝流程圖。圖3為圖1所示的外延結(jié)構(gòu)體的制備方法中基底的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例中采用的包括多個微孔的石墨烯層的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例中采用的包括多個條形間隙的石墨烯層的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例中采用的包括多個不同形狀開口的石墨烯層的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為本發(fā)明第一實(shí)施例中采用的包括多個間隔設(shè)置的圖形的石墨烯層的結(jié)構(gòu)示意圖。圖8為圖1所示的外延結(jié)構(gòu)體的制備方法中采用的碳納米管膜的掃描電鏡照片。圖9為圖7中的碳納米管膜中的碳納米管片段的結(jié)構(gòu)示意圖。圖10為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的外延結(jié)構(gòu)體的制備方法中采用的多層交叉設(shè)置的碳納米管膜的掃描電鏡照片。圖11為本發(fā)明第一實(shí)施例中所述外延層生長過程示意圖。圖12為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的外延結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)示意圖。圖13為圖12所示外延結(jié)構(gòu)體沿XIII-XIII的剖面示意圖。圖14為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的外延結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)示意圖。圖15為圖14所示的外延結(jié)構(gòu)體的立體分解圖。圖16為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的外延結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)示意圖。圖17為本發(fā)明第四實(shí)施例提供的外延結(jié)構(gòu)體的制備方法的工藝流程圖。圖18為本發(fā)明第五實(shí)施例提供的外延結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)示意圖。圖19為本發(fā)明第六實(shí)施例提供的外延結(jié)構(gòu)體的結(jié)構(gòu)示意圖。主要元件符號說明外延結(jié)構(gòu)體10,20基底100外延生長面101掩模102凹槽103石墨烯層110空隙112外延層120碳納米管片段143碳納米管145外延晶粒1202外延薄膜1204如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。具體實(shí)施方式以下將結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例提供的外延結(jié)構(gòu)體及其制備方法。為了便于理解本發(fā)明的技術(shù)方案，本發(fā)明首先介紹一種外延結(jié)構(gòu)體的制備方法。請參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供一種外延結(jié)構(gòu)體10的制備方法，其具體包括以下步驟：步驟S11，提供一基底100，該基底100具有一外延生長面101；步驟S12，圖案化處理所述外延生長面101，形成一圖案化的表面；步驟S13，在所述圖案化的外延生長面101設(shè)置一石墨烯層110，所述石墨烯層110具有多個空隙112；步驟S14，在所述設(shè)置有石墨烯層110的外延生長面101生長一外延層120。在步驟S11中，所述基底100提供了生長外延層120的外延生長面101。所述基底100的外延生長面101是分子平滑的表面，且去除了氧或碳等雜質(zhì)。所述基底100可以為單層或多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)所述基底100為單層結(jié)構(gòu)時，該基底100可以為一單晶結(jié)構(gòu)體，且具有一晶面作為外延層120的外延生長面101。所述單層結(jié)構(gòu)的基底100的材料可以為SOI(silicononinsulator，絕緣基底上的硅)、LiGaO2、LiAlO2、Al2O3、Si、GaAs、GaN、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlP、AlAs、AlSb、AlN、GaP、SiC、SiGe、GaMnAs、GaAlAs、GaInAs、GaAlN、GaInN、AlInN、GaAsP、InGaN、AlGaInN、AlGaInP、GaP：Zn或GaP：N等。當(dāng)所述基底100為多層結(jié)構(gòu)時，其需要包括至少一層所述單晶結(jié)構(gòu)體，且該單晶結(jié)構(gòu)體具有一晶面作為外延生長面101。所述基底100的材料可以根據(jù)所要生長外延層120來選擇，優(yōu)選地，使所述基底100與外延層120具有相近的晶格常數(shù)以及熱膨脹系數(shù)。所述基底100的厚度、大小和形狀不限，可以根據(jù)實(shí)際需要選擇。所述基底100不限于所述列舉的材料，只要具有支持外延層120生長的外延生長面101的基底100均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。本實(shí)施例中，所述基底100為藍(lán)寶石(Al2O3)基底。在步驟S12中，所述外延生長面101的可通過刻蝕的方法進(jìn)行圖案化處理，所述刻蝕方法可為干法刻蝕法、濕法刻蝕法等方法中的一種。進(jìn)一步的，也可通過在所述外延生長面101設(shè)置多個凸起(圖未示)的方法圖案化處理所述外延生長面101。請一并參閱圖2，本實(shí)施例中，所述外延生長面101的刻蝕方法為濕法刻蝕法，具體包括一下步驟：步驟S121，在所述外延生長面101上設(shè)置一圖案化的掩模102；步驟S122，刻蝕所述基底100的外延生長面101，形成一圖案化的表面；步驟S123，去除所述掩模102。在步驟S121中，所述掩模102的材料不限，如二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或二氧化鈦等，可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇，只要保證在后續(xù)的刻蝕基底100的過程中，掩模102覆蓋的基底100不能被腐蝕液腐蝕即可。本實(shí)施例中，所述在外延生長面101設(shè)置圖案化掩模102包括以下步驟：首先，在所述基底100的外延生長面101上沉積一層二氧化硅膜。所述二氧化硅膜可通過化學(xué)氣相沉積法形成在所述外延生長面101，所述二氧化硅膜的厚度可為0.3微米～2微米。其次，利用光刻工藝刻蝕所述二氧化硅膜形成一圖案化的掩模102。所述二氧化硅膜的刻蝕可包括以下步驟：第一步，所述二氧化硅的表面設(shè)置一光刻膠；第二步，通過曝光顯影使所述光刻膠圖案化；第三步，利用氫氟酸(HF4)、氟化氨(NH4F)的混合液刻蝕所述二氧化硅膜，形成所述圖案化的掩模102。所述掩模102包括多個鏤空的空隙，形成一圖案化的掩模102，優(yōu)選的，所述圖案為多個圖形單元形成一周期性的圖形陣列，所述圖形單元可為圓形、方形、正六邊形、菱形、三角形或不規(guī)則圖形中的任意一種或幾種的組合，可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇。本實(shí)施例中，所述圖形單元為一矩形，所述多個矩形彼此平行排列，優(yōu)選的，所述多個矩形彼此等間距排列，圖形單元之間的間距為1微米～20微米，所述矩形的寬度可為1微米～50微米，其長度可與所述基底100的長度或?qū)挾认嗤?。在步驟S122中，所述基底100以圖案化的二氧化硅膜作為掩模，采用硫酸與磷酸的混合液濕法刻蝕所述基底100的外延生長面101，未覆蓋掩模102的外延生長面101在混合液的腐蝕作用下溶解，而覆蓋有掩模102的表面則不發(fā)生變化，從而使所述基底100的外延生長面101圖案化。所述硫酸與磷酸的體積比為1：3～3：1，所述刻蝕溫度為300℃～500℃，刻蝕時間可為30秒～30分鐘，所述刻蝕時間可根據(jù)所需刻蝕的深度進(jìn)行選擇。請一并參閱圖3，所述圖案化的基底100的圖形與所述掩模102的圖形對應(yīng)，即所述基底100具有多個凹陷，所述凹陷為由基底100表面向內(nèi)凹陷形成的凹進(jìn)空間，所述凹陷的尺寸(如邊長、直徑或最大徑向尺寸等)為微米級。所述凹陷的橫截面(正投影)可為圓形、方形、正六邊形、菱形、三角形或不規(guī)則圖形等。所述多個凹陷可排列形成一陣列，也可排列形成其他幾何圖案，如圓形、扇形、三角形等等分布形式，相鄰的凹陷之間形成凸起?？梢岳斫?，所述圖案化的基底100也可為多個凸起，所述凸起的形狀可與上述凹陷的形狀相同，相鄰的凸起之間形成凹陷。本實(shí)施例中，由于所述掩模102為多個矩形單元排列形成一陣列，因此，在所述基底100的表面形成多個條形的凹槽103。所述多個條形凹槽103沿同一方向延伸，且在垂直于延伸方向上多個凹槽103彼此平行間隔排列，優(yōu)選的，所述多個凹槽103彼此等間距排列。所述凹槽103的寬度為1微米～50微米，所述凹槽103的間距為1微米～20微米，所述凹槽103的深度可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇，優(yōu)選的，所述凹槽103具有相同的深度，所述凹槽103的深度是指沿垂直于外延生長面101的表面向所述基底100內(nèi)部延伸的長度。本實(shí)施例中，所述凹槽103的深度為0.1微米～1微米。在步驟S123中，所述掩模102可采用氫氟酸(HF4)腐蝕的方法去除。進(jìn)一步的，在所述掩模102去除之后，可利用等離子水等洗滌所述基底100，以去除殘余的氫氟酸等雜質(zhì)，以有利于后續(xù)的外延生長。在步驟S13中，所述石墨烯層110與所述基底100接觸設(shè)置并覆蓋所述外延生長面101，具體的，所述石墨烯層110與所述多個凹槽103之間的外延生長面101接觸設(shè)置，凹槽103上的石墨烯層110懸空設(shè)置，所述懸空設(shè)置是指位于凹槽103處的部分石墨烯層110不與基底100的任何表面接觸。所述石墨烯層110與所述圖案化外延生長面101共同作為生長外延層120的表面。所述石墨烯層110可以由石墨烯粉末或石墨烯薄膜構(gòu)成。所述石墨烯粉末為分散的石墨烯顆粒，所述石墨烯薄膜為一連續(xù)的單層碳原子層，即單層石墨烯。當(dāng)所述石墨烯層110包括石墨烯粉末時，所述石墨烯粉末需要經(jīng)過溶液分散、涂覆以及刻蝕等圖案化工藝形成圖案化的整體結(jié)構(gòu)。當(dāng)所述石墨烯層110包括多個石墨烯薄膜時，該多個石墨烯薄膜可以層疊設(shè)置或共面設(shè)置。所述石墨烯薄膜可以經(jīng)過切割或刻蝕等工藝處理形成圖案化結(jié)構(gòu)。所述單層石墨烯有著非常獨(dú)特的性能。首先，單層石墨烯幾乎完全透明，大約只吸收2.3％的可見光，并可透過大部分紅外線；其次，單層石墨烯厚度僅約為0.34nm，比表面積的理論值為2630m2·g-1，而實(shí)測石墨烯的抗拉強(qiáng)度為125GPa，楊氏模量達(dá)到了1.0TPa；再次，石墨烯薄膜的熱導(dǎo)率實(shí)測值為5300W·m-1·K-1，其載流子遷移率的理論值為2×105cm2·V-1·s-1，而其電阻率只有1×10-6Ω·cm，約為銅的2/3；最后，在室溫下即能觀測到石墨烯薄膜具有量子霍爾效應(yīng)和無散射傳輸現(xiàn)象。本實(shí)施例中，所述石墨烯層110為一純石墨烯結(jié)構(gòu)，即僅包括石墨烯材料。所述石墨烯層110的厚度為1納米～100微米，比如1納米、10納米、200納米，1微米或10微米。可以理解，當(dāng)所述石墨烯層110為單層石墨烯時，所述石墨烯層110為一個碳原子厚度。優(yōu)選地，所述石墨烯層110為一圖案化結(jié)構(gòu)。當(dāng)所述石墨烯層110設(shè)置在所述基底100的外延生長面101時，使所述基底100的外延生長面101通過所述石墨烯層110部分暴露出來，以便于在該基底100暴露出來的部分外延生長面101上生長半導(dǎo)體外延層，即所述石墨烯層110起掩模作用。請一并參閱圖4至圖6，所示所述“圖形化結(jié)構(gòu)”可以指所述石墨烯層110為一具有多個空隙112的連續(xù)整體結(jié)構(gòu)。當(dāng)所述石墨烯層110設(shè)置在所述基底100的外延生長面101時，使所述外延生長面101對應(yīng)空隙112的部分暴露出來。所述多個空隙112的形狀不限，可以為圓型、方形、三角形、菱形或矩形等。同一個石墨烯層110的多個空隙112的形狀可以相同或不同。所述多個空隙112從所述石墨烯層110的厚度方向貫穿所述石墨烯層110。所述空隙112為石墨烯層110中的微孔或者條形的間隙，所述條形的間隙沿同一方向延伸。所述空隙112為微孔時其孔徑(平均孔徑)范圍為10納米～500微米，所述空隙112為間隙時其寬度(平均寬度)范圍為10納米～500微米。以下稱為“所述空隙112的尺寸”是指孔徑或間隙寬度的尺寸范圍。所述石墨烯層110中所述微孔和間隙可以同時存在并且兩者尺寸可以在上述尺寸范圍內(nèi)不同。所述空隙112的尺寸為10納米～300微米，比如10納米、1微米、10微米、80微米或120微米等。所述間隙的尺寸越小，有利于在生長外延層的過程中減少位錯等缺陷的產(chǎn)生，以獲得高質(zhì)量的外延層120。優(yōu)選地，所述空隙112的尺寸為10納米～10微米。進(jìn)一步地，所述石墨烯層110的占空比為1:100～100:1，如1:10、1:2、1:4、4:1、2:1或10:1。優(yōu)選地，所述占空比為1:4～4:1。所謂“占空比”指該石墨烯層110設(shè)置于基底100的外延生長面101后，該外延生長面101被石墨烯層110占據(jù)的部分與通過空隙112暴露的部分的面積比。本實(shí)施例中，所述空隙112在所述石墨烯層110中均勻分布，且所述空隙112為條形。如圖7所述，所述“圖形化結(jié)構(gòu)”也可以為設(shè)置于基底100表面的多個間隔設(shè)置的條形石墨烯薄膜形成的石墨烯層110，且相鄰兩個條形石墨烯薄膜之間形成多個空隙112。當(dāng)所述石墨烯層110設(shè)置在所述基底100的外延生長面101時，使所述外延生長面101對應(yīng)空隙112的部分暴露出來。所述石墨烯層110可以直接生長在所述基底100的外延生長面101，也可以先制備石墨烯后再轉(zhuǎn)移至所述基底100的外延生長面101。所述石墨烯粉末可以通過液相剝離法、插層剝離法、剖開碳納米管法、溶劑熱法、有機(jī)合成法等方法制備。所述石墨烯薄膜可以通過化學(xué)氣相沉積(CVD)法、機(jī)械剝離法、靜電沉積法、碳化硅(SiC)熱解法、外延生長法等方法制備。本實(shí)施例中，所述石墨烯層110為一圖案化的單層石墨烯薄膜，在所述圖案化的外延生長面101設(shè)置所述單層石墨烯薄膜的方法具體包括以下步驟：步驟S131，制備一單層石墨烯薄膜；步驟S132，將該單層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移至基底100的外延生長面101；以及步驟S133，將該單層石墨烯薄膜圖案化。在步驟S131中，所述石墨烯薄膜通過CVD法制備，具體包括以下步驟：步驟S131a，提供一Si/SiO2襯底；步驟S131b，在Si/SiO2襯底上沉積金屬催化劑層；步驟S131c，對金屬催化劑層進(jìn)行退火處理；以及步驟S131d，在碳源氣氛中生長石墨烯薄膜。所述步驟S131a中，所述Si層的厚度為300微米～1000微米，所述SiO2層的厚度為100納米～500納米。本實(shí)施例中，所述Si層的厚度為600微米，所述SiO2層的厚度為300納米。所述步驟S131b中，所述金屬催化劑層的材料包括銅、鎳、鐵、金等，所述金屬催化劑層的厚度為100納米～800納米。所述金屬催化劑層可以通過化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積(PVD)、磁控濺射或電子束蒸鍍等方法制備。本實(shí)施例中，采用電子束蒸鍍法在SiO2層表面沉積一厚度為500納米的金屬鎳。所述步驟S131c中，所述退火溫度為900℃～1000℃；所述退火的氣氛為氬氣和氫氣混合氣體，其中氬氣的流量為600sccm，氫氣的流量為500sccm；所述退火時間為10分鐘～20分鐘。所述步驟S131d中，所述生長溫度為900℃～1000℃；所述碳源氣為甲烷；所述生長時間為5分鐘～10分鐘。在步驟S132中，將該單層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移至基底100的外延生長面101的轉(zhuǎn)移方法具體包括以下步驟：步驟S132a，在石墨烯薄膜表面涂覆有機(jī)膠體或聚合物作為支撐體；步驟S132b，對涂覆有機(jī)膠體或聚合物的石墨烯薄膜烘烤堅(jiān)膜；步驟S132c，將堅(jiān)膜后的石墨烯薄膜以及Si/SiO2襯底一起浸泡在去離子水中使金屬催化劑層和SiO2層分離；步驟S132d，將分離后的支撐體/石墨烯薄膜/金屬催化劑層復(fù)合結(jié)構(gòu)去除金屬催化劑層；步驟S132e，將支撐體/石墨烯薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)設(shè)置在外延生長面101，并加熱使石墨烯薄膜與外延生長面101牢固結(jié)合；以及步驟S132f，去除支撐體。所述步驟S132a中，所述支撐體的材料為聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚二甲基硅氧烷、光刻正膠9912、光刻膠AZ5206中的一種或多種。在所述步驟S132b中，所述烘烤的溫度為100℃～185℃。在所述步驟S132c中，浸泡在去離子水中之后，對所述金屬催化劑層和SiO2層進(jìn)行超聲處理。在所述步驟S132d中，通過化學(xué)液腐蝕去除金屬催化劑層，該化學(xué)液可以為硝酸、鹽酸、氯化鐵(FeCl3)、硝酸鐵(Fe(NO3)3)等。在所述步驟S132f中，去除支撐體的方法為先用丙酮和乙醇浸泡，然后在保護(hù)氣體中加熱到約400℃。在步驟S133中，所述圖案化的方法包括光催化二氧化鈦切割法、離子束刻蝕法、原子力顯微鏡刻蝕法、等離子體刻蝕法等。本實(shí)施例中，通過光催化二氧化鈦切割石墨烯薄膜，具體包括以下步驟：步驟S133a，制備一圖案化的金屬鈦層；步驟S133b，將該圖案化的金屬鈦層加熱氧化得到一圖案化的二氧化鈦層；步驟S133c，將該圖案化的二氧化鈦層與石墨烯薄膜接觸，并采用紫外光照射該圖案化的二氧化鈦層；以及步驟S133d，去除圖案化的二氧化鈦層?？梢岳斫猓摲椒ㄖ?，得到的石墨烯層110的圖案與所述二氧化鈦層的圖案相互嚙合，即所述石墨烯薄膜中與二氧化鈦層對應(yīng)的地方被去除。在步驟S133a中，所述圖案化的金屬鈦層可以通過掩模蒸鍍法或光刻曝光法制備形成在一石英基底表面。所述石英基底的厚度為300微米～1000微米，所述金屬鈦層的厚度為3納米～10納米。本實(shí)施例中，所述石英基底的厚度為500微米，所述金屬鈦層的厚度為4納米。所述圖案化的金屬鈦層中，所述圖案為多個條形的開口，并且所述條形的開口沿同一方向延伸。所述步驟S133b中，將圖案化的金屬鈦層在500℃～600℃條件下加熱1小時～2小時。所述步驟S133c中，所述金屬鈦層中所述開口的延伸方向可平行于所述基底100中凹槽103的延伸方向，也可以與所述凹槽103的延伸方向呈一定角度。優(yōu)選的，所述金屬鈦層中所述開口的延伸方向垂直于所述凹槽103的延伸方向設(shè)置，從而可減少后續(xù)外延層120生長過程中的位錯密度，進(jìn)一步提高外延層120的生長質(zhì)量。本實(shí)施例中，所述金屬鈦層所述開口的延伸方向平行于所述凹槽103的延伸方向設(shè)置。所述紫外光的波長為200納米～500納米，所述紫外光照射的氣氛為空氣或氧氣，所述紫外光照射的環(huán)境濕度為40％～75％，所述紫外光照射的時間為30分鐘～90分鐘。由于二氧化鈦為光催化半導(dǎo)體材料，在紫外光照射下會產(chǎn)生電子與空穴的分離。該電子與空穴分別被二氧化鈦表面的Ti(IV)和晶格氧所捕獲，從而具有很強(qiáng)的氧化還原能力。被捕獲的電子與空穴很容易氧化還原空氣中的氧氣和水而形成O2和H2O2等活性物質(zhì)，該活性物質(zhì)可以將石墨烯薄膜分解，從而在石墨烯層110中形成多個條形空隙112，并且所述空隙112的延伸方向平行于所述凹槽103的延伸方向?？梢岳斫?，在步驟S133a中，還可以通過將金屬鈦直接沉積在一圖案化的碳納米管結(jié)構(gòu)表面，從而形成一圖案化的金屬鈦層。該碳納米管結(jié)構(gòu)可以為碳納米管膜，碳納米管線或其組合。當(dāng)該碳納米管結(jié)構(gòu)為多個碳納米管線時，該多個碳納米管線可以平行間隔或交叉設(shè)置，由于碳納米管線之間具有微孔或間隙，所以該多個碳納米管線形成一圖案化結(jié)構(gòu)。當(dāng)該碳納米管結(jié)構(gòu)為碳納米管膜時，由于碳納米管膜中的碳納米管之間具有微孔或間隙，所以該碳納米管膜形成一圖形化結(jié)構(gòu)。由于金屬鈦層直接沉積在碳納米管膜中的碳納米管表面，所以也形成一圖形化結(jié)構(gòu)。在步驟S133b中，可以通過給碳納米管通入電流的方式加熱氧化碳納米管表面的金屬鈦。在步驟S133c中，與碳納米管對應(yīng)位置的石墨烯被分解去除形成空隙112。由于碳納米管的直徑僅為0.5納米～50納米，所以可以制備出幾十納米尺寸的空隙112。通過選擇碳納米管的直徑可以控制石墨烯層110的空隙112的尺寸。該碳納米管結(jié)構(gòu)為一自支撐結(jié)構(gòu)。所謂“自支撐”指該碳納米管結(jié)構(gòu)不需要大面積的載體支撐，而只要相對兩邊提供支撐力即能整體上懸空而保持自身狀態(tài)，即將該碳納米管結(jié)構(gòu)置于(或固定于)間隔特定距離設(shè)置的兩個支撐體上時，位于兩個支撐體之間的碳納米管結(jié)構(gòu)能夠懸空保持自身狀態(tài)。由于該碳納米管結(jié)構(gòu)為一自支撐結(jié)構(gòu)，所以通過將碳納米管結(jié)構(gòu)移開，可以方便的去除圖案化的二氧化鈦層。例如，首先，將多個平行間隔設(shè)置的碳納米管線表面沉積金屬鈦，然后通過加熱將金屬鈦氧化形成二氧化鈦；其次，將該多個平行間隔設(shè)置的碳納米管線設(shè)置于連續(xù)的石墨烯涂層表面，并采用紫外光照射該多個平行間隔設(shè)置的碳納米管線；最后，將多個平行間隔設(shè)置的碳納米管線去除得到具有多個條形開口的石墨烯層110。所述碳納米管膜可以為一從碳納米管陣列中拉取獲得自支撐結(jié)構(gòu)。參見圖8和圖9，具體地，所述碳納米管膜包括多個連續(xù)且定向延伸的碳納米管片段143。該多個碳納米管片段143通過范德華力首尾相連。每一碳納米管片段143包括多個相互平行的碳納米管145，該多個相互平行的碳納米管145通過范德華力緊密結(jié)合。該碳納米管片段143具有任意的長度、厚度、均勻性及形狀。所述碳納米管膜可通過從一碳納米管陣列中選定部分碳納米管后直接拉取獲得。所述碳納米管膜的厚度為1納米～100微米，寬度與拉取出該碳納米管膜的碳納米管陣列的尺寸有關(guān)，長度不限。所述碳納米管膜中相鄰的碳納米管之間存在微孔或間隙從而構(gòu)成空隙112，且該微孔的孔徑或間隙的尺寸小于10微米。優(yōu)選地，所述碳納米管膜的厚度為100納米～10微米。該碳納米管膜中的碳納米管145沿同一方向擇優(yōu)取向延伸。所述碳納米管膜及其制備方法具體請參見申請人于2007年2月9日申請的，于2010年5月26日公告的第CN101239712B號中國公開專利“碳納米管膜結(jié)構(gòu)及其制備方法”。為節(jié)省篇幅，僅引用于此，但上述申請所有技術(shù)揭露也應(yīng)視為本發(fā)明申請技術(shù)揭露的一部分。請參閱圖10，當(dāng)多層碳納米管膜層疊設(shè)置時，相鄰兩層碳納米管膜中的碳納米管的延伸方向形成一交叉角度α，且α大于等于0度小于等于90度(0°≤α≤90°)。所述石墨烯層110還可以為一包括石墨烯以及添加材料的復(fù)合結(jié)構(gòu)。所述添加材料包括碳納米管、碳化硅、氮化硼、氮化硅、二氧化硅、無定形碳等中的一種或多種。所述添加材料還可以包括金屬碳化物、金屬氧化物及金屬氮化物等中的一種或多種。所述添加材料可以通過化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、磁控濺射等方法形成于石墨烯的表面。所述石墨烯層110起著生長外延層120的掩模作用。所謂“掩模”是指該石墨烯層110用于遮擋所述基底100的部分外延生長面101，且暴露部分外延生長面101，從而使得外延層120僅從所述外延生長面101暴露的部分生長。由于石墨烯層110具有多個空隙112，所以該石墨烯層110形成一圖案化的掩模。由于所述石墨烯層110在所述基底100的外延生長面101形成多個空隙112，從而使得所述基底100的外延生長面101上具有一圖案化的掩模。可以理解，所述基底100和石墨烯層110共同構(gòu)成了用于后續(xù)生長外延層的襯底。該襯底可用于生長不同材料的外延層120，如半導(dǎo)體外延層、金屬外延層或合金外延層。該襯底也可用于生長同質(zhì)外延層，從而得到一同質(zhì)外延結(jié)構(gòu)體。在步驟S14中，所述外延層120的生長方法可以通過分子束外延法(MBE)、化學(xué)束外延法(CBE)、減壓外延法、低溫外延法、選擇外延法、液相沉積外延法(LPE)、金屬有機(jī)氣相外延法(MOVPE)、超真空化學(xué)氣相沉積法(UHVCVD)、氫化物氣相外延法(HVPE)、以及金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)等中的一種或多種實(shí)現(xiàn)。所述外延層120指通過外延法生長在基底100的外延生長面101的單晶結(jié)構(gòu)體，其材料不同于基底100，所以稱外延層120。所述外延層120的生長的厚度可以根據(jù)需要制備。具體地，所述外延層120的生長的厚度可以為0.5納米～1毫米。例如，所述外延層120的生長的厚度可以為100納米～500微米，或200納米～200微米，或500納米～100微米。所述外延層120可以為一半導(dǎo)體外延層，且該半導(dǎo)體外延層的材料為GaMnAs、GaAlAs、GaInAs、GaAs、SiGe、InP、Si、AlN、GaN、GaInN、AlInN、GaAlN或AlGaInN。所述外延層120可以為一金屬外延層，且該金屬外延層的材料為鋁、鉑、銅或銀。所述外延層120可以為一合金外延層，且該合金外延層的材料為MnGa、CoMnGa或Co2MnGa。本實(shí)施采用MOCVD工藝進(jìn)行外延生長。其中，采用高純氨氣(NH3)作為氮的源氣，采用氫氣(H2)作載氣，采用三甲基鎵(TMGa)或三乙基鎵(TEGa)、三甲基銦(TMIn)、三甲基鋁(TMAl)作為Ga源、In源和Al源。具體包括以下步驟：步驟S141，將藍(lán)寶石基底100置入反應(yīng)室，加熱到1100℃～1200℃，并通入H2、N2或其混合氣體作為載氣，高溫烘烤200秒～1000秒。步驟S142，繼續(xù)同入載氣，并降溫到500℃～650℃，通入三甲基鎵或三乙基鎵以及氨氣，生長GaN低溫緩沖層，其厚度10納米～50納米。然后，停止通入三甲基鎵或三乙基鎵，繼續(xù)通入氨氣和載氣，同時將溫度升高到1100℃～1200℃，并恒溫保持30秒～300秒，進(jìn)行退火。步驟S143，將基底100的溫度保持在1000℃～1100℃，繼續(xù)通入氨氣和載氣，同時重新通入三甲基鎵或三乙基鎵，在高溫下完成GaN的側(cè)向外延生長過程，并生長出高質(zhì)量的GaN外延層。請參閱圖11，具體地，所述外延層120的生長過程具體包括以下生長階段：第一階段：混合氣體沿著基本垂直于所述基底100的外延生長面101方向成核并外延生長形成多個外延晶粒1202；第二階段：所述多個外延晶粒1202沿著基本平行于所述基底100的外延生長面101方向外延生長形成一連續(xù)的外延薄膜1204；第三階段：所述外延薄膜1204沿著基本垂直于所述基底100的外延生長面101方向外延生長形成一外延層120。第一階段中，多個外延晶粒1202進(jìn)行縱向外延生長。該步驟中基于所述外延生長面101與石墨烯層110配合關(guān)系的不同，外延層120生長形態(tài)也有所不同，由于位于兩個凹槽103之間的部分石墨烯層110與所述外延生長面101直接接觸，所述外延晶粒1202直接從石墨烯層110的空隙112中生長出來；由于位于凹槽103上方的部分石墨烯層110懸空在所述凹槽103上方，該凹槽103處外延晶粒1202從凹槽103內(nèi)的基底100的表面開始生長，生長到懸空設(shè)置于凹槽103上的石墨烯層110所在的水平面后，透過所述石墨烯層110從所述石墨烯層110的空隙112中生長出來。第二階段中，通過控制生長條件使所述多個外延晶粒1202沿著基本平行于所述基底100的外延生長面101的方向同質(zhì)外延生長并連成一體將所述石墨烯層110覆蓋。即，該步驟中所述多個外延晶粒1202進(jìn)行側(cè)向外延生長直接合攏，并最終在石墨烯周圍形成多個孔洞(圖未示)將石墨烯包圍。由于所述石墨烯層110的表面非常光滑，因此所述外延晶粒1202在生長形成石墨烯層110表面的過程中，所述石墨烯層110的表面亦非常光滑。所述石墨烯層110被包覆于所述外延層120中，即在外延層120中形成有多個孔洞，所述石墨烯層110中的石墨烯被包覆于該孔洞中。所述孔洞相互連通形成一連續(xù)的通道，該通道中的石墨烯相互連接保持連續(xù)結(jié)構(gòu)。第三階段中，所述外延層120將所述石墨烯層110覆蓋，并滲透所述石墨烯層110的多個空隙112與所述基底100的外延生長面101接觸，即所述石墨烯層110的多個空隙112中均滲透有所述外延層120，且所述基底100的凹槽103中填充有外延層120。由于所述凹槽103及所述石墨烯層110的存在，使得外延晶粒1202與基底100之間的晶格位錯在形成連續(xù)的外延薄膜1204的過程中停止生長。因此，該步驟的外延層120相當(dāng)于在沒有缺陷的外延薄膜1204表面進(jìn)行同質(zhì)外延生長。所述外延層120具有較少的缺陷。并且，所述石墨烯層110的表面非常光滑，因此所述外延層120靠近所述基底100的表面亦形成一非常光滑的表面。請一并參閱圖12及13，本發(fā)明第一實(shí)施例進(jìn)一步提供一種外延結(jié)構(gòu)體10，其包括：一基底100，一石墨烯層110以及一外延層120。所述基底100一表面具有多個凹槽103形成一圖案化的表面。所述石墨烯層110設(shè)置于所述基底100圖案化的表面，該石墨烯層110具有多個空隙112，所述基底100圖案化的表面對應(yīng)所述石墨烯層110的空隙112的部分暴露。所述外延層120設(shè)置于所述基底100圖案化的表面，并覆蓋所述石墨烯層110。所述石墨烯層110設(shè)置于所述外延層120與基底100之間。具體的，所述石墨烯層110夾持于所述基底100與所述外延層120之間。所述基底100一表面包括多個凹槽103及凸起，形成圖案化的表面，該圖案化的表面為一外延生長面，所述石墨烯層110整體平鋪于該圖案化的表面，對應(yīng)凹槽103位置處的石墨烯層110處于懸空狀態(tài)，即所述石墨烯層110中間不與所述凹槽103的任何表面直接接觸，所述凹槽103之間的石墨烯層110貼附于所述圖案化的表面。具體的，對應(yīng)凸起位置處的石墨烯層110夾持于基底100與外延層120之間，對應(yīng)凹槽103位置處的石墨烯層110嵌入所述外延層120中。本實(shí)施例中，所述凹槽103沿同一方向延伸。所述石墨烯層110具有多個空隙112，對應(yīng)該空隙112位置處的外延層120與所述基底100相接觸，即所述空隙112位置處的外延層120貫穿所述石墨烯層110，與所述基底100接觸。本實(shí)施例中，所述石墨烯層110的空隙112沿同一方向延伸，并且所述空隙112的延伸方向平行于所述凹槽103的延伸方向。進(jìn)一步的，所述空隙112的延伸方向也可與所述凹槽103的延伸方向呈一定角度，優(yōu)選的，所述空隙112的延伸方向垂直于所述凹槽103的延伸方向。所述外延層120與外延生長面101相接觸的表面，與所述圖案化的外延生長面101相耦合。所述耦合是指，對應(yīng)所述外延生長面101所述凹槽103的位置處，所述外延層120的表面形成一凸起，對應(yīng)所述外延生長面101所述凸起處，所述外延層120的表面形成一凹槽。并且，所述外延層120貫穿所述石墨烯層110中的空隙112，與所述外延生長面101相接觸，從而所述外延層120與所述外延生長面101將所述石墨烯層110包覆起來。具體的，對應(yīng)凹槽103位置處的石墨烯層110包覆于所述外延層120中，對應(yīng)相鄰凹槽103之間位置處的石墨烯層110夾持于所述基底100與所述外延層120之間。所述外延層120中具有多個孔洞，所述石墨烯層110中的石墨烯包覆于該孔洞中。所述外延層120的厚度可以根據(jù)需要制備。具體地，所述外延層120的厚度可以為0.5納米～1毫米。例如，所述外延層120的厚度可以為100納米～500微米，或200納米～200微米，或500納米～100微米。所述外延層120可以為一半導(dǎo)體外延層，如GaMnAs、GaAlAs、GaInAs、GaAs、SiGe、InP、Si、AlN、GaN、GaInN、AlInN、GaAlN或AlGaInN等。所述外延層120也可以為一金屬外延層，如鋁、鉑、銅或銀等。所述外延層120還可以為一合金外延層，如MnGa、CoMnGa或Co2MnGa等。請一并參閱圖14及圖15，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種外延結(jié)構(gòu)體20，其包括：一基底100，一石墨烯層110以及一外延層120。所述基底100一表面具有多個凹槽103形成一圖案化的表面。所述石墨烯層110設(shè)置于所述基底100圖案化的表面，該石墨烯層110具有多個空隙112，所述基底100圖案化的表面對應(yīng)所述石墨烯層110的空隙112的部分暴露。所述外延層120設(shè)置于所述基底100圖案化的表面，并覆蓋所述石墨烯層110。所述石墨烯層110設(shè)置于所述外延層120與基底100之間。本發(fā)明第二實(shí)施例提供的外延結(jié)構(gòu)體20與所述外延結(jié)構(gòu)體10基本相同，其不同在于，本實(shí)施例中，所述石墨烯層110所述空隙112為微孔結(jié)構(gòu)。所述外延結(jié)構(gòu)體20的制備方法與本發(fā)明第一實(shí)施例的外延結(jié)構(gòu)體10的制備方法基本相同，其區(qū)別在于，所述石墨烯層110由單層石墨烯薄膜組成，本發(fā)明第二實(shí)施例中在石墨烯層110中形成多個微孔結(jié)構(gòu)，所述微孔結(jié)構(gòu)的制備方法包括以下步驟：首先，將一陽極氧化鋁模板(AnodicAluminumOxideTemplate)設(shè)置于該單層石墨烯薄膜表面；其次，通過等離子體刻蝕法將該單層石墨烯薄膜圖案化。其中，所述陽極氧化鋁模板具有多個成陣列排布的微孔，與陽極氧化鋁模板微孔對應(yīng)處的石墨烯薄膜被等離子體刻蝕去除，從而得到的石墨烯層110為一具有多個微孔的連續(xù)石墨烯薄膜。請一并參閱圖16，本發(fā)明第三實(shí)施例提供一種外延結(jié)構(gòu)體30，其包括：一基底100，一石墨烯層110以及一外延層120。所述外延結(jié)構(gòu)體30與所述外延結(jié)構(gòu)體10的結(jié)構(gòu)基本相同，其不同在于，所述石墨烯層110為多個間隔設(shè)置的條形石墨烯，且每個條形石墨烯為多個石墨烯粉末組成的整體結(jié)構(gòu)，所述條形石墨烯的延伸方向與所述凹槽103的延伸方向交叉。優(yōu)選的，所述條形石墨烯的延伸方向垂直于所述凹槽103的延伸方向。所述外延結(jié)構(gòu)體30與所述外延結(jié)構(gòu)體10的制備方法基本相同，其不同在于，在刻蝕所述石墨烯層110的過程中，所述石墨烯層110中形成的空隙112垂直于所述凹槽103的延伸方向。請參閱圖17，本發(fā)明第四實(shí)施例提供一種外延結(jié)構(gòu)體40的制備方法，主要包括以下步驟：步驟S21，提供一基底100，該基底100具有一外延生長面101；步驟S22，圖案化處理所述外延生長面101，形成多個凹槽103；步驟S23，在所述圖案化的外延生長面101平鋪一圖案化的石墨烯層110；步驟S24，在所述設(shè)置有石墨烯層110的外延生長面101生長一外延層120。本發(fā)明第四實(shí)施例中，外延結(jié)構(gòu)體40的制備方法與本發(fā)明第一實(shí)施例的外延結(jié)構(gòu)體10的制備方法基本相同，其區(qū)別在于，本發(fā)明第四實(shí)施例中，所述石墨烯層110平鋪于所述圖案化的外延生長面101，且所述石墨烯層110的起伏趨勢與所述外延生長面101的起伏趨勢相同。在步驟S23中，所述石墨烯層110為多個間隔設(shè)置的條形石墨烯，且每個條形石墨烯為多個石墨烯粉末組成的整體結(jié)構(gòu)。所述石墨烯層110的制備方法以及將所述石墨烯層110設(shè)置于基底100表面的方法包括以下步驟：首先，制備一石墨烯粉末溶液。所述石墨烯粉末可以通過液相剝離法、插層剝離法、剖開碳納米管法、溶劑熱法、有機(jī)合成法等方法制備。所述石墨烯粉末溶液的溶劑可以為水、乙醇、N-甲基吡咯烷酮、四氫呋喃以及2-氮甲基乙酰胺中的一種或多種。所述石墨烯粉末溶液的濃度為1毫克/毫升～3毫克/毫升。其次，在基底100的外延生長面101形成連續(xù)的石墨烯涂層。本實(shí)施例，將石墨烯粉末溶液滴到基底100的外延生長面101，并進(jìn)行甩膜旋涂處理，從而得到連續(xù)的石墨烯涂層。所述甩膜旋涂的轉(zhuǎn)速為3000轉(zhuǎn)/分鐘～5000轉(zhuǎn)/分鐘，所述甩膜旋涂的時間為1分鐘～2分鐘。最后，將該連續(xù)的石墨烯涂層圖案化。所述將該連續(xù)的石墨烯涂層圖案化方法包括光催化二氧化鈦切割法、離子束刻蝕法、原子力顯微鏡刻蝕法、以及等離子體刻蝕法中的一種或多種。本實(shí)施例中，通過光催化二氧化鈦切割石墨烯薄膜，具體包括以下步驟：(a)制備一圖案化的金屬鈦層；(b)將該圖案化的金屬鈦層加熱氧化得到一圖案化的二氧化鈦層；(c)將該圖案化的二氧化鈦層與石墨烯薄膜接觸，并采用紫外光照射該圖案化的二氧化鈦層；以及(d)去除圖案化的二氧化鈦層?？梢岳斫?，該方法中，得到的石墨烯層110的圖案為所述圖案化的二氧化鈦層的倒結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中所述石墨烯層110由石墨烯粉末組成，對應(yīng)凹槽103位置處的石墨烯層110貼附于所述凹槽103的底面及側(cè)面，從而是所述石墨烯層110整體貼附于所述圖案化的外延生長面101，即所述石墨烯層110的起伏趨勢與所述外延生長面101的起伏趨勢相同。在步驟S24中，由于所述石墨烯層110貼附于所述圖案化的外延生長面101，對應(yīng)凹槽103位置處的石墨烯層110貼附在所述凹槽103的底面及側(cè)面，因此所述外延層120在生長過程中，所述外延晶粒1202從所述石墨烯層110的空隙112中生長出來，并逐漸填滿所述凹槽103。而對應(yīng)凹槽103之間位置處，所述外延晶粒1202的生長速度小于所述凹槽103位置處的生長速度，因此當(dāng)所述外延晶粒1202將所述凹槽103填滿后，相互之間逐漸融合并水平生長，形成所述外延層120。所述石墨烯層110夾持于所述基底100與所述外延層120之間，所述外延層120貫穿所述石墨烯層110中的空隙112，并與所述外延生長面101相接觸。請一并參閱圖18，本發(fā)明第五實(shí)施例提供一種外延結(jié)構(gòu)體40，所述外延結(jié)構(gòu)體40包括依次層疊設(shè)置的一基底100，一石墨烯層110及一外延層120。所述基底100一表面具有多個凹槽103形成一圖案化的外延生長面101，所述石墨烯層110設(shè)置于所述圖案化的外延生長面101，對應(yīng)凹槽103位置處的石墨烯層110貼附于所述凹槽103底面，所述外延層120覆蓋所述石墨烯層110。本發(fā)明第五實(shí)施例提供的外延結(jié)構(gòu)體40與第一實(shí)施例中所述外延結(jié)構(gòu)體10結(jié)構(gòu)基本相同，其不同在于，所述外延結(jié)構(gòu)體40中，對應(yīng)凹槽103位置處的石墨烯層110貼附于所述凹槽103的底面及側(cè)面，從而使所述石墨烯層110整體貼附于所述整個圖案化的外延生長面101。所述外延層120覆蓋所述石墨烯層110，具體的，所述外延層120與所述基底100將所述石墨烯層110夾持于二者之間，所述外延層120與基底100接觸的表面形成多個孔洞，所述石墨烯層110嵌入所述孔洞中。請參閱圖19，本發(fā)明第六實(shí)施例提供一種外延結(jié)構(gòu)體50，其包括：一基底100，一石墨烯層110以及一外延層120，所述基底100具有多個凹槽103。本發(fā)明第六實(shí)施例中的外延結(jié)構(gòu)體50的基底100和外延層120的材料，以及基底100、石墨烯層110與外延層120的位置關(guān)系與第一實(shí)施例的外延結(jié)構(gòu)體10基本相同，其區(qū)別在于，本發(fā)明第六實(shí)施例的石墨烯層110為分散的石墨烯粉末。相鄰的石墨烯粉末之間形成所述石墨烯層110的空隙。所述外延結(jié)構(gòu)體50的制備方法與本發(fā)明第一實(shí)施例的外延結(jié)構(gòu)體10的制備方法基本相同，其區(qū)別在于，直接將石墨烯粉末分散在基底100的外延生長面。本發(fā)明通過將圖案化的石墨烯層設(shè)置于圖案化的外延生長面作為外延襯底制備的外延結(jié)構(gòu)體及其制備方法，具有以下有益效果：第一，所述基底具有一圖案化的生長面，該圖案化的表面具有多個微米級的微結(jié)構(gòu)，因此可減小外延生長過程中的位錯缺陷。第二，所述石墨烯層為圖形化結(jié)構(gòu)，其厚度、空隙尺寸均可達(dá)到納米級，用來生長外延層時形成的外延晶粒具有更小的尺寸，有利于進(jìn)一步減少位錯缺陷的產(chǎn)生，以獲得高質(zhì)量的外延層。第三，所述基底的外延生長面具有多個微米級的微結(jié)構(gòu)，且所述石墨烯層的空隙尺寸為納米級，因此所述外延層從暴露的外延生長面生長，使得生長的外延層與基底之間的接觸面積減小，減小了生長過程中外延層與基底之間的應(yīng)力，從而可以生長厚度較大的外延層，可進(jìn)一步提高外延層的質(zhì)量。第四，由于所述石墨烯薄膜具有極其光滑的表面，以此做為掩模生長的外延層亦形成一光滑的表面，從而使的形成的外延結(jié)構(gòu)體具有良好的性能。第五，所述外延結(jié)構(gòu)體具有更少的位錯缺陷，更高的質(zhì)量，從而可用于制備性能更加優(yōu)良的電子器件。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)作其它變化，當(dāng)然這些依據(jù)本發(fā)明精神所作的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍內(nèi)。