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有機發(fā)光顯示器及其制造方法

文檔序號:7248433閱讀:160來源:國知局
有機發(fā)光顯示器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種具有不包括偏振片的構(gòu)造并顯示出改進的柔性和可見性的有機發(fā)光顯示器及其制造方法,該有機發(fā)光顯示器包括位于第二緩沖層上且面對有機發(fā)光二極管的觸摸電極陣列,該觸摸電極陣列包括彼此交叉的第一和第二觸摸電極以及至少包括濾色器層的外部光屏蔽層,粘結(jié)層形成在有機發(fā)光二極管和觸摸電極陣列之間。
【專利說明】有機發(fā)光顯示器及其制造方法
[0001]本申請要求申請于2012年8月31日的韓國專利申請10-2012-0096740的優(yōu)先權(quán),
通過參考將其全部內(nèi)容結(jié)合于此。.【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示器,更特別地,涉及一種具有不包括偏振片的構(gòu)造并顯示出改進的柔性和可見性的有機發(fā)光顯示器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003]平板顯示器的例子包括液晶顯示器(IXD)、有機發(fā)光顯示器(0LED)、等離子顯示面板(PDP)、量子點面板(QDP)、場發(fā)射顯示器(FED)、電泳顯示器(EH))等等。這些顯示器包括共同作為主要部件實現(xiàn)圖像的平板顯示面板。這種平板顯示面板具有結(jié)合在一起的一對透明絕緣基板的構(gòu)造,該對透明絕緣基板彼此相對,包含內(nèi)在發(fā)光材料或偏振材料或其它光學材料的層插入兩個基板之間。
[0004]隨著近年來向著大尺寸顯示器發(fā)展的趨勢,對占據(jù)較小空間的平板顯示器的需要逐漸增加。在這些平板顯示器中,正在迅速研發(fā)有機發(fā)光顯示器技術(shù)。
[0005]有機發(fā)光顯示器不需要任何獨立的光源,并在每個像素內(nèi)包括自發(fā)光的有機發(fā)光二極管來實現(xiàn)顯示。有機發(fā)光顯示器作為下一代顯示器受到更多關(guān)注,因為它們有利地不需要光源以及組裝光源和顯示面板的結(jié)構(gòu),因此具有減少厚度和重量的優(yōu)點。
[0006]當電荷注入形成在電子注入電極(陰極)和空穴注入電極(陽極)之間的有機膜時,電子與空穴成對,并且隨后電子空穴對裳減。此時,有機發(fā)光二極管發(fā)光。
[0007]同時,對于有機發(fā)光顯示器,存在增加觸摸屏的需求,在觸摸屏中手或單獨的輸入元件觸摸的位置被感測并且響應該感測發(fā)送信息。通過粘結(jié)到顯示器的外表面來應用這種觸摸屏。
[0008]根據(jù)觸摸感測方法,觸摸屏分成電阻型、電容型和紅外傳感型。考慮到制造難易、感測強度等情況,在小型模式中,電容型觸摸屏受到更多關(guān)注。
[0009]下文中,將參考附圖描述現(xiàn)有技術(shù)的集成有觸摸屏的有機發(fā)光顯示器。
[0010]圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的集成有觸摸屏的有機發(fā)光顯示器的截面圖。
[0011]如圖1所示,現(xiàn)有技術(shù)的集成有觸摸屏的有機發(fā)光顯示器包括自下向上順序?qū)盈B的有機電致發(fā)光顯示面板1、觸摸屏2和覆蓋窗3,并包括設置在相關(guān)層之間的第一和第二粘結(jié)層15和25。
[0012]這里,有機發(fā)光顯示面板I包括基板、設置在基板上的具有矩陣形式的薄膜晶體管陣列、以及連接到薄膜晶體管陣列的每個薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管,并且包括覆蓋在有機發(fā)光二極管頂部的保護膜和偏振層。在這種情況下,第一粘結(jié)層15相當于有機發(fā)光顯示面板I的偏振層。而且,第二粘結(jié)層25形成在觸摸屏2和覆蓋窗3之間以將觸摸屏2粘結(jié)到覆蓋窗3。
[0013]集成有觸摸屏的有機發(fā)光顯示器具有下述缺點。[0014]第一,在有機發(fā)光顯示面板和觸摸屏獨立形成,并且隨后將觸摸屏固定到有機發(fā)光顯示面板上的情況下,有機發(fā)光顯示面板和觸摸屏需要單獨的玻璃,從而導致硬度和厚度增加,這使得不可能獲得薄的和柔性的有機發(fā)光顯示器。
[0015]第二,有機發(fā)光顯示面板和觸摸屏具有不同的面板形狀,從而使得形成這些部件的工藝變得復雜并因此降低產(chǎn)量和價格競爭力。
[0016]第三,為防止識別有機發(fā)光顯示面板的外部光,提供了偏振片。偏振片具有大約150 μ m或更高的厚度,價格昂貴并且導致透射率下降。因此,由于偏振片用于顯示器時降低了柔性并且價格昂貴,所以需要能夠防止可見性下降的其它可替換選擇。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]因此,本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示器及其制造方法,其基本避免了由現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷導致的一個或多個問題。
[0018]本發(fā)明的目的是提供一種有機發(fā)光顯示器及其制造方法,所述有機發(fā)光顯示器具有不包括偏振片的構(gòu)造并顯示出改進的柔性和可見性。
[0019]本發(fā)明的附加優(yōu)點、目標和特征將在隨后的說明書中說明,而部分優(yōu)點、目標和特征對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說根據(jù)下述分析是顯而易見的或者是可以從本發(fā)明的實施中得知的。本發(fā)明的目標和其它優(yōu)點可以通過書面說明書及其權(quán)利要求書以及附圖中特別指明的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)或獲得。
[0020]為了實現(xiàn)本發(fā)明的這些目標和其它優(yōu)點,根據(jù)本發(fā)明的目的,如在此具體和概括描述的,提供一種有機發(fā)光顯不器,包括:彼此面對的第一緩沖層和第二緩沖層;位于第一緩沖層上的薄膜晶體管陣列,所述薄膜晶體管陣列在以矩陣形式限定的多個像素的每一個中包括薄膜晶體管;連接到每個像素的薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管;位于第二緩沖層上的觸摸電極陣列,所述觸摸電極陣列面對所述有機發(fā)光二極管,且包括彼此交叉的第一和第二觸摸電極以及外部光屏蔽層,所述外部光屏蔽層至少包括濾色器層;形成在有機發(fā)光二級管和觸摸電極陣列之間的粘結(jié)層;形成在第二緩沖層背面上的覆蓋玻璃;以及形成在第一緩沖層背面上的膜基板。
[0021 ] 外部光屏蔽層還可以包括黑矩陣層。
[0022]黑矩陣層和濾色器層可以設置在第一觸摸電極和第二觸摸電極上。
[0023]黑矩陣層和濾色器層可以設置在第一觸摸電極和第二觸摸電極之下。
[0024]黑矩陣層和濾色器層可以設置在相同的層中。或者,黑矩陣層和濾色器層可以設置在不同的層中。
[0025]第一緩沖層和第二緩沖層可以具有包括多個無機膜的層疊結(jié)構(gòu)。
[0026]有機發(fā)光顯示器還可以包括分別位于第一緩沖層背面和膜基板之間以及第二緩沖層背面和覆蓋玻璃之間的第一蝕刻阻止膜和第二蝕刻阻止膜。在這種情況下,第一蝕刻阻止膜和第二蝕刻阻止膜可以是聚酰亞胺或光丙烯(photoacryl)。
[0027]黑矩陣層可以對應于每個像素的邊緣形成。
[0028]如果需要,有機發(fā)光二級管可以包括堤岸,所述堤岸包括對應于每個像素的邊緣形成的黑矩陣。在這種情況下,在觸摸電極陣列中省略黑矩陣層。
[0029]而且,第一觸摸電極可設置在第一方向上并包括多個第一電極圖案和金屬橋以電連接相鄰的第一電極圖案,每一個第一電極圖案都具有島形,第二觸摸電極設置在與第一方向相交的方向上并包括多個第二電極圖案和連接圖案來連接相鄰的第二電極圖案,每一個第二電極圖案都具有與第一電極圖案相同的形狀,所述連接圖案與所述第二電極圖案結(jié)合成一體。
[0030]在這種情況下,多個第一電極圖案、多個第二電極圖案和連接圖案可作為第一層中的同一透明電極形成,金屬橋可形成在第一層間絕緣膜上的第二層中,所述第一層間絕緣膜插入第一層和第二層之間,并且第一層間絕緣膜可包括形成在金屬橋與第二電極圖案重疊的區(qū)域中的接觸孔。
[0031]這里,有機發(fā)光顯示器還可以包括公共透明電極圖案,所述公共透明電極圖案覆蓋第二層間絕緣膜、形成在第一層間絕緣膜上的多個第一和第二電極圖案以及連接圖案、以及連接圖案。
[0032]黑矩陣層和濾色器層可包括第一層間絕緣膜或第二層間絕緣膜。
[0033]如果需要,黑矩陣層和濾色器層中的一個可包括在第一層間絕緣膜中,并且另一個可包括在第二層間絕緣膜中。
[0034]或者,黑矩陣層和濾色器層可設置在金屬橋之下。
[0035]另外,黑矩陣層和濾色器層可形成在公共透明電極圖案上。
[0036]同時,有機發(fā)光二級管可包括:彼此面對的第一和第二電極;以及形成在第一和第二電極的層之間的發(fā)光層。
[0037]而且,每個像素的濾色器層可包括濾色器,所述濾色器透射與從每個像素中的發(fā)光層發(fā)射的光具有相同顏色的光。
[0038]根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供一種制造有機發(fā)光顯不器的方法,包括:在第一基板上形成第一蝕刻阻止膜和第一緩沖層,并在第一緩沖層的有源區(qū)域中形成薄膜晶體管陣列和有機發(fā)光二極管,所述薄膜晶體管陣列在以矩陣形式限定的多個像素的每一個中包括薄膜晶體管,所述有機發(fā)光二極管連接到每個像素的薄膜晶體管;在第二基板上形成第二蝕刻阻止膜和第二緩沖層;在第二緩沖層上形成觸摸電極陣列和外部光屏蔽層,所述觸摸電極陣列面對所述有機發(fā)光二極管,并包括彼此交叉的第一和第二觸摸電極,所述外部光屏蔽層至少包括濾色器層;通過有機發(fā)光二極管和觸摸電極陣列之間的粘結(jié)層接合第一和第二基板;去除第一和第二基板;以及將膜基板粘結(jié)到暴露的第一蝕刻阻止膜,并利用覆蓋玻璃覆蓋暴露的第二蝕刻阻止膜。
[0039]而且,外部光屏蔽層還可以包括在外部光屏蔽層內(nèi)形成黑矩陣層。
[0040]在這里,形成觸摸電極陣列可包括:第一步驟,在第二緩沖層上形成金屬橋;第二步驟,在第二緩沖層上形成第一層間絕緣膜,所述第一層間絕緣膜包括位于金屬橋兩端的接觸孔;第三步驟,在第一層間絕緣膜上圖案化透明電極,以形成多個第一電極圖案和多個第二電極圖案,所述多個第一電極圖案呈島形位于第一方向上并通過接觸孔連接到金屬橋,每個第二電極圖案具有與每個第一電極圖案相同的形狀,并且形成連接圖案以一體地連接相鄰的第二電極圖案。
[0041]所述方法還可包括:第四步驟,在包括所述多個第一電極圖案、多個第二電極圖案和連接圖案的第一層間絕緣膜上形成第二層間絕緣膜;以及第五步驟,在第二層間絕緣膜上形成覆蓋所述多個第一電極圖案、多個第二電極圖案和連接圖案的公共透明電極圖案。[0042]例如,可以在第二步驟期間形成黑矩陣層和濾色器層?;蛘?,可以在第二步驟期間形成黑矩陣層和濾色器層中的一個,而在第四步驟期間進行形成另一個。另外,可以在第二步驟期間形成黑矩陣層和濾色器層中的一個,而在第四步驟期間形成另一個。
[0043]另外,可以在第一步驟之前,將黑矩陣層和濾色器層直接形成在第二緩沖層上。另夕卜,可以在第五步驟之后,將黑矩陣層和濾色器層形成在公共透明電極圖案上。
[0044]同時,可以通過蝕刻或激光輻射第一基板和第二基板實施第一基板和第二基板的去除步驟。
[0045]需要理解的是,本發(fā)明的上述一般描述和下述詳細描述都是示范性和說明性的,并且打算提供所要求保護的本發(fā)明的進一步說明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0046]本文包括的附圖用于提供對本發(fā)明的進一步理解并且被結(jié)合到本申請中且構(gòu)成本申請的一部分,說明本發(fā)明的實施例以及與說明書一起來解釋本發(fā)明的原理。其中:
[0047]圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的集成有觸摸屏的有機發(fā)光顯示器的截面圖;
[0048]圖2是根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器的平面圖;
[0049]圖3是沿著圖2中的線1-1’切開的截面圖;
[0050]圖4是圖2中的區(qū)域“A”的放大平面圖;
[0051]圖5是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的沿著圖4中的線I1-1I’切開的截面圖;
[0052]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器的觸摸電極陣列的形成過程的圖;
[0053]圖7A到7E示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的有機發(fā)光顯示器的觸摸電極陣列;
[0054]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的改進實施例的有機發(fā)光顯示器的截面圖;以及
[0055]圖9是在可見性方面與有機發(fā)光顯示器相比的本發(fā)明的參考實施例。
【具體實施方式】
[0056]下面,將更詳細地描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例,其例子在附圖中示出。只要可能,相同的附圖標記在整個附圖中指代相同或相似的部件。
[0057]下文中,將參考附圖詳細描述有機發(fā)光顯示器及其制造方法。
[0058]最近幾年中,對于有機發(fā)光顯示器的觸摸感測以及薄度和柔性的需求逐漸增加?;诖?,提出了一種方法,該方法包括在第一基板上形成薄膜晶體管和有機發(fā)光陣列,在第二基板上形成觸摸電極陣列,接合這些基板,以及通過激光輻射或蝕刻去除硬且厚的第一和第二基板以實現(xiàn)薄膜和柔性。在這種情況下,觸摸電極陣列的焊盤部分面對有機發(fā)光陣列的焊盤部分,而且這些焊盤部分通過導電球彼此連接,從而能夠發(fā)送信號到觸摸電極陣列并從觸摸電極陣列檢測信號。
[0059]下文中,將描述嵌入(in-cell)型有機發(fā)光顯示器,其中觸摸電極陣列設置在覆蓋玻璃內(nèi)。
[0060]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器的平面圖。圖3是沿著圖2中的線1-1’切開的截面圖。
[0061]如圖2和3所示,根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器具有如下構(gòu)造,有機發(fā)光陣列150和觸摸電極陣列230分別形成在膜基板1000的內(nèi)側(cè)和覆蓋玻璃3000的內(nèi)側(cè)并具有不同的尺寸,通過粘結(jié)層400將有機發(fā)光陣列150和觸摸電極陣列230彼此接合。
[0062]而且,根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器不包括位于覆蓋玻璃之下的偏振片,而是還包括外部光屏蔽層2400以取代偏振片,該外部光屏蔽層2400具有位于觸摸電極陣列內(nèi)執(zhí)行防止識別外部光功能的黑矩陣層(圖5中“242”所示)和濾色器層(圖5中“241”所示)。黑矩陣層和濾色器層防止入射光發(fā)射以便防止入射到有機發(fā)光顯示器上的外部光反射并被觀眾看到。將參考圖5提供具有這種構(gòu)造的觸摸電極陣列的詳細描述。
[0063]這些陣列并不是直接形成在膜基板1000或覆蓋玻璃3000上,而是通過單獨制備每個都由玻璃制成的第一和第二基板(都沒有示出),經(jīng)由設置在有機發(fā)光陣列150和觸摸電極陣列230之間的粘結(jié)層接合所述基板(也就是說,在保留第一和第二基板的同時執(zhí)行該接合處理),以及為了實現(xiàn)薄膜和柔性而利用激光輻射或蝕刻去除第一和第二基板來獲得所述陣列。在這種情況下,如圖2所示,去除由玻璃材料形成的第一和第二基板,并且將膜基板1000和覆蓋玻璃3000分布粘結(jié)到暴露的陣列的底部以便保護這些陣列。
[0064]膜粘結(jié)層1100、第一蝕刻阻止層120、第一緩沖層130和薄膜晶體管陣列140以及有機發(fā)光陣列150順序形成在膜基板1000上,并且形成保護層160以覆蓋有機發(fā)光陣列150。第二蝕刻阻止層210、第二緩沖層220和觸摸電極陣列230設置在覆蓋玻璃3000上。觸摸電極陣列230設置成面對有機發(fā)光陣列150。在這種情況下,保護層160直接接觸粘結(jié)層400的底部,觸摸電極陣列230直接接觸粘結(jié)層400的頂部。
[0065]有源區(qū)域和無源區(qū)域(dead region)分別限定在第一緩沖層130和第二緩沖層220中,觸摸電極陣列230、有機發(fā)光陣列150以及位于不包括焊盤部分的薄膜晶體管陣列140中的薄膜晶體管形成在有源區(qū)域中。而且,觸摸電極焊盤部分2350和薄膜晶體管陣列的焊盤部分限定在無源區(qū)域的一部分區(qū)域中。
[0066]第一蝕刻阻止層120和第二蝕刻阻止層210起到在激光輻射或蝕刻期間防止損害除第一和第二基板的玻璃材料之外的內(nèi)部陣列的作用。如果需要,在去除第一和第二基板期間,不損害設置于第一和第二基板之下的第一和第二緩沖層130和220,可以省略第一和/或第二蝕刻阻止層120和210。
[0067]而且,可以順序?qū)盈B諸如氧化物膜(Si02)或氮化物膜(SiNx)的相同類型的無機膜,或者層疊不同類型的無機膜而形成第一緩沖層130和第二緩沖層220。第一和第二緩沖層130和220用作在第二基板接合到第一基板之后防止?jié)駳饣蛲獠繗怏w滲入到有機發(fā)光陣列150的障礙物。
[0068]而且,觸摸焊盤部分2350和觸摸電極陣列230都形成在第二緩沖層220的相同表面上。
[0069]當上基板和下基板通過粘結(jié)層400彼此接合時,觸摸焊盤部分2350通過包括導電球455的密封劑450連接到薄膜晶體管陣列140的焊盤部分。粘結(jié)層400起到防止?jié)駳鉂B入的作用并且直接接觸覆蓋有機發(fā)光陣列150的保護層160,從而防止外部氣體滲入有機發(fā)光陣列150,除了保護層160的作用之外,更可靠地防止了滲入濕氣。
[0070]包括焊盤部分的薄膜晶體管陣列140具有從觸摸電極陣列230突出的側(cè)邊。這種構(gòu)造是為了在突出的地方提供IC500,IC500發(fā)送信號以同時驅(qū)動觸摸電極陣列、薄膜晶體管陣列以及有機發(fā)光陣列。雖然未示出,但是IC500通過形成在IC500和第一緩沖層130上的導線(未示出)連接到薄膜晶體管陣列的驅(qū)動焊盤和虛設焊盤。而且,IC500粘結(jié)并連接到柔性印刷電路板(FPCB,未示出)并且可由設置在FPCB中的控制器(未示出)控制。在與設置于有源區(qū)域外的無源區(qū)域之中的觸摸焊盤部分對應的區(qū)域中,虛設焊盤形成在與構(gòu)成柵極線或數(shù)據(jù)線的金屬相同的層中。
[0071]觸摸焊盤部分2350形成在第二緩沖層220上,并且形成在鄰近第一緩沖層130比第二緩沖層220更突出的部分一側(cè)的兩個邊緣上。而且,形成在一邊緣的觸摸焊盤部分2350被分成多個焊盤電極,以能夠施加電壓或檢測排布在觸摸電極陣列中的X軸方向上的第一電極,形成在另一邊緣的觸摸焊盤部分2350被分成多個焊盤電極,以能夠施加電壓或檢測排布在Y軸方向上的第二電極。
[0072]連接到觸摸焊盤部分2350的導電球455電連接到形成在薄膜晶體管陣列140外的虛設電極(未示出)。
[0073]在實際處理期間,通過涂覆到不同區(qū)域單獨形成粘結(jié)層160和密封劑450。
[0074]同時,如圖3所示,根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器包括膜基板1000、順序形成在膜基板1000上的第一蝕刻阻止膜120和第一緩沖層130、位于第一緩沖層130上的薄膜晶體管陣列140,所述薄膜晶體管陣列140在以矩陣形式限定的每個像素中具有薄膜晶體管、連接到每個像素的薄膜晶體管的有機發(fā)光陣列150、覆蓋不包括焊盤部分的薄膜晶體管陣列140和有機發(fā)光陣列150的保護層160、通過插入保護層160和觸摸電極陣列230之間的粘結(jié)層400粘結(jié)到保護層的觸摸電極陣列230、以及順序形成在觸摸電極陣列230上的第二緩沖層220和第二蝕刻阻止膜210,并且所述有機發(fā)光顯示器包括設置在第二蝕刻阻止膜210上的覆蓋玻璃3000。
[0075]覆蓋玻璃3000可通過插入第二蝕刻阻止膜210和覆蓋玻璃3000之間的粘結(jié)層粘結(jié)到第二蝕刻阻止膜210,或可以通過機械方法或其它方法設置在第二蝕刻阻止膜210上。覆蓋玻璃3000防止用戶的直接觸摸對內(nèi)部陣列的損害并保護內(nèi)部陣列。
[0076]可以通過省略顯示器中最厚的部件,即具有大約0.7mm厚度的玻璃基板來降低根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器的厚度,并且利用膜基板1000作為用于支撐薄膜晶體管陣列140、有機發(fā)光陣列150和觸摸電極陣列230的塑料絕緣膜,能夠獲得可彎曲或柔性的顯示器。
[0077]另外,在膜基板上形成陣列,諸如薄膜晶體管陣列140、有機發(fā)光陣列150和觸摸電極陣列230的處理中,膜基板由于施加到用于沉積或圖案化陣列的設備的熱而熱膨脹,從而不能進行正常的處理。為了防止這種現(xiàn)象,基本上在形成薄膜晶體管陣列140和觸摸電極陣列230之前,通過在玻璃基板上形成分別位于薄膜晶體管陣列140和觸摸電極陣列230之下的蝕刻阻止膜120和210以及緩沖層130和220,然后將玻璃基板裝載到用于沉積或圖案化的設備中來實施陣列的形成。
[0078]同時,薄膜晶體管陣列140包括多個彼此交叉以限定像素的柵極線和數(shù)據(jù)線、以及形成在柵極線和數(shù)據(jù)線之間的各個交叉點的薄膜晶體管。通過在形成柵極線和數(shù)據(jù)線的處理中形成焊盤部分金屬,獲得薄膜晶體管陣列140的焊盤部分。
[0079]而且,有機發(fā)光陣列150包括至少形成在像素中的第一電極、與第一電極隔開的形成在上層中的第二電極、以及形成在第一和第二電極之間的有機發(fā)光層。第一電極可連接到薄膜晶體管的漏極。
[0080]另外,第一蝕刻阻止膜120和第二蝕刻阻止膜210可例如由聚酰亞胺或光丙烯形成。
[0081]第一和第二蝕刻阻止膜120和210具有大約I μ m到大約20 μ m的厚度。
[0082]而且,第一緩沖層130和第二緩沖層220用于防止氧或濕氣滲入設置在有機發(fā)光陣列中的有機膜,并充當防止從下方注入的外部空氣或濕氣滲入的障礙物。
[0083]第一緩沖層130和第二緩沖層220包括多個無機膜。例如,可通過連續(xù)或交替地層疊SiNx或SiO2形成無機膜。從實驗中能夠看出,當層疊兩層或多層到大約5.000 A到6,500 A的厚度作為第一和第二緩沖層130和220時,能夠防止外部空氣或濕氣的滲入。第一和第二緩沖層130和220的總厚度是I μ m或更少,這不會增加集成有觸摸屏的顯示裝置的厚度。
[0084]下文中,將詳細描述根據(jù)本發(fā)明的觸摸電極陣列的構(gòu)造。
[0085]圖4是圖2中的區(qū)域“A”的放大平面圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的沿著圖4中的線I1-1I’切開的截面圖。
[0086]如圖4和5所示,根據(jù)本發(fā)明第一實施例的觸摸電極陣列230包括彼此交叉的第一觸摸電極和第二觸摸電極、以及傳送信號到第一和第二觸摸電極的觸摸焊盤2351b (設置在觸摸焊盤部分2350中)。觸摸焊盤2351b可連接到形成在薄膜晶體管陣列的無源區(qū)域中的虛設焊盤(未示出)。圖3示出了包括虛設焊盤的薄膜晶體管陣列140、以及作為包括觸摸焊盤、第一觸摸電極2331和第二觸摸電極2332的一層的觸摸電極層。這些層根據(jù)各個電極而被圖案化。
[0087]第一觸摸電極設置在第一方向上并包括設置成島形的第一電極圖案2331和金屬橋231,該金屬橋231與不同于該第一電極圖案的層相鄰,將第一電極圖案2331電連接到另一個第一電極圖案2331,第二觸摸電極設置在與第一方向相交的方向上并包括形狀與第一電極圖案2331的形狀相同的第二電極圖案2332和連接圖案2332c,連接圖案2332c以與第二電極圖案成一體的形式連接相鄰的第二電極圖案2332。
[0088]第一電極圖案2331、第二電極圖案2332和連接圖案2332c形成為第一層中的相同透明電極,金屬橋231形成在第一層間絕緣膜232上的第二層中,第一層間絕緣膜232插入第一層和第二層之間,第一層間絕緣膜可包括接觸孔232a,接觸孔232a位于金屬橋231與第二電極圖案2332重疊的區(qū)域中。
[0089]在圖5中,第一層對應于第一層間絕緣膜232的表面,第二層對應于第二緩沖層220。這示出了一個例子,其中在第二緩沖層220上形成金屬橋231,然后形成包括接觸孔232a的第一層間絕緣膜232,然后形成第一電極圖案2331、第二電極圖案2332和連接圖案2332c,然而本發(fā)明不需限定于此。如果需要,可以改變金屬橋231、第一和第二電極圖案2331和2332以及連接圖案2332c的形成順序。
[0090]而且,包括黑矩陣層242和濾色器層241的外部光屏蔽層2400形成在包括第一和第二電極圖案2331和2332以及連接圖案2332c的第一層間絕緣膜232上。
[0091]黑矩陣層242吸收光并阻擋光透射,并且形成在面對觸摸電極陣列230的薄膜晶體管陣列的各個像素和有機發(fā)光二極管的邊緣上。
[0092]而且,構(gòu)成濾色器層241的紅顏料層(R)、綠顏料層(G)和藍顏料層(B)對應于透射與各個像素中的有機發(fā)光二極管的發(fā)光層發(fā)出的光具有相同顏色的光的顏料層。例如,在有機發(fā)光二極管的發(fā)光層為紅光發(fā)光層的像素中,紅顏料層(R)對應于紅光發(fā)光層,在發(fā)光層為綠光發(fā)光層的像素中,綠顏料層(G)對應于綠光發(fā)光層,在發(fā)光層為藍光發(fā)光層的像素中,藍顏料層(B)對應于藍光發(fā)光層。
[0093]同時,如圖4所示,第一層間絕緣膜232暴露在觸摸焊盤部分2350中的觸摸焊盤2351b的鄰近部分上。這意味著該鄰近部分具有比包括層疊的電極、透明電極等等的觸摸焊盤2351b低的臺階。這一臺階使得觸摸焊盤2351b的水平面較高,使得導電球455在粘結(jié)期間被壓縮,從而有利于觸摸焊盤2351b和導電球455之間的接觸。
[0094]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器的觸摸電極陣列的形成過程的圖。
[0095]如圖6所示,在第二基板200上順序形成第二蝕刻阻止膜210和第二緩沖層220之后,在第二緩沖層220上形成有機發(fā)光顯示器的觸摸電極陣列230。
[0096]如上所述,第二緩沖層220是包括多個無機膜的具有I μ m厚度的疊層。為了防止由熱導致的損害、在陣列的形成期間施加的蝕刻溶液等等,不在第二緩沖層220上直接執(zhí)行陣列形成工藝,而是在由玻璃成分制成的第二基板200上執(zhí)行陣列形成工藝。
[0097]在觸摸電極陣列230接合到有機發(fā)光陣列150使得這些陣列彼此面對之后,通過利用蝕刻溶液或激光輻射的蝕刻來去除由玻璃成分制成的第一基板(未示出)和第二基板200。此時,第二蝕刻阻止膜210防止損害第一和第二緩沖層130和220以及設置在它們上的陣列。如上所述,第一和第二蝕刻阻止膜120和210可以是抗蝕刻溶液或激光輻射的有機膜部件。然而,第一和第二蝕刻阻止膜120和210具有20 μ m或更小的厚度,因而既不增加裝置的厚度也不降低柔性。
[0098]同時,包括黑矩陣層242和濾色器層241的外部光屏蔽層2400可具有其他形狀。
[0099]下文中,將描述包括另一種形式的外部光屏蔽層的觸摸電極陣列的另一實施例。
[0100]圖7A-7E示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光顯示器的觸摸電極陣列。
[0101]圖7A示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機發(fā)光顯示器的觸摸電極陣列。比較第一實施例和第二實施例,第二實施例還包括公共透明電極圖案235a和235b,所述公共透明電極圖案235a和235b覆蓋第二層間絕緣膜234以及包括第一電極圖案2331、第二電極圖案2332和連接圖案2332c的第一層間絕緣膜232上的第一電極圖案2331、第二電極圖案2332和連接圖案2332c。
[0102]第一電極圖案2331被第一公共透明電極圖案235a覆蓋,而彼此成一體的第二電極圖案2332和連接圖案2332c被第二公共透明電極圖案235b覆蓋。
[0103]而且,包括黑矩陣層342和濾色器層341的外部光屏蔽層3400形成在包括公共透明電極圖案235a的第二層間絕緣膜234上。
[0104]如圖2所示,當觸摸電極陣列230通過粘結(jié)層400接觸覆蓋有機發(fā)光陣列150的保護膜160時,在觸摸電極陣列230的驅(qū)動中,公共透明電極圖案235a阻擋從設置在下方的有機發(fā)光陣列150或薄膜晶體管陣列140發(fā)送的信號的影響。公共透明電極圖案235a具有浮置狀態(tài),該浮置狀態(tài)穩(wěn)定設置于其中的第一觸摸電極和第二觸摸電極的驅(qū)動,而不施加外部電壓。
[0105]圖7B示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的有機發(fā)光顯示器的觸摸電極陣列。與第二實施例比較,該第三實施例包括具有黑矩陣層242和濾色器層241的屏蔽層2400以取代第二層間絕緣膜234。在這種情況下,可以省略第二層間絕緣膜234,并且和第二實施例相比,簡化了第一實施例的工藝。[0106]圖7C示出根據(jù)本發(fā)明第四實施例的有機發(fā)光顯示器的觸摸電極陣列。與第二實施例比較,該第三實施例包括具有黑矩陣層442和濾色器層441的屏蔽層2400以取代第一層間絕緣膜232。在這種情況下,可以省略第一層間絕緣膜232,并且和第二實施例相比,簡化了第一實施例的工藝。
[0107]圖7D示出根據(jù)本發(fā)明第五實施例的有機發(fā)光顯示器的觸摸電極陣列。與第二實施例比較,該第五實施例包括具有紅顏料(R)、綠顏料(G)和藍顏料(B)的濾色器層541以取代第一層間絕緣膜232。
[0108]在第五實施例中,接觸孔232a形成在濾色器層541中,在濾色器層541上形成通過接觸孔232a連接到金屬橋231的第一電極圖案2331、與第一電極圖案2331隔開并設置在與第一電極圖案2331的設置方向相交的方向上的第二電極圖案2332、以及與第二電極圖案2332成一體的連接圖案2332c。而且,在接合期間,在有機發(fā)光陣列面對薄膜晶體管陣列的像素邊緣,黑矩陣層542形成在包括濾色器層541的第一電極圖案2331、第二電極圖案2332和連接圖案2332c的透明電極層上。在第五實施例中,當與第二實施例相比時,可以省略第一層間絕緣膜。
[0109]而且,形成在不同層中的黑矩陣層542和濾色器層541用作外部光屏蔽層5400。
[0110]圖7E示出根據(jù)本發(fā)明第六實施例的有機發(fā)光顯示器的觸摸電極陣列。與第二實施例比較,該第六實施例包括位于金屬橋231之下的具有黑矩陣層642和濾色器層641的屏蔽層6400。
[0111]同時,根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示器,在觸摸電極陣列的形成期間,利用黑矩陣層和濾色器層形成外部光屏蔽層的原因如下。
[0112]通過陣列形成工藝,黑矩陣層形成為具有I μ m到3 μ m的小厚度,并且只通過印刷工藝被容易地形成在預定區(qū)域,而不使用任何掩模。因此,容易形成黑矩陣層,所述黑矩陣層根據(jù)特有的波長帶吸收特定顏色的光,因此防止入射到有機發(fā)光顯示器上的外部光被有機發(fā)光二極管的電極反射或識別外部光。而且,可以省略有機發(fā)光顯示器所必需的并具有較大厚度的相位延遲層與圓偏振片或線偏振片的組合,因此容易獲得柔性和薄的有機發(fā)光顯示器。通常,偏振片具有大約150 μ m或更大的厚度。能夠降低這一厚度,并因此獲得透射率提高和厚度降低的卓越效果。
[0113]而且,在設置圓偏振片等的情況下,需要光的各向同性的有機膜被用作蝕刻阻止層以補償視角。本發(fā)明不需要這種有機膜,因此能夠使用不能執(zhí)行光學補償?shù)囊话阌袡C膜。因此,能夠省略昂貴的光學膜并因此降低成本。
[0114]而且,用于外部光屏蔽層的黑矩陣層和濾色器層能夠替代層間絕緣膜,因此能夠形成觸摸電極陣列而不增加厚度和單獨的工藝。
[0115]同時,可以使用上述實施例以及圖8中所示的改進實施例。
[0116]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明改進實施例的有機發(fā)光顯示器的截面圖。
[0117]與第五實施例相比,在圖8所示的改進實施例中,在有機發(fā)光陣列150上形成黑矩陣層701以取代堤岸來隔離各個像素,所述有機發(fā)光陣列150形成于第一緩沖層130和面對黑矩陣層701的薄膜晶體管陣列140上。
[0118]在這種情況下,不再進一步提供黑矩陣層以便防止識別外部光,并且設置黑矩陣層701以取代堤岸,從而具有簡化工藝的優(yōu)點。[0119]在這種情況下,為了防止識別外部光,將黑矩陣層701形成在薄膜晶體管陣列140上,將濾色器層541形成在觸摸電極陣列230中。
[0120]沒有描述的附圖標記“703”指的是有機發(fā)光陣列150的第二電極,“702”(702a、702b和702c)指的是設置在每個像素中的發(fā)光層。
[0121]在這種情況下,有機發(fā)光二極管的剩余的第一電極可形成在薄膜晶體管陣列140上。
[0122]圖9是在可見性方面與有機發(fā)光顯示器相比的本發(fā)明的參考實施例。
[0123]與圖3所示的實施例相比,圖9的參考實施例還包括覆蓋玻璃3000中的偏振片2000,而不包括觸摸電極陣列230中的外部光屏蔽層。具有與圖3相同的附圖標記的其余部件具有相同的構(gòu)造,并且將省略它們的詳細描述。
[0124]下面的表格I示出了通過模擬圖3和9中所示的構(gòu)造獲得的反射率和透射率值、在320,OOOcd的外部光條件下的實際透射率、以及500nit的有機發(fā)光二極管的透射率。
[0125]表格I
[0126]
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光顯不器,包括: 彼此面對的第一緩沖層和第二緩沖層; 位于第一緩沖層上的薄膜晶體管陣列,所述薄膜晶體管陣列在以矩陣形式限定的多個像素的每一個中包括薄膜晶體管; 連接到每個像素的薄膜晶體管的有機發(fā)光二極管; 位于第二緩沖層上的觸摸電極陣列,所述觸摸電極陣列面對所述有機發(fā)光二極管,且包括彼此交叉的第一和第二觸摸電極以及外部光屏蔽層,所述外部光屏蔽層至少包括濾色器層; 形成在有機發(fā)光二級管和觸摸電極陣列之間的粘結(jié)層; 形成在所述第二緩沖層的背面上的覆蓋玻璃;以及 形成在所述第一緩沖層的背面上的膜基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述外部光屏蔽層還包括黑矩陣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述黑矩陣層和濾色器層設置在所述第一觸摸電極和第二觸摸電極上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述黑矩陣層和濾色器層設置在所述第一觸摸電極和第二觸摸電極之下。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述黑矩陣層和濾色器層設置在相同的層中。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述黑矩陣層和濾色器層設置在不同的層中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述第一緩沖層和第二緩沖層具有包括多個無機膜的層疊結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器,還包括分別位于所述第一緩沖層的背面和膜基板之間以及所述第二緩沖層的背面和覆蓋玻璃之間的第一蝕刻阻止膜和第二蝕刻阻止膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述第一蝕刻阻止膜和第二蝕刻阻止膜是聚酰亞胺或光丙烯。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述黑矩陣層對應于每個像素的邊緣形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述有機發(fā)光二級管包括堤岸,所述堤岸包括對應于每個像素的邊緣的黑矩陣。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述第一觸摸電極設置在第一方向上并包括多個第一電極圖案和金屬橋以電連接相鄰的第一電極圖案,每個第一電極圖案具有島形,以及 所述第二觸摸電極設置在與所述第一方向相交的方向上并包括多個第二電極圖案和連接圖案以連接相鄰的第二電極圖案,每個第二電極圖案具有與每個第一電極圖案相同的形狀,所述連接圖案與所述第二電極圖案結(jié)合成一體。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述多個第一電極圖案、多個第二電極圖案和連接圖案形成為第一層中的同一透明電極,所述金屬橋形成在第一層間絕緣膜上的第二層中,所述第一層間絕緣膜插入所述第一層和第二層之間,以及 所述第一層間絕緣膜包括形成在所述金屬橋與相鄰的第一電極圖案重疊的區(qū)域中的接觸孔。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光顯示器,還包括公共透明電極圖案,所述公共透明電極圖案覆蓋所述第二層間絕緣膜、形成在所述第一層間絕緣膜上的所述多個第一和第二電極圖案以及所述連接圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述黑矩陣層和濾色器層包括所述第一層間絕緣膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述黑矩陣層和濾色器層包括所述第二層間絕緣膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述黑矩陣層和濾色器層中的一個包括在所述第一層間絕緣膜中,而另一個包括在所述第二層間絕緣膜中。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述黑矩陣層和濾色器層設置在所述金屬橋之下。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述黑矩陣層和濾色器層形成在所述公共透明電極圖案上。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器,其中所述有機發(fā)光二級管包括: 彼此面對的第一和第二電極;以及 形成在所述第一和第二電極的層之間的發(fā)光層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機發(fā)光顯示器,其中每個像素的濾色器層包括濾色器,所述濾色器透射與從每個像素中的發(fā)光層發(fā)射的光具有相同顏色的光。
22.—種制造有機發(fā)光顯不器的方法,包括: 在第一基板上形成第一蝕刻阻止膜和第一緩沖層,并在第一緩沖層的有源區(qū)域中形成薄膜晶體管陣列和有機發(fā)光二極管,所述薄膜晶體管陣列在以矩陣形式限定的多個像素的每一個中包括薄膜晶體管,所述有機發(fā)光二極管連接到每個像素的薄膜晶體管; 在第二基板上形成第二蝕刻阻止膜和第二緩沖層; 在第二緩沖層上形成觸摸電極陣列和外部光屏蔽層,其中所述觸摸電極陣列面對所述有機發(fā)光二極管,并包括彼此交叉的第一和第二觸摸電極,所述外部光屏蔽層至少包括濾色器層; 通過有機發(fā)光二極管和觸摸電極陣列之間的粘結(jié)層接合第一和第二基板; 去除第一基板和第二基板;以及 將膜基板粘結(jié)到暴露的第一蝕刻阻止膜,并利用覆蓋玻璃覆蓋暴露的第二蝕刻阻止膜。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法,還包括在所述外部光屏蔽層內(nèi)形成黑矩陣層。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法,其中形成所述觸摸電極陣列包括: 第一步驟,在所述第二緩沖層上形成金屬橋; 第二步驟,在第二緩沖層上形成第一層間絕緣膜,所述第一層間絕緣膜包括位于金屬橋兩端的接觸孔;第三步驟,在第一層間絕緣膜上圖案化透明電極,以形成多個第一電極圖案和多個第二電極圖案,所述多個第一電極圖案以島形位于第一方向上并通過接觸孔連接到金屬橋,每個第二電極圖案具有與每個第一電極圖案相同的形狀,并且形成連接圖案以一體地連接相鄰的第二電極圖案。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法,還包括: 第四步驟,在包括所述多個第一電極圖案、多個第二電極圖案和連接圖案的所述第一層間絕緣膜上形成第二層間絕緣膜;以及 第五步驟,在所述第二層間絕緣膜上形成覆蓋所述多個第一電極圖案、多個第二電極圖案和連接圖案的公共透明電極圖案。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法,其中在所述第二步驟期間形成所述黑矩陣層和濾色器層。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法,其中在所述第四步驟期間形成所述黑矩陣層和濾色器層。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法,其中在所述第二步驟期間形成所述黑矩陣層和濾色器層中的一個,在所述第四步驟期間形成所述黑矩陣層和濾色器層中的另一個。
29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法,其中在所述第一步驟之前,將所述黑矩陣層和濾色器層直接形成在所述第二緩沖層上。
30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法,其中在所述第五步驟之后,將所述黑矩陣層和濾色器層形成在所述公共透明電極圖案上。`
31.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法,其中通過蝕刻或激光輻射所述第一基板和第二基板執(zhí)行所述第一基板和第二基板的去除步驟。
【文檔編號】H01L27/32GK103681737SQ201210564719
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月31日
【發(fā)明者】崔浩源, 李在度 申請人:樂金顯示有限公司
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