技術(shù)特征：
1.一種外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述外延結(jié)構(gòu)體包括依次層疊設(shè)置的一基底，一石墨烯層及一外延層，所述基底與所述外延層接觸的表面具有多個(gè)微米級(jí)凹陷，相鄰的凹陷之間形成凸起，形成一圖案化的表面，所述石墨烯層設(shè)置于所述圖案化的表面，所述外延層與所述基底接觸的表面與所述圖案化的表面耦合，對(duì)應(yīng)凸起位置處的石墨烯層夾持于基底與外延層之間，對(duì)應(yīng)凹陷位置處的石墨烯層貼附于所述凹陷的底面及側(cè)面，所述石墨烯層整體貼附于整個(gè)所述圖案化的表面，并嵌入所述外延層中，所述石墨烯層由一單層石墨烯組成。2.如權(quán)利要求1所述的外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述石墨烯層中具有多個(gè)空隙，所述空隙從所述石墨烯層的厚度方向貫穿所述石墨烯層。3.如權(quán)利要求2所述的外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述空隙的形狀為圓形、方形、三角形、菱形或矩形。4.如權(quán)利要求2所述的外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述空隙的尺寸為10納米至10微米，所述石墨烯的占空比為1：4至4：1。5.如權(quán)利要求2所述的外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述外延層貫穿所述石墨烯層中的空隙與所述基底相接觸。6.如權(quán)利要求2所述的外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述空隙為多個(gè)沿同一方向延伸的條形的間隙。7.如權(quán)利要求6所述的外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述凹陷為多個(gè)沿同一方向延伸的凹槽，所述凹槽的延伸方向與所述空隙的延伸方向平行或交叉。8.如權(quán)利要求7所述的外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述凹槽的延伸方向垂直于所述空隙的延伸方向。9.如權(quán)利要求7所述的外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述凹槽的寬度為1微米～50微米，深度為0.1微米～1微米，相鄰凹槽之間的間距為1微米～20微米。10.如權(quán)利要求1所述的外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述石墨烯層為多個(gè)間隔設(shè)置的圖形，且相鄰兩個(gè)圖形之間形成多個(gè)空隙。11.如權(quán)利要求10所述的外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述石墨烯層為多個(gè)間隔設(shè)置的條形石墨烯。12.如權(quán)利要求1所述的外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，在所述外延層中具有多個(gè)孔洞，所述石墨烯層嵌入所述孔洞中。13.如權(quán)利要求1所述的外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述外延層的材料與所述基底的材料相同。14.一種外延結(jié)構(gòu)體，所述外延結(jié)構(gòu)體包括：一基底，所述基底一表面具有多個(gè)微米級(jí)的凹陷，形成一圖案化的表面；一石墨烯層，所述石墨烯層設(shè)置于所述圖案化的表面，所述石墨烯層具有多個(gè)空隙，所述石墨烯層的起伏趨勢(shì)與圖案化的表面的起伏趨勢(shì)相同，所述石墨烯層貼附于所述多個(gè)凹陷的底面及側(cè)面，所述石墨烯層由一單層石墨烯組成，所述單層石墨烯為一連續(xù)的單層碳原子層；以及一外延層，所述外延層形成于所述基底圖案化的表面，所述石墨烯層位于所述外延層與所述基底之間。15.如權(quán)利要求14所述的外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述外延層靠近基底的表面與所述圖案化的表面耦合。16.如權(quán)利要求14所述的外延結(jié)構(gòu)體，其特征在于，所述石墨烯層為分散的石墨烯粉末。17.一種外延結(jié)構(gòu)體，其包括：一基底，該基底具有一圖案化的外延生長(zhǎng)面，以及一外延層形成于所述圖案化的外延生長(zhǎng)面，其特征在于，進(jìn)一步包括一圖案化的單層石墨烯薄膜設(shè)置于所述外延層與基底之間，且該圖案化的單層石墨烯薄膜具有多個(gè)空隙，所述外延層貫穿石墨烯層的多個(gè)空隙與所述基底的外延生長(zhǎng)面接觸，所述單層石墨烯薄膜為一連續(xù)的單層碳原子層，所述外延生長(zhǎng)面具有多個(gè)凹陷，所述石墨烯層貼附于所述多個(gè)凹陷的底面及側(cè)面。