專利名稱：陣列基板及其制作方法、有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于有機(jī)發(fā)光二極管顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diodes,0LED)以其制備工藝簡單、成本低、發(fā)光顏色可在可見光區(qū)內(nèi)任意調(diào)節(jié)以及易于大面積和柔性彎曲等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是未來最重要的顯示技術(shù)之一。尤其是白光OLED (WOLED)的功率效率已經(jīng)超過了 601m/W，壽命達(dá)到了 2萬個小時以上，極大地推動了 WOLED的發(fā)展。 如圖1所示,為現(xiàn)有的OLED陣列基板的結(jié)構(gòu),具體示出了一個像素單元的示意圖，由下至上包括形成在基板I上的第一柵極2、第二柵極2，及柵線(圖中未示出)，形成在第一柵極2、第二柵極2，及柵線之上的柵絕緣層3，形成在柵絕緣層3上的第一有源層4和第二有源層4'，形成在第一有源層4和第二有源層4'之上的絕緣間隔層5，形成在絕緣間隔層5上的第一源漏層6 (包括第一源極和第一漏極)和第二源漏層6'(包括第二源極和第二漏極)，形成在第一源漏層6和第二源漏層6'之上的鈍化層7。其中，第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣間隔層5及第一源漏層6形成開關(guān)薄膜晶體管(開關(guān)TFT)，第二柵極2'、柵絕緣層3、第二有源層4'、絕緣間隔層5及第二源漏層6'形成驅(qū)動薄膜晶體管(驅(qū)動TFT)。第一源漏層6和第二源漏層6'之上依次為鈍化層7、彩膜9，樹脂層10，有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極11、像素定義層12、有機(jī)發(fā)光層13及有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極14。其中，第一電極11為透明電極，有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光通過第一電極以及其下方的各層后出射。有機(jī)發(fā)光二極管位于像素單元的像素區(qū)域(通常指像素單元的除薄膜晶體管以外的顯示區(qū)域)。該結(jié)構(gòu)中，第二柵極Y與第二源漏極K的漏極之間形成存儲電容，如圖1中虛線框所示。該像素單元的等效電路圖如圖2所示，Cs為所述存儲電容。由于WOLED需要較大的驅(qū)動電流，從而WOLED的顯示裝置的功耗很大，為了降低功耗，在基板上形成了該存儲電容的結(jié)構(gòu)，該存儲電容的作用是在為WOLED提供一部分驅(qū)動電流，使得由電源提供的驅(qū)動電流可相應(yīng)減小，從而減小功耗。但是從圖1中可看出，第二柵極2'與第二源漏極6'的漏極間隔了兩層絕緣層，距離較大，電容較小，若能減小距離，增大電容，便能夠進(jìn)一步地降低WOLED的顯示裝置的功耗。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何進(jìn)一步減小WOLED顯示裝置的驅(qū)動功耗。(二)技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括多個位于基板上的像素單元，所述像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；以及由所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動的有機(jī)發(fā)光二極管，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括驅(qū)動薄膜晶體管，所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接所述有機(jī)發(fā)光二極管，所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極與漏極重疊，之間形成存儲電容，所述柵極和漏極之間間隔的絕緣層上對應(yīng)重疊區(qū)域形成有凹槽，使所述柵極和漏極之間的距離小于所述絕緣層的對應(yīng)非重疊區(qū)域的厚度。其中，所述像素單元還包括彩膜，所述彩膜形成在所述有機(jī)發(fā)光二極管與所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之間。其中，所述漏極位于所述柵極的上方，兩者之間間隔的絕緣層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域的位置形成有凹槽，所述漏極的一部分形成在所述凹槽中。其中，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括形成 在基板上的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極，形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關(guān)薄膜晶體管，所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅(qū)動薄膜晶體管；所述有機(jī)發(fā)光二極管位于所述像素單元的像素區(qū)域，包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，所述第一電極連接所述第二漏極，所述第二漏極與所述第二柵極重疊，之間形成存儲電容，所述第二漏極與所述第二柵極之間間隔的絕緣層為所述柵絕緣層。其中，所述第二有源層和第二漏極之間還形成有絕緣間隔層，所述絕緣層包括絕緣間隔層和柵絕緣層，所述凹槽形成在靠近所述第二漏極的絕緣間隔層的表面，且所述凹槽的深度小于所述絕緣間隔層的厚度。其中，所述第二有源層和第二漏極之間還形成有絕緣間隔層，所述絕緣層包括絕緣間隔層和柵絕緣層，所述絕緣間隔層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成有通孔，所述通孔與所述柵絕緣層的表面形成所述凹槽。其中，所述第二有源層和第二漏極之間還形成有絕緣間隔層，所述絕緣層包括絕緣間隔層和柵絕緣層，所述絕緣間隔層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成有通孔，柵絕緣層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成有子凹槽，所述通孔與所述子凹槽形成所述凹槽；所述子凹槽的深度小于所述柵絕緣層的厚度。其中，所述彩膜位于所述驅(qū)動薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之上的鈍化層上。本發(fā)明還提供了一種陣列基板制作方法，包括步驟在基板上形成包括第一柵極、第二柵極、絕緣層、第一有源層、第二有源層的圖形；在所述絕緣層上形成包括過孔及凹槽的圖形；形成包括第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極的圖形，使所述第二漏極與第二柵極重疊，且所述凹槽使所述柵極和漏極之間的距離小于所述絕緣層的對應(yīng)非重疊區(qū)域的厚度； 形成包括彩膜及有機(jī)發(fā)光二極管的圖形。其中，所述絕緣層為柵絕緣層，在所述絕緣層上形成包括過孔及凹槽的圖形的步驟具體包括通過構(gòu)圖工藝在所述柵絕緣層上對應(yīng)第一漏極和第二柵極連接的區(qū)域形成過孔，在所述柵絕緣層上對應(yīng)第二漏極與第二柵極的重疊區(qū)域形成所述凹槽。其中，所述絕緣層包括形成在第一柵極、第二柵極之上的柵絕緣層和形成在第一有源層、第二有源層之上的絕緣間隔層，通過一次構(gòu)圖工藝在所述絕緣層上形成包括過孔及凹槽的圖形。其中，在所述絕緣層上形成包括過孔及凹槽的圖形的步驟具體包括通過構(gòu)圖工藝形成在所述第一漏極和第二柵極連接的區(qū)域形成貫穿所述柵絕緣層和絕緣間隔層的第一過孔；在第一源極與第一有源層連接的區(qū)域形成貫穿所述絕緣間隔層的第二過孔；在第一漏極與第一有源層 連接的區(qū)域形成貫穿所述絕緣間隔層的第三過孔；在第二源極與第二有源層連接的區(qū)域形成貫穿所述絕緣間隔層的第四過孔；在第二漏極與第二柵極的重疊區(qū)域形成所述凹槽。其中，在第二漏極與第二柵極的重疊區(qū)域形成所述凹槽的步驟具體包括在所述絕緣間隔層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成所述凹槽；或在所述絕緣間隔層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成通孔，所述通孔與所述柵絕緣層的表面形成所述凹槽；或在所述絕緣間隔層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成通孔，在所述柵絕緣層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成子凹槽，所述通孔與所述子凹槽形成所述凹槽。本發(fā)明還公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括上述任一項所述的陣列基板。(三)有益效果本發(fā)明通過在柵極和漏極之間的絕緣層上形成凹槽結(jié)構(gòu)，以減小柵極和漏極之間的距離，使兩者之間形成的存儲電容變大，能夠為WOLED提供更大的驅(qū)動電流，從而降低了WOLED顯示裝置的驅(qū)動功耗。


圖1是現(xiàn)有的一種陣列基板結(jié)構(gòu)不意圖；圖2是圖1中陣列基板中像素單元的等效電路圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例的一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是圖3中陣列基板凹槽處放大示意圖；圖5是制作圖3中陣列基板時形成柵極、絕緣層及有源層的圖形的示意圖；圖6是在圖5的基板的基礎(chǔ)上形成過孔及凹槽的示意圖；圖7是在圖6的基板的基礎(chǔ)上形成源漏電極的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的陣列基板包括多個位于基板上的像素單元，像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；以及由薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動的有機(jī)發(fā)光二極管，有機(jī)發(fā)光二極管位于像素單元的像素區(qū)域。薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括驅(qū)動薄膜晶體管，驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接有機(jī)發(fā)光二極管，驅(qū)動薄膜晶體管的柵極與漏極重疊，之間形成存儲電容。柵極和漏極之間間隔的絕緣層上對應(yīng)重疊區(qū)域形成有凹槽，使柵極和漏極之間的距離小于絕緣層的對應(yīng)非重疊區(qū)域的厚度。即減小了柵極和漏極之間的距離，從而增大了兩者之間形成的存儲電容，降低陣列基板的驅(qū)動功耗。下面以底柵型的薄膜晶體管的WOLED陣列基板為例進(jìn)行說明。如圖3所示，該陣列基板由下至上包括形成在基板I上的第一柵極2、第二柵極2/及柵線(圖中未示出)，形成在第一柵極2、第二柵極2'及柵線之上的柵絕緣層3，形成在柵絕緣層3上的第一有源層4和第二有源層4'，形成在第一有源層4和第二有源層4'之上的絕緣間隔層5，形成在絕緣間隔層5上的第一源漏層6 (包括第一源極和第一漏極)和第二源漏層6'(包括第二源極和第二漏極)，形成在第一源漏層6和第二源漏層6'之上的鈍化層7。其中，第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣間隔層5及第一源漏層6形成開關(guān)薄膜晶體管，第二柵極2'、柵絕緣層3、第二有源層4'、絕緣間隔層5及第二源漏層6'形成驅(qū)動薄膜晶體管。第一源漏層6和第二源漏層6'之上依次為鈍化層7、彩膜9，樹脂層10，有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極11、像素定義 層12、有機(jī)發(fā)光層13及有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極14。其中，第一電極11為透明電極，有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光通過第一電極以及其下方的各層后出射。該結(jié)構(gòu)中，第二柵極W與第二源漏層K的漏極(下稱第二漏極)重疊，形成存儲電容，兩者之間間隔有柵絕緣層3和絕緣間隔層5形成的絕緣層。為了增大存儲電容，在絕緣層上對應(yīng)重疊區(qū)域的位置形成有凹槽，第二漏極的一部分形成在凹槽中，因此第二柵極2'和第二漏極之間的距離小于絕緣層的對應(yīng)非重疊區(qū)域的厚度，即相對于現(xiàn)有的存儲電容結(jié)構(gòu)，存儲電容兩極板(第二柵極2'和第二漏極)間的距離變小，存儲電容變大。本實(shí)施例中，存儲電容兩極板間的絕緣層由柵絕緣層3和絕緣間隔層5兩層構(gòu)成，因此凹槽有三種結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)1、凹槽形成在靠近第二漏極的絕緣間隔層5的表面，且深度小于絕緣間隔層5的厚度，即在絕緣間隔層5上形成凹槽。結(jié)構(gòu)2、絕緣間隔層5上對應(yīng)重疊區(qū)域形成有通孔，該通孔與柵絕緣層3的表面形成凹槽。結(jié)構(gòu)3、如圖4所示，絕緣間隔層5上對應(yīng)重疊區(qū)域形成有通孔16，柵絕緣層3上對應(yīng)重疊區(qū)域形成有子凹槽15，通孔16與子凹槽15的形成所述凹槽。子凹槽15的深度小于柵絕緣層3的厚度。三種結(jié)構(gòu)中，結(jié)構(gòu)3的凹槽使得第二柵極W和第二漏極之間的距離最小，形成的存儲電容最大。結(jié)構(gòu)2次之，存儲電容增大的最小的是結(jié)構(gòu)I對應(yīng)的存儲電容。存儲電容兩極板(第二柵極2'和第二漏極)間的絕緣層也可以只包括柵絕緣層3，此時只在柵絕緣層3的表面形成凹槽即可，使第二漏極的一部分形成在凹槽中。本發(fā)明還提供了一種制作上述陣列基板的方法，包括步驟一如圖5所示，在基板上形成包括第一柵極2、第二柵極2'、絕緣層、第一有源層4、第二有源層4'的圖形。其中，絕緣層包括柵絕緣層3和絕緣間隔層5。該步驟主要通過形成(可以是涂敷、濺射、沉積等多種方式)相應(yīng)的膜層，然后通過構(gòu)圖工藝(構(gòu)圖工藝通常包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝)形成相應(yīng)層的圖形，該步驟與現(xiàn)有的制作陣列基板的步驟基本相同，此處不再贅述。
步驟二 在絕緣層上形成包括過孔及凹槽的圖形。具體如圖6所示，通過構(gòu)圖工藝形成在第一漏極和第二柵極連接的區(qū)域形成貫穿柵絕緣層和絕緣間隔層的第一過孔21 ；在第一源極與第一有源層連接的區(qū)域形成貫穿絕緣間隔層的第二過孔22 ;在第一漏極與第一有源層連接的區(qū)域形成貫穿絕緣間隔層的第三過孔23 ;在第二源極與第二有源層連接的區(qū)域形成貫穿絕緣間隔層的第四過孔24 ;在第二漏極與第二柵極的重疊區(qū)域形成凹槽25。該步驟中由于過孔深度不同，可采用半調(diào)掩膜板來實(shí)現(xiàn)對光刻膠的顯影曝光，第一次刻蝕出過孔21，第二次刻蝕出過孔22、23及24，且在第二次刻蝕時，同時刻蝕出凹槽25。刻蝕凹槽25時，包括以下三種方式方式1、在絕緣間隔層5上對應(yīng)重疊區(qū)域形成凹槽25。凹槽的深度優(yōu)選和過孔22、23及24的深度相同，避免了在刻蝕凹槽25時進(jìn)行過刻。
方式2、在絕緣間隔層5上對應(yīng)重疊區(qū)域形成通孔，通孔16 (見圖4)與柵絕緣層3的表面形成凹槽25。該方式中，需要對重疊區(qū)域進(jìn)行過刻形成凹槽25。方式3、在絕緣間隔層5上對應(yīng)重疊區(qū)域形成通孔16，在柵絕緣層3上對應(yīng)重疊區(qū)域形成子凹槽15 (見圖4)，通孔16與子凹槽15形成凹槽25。其中，圖6示出了方式3的情況。上述三種形成凹槽的方式中，無論哪種方式都只通過一次構(gòu)圖工藝在絕緣層上形成包括過孔及凹槽的圖形。步驟三如圖7所示，形成(通過構(gòu)圖工藝形成)包括第一源漏極6 (包括第一源極、第一漏極)、第二源漏極6'(包括第二源極、第二漏極)的圖形。第二漏極與第二柵極重疊，第二漏極的一部分形成在凹槽25中，使第二柵極和第二漏極之間的距離小于絕緣層的對應(yīng)非重疊區(qū)域的厚度。步驟四形成包括彩膜及有機(jī)發(fā)光二極管的圖形。最終形成的陣列基板如圖3所
/Jn ο其中，在步驟一中，若只形成柵絕緣層3，那么，在步驟二中只需在柵絕緣層3上對應(yīng)第一漏極和第二柵極連接的區(qū)域形成過孔，在柵絕緣層上對應(yīng)第二漏極與第二柵極的重疊區(qū)域形成凹槽。本發(fā)明還提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括上述的陣列基板。所述顯示裝置可以為電子紙、OLED面板、OLED顯示器、OLED電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括多個位于基板上的像素單元，其特征在于，所述像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；以及由所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動的有機(jī)發(fā)光二極管，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括驅(qū)動薄膜晶體管，所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接所述有機(jī)發(fā)光二極管，所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極與漏極重疊，之間形成存儲電容，所述柵極和漏極之間間隔的絕緣層上對應(yīng)重疊區(qū)域形成有凹槽，使所述柵極和漏極之間的距離小于所述絕緣層的對應(yīng)非重疊區(qū)域的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元還包括 彩膜，所述彩膜形成在所述有機(jī)發(fā)光二極管與所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之間。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極位于所述柵極的上方，兩者之間間隔的絕緣層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域的位置形成有凹槽，所述漏極的一部分形成在所述凹槽中。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極，形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關(guān)薄膜晶體管，所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅(qū)動薄膜晶體管； 所述有機(jī)發(fā)光二極管位于所述像素單元的像素區(qū)域，包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，所述第一電極連接所述第二漏極，所述第二漏極與所述第二柵極重疊，之間形成存儲電容，所述第二漏極與所述第二柵極之間間隔的絕緣層為所述柵絕緣層。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二有源層和第二漏極之間還形成有絕緣間隔層，所述絕緣層包括絕緣間隔層和柵絕緣層，所述凹槽形成在靠近所述第二漏極的絕緣間隔層的表面，且所述凹槽的深度小于所述絕緣間隔層的厚度。
6.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二有源層和第二漏極之間還形成有絕緣間隔層，所述絕緣層包括絕緣間隔層和柵絕緣層，所述絕緣間隔層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成有通孔，所述通孔與所述柵絕緣層的表面形成所述凹槽。
7.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二有源層和第二漏極之間還形成有絕緣間隔層，所述絕緣層包括絕緣間隔層和柵絕緣層，所述絕緣間隔層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成有通孔，柵絕緣層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成有子凹槽，所述通孔與所述子凹槽形成所述凹槽；所述子凹槽的深度小于所述柵絕緣層的厚度。
8.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜位于所述驅(qū)動薄膜晶體管結(jié)構(gòu)之上的鈍化層上。
9.一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括步驟 在基板上形成包括第一柵極、第二柵極、絕緣層、第一有源層、第二有源層的圖形； 在所述絕緣層上形成包括過孔及凹槽的圖形； 形成包括第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極的圖形，使所述第二漏極與第二柵極重疊，且所述凹槽使所述柵極和漏極之間的距離小于所述絕緣層的對應(yīng)非重疊區(qū)域的厚度； 形成包括彩膜及有機(jī)發(fā)光二極管的圖形。
10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述絕緣層為柵絕緣層，在所述絕緣層上形成包括過孔及凹槽的圖形的步驟具體包括 通過構(gòu)圖工藝在所述柵絕緣層上對應(yīng)第一漏極和第二柵極連接的區(qū)域形成過孔，在所述柵絕緣層上對應(yīng)第二漏極與第二柵極的重疊區(qū)域形成所述凹槽。
11.如權(quán)利要求9所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述絕緣層包括形成在第一柵極、第二柵極之上的柵絕緣層和形成在第一有源層、第二有源層之上的絕緣間隔層，通過一次構(gòu)圖工藝在所述絕緣層上形成包括過孔及凹槽的圖形。
12.如權(quán)利要求11所述的陣列基板制作方法，其特征在于，在所述絕緣層上形成包括過孔及凹槽的圖形的步驟具體包括 通過構(gòu)圖工藝形成在所述第一漏極和第二柵極連接的區(qū)域形成貫穿所述柵絕緣層和絕緣間隔層的第一過孔；在第一源極與第一有源層連接的區(qū)域形成貫穿所述絕緣間隔層的第二過孔；在第一漏極與第一有源層連接的區(qū)域形成貫穿所述絕緣間隔層的第三過孔；在第二源極與第二有源層連接的區(qū)域形成貫穿所述絕緣間隔層的第四過孔；在第二漏極與第二柵極的重疊區(qū)域形成所述凹槽。
13.如權(quán)利要求12所述的陣列基板制作方法，其特征在于，在第二漏極與第二柵極的重疊區(qū)域形成所述凹槽的步驟具體包括 在所述絕緣間隔層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成所述凹槽；或 在所述絕緣間隔層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成通孔，所述通孔與所述柵絕緣層的表面形成所述凹槽；或 在所述絕緣間隔層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成通孔，在所述柵絕緣層上對應(yīng)所述重疊區(qū)域形成子凹槽，所述通孔與所述子凹槽形成所述凹槽。
14.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求廣8中任一項所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板，包括多個位于基板上的像素單元，像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；以及由薄膜晶體管結(jié)構(gòu)驅(qū)動的有機(jī)發(fā)光二極管，薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括驅(qū)動薄膜晶體管，驅(qū)動薄膜晶體管的漏極連接有機(jī)發(fā)光二極管，驅(qū)動薄膜晶體管的柵極與漏極重疊，之間形成存儲電容，柵極和漏極之間間隔的絕緣層上對應(yīng)重疊區(qū)域形成有凹槽，使柵極和漏極之間的距離小于絕緣層的對應(yīng)非重疊區(qū)域的厚度。還公開了上述陣列基板的制作方法及包括上述陣列基板的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。本發(fā)明在柵極和漏極之間的絕緣層上形成凹槽結(jié)構(gòu)減小兩者之間的距離，使形成的存儲電容變大，能夠為WOLED提供更大的驅(qū)動電流，從而降低了WOLED顯示裝置的驅(qū)動功耗。
文檔編號H01L27/32GK103022080SQ201210536938
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者宋泳錫, 劉圣烈, 崔承鎮(zhèn), 金熙哲 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司