有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：下基板；形成在該下基板上的底層線；以及紅色、綠色、藍(lán)色子像素，紅色、綠色、藍(lán)色子像素的每一個(gè)包括形成在該下基板上的晶體管部分和有機(jī)發(fā)光二極管，其中白色子像素包括第一電極，該第一電極不與該底層線重疊并與該底層線相隔開(kāi)。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001]本申請(qǐng)要求2012年9月26日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2012-0107268和2012年11月20日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2012-0131456的優(yōu)先權(quán)，在此通過(guò)參考的方式將上述專利申請(qǐng)并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003]用于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光元件是自發(fā)光元件，其中發(fā)光層形成在兩個(gè)電極之間。有機(jī)發(fā)光元件是當(dāng)從電子注入電極(陰極)和空穴注入電極(陽(yáng)極)注入電子和空穴到發(fā)光層并且通過(guò)注入的電子和空穴的再組合產(chǎn)生的激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)發(fā)射光的兀件。
[0004]在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，當(dāng)掃描信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)和電力提供到以矩陣形式設(shè)置的多個(gè)子像素時(shí)，包括在選定子像素中的晶體管等被驅(qū)動(dòng)。因此，有機(jī)發(fā)光二極管響應(yīng)于形成于其中的電流發(fā)光，從而顯示圖像。
[0005]一些有機(jī)發(fā)光顯示裝置被實(shí)施為具有紅色、綠色、藍(lán)色和白色子像素結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置(下文中，稱作RGBW OLED),以增加光效率并防止純色的色度和亮度的惡化。
[0006]RGBff OLED利用發(fā)射白光的白光有機(jī)發(fā)光二極管以及將白光轉(zhuǎn)換成紅光、綠光和藍(lán)光的濾色器實(shí)現(xiàn)RGBW。在這種結(jié)構(gòu)中，白色子像素不包括濾色器，因?yàn)槠浒丛瓨影l(fā)射白光?；诖耍咨酉袼氐陌坠庥袡C(jī)發(fā)光二極管形成層低于紅色、綠色、藍(lán)色子像素的那些形成層。因此，底層線和白光有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極之間的垂直距離較短。也就是說(shuō)，白色子像素具有小于其它子像素的臺(tái)階差。
[0007]為此，當(dāng)現(xiàn)有RGBW OLED的圖案(例如，絕緣膜、電極等等)由于在處理(例如，光刻、蝕刻、清洗等)期間引入的雜質(zhì)(例如顆粒)而缺失時(shí)，在底層線和包括在白色子像素中的第一電極之間將會(huì)發(fā)生短路或過(guò)電流。由于不同電極之間的這種短路或過(guò)電流導(dǎo)致的裝置的部分燒傷可能會(huì)擴(kuò)散至整個(gè)面板，因此需要解決這種問(wèn)題的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明致力于提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括:下基板；形成在所述下基板上的底層線；以及紅色、綠色、藍(lán)色子像素，所述紅色、綠色、藍(lán)色子像素的每一個(gè)包括形成在所述下基板上的晶體管部分和有機(jī)發(fā)光二極管，其中白色子像素包括第一電極，所述第一電極不與所述底層線重疊并與所述底層線相隔開(kāi)。
[0009]根據(jù)另一個(gè)方面，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括:下基板；形成在所述下基板上的底層線；以及紅色、綠色、藍(lán)色子像素，所述紅色、綠色、藍(lán)色子像素的每一個(gè)包括形成在所述下基板上的晶體管部分和有機(jī)發(fā)光二極管，其中與白色子像素的第一電極的底部接觸的絕緣膜包括非暴露區(qū)域和暴露區(qū)域。[0010]根據(jù)又一個(gè)方面，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:下基板；形成在所述下基板上的底層線；以及紅色、綠色、藍(lán)色子像素，所述紅色、綠色、藍(lán)色子像素的每一個(gè)包括形成在所述下基板上的晶體管部分和有機(jī)發(fā)光二極管，所述方法包括:在絕緣膜上形成所述白色子像素的第一電極，其中所述第一電極不與所述底層線重疊并與所述底層線相隔開(kāi)；在所述絕緣膜上形成用于限定開(kāi)口的堤層；在所述第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層；以及在所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極。
[0011]根據(jù)再一個(gè)方面，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:下基板；形成在所述下基板上的底層線；以及紅色、綠色、藍(lán)色子像素，所述紅色、綠色、藍(lán)色子像素的每一個(gè)包括形成在所述下基板上的晶體管部分和有機(jī)發(fā)光二極管，所述方法包括:在絕緣膜上形成白色子像素的第一電極；在所述絕緣膜上形成用于限定開(kāi)口的堤層；在所述第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層；以及在所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極，其中位于所述第一電極下方的絕緣膜包括非暴露區(qū)域和暴露區(qū)域。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]被包括以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解的附圖并入在本申請(qǐng)中以組成本申請(qǐng)的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式并且與說(shuō)明書(shū)一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0013]圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的構(gòu)造的示意圖；
[0014]圖2示出子像素的電路構(gòu)造；
[0015]圖3是解釋像素構(gòu)造的圖；
[0016]圖4是子像素的示意截面層視圖；
[0017]圖5是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的白色子像素的截面圖；
[0018]圖6示出圖5的白色子像素的第一改型；
[0019]圖7示出圖5的白色子像素的第二改型；
[0020]圖8是用于解釋形成在白色子像素中的第一電極和形成在另一子像素中的第一電極之間的差別的頂部俯視圖；
[0021]圖9是白色子像素結(jié)構(gòu)的截面圖；
[0022]圖10是示出將顆粒引入到圖9的結(jié)構(gòu)的截面圖；
[0023]圖11-14是用于解釋根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的圖；
[0024]圖15是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施方式的白色子像素的截面圖；
[0025]圖16是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施方式的子像素的頂部俯視圖；
[0026]圖17是圖16的區(qū)域A1-A2的截面圖；
[0027]圖18是圖16的區(qū)域B1-B2的截面圖；
[0028]圖19示出圖16的子像素的第一改型；以及
[0029]圖20示出圖16的子像素的第二改型。
【具體實(shí)施方式】
[0030]現(xiàn)在，將更詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施方式，其中的一些例子在附圖中示出。[0031]下文中，將參照附圖描述本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】。
[0032]<第一示例性實(shí)施方式>
[0033]圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的構(gòu)造的示意圖。圖2示出子像素的電路構(gòu)造。圖3是解釋像素構(gòu)造的圖。圖4是子像素的示意截面層視圖。
[0034]如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括時(shí)序控制器130、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器150、掃描驅(qū)動(dòng)器140和面板110。
[0035]時(shí)序控制器130利用諸如垂直同步信號(hào)Vsync、水平同步信號(hào)Hsync、數(shù)據(jù)使能信號(hào)DE和時(shí)鐘信號(hào)CLK之類的時(shí)序信號(hào)控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器150和掃描驅(qū)動(dòng)器140的操作時(shí)序。由于時(shí)序控制器130能夠通過(guò)對(duì)I個(gè)水平周期的數(shù)據(jù)使能信號(hào)計(jì)數(shù)來(lái)確定幀周期，所以可以省略從外部提供的垂直同步信號(hào)Vsync和水平同步信號(hào)Hsync。時(shí)序控制器130產(chǎn)生的控制信號(hào)包括用于控制掃描驅(qū)動(dòng)器140的操作時(shí)序的柵極時(shí)序控制信號(hào)GDC和用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器150的操作時(shí)序的數(shù)據(jù)時(shí)序控制信號(hào)。柵極時(shí)序控制信號(hào)GDC包括柵極起始脈沖、柵極移位時(shí)鐘信號(hào)、柵極輸出使能信號(hào)等等。數(shù)據(jù)時(shí)序控制信號(hào)包括源極起始脈沖、源極采樣時(shí)鐘、極性控制信號(hào)、源極輸出使能信號(hào)等等。
[0036]掃描驅(qū)動(dòng)器140響應(yīng)于從時(shí)序控制器130提供的柵極時(shí)序控制信號(hào)GDC，在對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電壓的電平移位的同時(shí)順序地產(chǎn)生掃描信號(hào)。掃描驅(qū)動(dòng)器140通過(guò)連接到包括在面板100內(nèi)的子像素SP的掃描線SLl-SLm來(lái)提供掃描信號(hào)。
[0037]數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器響應(yīng)于從時(shí)序控制器130提供的數(shù)據(jù)時(shí)序控制信號(hào)DDC采樣并鎖存從時(shí)序控制器130提供的數(shù)據(jù)信號(hào)DATA，并將其轉(zhuǎn)換成具有并行數(shù)據(jù)格式的數(shù)據(jù)信號(hào)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器150將數(shù)據(jù)信號(hào)DATA轉(zhuǎn)換成伽馬參考信號(hào)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器150向連接到包括在面板110內(nèi)的子像素SP的數(shù)據(jù)線DLl-DLn提供數(shù)據(jù)信號(hào)DATA。
[0038]面板110包括在兩個(gè)基板(或膜)之間以矩陣形式設(shè)置的子像素SP。子像素SP根據(jù)其結(jié)構(gòu)可以是頂部發(fā)射型、底部發(fā)射型或雙面發(fā)射型。包括在面板110內(nèi)的子像素SP可被構(gòu)造成包括開(kāi)關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、電容器和有機(jī)發(fā)光二極管的2T1C (2個(gè)晶體管和I個(gè)電容器)結(jié)構(gòu)，或者被構(gòu)造成還包括補(bǔ)償電路的3T1C、4T2C、5T2C或6T2C結(jié)構(gòu)。
[0039]在具有圖2中所示的增加的補(bǔ)償電路的情況下，包括在面板110內(nèi)的子像素具有以下結(jié)構(gòu)。一個(gè)子像素包括開(kāi)關(guān)晶體管SW、驅(qū)動(dòng)晶體管DR、電容器Cst、補(bǔ)償電路CC和有機(jī)發(fā)光二極管WOLED。
[0040]開(kāi)關(guān)晶體管SW響應(yīng)于通過(guò)第一掃描線SLl提供的掃描信號(hào)執(zhí)行開(kāi)關(guān)操作，以存儲(chǔ)通過(guò)第一數(shù)據(jù)線DLl提供的數(shù)據(jù)信號(hào)作為電容器Cst中的數(shù)據(jù)電壓。根據(jù)數(shù)據(jù)電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)晶體管DR以允許與存儲(chǔ)在電容器Cst中的數(shù)據(jù)電壓相對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流在用于提供高電位電力的高電位電力線EVDD和用于提供低電位電力的低電位電力線EVSS之間流動(dòng)。根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管DR產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流來(lái)驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管WOLED發(fā)光。
[0041]補(bǔ)償電路CC補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管DR的閾值電壓。例如，補(bǔ)償電路CC具有二極管連接構(gòu)造或源極跟隨器構(gòu)造以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管DR的閾值電壓。為此，補(bǔ)償電路CC包括一個(gè)或多個(gè)晶體管和電容器。此外，提供初始化電壓、參考電壓或輔助電壓到補(bǔ)償電路CC的確定節(jié)點(diǎn)。補(bǔ)償電路CC的構(gòu)造可以以多種方式變化，因此省略對(duì)它們的詳細(xì)描述和解釋。
[0042]如圖3所示，包括在面板110內(nèi)的子像素SP包括紅色子像素SPr，綠色子像素SPg，藍(lán)色子像素SPb和白色子像素SPw。紅色子像素SPr，綠色子像素SPg，藍(lán)色子像素SPb和白色子像素SPw構(gòu)成一個(gè)像素P。雖然，所示的子像素以r、g、b和w的順序布置，但是，取決于所期望的諸如wrgb、rwgb、rgwb等的顏色格式或取決于所期望的結(jié)構(gòu),可以改變它們的布置順序。為了增加光效率并防止純色亮度和色度的惡化，上述結(jié)構(gòu)除了紅色、綠色、藍(lán)色子像素外還包括白色子像素。
[0043]如圖4所示，紅色子像素SPr，綠色子像素SPg，藍(lán)色子像素SPb和白色子像素SPw通過(guò)RGB濾色器CFr、CFg和CFb轉(zhuǎn)換從白光有機(jī)發(fā)光二極管WOLED發(fā)射的白光，以獲得RGB。
[0044]另一方面，白色子像素SPw包括晶體管部分TFT和白光有機(jī)發(fā)光二極管W0LED。白色子像素SPw不包括濾色器，因?yàn)槠浒l(fā)射從白光有機(jī)發(fā)光二極管WOLED發(fā)出的白光。
[0045]從子像素的示意性截面層視圖可以看出，白色子像素的白光有機(jī)發(fā)光二極管(WOLED)形成層低于紅色、綠色、藍(lán)色子像素的那些形成層。因此，底層線和白光有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極之間的垂直距離較短。
[0046]從圖4所示的關(guān)系yl <y2可以看出，白色子像素SPw具有小于其它子像素SPr-SPb的臺(tái)階差，因?yàn)榘咨酉袼豐Pw不包括濾色器。在底層線和白光有機(jī)發(fā)光二極管WOLED的第一電極之間的垂直距離較小的情況下，當(dāng)現(xiàn)有RGBW OLED的圖案(例如，絕緣膜、電極等等)由于在處理(例如，光刻、蝕刻、清洗等)期間引入的雜質(zhì)(例如顆粒)而缺失時(shí)，在底層線和有機(jī)發(fā)光二極管WOLED的第一電極之間將會(huì)發(fā)生短路或過(guò)電流。短路或過(guò)電流發(fā)生的原因是圖案化絕緣膜期間產(chǎn)生的靜電等以及在底層線和白光有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極之間較短的垂直距離。
[0047]為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的白色子像素SPw的結(jié)構(gòu)改型如下。
[0048]圖5是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的白色子像素的截面圖。圖6示出了圖5的白色子像素的第一改型。圖7示出了圖5的白色子像素的第二改型。圖8是用于解釋形成在白色子像素中的第一電極和形成在另一子像素中的第一電極之間的差別的頂部俯視圖。
[0049]如圖5-7所示，白色子像素區(qū)域SPw_A和紅色子像素區(qū)域SPr_A形成在下基板IlOa上。白色子像素區(qū)域SPw_A中所示的驅(qū)動(dòng)晶體管DT和白光有機(jī)發(fā)光二極管WOLED包括在白色子像素中。紅色子像素區(qū)域SPr_A中所示的R濾色器117r包括在紅色子像素中。此外，白色子像素區(qū)域SPw_A和紅色子像素區(qū)域SPr_A之間所示的底層線WIRE連接到紅色子像素。下面將具體描述截面結(jié)構(gòu)，并且根據(jù)需要將只提及子像素區(qū)域之間的差別。
[0050]柵極Illa和第一金屬層Illb形成在下基板IlOa上。柵極Illa和第一金屬層Illb彼此隔開(kāi)。柵極Illa和第一金屬層Illb可以是選自由Mo、Al、Cr、Au、T1、Ni和Cu組成的集合中的一種或其合金，并且可以形成為單層或多層。
[0051]第一絕緣膜112形成在柵極Illa和第一金屬層Illb上。第一絕緣膜112被形成為暴露一部分第一金屬層111b。選擇硅氧化物膜SiOx或硅氮化物膜SiNx作為第一絕緣膜112。
[0052]半導(dǎo)體層113和歐姆接觸層114形成在對(duì)應(yīng)于柵極Illa的第一絕緣膜112上。選擇非晶硅(a-S i )、多晶硅(Po I y-S i )、氧化物或有機(jī)物作為半導(dǎo)體層113。歐姆接觸層114是用于減少在半導(dǎo)體層113與稍后將形成的源極和漏極115a和115b之間的接觸電阻的層，并且可以被省略。
[0053]源極和漏極115a和115b形成在半導(dǎo)體層113或歐姆接觸層114上，并且第二金屬層115c形成在第一金屬層Illb上。第一金屬層Illb和第二金屬層115c電連接以構(gòu)成底層線WIRE。源極115a、漏極115b和第二金屬層115c可以是選自由Mo、Al、Cr、Au、T1、Ni和Cu組成的集合中的一種或其合金，并且可以形成為單層或多層。驅(qū)動(dòng)晶體管DT包括形成在下基板IlOa上的柵極111a、半導(dǎo)體層113、歐姆接觸層114、源極115a和漏極115b。
[0054]相比白光有機(jī)發(fā)光二極管W0LED，晶體管部分除了底層線WIRE和驅(qū)動(dòng)晶體管DT之外還包括諸如掃描線、數(shù)據(jù)線和電容器之類的其它部件。
[0055]底層線WIRE包括諸如數(shù)據(jù)線DLl-DLn和掃描線SLl-SLm之類的信號(hào)線，以及諸如圖1和2中所示的高電位電力線EVDD和低電位電力線EVSS之類的電力線。如果子像素包括補(bǔ)償電路，那么底層線WIRE還包括用于提供輔助電壓的輔助電力線、用于提供參考電壓的參考電力線、用于提供初始化電壓的初始化電力線等。因此，底層線WIRE應(yīng)該被認(rèn)為是上述線的一種。
[0056]第二絕緣膜116形成在源極115a、漏極115b和第二金屬層115c上。形成第二絕緣膜116以暴露部分漏極115b。選擇硅氧化物膜SiOx或硅氮化物膜SiNx作為第二絕緣膜116。
[0057]R濾色器117r形成在位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第二絕緣膜116上。另一方面，位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第二絕緣膜116上不形成濾色器。
[0058]第三絕緣膜118形成在第二絕緣膜116上以便覆蓋R濾色器117r。形成第三絕緣膜118以暴露部分漏極115b。選擇有機(jī)絕緣膜、無(wú)機(jī)絕緣膜或有機(jī)/無(wú)機(jī)絕緣膜作為第三絕緣膜118。位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第三絕緣膜118的第一高度yl小于位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第三絕緣膜118的第二高度y2。位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第三絕緣膜118的第一高度yl小于位于綠色和藍(lán)色子像素區(qū)域內(nèi)的第三絕緣膜的高度。這是因?yàn)镽濾色器117r形成于位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第三絕緣膜118下方。同樣地，這是因?yàn)镚濾色器和B濾色器形成于位于綠色和藍(lán)色子像素區(qū)域內(nèi)的第三絕緣膜118下方。也就是說(shuō)，包括在白色子像素內(nèi)的第三絕緣膜118具有小于包括在紅色、綠色、藍(lán)色子像素內(nèi)的第三絕緣膜118的臺(tái)階差。第一和第二高度yl和y2是從源極和漏極115a和115b的基面到第三絕緣膜118的基面的垂直距離。位于綠色和藍(lán)色子像素區(qū)域內(nèi)的第三絕緣膜的高度可相當(dāng)于位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第三絕緣膜118的高度。
[0059]第四絕緣膜119形成在第三絕緣膜118上。形成第四絕緣膜119以暴露部分漏極115b。選擇硅氧化物膜SiOx或硅氮化物膜SiNx作為第四絕緣膜119。根據(jù)結(jié)構(gòu)，可以省略第四絕緣膜119。
[0060]第一電極121形成在第四絕緣膜119上。第一電極121電連接到通過(guò)第四絕緣膜119暴露的漏極115b。第一電極121被分成位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121和位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第一電極121。每個(gè)子像素區(qū)域，第一電極121分離地形成。第一電極121是陽(yáng)極。第一電極121是諸如ITO (氧化銦錫)、ΙΖ0 (氧化銦鋅)、ΙΤΖ0(氧化銦錫鋅)、ZnO (氧化鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)或石墨烯之類的透明導(dǎo)電膜。
[0061]堤層122形成在第四絕緣膜119和第一電極121的一些區(qū)域上并限定白色子像素的開(kāi)口和紅色子像素的開(kāi)口。堤層122限定所有子像素的開(kāi)口。
[0062]有機(jī)發(fā)光層123形成在第一電極121和堤層122上。有機(jī)發(fā)光層123發(fā)射白光。有機(jī)發(fā)光層123包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)光層EML、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL，并且可以省略這些層中的一層或多層。有機(jī)發(fā)光層123還可包括用于控制空穴和電子的運(yùn)動(dòng)特性的功能層或用于促進(jìn)層間界面穩(wěn)定性的功能層。
[0063]第二電極124形成在有機(jī)發(fā)光層123上。第二電極124被形成為前電極以便被共同地連接到所有子像素區(qū)域。第二電極124是陰極。第二電極124可以是具有低功函數(shù)的Al、Ag、Mg、Ca或其合金。第二電極124連接到低電位底層線。通過(guò)上述構(gòu)造，白光有機(jī)發(fā)光二極管WOLED形成在包括驅(qū)動(dòng)晶體管DT的晶體管部分上。
[0064]位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121與位于第二到第四絕緣膜116到119下方的底層線WIRE相隔開(kāi)并且不與其重疊。位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121可與位于第二到第四絕緣膜116到119下方的數(shù)據(jù)線相隔開(kāi)并且不與它們重疊。
[0065]更特別地，位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121與堤層122相隔開(kāi)，如圖5所示。此外，位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121與堤層122相接觸，如圖6所示。此外，位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121被部分地引入到堤層122的下部，如圖7所示。
[0066]然而，位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121的一端通過(guò)非重疊區(qū)域NOA與底層線WIRE的一端相隔開(kāi)。如果位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121具有上述結(jié)構(gòu)，即使第一電極121和底層線WIRE之間的垂直距離較短，也能夠降低由雜質(zhì)(例如，顆粒)導(dǎo)致的短路或過(guò)電流的可能性。
[0067]與此相對(duì)照，將位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第一電極121和位于綠色和藍(lán)色子像素區(qū)域內(nèi)的第一電極形成為與位于第二到第四絕緣膜116到119下方的底層線WIRE重疊。
[0068]更特別地，位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第一電極121和位于綠色和藍(lán)色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第一電極121被引入到堤層122中并延伸到第四絕緣膜119的端部。如果位于紅色、綠色、藍(lán)色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第一電極121具有相同的結(jié)構(gòu)，則發(fā)光區(qū)域?qū)⒆儗挕Ｈ欢?，位于紅色、綠色、藍(lán)色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第一電極121也可以被形成與底層線WIRE重疊。
[0069]下文中，將參考以平面形式示出的第一電極121給出上述內(nèi)容的進(jìn)一步解釋。
[0070]圖8(a)示出包括在紅色、綠色、藍(lán)色子像素SPrgb內(nèi)的第一電極121的平面結(jié)構(gòu)，圖8 (b)示出包括在白色子像素SPw內(nèi)的第一電極121的平面結(jié)構(gòu)。
[0071]xl表示包括在白色子像素SPw內(nèi)的第一電極121在第一方向x上的長(zhǎng)度，而x2表示包括在紅色、綠色、藍(lán)色子像素SPrgb內(nèi)的第一電極121在第一方向X上的長(zhǎng)度。第一方向X是子像素的短軸方向，而第二方向y是子像素的長(zhǎng)軸方向。
[0072]位于白色子像素SPw內(nèi)的第一電極121在第一方向X上具有較短的長(zhǎng)度以防止底層線WIRE內(nèi)的短路或過(guò)電流。在一個(gè)例子中，如果底層線WIRE布置在位于白色子像素SPw內(nèi)的第一電極121的左側(cè)，則鄰近底層線WIRE的長(zhǎng)度wl變得較短。在另一個(gè)例子中，如果底層線WIRE布置在位于白色子像素SPw內(nèi)的第一電極121的右側(cè)，則鄰近底層線WIRE的長(zhǎng)度w2變得較短。在再一個(gè)例子中，如果底層線WIRE布置在位于白色子像素SPw內(nèi)的第一電極121的相對(duì)兩側(cè)，則鄰近底層線WIRE的長(zhǎng)度wl和《2變得較短。這里，wl表示從位于白色子像素SPw內(nèi)的第一電極121的左側(cè)去除的長(zhǎng)度，而w2表示從位于白色子像素SPw內(nèi)的第一電極121的右側(cè)去除的長(zhǎng)度。[0073]從上述解釋可以看出，位于白色子像素SPw內(nèi)的第一電極121在第二方向y上的長(zhǎng)度近似于或等于位于紅色、綠色、藍(lán)色子像素SPrgb內(nèi)的第一電極121在第二方向y上的長(zhǎng)度。然而，位于白色子像素SPw內(nèi)的第一電極121在第一方向X上的長(zhǎng)度比位于紅色、綠色、藍(lán)色子像素SPrgb內(nèi)的第一電極121在第一方向X上的長(zhǎng)度短了 wl、w2或wl +w2。因此，當(dāng)位于紅色、綠色、藍(lán)色子像素內(nèi)的第一電極121被形成為與底層線WIRE重疊時(shí)，位于紅色、綠色、藍(lán)色子像素內(nèi)的第一電極121和位于白色子像素SP2內(nèi)的第一電極121之間的關(guān)系被概括成x2 > xl。
[0074]根據(jù)關(guān)系x2 > xl，白色子像素SP2具有比紅色、綠色、藍(lán)色子像素SPrgb小的發(fā)光面積。然而，白色子像素在不使用濾色器的情況下按原樣發(fā)射白光。因此，即使發(fā)光區(qū)域的尺寸小于紅色、綠色、藍(lán)色子像素SPrgb的尺寸，也不會(huì)對(duì)亮度造成大的影響。
[0075]下面將描述由現(xiàn)有的白色子像素結(jié)構(gòu)和雜質(zhì)(例如，顆粒)導(dǎo)致的短路或過(guò)電流的例子。
[0076]圖9是現(xiàn)有的白色子像素結(jié)構(gòu)的截面圖。圖10是示出顆粒引入到圖9的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0077]如圖9所示，位于現(xiàn)有的白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121被形成為與位于第二到第四絕緣膜116到119下方的底層線WIRE重疊。更特別地，位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121被引入到堤層122中并延伸到第四絕緣膜119的端部，并具有與底層線WIRE重疊的重疊區(qū)域0A。位于紅色、綠色、藍(lán)色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第一電極121以與位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121相同的方式形成。
[0078]如圖10所示，位于現(xiàn)有的白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121被形成為與底層線WIRE重疊。因此，當(dāng)顆粒PT在處理(例如，光刻、蝕刻、清洗等)期間被引入時(shí)，在底層線WIRE和位于現(xiàn)有的白色子像素區(qū)域SPw A內(nèi)的第一電極121之間發(fā)生短路或過(guò)電流。用于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的薄膜厚度較小并以μ m為單位表示。因此，當(dāng)白色子像素區(qū)域SPw_A的圖案(例如，絕緣膜、電極等等)由于顆粒PT等而缺失時(shí)，在第一電極121和底層線WIRE之間將會(huì)發(fā)生短路或過(guò)電流。在這種情況下，裝置可能被部分燒傷并且可能擴(kuò)散至整個(gè)面板。當(dāng)顆粒PT具有導(dǎo)電性時(shí)，將發(fā)生這種短路。此外，即使顆粒PT沒(méi)有導(dǎo)電性，當(dāng)由于在后續(xù)處理中形成的薄膜或類似物而導(dǎo)致一些區(qū)域的顆粒PT變成具有導(dǎo)電性時(shí)，也可能發(fā)生過(guò)電流。然而，本發(fā)明并不限于克服上述原因的過(guò)電流，各種其它原因?qū)е碌倪^(guò)電流也可由本發(fā)明克服。
[0079]基于本發(fā)明參照附圖5-8的上述描述，位于白色子像素區(qū)域內(nèi)的第一電極121和底層線WIRE彼此不重疊，因此，即使第一電極和底層線WIRE之間的垂直距離較短，也能夠降低由雜質(zhì)(例如，顆粒)導(dǎo)致的短路或過(guò)電流的可能性。
[0080]下面將描述根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
[0081]圖11-14是用于解釋根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的圖。
[0082]如圖11-14所示，白色子像素區(qū)域SPw_A和紅色子像素區(qū)域SPr_A形成在下基板IlOa上。驅(qū)動(dòng)晶體管DT和示于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的白光有機(jī)發(fā)光二極管WOLED包括在白色子像素內(nèi)。示于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的R濾色器1171包括在紅色子像素內(nèi)。此外，白色子像素區(qū)域SPw_A和紅色子像素區(qū)域SPr_A之間所示的底層線WIRE連接到紅色子像素。下面將具體描述截面結(jié)構(gòu)，并且根據(jù)需要將只提及子像素區(qū)域之間的差別。
[0083]首先,柵極Illa和第一金屬層Illb形成在下基板IlOa上。第一金屬形成在下基板IlOa上，并且然后被圖案化以分成彼此隔開(kāi)的柵極Illa和第一金屬層111b。柵極Illa和第一金屬層Illb可以是選自由Mo、Al、Cr、Au、T1、Ni和Cu組成的集合中的一種或其合金，并且可以形成為單層或多層。
[0084]接著，第一絕緣膜112形成在柵極Illa和第一金屬層Illb上。第一絕緣膜112形成在下基板IlOa上，然后被圖案化以暴露部分第一金屬層111b。第一絕緣膜112被形成為暴露部分第一金屬層111b。選擇硅氧化物膜SiOx或硅氮化物膜SiNx作為第一絕緣膜112。
[0085]接著，半導(dǎo)體層113和歐姆接觸層114形成在對(duì)應(yīng)于柵極Illa的第一絕緣膜112上。選擇非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、氧化物或有機(jī)物作為半導(dǎo)體層113。歐姆接觸層114是用于減少在半導(dǎo)體層113與稍后將形成的源極和漏極115a和115b之間的接觸電阻的層，并且可以被省略。
[0086]接著，第二金屬形成在第一絕緣膜112上，然后被圖案化以分成彼此隔開(kāi)的位于半導(dǎo)體層113或歐姆接觸層114上的源極和漏極115a和115b以及位于第一金屬層Illb上的第二金屬層115c。第一金屬層Illb和第二金屬層115c電連接以構(gòu)成底層線WIRE。如本文所使用的，作為例子，底層線WIRE包括第一金屬層11 Ib和第二金屬層115c，然而，底層線WIRE也可以只包括第二金屬層115c。
[0087]源極115a、漏極115b和第二金屬層115c可以是選自由Mo、Al、Cr、Au、T1、Ni和Cu組成的集合中的一種或其合金，并且可以形成為單層或多層。驅(qū)動(dòng)晶體管DT包括形成在下基板IlOa上的柵極111a、半導(dǎo)體層113、歐姆接觸層114、源極115a和漏極115b。相比白光有機(jī)發(fā)光二極管WOLED，晶體管部分除了底層線WIRE和驅(qū)動(dòng)晶體管DT之外還包括諸如掃描線、數(shù)據(jù)線和電容器之類的其它部件。
[0088]接著，第二絕緣膜116形成在第一絕緣膜112上以覆蓋源極115a、漏極115b和第二金屬層115c。選擇硅氧化物膜SiOx或硅氮化物膜SiNx作為第二絕緣膜116。
[0089]接著，R濾色器117r形成在位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第二絕緣膜116上。G濾色器和B濾色器形成在位于綠色和藍(lán)色子像素區(qū)域內(nèi)的第二絕緣膜116上。另一方面，在位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第二絕緣膜116上不形成濾色器。
[0090]接著，形成第三絕緣膜118以便覆蓋R濾色器117r和第二絕緣膜116。選擇有機(jī)絕緣膜、無(wú)機(jī)絕緣膜或有機(jī)/無(wú)機(jī)絕緣膜作為第三絕緣膜118。位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第三絕緣膜118的第一高度yl小于位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第三絕緣膜118的第二高度12。位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第三絕緣膜118的第一高度yl小于位于綠色和藍(lán)色子像素區(qū)域內(nèi)的第三絕緣膜的高度。這是因?yàn)镽濾色器117r形成于位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第三絕緣膜118下方。同樣，這是因?yàn)镚濾色器和B濾色器形成于位于綠色和藍(lán)色子像素區(qū)域內(nèi)的第三絕緣膜118下方。也就是說(shuō)，包括在白色子像素內(nèi)的第三絕緣膜118具有小于包括在紅色、綠色、藍(lán)色子像素內(nèi)的第三絕緣膜118的臺(tái)階差。第一和第二高度yl和y2是從源極和漏極115a和115b的基面到第三絕緣膜118的基面的垂直距離。位于綠色和藍(lán)色子像素區(qū)域內(nèi)的第三絕緣膜的高度可相當(dāng)于位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第三絕緣膜118的高度。[0091]接著，第四絕緣膜119形成在第三絕緣膜118上，并被圖案化以暴露部分漏極115b。選擇硅氧化物膜SiOx或硅氮化物膜SiNx作為第四絕緣膜119。
[0092]接著，第一電極121形成在第四絕緣膜119上。第一電極121電連接到通過(guò)第四絕緣膜119暴露的漏極115b。第一電極121被分成位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121和位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第一電極121。對(duì)于每個(gè)子像素區(qū)域，第一電極121分離地形成。第一電極121是陽(yáng)極。第一電極121是諸如ITO (氧化銦錫)、ΙΖ0 (氧化銦鋅)、ITZO (氧化銦錫鋅)、ZnO (氧化鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)或石墨烯之類的透明導(dǎo)電膜。
[0093]位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121與位于第二到第四絕緣膜116到119下方的底層線WIRE相隔開(kāi)并且不與其重疊。
[0094]更特別地，位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121與堤層122相隔開(kāi)，如圖5所示。此外，位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121與堤層122相接觸，如圖6所示。此外，位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121被部分地引入到堤層122的下部，如圖7所示。
[0095]然而，第一電極121的一端通過(guò)非重疊區(qū)域NOA與底層線WIRE的一端相隔開(kāi)。如果位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121具有上述結(jié)構(gòu)，那么即使第一電極121和底層線WIRE之間的垂直距離較短，也能夠降低由雜質(zhì)(例如，顆粒)導(dǎo)致的短路或過(guò)電流的可能性。
[0096]與此相對(duì)照，將位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第一電極121和位于綠色和藍(lán)色子像素區(qū)域內(nèi)的第一電極形成為與位于第二到第四絕緣膜116到119下方的底層線WIRE重疊。
[0097]更特別地，位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第一電極121和位于綠色和藍(lán)色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第一電極121被引入到堤層122并延伸到第四絕緣膜119的端部。如果位于紅色、綠色、藍(lán)色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第一電極121具有相同的結(jié)構(gòu)，則發(fā)光區(qū)域?qū)⒆儗?。然而，位于紅色、綠色、藍(lán)色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第一電極121也可以被形成為與底層線WIRE重疊。
[0098]接著，堤層122形成在第四絕緣膜119和第一電極121的一些區(qū)域上并限定白色子像素的開(kāi)口和紅色子像素的開(kāi)口。堤層122限定所有子像素的開(kāi)口。
[0099]接著，有機(jī)發(fā)光層123形成在第一電極121和堤層122上。有機(jī)發(fā)光層123發(fā)射白光。有機(jī)發(fā)光層123包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)光層EML、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL，并且可以省略這些層中的一層或多層。有機(jī)發(fā)光層123還可包括用于控制空穴和電子的運(yùn)動(dòng)特性的功能層或用于促進(jìn)層間界面穩(wěn)定性的功能層。
[0100]接著，第二電極124形成在有機(jī)發(fā)光層123上。第二電極124被形成為前電極以便被共同地連接到所有子像素區(qū)域。第二電極124是陰極。第二電極124可以是具有低功函數(shù)的Al、Ag、Mg、Ca或其合金。第二電極124連接到低電位底層線。通過(guò)上述構(gòu)造，白光有機(jī)發(fā)光二極管WOLED形成在包括驅(qū)動(dòng)晶體管DT的晶體管部分上。
[0101 ] 下文將描述本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式。
[0102]<第二示例性實(shí)施方式>
[0103]圖15是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施方式的白色子像素的截面圖。[0104]不同于圖5-7，圖15所示的白色子像素在第三絕緣膜118中具有較小的臺(tái)階差。更特別地，位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第三絕緣膜118的高度近似于或等于位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第三絕緣膜118的高度。位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第三絕緣膜118的高度同樣地近似于或等于位于綠色和藍(lán)色子像素區(qū)域內(nèi)的第三絕緣膜118的高度。
[0105]在本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式中，位于所有子像素內(nèi)的第三絕緣膜118的高度相似或相等。如圖15所示，位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121與堤層122隔開(kāi)。此外，位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121與堤層122接觸(參見(jiàn)圖6)。此外，位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121被部分地引入到堤層122的下部(參見(jiàn)圖7)。
[0106]然而，位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121的一端通過(guò)非重疊區(qū)域NOA與底層線WIRE的一端隔開(kāi)。如果位于白色子像素區(qū)域SPw_A內(nèi)的第一電極121具有上述結(jié)構(gòu)，那么即使第一電極121和底層線WIRE之間的垂直距離較短，也能夠降低由雜質(zhì)(例如，顆粒)導(dǎo)致的短路或過(guò)電流的可能性。
[0107]與此相對(duì)照，將位于紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的第一電極121和位于綠色和藍(lán)色子像素區(qū)域內(nèi)的第一電極形成為與位于第二到第四絕緣膜116到119下方的底層線WIRE重疊。
[0108]由上可知，本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其能夠通過(guò)降低由于處理期間引入雜質(zhì)導(dǎo)致的底層線和包括在白色子像素內(nèi)的第一電極之間的短路或過(guò)電流的可能性來(lái)提聞面板廣量。
[0109]在上述示例性實(shí)施方式中，通過(guò)改變第一電極121的結(jié)構(gòu)來(lái)降低短路或過(guò)電流的可能性。通過(guò)改變接觸第一電極121的第四絕緣膜119的結(jié)構(gòu)，也能夠?qū)崿F(xiàn)短路或過(guò)電流可能性的降低。
[0110]<第三示例性實(shí)施方式>
[0111]圖16是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施方式的子像素的頂部俯視圖。圖17是圖16的區(qū)域A1-A2的截面圖。圖18是圖16的區(qū)域B1-B2的截面圖。
[0112]如圖16-18所示，布置綠、紅、白和藍(lán)色子像素SPg-SPb。雖然所示的子像素被布置成綠、紅、白和藍(lán)色子像素SPg-SPb，但是本發(fā)明并不限于這一例子。綠、紅、白和藍(lán)色子像素SPg-SPb的結(jié)構(gòu)可以采用第一或第二示例性實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)。然而，在第三示例性實(shí)施方式中，底層線具有單層結(jié)構(gòu)而不是多層結(jié)構(gòu)，從而以不同的方式描述本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。
[0113]優(yōu)選地，與白色子像素的第一電極的底部接觸的絕緣膜包括非暴露區(qū)域和暴露區(qū)域。在第三示例性實(shí)施方式中，第四絕緣膜119包括完全覆蓋第三絕緣膜118的非暴露區(qū)域NOPN和暴露部分第三絕緣膜118的暴露區(qū)域0ΡΝ。第四絕緣膜119的非暴露區(qū)域NOPN對(duì)應(yīng)于鄰近白色子像素SPw的底層線的位置，而第四絕緣膜119的暴露區(qū)域OPN對(duì)應(yīng)于鄰近白色子像素SPw的底層線的位置。
[0114]如圖16所示，與白色子像素SPw的右側(cè)相鄰的底層線可以是布置在第二方向y上的高電位電力線EVDD，而與白色子像素SPw的左側(cè)相鄰的底層線可以是布置在第二方向y上的數(shù)據(jù)線DLi。
[0115]在這種情況下，第四絕緣膜119的非暴露區(qū)域NOPN對(duì)應(yīng)于鄰近白色子像素SPw的高電位電力線EVDD的位置，而第四絕緣膜119的暴露區(qū)域OPN對(duì)應(yīng)于鄰近白色子像素SPw的第i條數(shù)據(jù)線DLi的位置。[0116]然而，如同第一示例性實(shí)施方式中所解釋的，底層線包括諸如數(shù)據(jù)線DLl-DLn和掃描線SLl-SLm之類的信號(hào)線，以及諸如圖1和2中所示的高電位電力線EVDD和低電位電力線EVSS之類的電力線。
[0117]如果子像素包括補(bǔ)償電路，那么底層線還包括用于提供輔助電壓的輔助電力線、用于提供參考電壓的參考電力線、用于提供初始化電壓的初始化電力線等。因此，底層線應(yīng)該被認(rèn)為是上述線的一種。
[0118]現(xiàn)在，將分別針對(duì)暴露區(qū)域OPN和非暴露部分NOPN來(lái)描述包括第四絕緣膜119的底層結(jié)構(gòu)。
[0119][暴露區(qū)域:圖17]
[0120]第一絕緣膜112形成在下基板IlOa上。第二金屬層115c形成在第一絕緣膜112上。第二金屬層115c用作第i條數(shù)據(jù)線DLi。第二絕緣膜116形成在第二金屬層115c上。包括在紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的R濾色器117r形成在第二絕緣膜116上。第三絕緣膜118形成在第二絕緣膜116上。第三絕緣膜118被形成為覆蓋R濾色器117r。第四絕緣膜119形成在第三絕緣膜118上。第四絕緣膜119具有暴露區(qū)域0ΡΝ，其暴露與第i條數(shù)據(jù)線DLi的位置相對(duì)應(yīng)的部分第三絕緣膜118。
[0121][非暴露區(qū)域:圖18]
[0122]第一絕緣膜112形成在下基板IlOa上。第二金屬層115c形成在第一絕緣膜112上。第二金屬層115c用作第i條數(shù)據(jù)線DLi。第二絕緣膜116形成在第二金屬層115c上。包括在紅色子像素區(qū)域SPr_A內(nèi)的R濾色器117r形成在第二絕緣膜116上。第三絕緣膜118形成在第二絕緣膜116上。第三絕緣膜118被形成為覆蓋R濾色器117r。第四絕緣膜119形成在第三絕緣膜118上。第四絕緣膜119具有非暴露區(qū)域Ν0ΡΝ，其完全覆蓋與高電位電力線EVDD的位置相對(duì)應(yīng)的第三絕緣膜118。
[0123]第四絕緣膜119由上述結(jié)構(gòu)形成是由于下述原因。
[0124]第四絕緣膜119用來(lái)在顏色呈現(xiàn)中利用有機(jī)發(fā)光層產(chǎn)生的光增大顏色可再現(xiàn)性。位于第四絕緣膜119下方的第三絕緣膜118用于保持晶體管部分TFT和有機(jī)發(fā)光二極管WOLED之間的間隙，并將晶體管部分TFT和有機(jī)發(fā)光二極管WOLED電分隔和絕緣。
[0125]可以選擇有機(jī)絕緣膜作為位于第四絕緣膜119下方的第三絕緣膜118。由有機(jī)絕緣膜形成的第三絕緣膜118會(huì)導(dǎo)致排氣。
[0126]排氣會(huì)導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光層的惡化或收縮，因此縮短子像素的壽命。為此，在第四絕緣膜119的形成期間，形成被稱為氣孔的暴露區(qū)域0ΡΝ。第三絕緣膜118產(chǎn)生的氣體通過(guò)暴露區(qū)域OPN釋放。
[0127]在第三示例性實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，用作氣孔的暴露區(qū)域OPN只形成在第四絕緣膜119的一些區(qū)域中。采用干蝕刻來(lái)形成第四絕緣膜119中的暴露區(qū)域。這一處理中產(chǎn)生的靜電導(dǎo)致許多表面損傷，足以損害高電位電力線EVDD。
[0128]鑒于此，只在與數(shù)據(jù)線的位置相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中形成暴露區(qū)域0ΡΝ，而不在與高電位電力線EVDD的位置相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中形成暴露區(qū)域0ΡΝ。
[0129]在第三示例性實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，不暴露對(duì)應(yīng)于高電位電力線EVDD的區(qū)域。這防止表面損傷，否則將造成高電位電力線EVDD和第一電極121之間的短路或第一電極121和在隨后處理中用作低電位電力線的第二電極124之間的短路。[0130]此外，在第三示例性實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，第四絕緣膜119被按原樣留下以便覆蓋位于與高電位電力線EVDD相對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)的第三絕緣膜118。因此，高電位電力線EVDD和用作低電位電力線的第二電極124之間的垂直距離增加，從而降低了由雜質(zhì)等導(dǎo)致的短路的可能性。
[0131]暴露區(qū)域OPN和非暴露區(qū)域NOPN被分離地形成在第四絕緣膜119內(nèi)的原因在于:白色子像素SPw由于不具有濾色器而具有小于其它子像素SPr到SPb的臺(tái)階差。
[0132]為此，已經(jīng)針對(duì)位于白色子像素SPw左側(cè)和右側(cè)的高電位電力線EVDD和第i條數(shù)據(jù)線DLi描述了本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式。然而，這僅是說(shuō)明性的，這種結(jié)構(gòu)也可以應(yīng)用到紅色、綠色、藍(lán)色子像素SPr、SPg、SPb，即使紅色子像素SPr、綠色子像素SPg、藍(lán)色子像素SPb和白色子像素SPw具有相同的臺(tái)階差(參見(jiàn)圖15的例子)。也就是說(shuō)，第三示例性實(shí)施方式能夠應(yīng)用到圖15所示的第二示例性實(shí)施方式。
[0133]可以基于第三絕緣膜118的厚度、第四絕緣膜119的厚度或子像素的開(kāi)口尺寸計(jì)算用作氣孔的暴露區(qū)域OPN的尺寸。例如，第四絕緣膜119的暴露區(qū)域OPN小于用于限定白色子像素SPw的開(kāi)口的縱向長(zhǎng)度0Pw_y。
[0134]圖19示出圖16的子像素的第一改型。圖20示出圖16的子像素的第二改型。
[0135]如圖19所示，根據(jù)所示出的第一改型，用作氣孔的暴露區(qū)域OPN的尺寸相當(dāng)于用于限定白色子像素SPw的開(kāi)口的縱向長(zhǎng)度0Pw_y。
[0136]如圖20所示，根據(jù)所示出的第二改型，形成N個(gè)(η是大于等于I的整數(shù))用作氣孔的暴露區(qū)域0ΡΝ。
[0137]下面將描述制造根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
[0138]除了在第四絕緣膜119中形成暴露區(qū)域OPN和非暴露區(qū)域NOPN的處理不同，制造根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法與制造根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯不裝置的方法相同或相似。因此，將參考第一不例性實(shí)施方式描述在下基板IlOa上形成第三絕緣膜118之前的處理，并且將參照?qǐng)D16-20給出后續(xù)描述。
[0139]第四絕緣膜119形成在第三絕緣膜118上，限定完全覆蓋第三絕緣膜118的非暴露區(qū)域NOPN和暴露部分第三絕緣膜118的暴露區(qū)域0ΡΝ，并在暴露區(qū)域OPN上實(shí)施干蝕刻以去除第四絕緣膜119。
[0140]例如，鄰近白色子像素SPw右側(cè)的底層線可以是布置在第二方向y上的高電位電力線EVDD，并且鄰近白色子像素SPw左側(cè)的底層線可以是布置在第二方向y上的數(shù)據(jù)線DLi。
[0141]在這種情況下，第四絕緣膜119的非暴露區(qū)域NOPN對(duì)應(yīng)于鄰近白色子像素SPw的高電位電力線EVDD的位置，而第四絕緣膜119的暴露區(qū)域OPN對(duì)應(yīng)于鄰近白色子像素SPw的第i條數(shù)據(jù)線DLi的位置。
[0142]因此，對(duì)與第i條數(shù)據(jù)線DLi的位置相對(duì)應(yīng)的第四絕緣膜119進(jìn)行干蝕刻，以形成暴露區(qū)域0ΡΝ。
[0143]接著，在第四絕緣膜119上形成第一電極121、堤層122、有機(jī)發(fā)光層123和第二電極124。第一電極121、堤層122、有機(jī)發(fā)光層123和第二電極124的形成處理請(qǐng)參考第一示例性實(shí)施方式。
[0144]由上述內(nèi)容可看出，本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其能夠通過(guò)降低由于處理期間引入的雜質(zhì)導(dǎo)致的底層線和包括在白色子像素內(nèi)的第一電極之間短路或過(guò)電流的可能性、并通過(guò)降低由于底層線的損傷或者高電位電力線和低電位電力線之間垂直距離的減少而導(dǎo)致的短路的可能性，提高面板產(chǎn)量。
[0145] 本發(fā)明的上述第一到第三示例性實(shí)施方式可以單獨(dú)實(shí)施或以適當(dāng)組合實(shí)施。在一個(gè)例子中，本發(fā)明可以實(shí)施成在第一示例性實(shí)施方式中說(shuō)明的第一電極結(jié)構(gòu)和在第三示例性實(shí)施方式中說(shuō)明的第四絕緣膜結(jié)構(gòu)的組合。在另一個(gè)例子中，本發(fā)明可以實(shí)施成在第二示例性實(shí)施方式中說(shuō)明的第一電極結(jié)構(gòu)和在第三示例性實(shí)施方式中說(shuō)明的第四絕緣膜結(jié)構(gòu)的組合。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括: 下基板； 形成在所述下基板上的底層線；以及 紅色、綠色、藍(lán)色子像素，所述紅色、綠色、藍(lán)色子像素的每一個(gè)包括形成在所述下基板上的晶體管部分和有機(jī)發(fā)光二極管， 其中白色子像素包括第一電極，所述第一電極不與所述底層線重疊并與所述底層線相隔開(kāi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中包括在所述白色子像素內(nèi)的第一電極的長(zhǎng)度不同于所述紅色、綠色、藍(lán)色子像素的第一電極的長(zhǎng)度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中包括在所述白色子像素內(nèi)的第一電極在第一方向上的長(zhǎng)度小于所述紅色、綠色、藍(lán)色子像素的第一電極在所述第一方向上的長(zhǎng)度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中包括在所述白色子像素內(nèi)的第一電極與用于限定開(kāi)口的堤層相隔開(kāi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中包括在所述白色子像素內(nèi)的第一電極與用于限定開(kāi)口的堤層接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中包括在所述白色子像素內(nèi)的第一電極被部分地引入到用于限定開(kāi)口的堤層的下部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述白色子像素具有比所述紅色、綠色、藍(lán)色子像素小的發(fā)光面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述底層線包括用于傳輸電力的電力線和用于傳輸信號(hào)的信號(hào)線。
9.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括: 下基板； 形成在所述下基板上的底層線；以及 紅色、綠色、藍(lán)色子像素，所述紅色、綠色、藍(lán)色子像素的每一個(gè)包括形成在所述下基板上的晶體管部分和有機(jī)發(fā)光二極管， 其中與白色子像素的第一電極的底部接觸的絕緣膜包括非暴露區(qū)域和暴露區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述非暴露區(qū)域?qū)?yīng)于鄰近所述白色子像素的電力線的位置，而所述暴露區(qū)域?qū)?yīng)于鄰近所述白色子像素的信號(hào)線的位置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述暴露區(qū)域的尺寸相當(dāng)于或小于用于限定所述白色子像素的開(kāi)口的縱向長(zhǎng)度。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中形成N個(gè)暴露區(qū)域，N是大于等于I的整數(shù)。
13.—種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:下基板；形成在所述下基板上的底層線；以及紅色、綠色、藍(lán)色子像素，所述紅色、綠色、藍(lán)色子像素的每一個(gè)包括形成在所述下基板上的晶體管部分和有機(jī)發(fā)光二極管，所述方法包括: 在絕緣膜上形成所述白色子像素的第一電極，其中所述第一電極不與所述底層線重疊并與所述底層線相隔開(kāi)； 在所述絕緣膜上形成用于限定開(kāi)口的堤層；在所述第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層；以及 在所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中包括在所述白色子像素內(nèi)的第一電極的長(zhǎng)度不同于所述紅色、綠色、藍(lán)色子像素的第一電極的長(zhǎng)度。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中包括在所述白色子像素內(nèi)的第一電極在第一方向上的長(zhǎng)度小于所述紅色、綠色、藍(lán)色子像素的第一電極在所述第一方向上的長(zhǎng)度。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中包括在所述白色子像素內(nèi)的第一電極與所述堤層接觸，或者被部分地引入到所述堤層的下部。
17.—種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:下基板；形成在所述下基板上的底層線；以及紅色、綠色、藍(lán)色子像素，所述紅色、綠色、藍(lán)色子像素的每一個(gè)包括形成在所述下基板上的晶體管部分和有機(jī)發(fā)光二極管，所述方法包括: 在絕緣膜上形成白色子像素的第一電極； 在所述絕緣膜上形成用于限定開(kāi)口的堤層； 在所述第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層；以及 在所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極， 其中位于所述第一電極下方的絕緣膜包括非暴露區(qū)域和暴露區(qū)域。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中所述非暴露區(qū)域?qū)?yīng)于鄰近所述白色子像素的電力線的位置，而所述暴露區(qū)域?qū)?yīng)于`鄰近所述白色子像素的信號(hào)線的位置。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中所述暴露區(qū)域的尺寸相當(dāng)于或小于用于限定所述白色子像素的開(kāi)口的縱向長(zhǎng)度。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中形成N個(gè)暴露區(qū)域，N是大于等于I的整數(shù)。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103681736SQ201210564714
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月26日
【發(fā)明者】尹淳逸, 洪性珍, 樸印哲, 李東澔, 李寧熙 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司