專利名稱：半導體裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體裝置的制造方法。
背景技術：
基于電子機器的小型 薄型化的高密度安裝的需求近年來急劇地增加。應這種需要，采用了將半導體晶片的背面(與形成有圖案的電路面相反側的面)研磨而將半導體裝置薄型化的方法。半導體晶片的背面研磨一般通過使背面研磨用帶貼合于半導體晶片的電路面，對半導體晶片的背面實施研磨加工而進行。另一方面，對于半導體組件而言，適于高密度安裝的表面安裝型代替了以往的銷插入型而成為主流。就該表面安裝型而言，直接將引線焊接于印制電路板等。作為加熱方法，可利用紅外線回流焊、氣相回流焊、浸焊等對組件整體進行加熱而進行安裝。在表面安裝后，為了半導體元件表面的保護、確保半導體元件與基板之間的連接可靠性，而進行了向半導體元件與基板之間的空間填充密封樹脂。作為這樣的密封樹脂，廣泛使用的是液狀的密封樹脂，但是對于液狀的密封樹脂來說，注入位置、注入量的調節(jié)是困難的。因此，還提出了使用片狀的密封樹脂(底層填充片)來填充半導體元件與基板之間的空間的技術(專利文獻I)。一般來說，在使用底層填充片的工藝中，采用了利用貼附于半導體元件的底層填充片來填充基板等被粘附體與半導體元件之間的空間，同時將半導體元件連接于被粘附體而進行安裝這樣的步驟。在上述工藝中，被粘附體與半導體元件之間的空間的填充變得容易。專利文獻專利文獻1:日本專利第4438973號

發(fā)明內容
發(fā)明所要解決的課題但是，在上述工藝中需要考慮如下幾點。第1，在上述工藝中，從使導體晶片的電路面與底層填充片貼合出發(fā)，需要底層填充片追隨半導體晶片表面的凹凸而與其密合。但是，伴隨著半導體晶片上的凸點等立體結構物的數(shù)量的增加、電路的狹小化，存在底層填充片與半導體晶片的密合的程度降低，在半導體晶片與底層填充片之間產(chǎn)生空隙(氣泡)的情況。若在半導體晶片與底層填充材料的界面存在氣泡，則在以后的工序中，有時在進行減壓處理、加熱處理時氣泡發(fā)生膨脹，而半導體晶片與底層填充材料之間的密合性降低，其結果是:在將半導體元件安裝于被粘附體時，半導體元件與被粘附體的連接可靠性降低。另外，在半導體晶片的背面研磨、切割時水分混進氣泡中的情況下，若在此之后進行加熱工序，則該水分進行蒸發(fā)，氣泡擴大或膨脹，結果導致半導體元件與被粘附體的連接可靠性降低。第2，本申請發(fā)明人等為了使從半導體晶片的背面研磨或切割開始至半導體元件-被粘附體間的空間的填充為止的一系列的工序高效化，而嘗試開展了使背面研磨用帶與底層填充片組合的技術、或使切割帶(DicingTape)與底層填充片組合的技術。對于這種技術而言，從使半導體晶片的電路面與底層填充片貼合出發(fā)，而需要底層填充片追隨半導體晶片表面的凹凸而與其密合。但是，伴隨半導體晶片上的凸點等立體結構物的數(shù)量的增加、電路的狹小化，存在底層填充片與半導體晶片的密合的程度降低，在半導體晶片與底層填充片之間產(chǎn)生空隙(氣泡)的情況。若在半導體晶片與底層填充材料的界面中存在氣泡，則在以后的工序中進行減壓處理、加熱處理時，存在氣泡膨脹而半導體晶片與底層填充材料之間的密合性降低的情況，其結果是:在將半導體元件安裝于被粘附體時，半導體元件與被粘附體的連接可靠性降低。另外，在半導體晶片的背面研磨、切割時水分混進氣泡中的情況下，若在此之后進行加熱工序，則該水分進行蒸發(fā)，氣泡擴大或膨脹，結果導致半導體元件與被粘附體的連接可靠性降低。本發(fā)明的目的在于提供能夠抑制在半導體元件與底層填充片的界面中產(chǎn)生空隙，從而制造可靠性高的半導體裝置的半導體裝置的制造方法。解決課題的手段本申請發(fā)明人等對第I點進行了深入的研究，結果發(fā)現(xiàn)通過采用下述構成而能夠實現(xiàn)前述目的，從而完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明是具備被粘附體、與該被粘附體電連接的半導體元件、和將該被粘附體與該半導體元件之間的空間填充的底層填充材料的半導體裝置的制造方法；其包括:準備工序，準備具備支承材和層疊于該支承材上的底層填充材料的密封片，熱壓接工序，使半導體晶片的形成有連接構件的電路面與上述密封片的底層填充材料在IOOOOPa以下的減壓氣氛、0.2MPa以上的按壓、和40°C以上的熱壓接溫度的條件下熱壓接，切割工序，將上述半導體晶片切割而形成帶有上述底層填充材料的半導體元件，和連接工序，用上述底層填充材料將上述被粘附體與上述半導體元件之間的空間填充，并且經(jīng)由上述連接構件將上述半導體元件與上述被粘附體電連接。對于該制造方法而言，因為在IOOOOPa以下的減壓氣氛、0.2MPa以上的按壓和40°C以上的熱壓接溫度這樣的特定的熱壓接條件下進行半導體晶片的電路面與底層填充材料的貼合，所以能夠大幅地減少氣體介于兩者的界面中的存在，而提高密合性，由此能夠抑制上述界面中的空隙的產(chǎn)生。其結果是能夠高效率地制造半導體晶片與被粘附體的連接可靠性優(yōu)異的半導體裝置。對于該制造方法而言，優(yōu)選上述貼合工序后的上述半導體晶片與上述底層填充材料的界面(以下有時簡單地稱為“界面”)中基本上不存在氣泡。由此，因為半導體晶片與底層填充材料之間的密合性提高，所以能夠進一步提高半導體裝置的連接可靠性。需說明的是，在本說明書中，“基本上不存在氣泡”是指減壓至用于貼合工序中的貼合的預定壓力時通過目視沒有確認出氣泡的狀態(tài)，且指不存在最大徑為Imm以上的氣泡。對于該制造方法而言，優(yōu)選在10 IOOOOPa的減壓氣氛、0.2 IMPa的按壓、和40 120°C的熱壓接溫度的條件下進行上述熱壓接工序。由此，能夠充分地排出上述界面中的氣體，并且能夠防止底層填充材料的變形、防止連接構件向底層填充材料中的不慎進入。熱固化前的上述底層填充材料在上述熱壓接溫度下的熔融粘度優(yōu)選為20000Pa.s以下。由此，能夠在熱壓接工序時使連接構件向底層填充材料中的進入變得容易。另外，能夠防止半導體元件的電連接時的空隙的產(chǎn)生、和來自半導體元件與被粘附體之間的空間的底層填充材料的滲出。需說明的是，熔融粘度按照實施例中所述的步驟進行測定。上述底層填充材料優(yōu)選含有熱塑性樹脂和熱固化性樹脂。其中，上述熱塑性樹脂優(yōu)選含有丙烯酸樹脂，上述熱固化性樹脂優(yōu)選含有環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂。提高熱壓接工序中的底層填充材料與半導體晶片的密合性，從而能夠平衡性良好地對底層填充材料賦予必要的柔軟性、強度、粘接性。在該制造方法中，上述底層填充材料的厚度Τ(μπι)與上述連接構件的高度Η( μ m)之比(T/Η)優(yōu)選為0.5 2。通過使上述底層填充材料的厚度T ( μ m)與上述連接構件的高度Η(μπι)滿足上述關系，從而能夠充分地填充半導體元件與被粘附體之間的空間，并且能夠防止來自該空間的底層填充材料的過剩的滲出，能夠防止因底層填充材料造成的半導體元件的污染等。需說明的是，即使在連接構件的高度H的絕對值比底層填充材料的厚度T的絕對值大的情況下，只要滿足上述關系，則由于安裝時的連接構件的熔融且連接構件的高度H變低，因而也能夠良好地進行半導體元件與被粘附體的電連接。在該制造方法中，上述支承材可以為基材。另外，上述支承材可以為具備基材和層疊于該基材上的粘合劑層的背面研磨用帶或者切割帶。通過使背面研磨用帶或切割帶與底層填充材料一體化，從而能夠在半導體晶片的背面研磨或切割時牢固地保持半導體晶片，簡便地填充半導體元件與被粘附體之間的空間，在半導體裝置的制造中可效率良好地進行從背面研磨或切割開始至電連接時的填充為止的工序。本申請發(fā)明人等對第2點進行了深入的研究，結果發(fā)現(xiàn)通過采用下述構成而能夠實現(xiàn)前述目的，從而完成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明是具備被粘附體、與該被粘附體電連接的半導體元件、和將該被粘附體與該半導體元件之間的空間填充的底層填充材料的半導體裝置的制造方法；其包括:準備工序，準備具備背面研磨用帶和層疊于該背面研磨用帶上的底層填充材料的密封片，貼合工序，在IOOOPa以下的減壓下將半導體晶片的形成有連接構件的電路面與上述密封片的底層填充材料貼合，研磨工序，對與上述半導體晶片的電路面相反側的面進行研磨，切割工序，切割上述半導體晶片而形成帶有上述底層填充材料的半導體元件，和連接工序，用上述底層填充材料將上述被粘附體與上述半導體元件之間的空間填充，并且經(jīng)由上述連接構件將上述半導體元件與上述被粘附體電連接。另外，本發(fā)明是具備被粘附體、與該被粘附體電連接的半導體元件、和將該被粘附體與該半導體元件之間的空間填充的底層填充材料的半導體裝置的制造方法；其包括:
準備工序，準備具備切割帶和層疊于該切割帶上的底層填充材料的密封片，貼合工序，在IOOOPa以下的減壓下將半導體晶片的形成有連接構件的電路面與上述密封片的底層填充材料貼合，切割工序，將上述半導體晶片切割而形成帶有上述底層填充材料的半導體元件，和用上述底層填充材料將上述被粘附體與上述半導體元件之間的空間填充，經(jīng)由上述連接構件將上述半導體元件與上述被粘附體電連接的連接工序。就該制造方法而言，因為在IOOOPa以下的減壓下進行半導體晶片的電路面與底層填充材料的貼合，所以能夠大幅地減少氣體介于兩者的界面中的存在，從而提高密合性，由此能夠抑制在上述界面中產(chǎn)生空隙。其結果是能夠效率良好地制造半導體晶片與被粘附體的連接可靠性優(yōu)異的半導體裝置。另外，因為背面研磨用帶與底層填充材料進行一體化、或者切割帶與底層填充材料進行一體化，所以能夠在半導體晶片的背面研磨或切割時牢固地保持半導體晶片，并且因為能夠簡便地填充半導體元件與被粘附體之間的空間，所以在半導體裝置的制造中能夠效率良好地進行從背面研磨或切割開始至電連接時的填充為止的工序。就該制造方法而言，優(yōu)選在上述貼合工序后的上述半導體晶片與上述底層填充材料的界面(以下有時簡單地稱為“界面”)中基本上不存在氣泡。由此，因為半導體晶片與底層填充材料之間的密合性提高，所以能夠進一步提高半導體裝置的連接可靠性。需說明的是，在本說明書中，“基本上不存在氣泡”是指減壓至用于貼合工序中的貼合的預定壓力為止時通過目視沒有確認出氣泡的狀態(tài)，且指不存在最大徑為Imm以上的氣泡。在該制造方法中，上述連接工序優(yōu)選包括:在下述條件(I)的溫度α下使上述連接構件與上述被粘附體接觸的工序，和在下述條件(2)的溫度β下將上述接觸后的連接構件固定于上述被粘附體的工序。條件(I):連接構件的熔點-100°C≤α <連接構件的熔點條件(2):連接構件的熔點≤β≤連接構件的熔點+100°C通過采用包括上述規(guī)定工序的連接工序，從而在半導體元件與被粘附體的電連接時，首選在未達到連接構件的熔點的規(guī)定溫度α的加熱下使半導體元件的連接構件與被粘附體接觸。由此，可使底層填充材料軟化，容易使連接構件向底層填充材料進入，可使連接構件與被粘附體的接觸達到充分的水平。因為在這種狀態(tài)下、在連接構件的熔點以上的規(guī)定溫度β下，將連接構件與被粘附體相互固定而得到電連接，所以能夠效率良好地制造連接可靠性高的半導體裝置。就該制造方法而言，熱固化前的上述底層填充材料在100 200°C下的最低熔融粘度優(yōu)選為IOOPa.s以上20000Pa.s以下。由此，能夠使連接構件容易進入到底層填充材料中。另外，能夠防止半導體元件的電連接時的空隙的產(chǎn)生、和防止來自半導體元件與被粘附體之間的空間的底層填充材料的滲出。需說明的是，最低熔融粘度的測定按照實施例中所述的步驟進行。在該制造方法中，熱固化前的上述底層填充材料在23°C下的粘度優(yōu)選為0.0lMPa.s以上IOOMPa.s以下。通過熱固化前的底層填充材料具有這樣的粘度，從而能夠提高切割時的半導體晶片的保持性、作業(yè)時的操作性。


圖1是表示本發(fā)明的一實施方式所述的密封片的剖面示意圖。圖2A是表示本發(fā)明的一實施方式所述的半導體裝置的制造工序的剖面示意圖。圖2B是表示本發(fā)明的一實施方式所述半導體裝置的制造工序的剖面示意圖。圖2C是表示本發(fā)明的一實施方式所述的半導體裝置的制造工序的剖面示意圖。圖2D是表示本發(fā)明的一實施方式所述的半導體裝置的制造工序的剖面示意圖。圖2E是表示本發(fā)明的一實施方式所述的半導體裝置的制造工序的剖面示意圖。
具體實施例方式<第I實施方式>[準備工序]就準備工序而言，準備具備支承材和層疊于該支承材上的底層填充材料的密封片。作為支承材，可很好地使用基材、背面研磨用帶、切割帶等。在本實施方式中，以使用背面研磨用帶的情況為例進行說明。(密封片)如圖1所示，密封片10具備背面研磨用帶1、和層疊于背面研磨用帶I上的底層填充材料2。需說明的是，如圖1所示，底層填充材料2也可以不層疊于背面研磨用帶I的整面，只要對于與半導體晶片3(參照圖2A)的貼合而言，以充分的尺寸加以設置就好。(背面研磨用帶)背面研磨用帶I具備基材la、和層疊于基材Ia上的粘合劑層lb。需說明的是，底層填充材料2層疊于粘合劑層Ib上。(基材)上述基材Ia作為密封片10的強度母體。例如可舉出低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚二苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、硅酮樹脂、金屬(箔)、紙等。在粘合劑層Ib為紫外線固化型的情況下，優(yōu)選基材Ia對紫外線具有透射性。另外，作為基材Ia的材料，可舉出上述樹脂的交聯(lián)體等的聚合物。上述塑料膜可以無拉伸地使用，也可以根據(jù)需要來使用實施了單軸或雙軸的拉伸處理的塑料膜。為了提高基材Ia的表面與鄰接的層的密合性、保持性等，而可實施慣用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火炎暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學或物理處理、利用底涂劑(例如后述的粘合物質)的涂布處理。上述基材Ia可適當?shù)剡x擇同種或不同種的基材來使用，根據(jù)需要，可使用將數(shù)種基材混合而得的基材。另外，為了對基材Ia賦予抗靜電性，而可在上述基材Ia上設置由金屬、合金、它們的氧化物等構成的厚度為30 500 A左右的導電性物質的蒸鍍層?；腎a可以為單層或2種以上的多層?；腎a的厚度可適當?shù)卮_定，一般而言為5μπι以上200 μ m以下左右，優(yōu)選為35 μ m以上120 μ m以下。需說明的是，在不損害本發(fā)明的效果等的范圍內，基材Ia可含有各種添加劑(例如著色劑、填充劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。(粘合劑層)就用于粘合劑層Ib的形成的粘合劑而言，只要是在背面研磨和切割時經(jīng)由底層填充材料而牢固地保持半導體晶片或半導體芯片、在拾取時能夠將帶有底層填充材料的半導體芯片控制為可剝離狀態(tài)的粘合劑，就沒有特別限制。例如可使用丙烯酸系粘合劑、橡膠系粘合劑等一般的感壓性粘接劑。作為上述感壓性粘接劑，從忌避半導體晶片、玻璃等的污染的電子零件利用超純水、醇等有機溶劑的清潔洗滌性等方面出發(fā)，優(yōu)選為將丙烯酸系聚合物作為基底聚合物的丙烯酸系粘合劑。作為上述丙烯酸系聚合物，可舉出將丙烯酸酯用作主要單體成分的聚合物。作為上述丙烯酸酯，例如可舉出將(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲基酯、乙基酯、丙基酯、異丙基酯、丁基酯、異丁基酯、仲丁基酯、叔丁基酯、戊基酯、異戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己酯、異辛基酯、壬基酯、癸基酯、異癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳數(shù)為I 30、尤其是碳數(shù)為4 18的直鏈狀或支鏈狀的烷基酯等)和(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯(例如環(huán)戊基酯、環(huán)己基酯等)中的I種或2種以上用作單體成分的丙烯酸系聚合物等。需說明的是，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發(fā)明的(甲基)均為相同的意思。對于上述丙烯酸系聚合物而言，以凝聚力、耐熱性等的改性為目標，根據(jù)需要，可含有與能夠與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環(huán)烷基酯共聚的其他的單體成分相對應的單元。作為這樣的單體成分，例如可舉出:丙烯酸、甲基丙烯酸、羧乙基(甲基)丙烯酸酯、羧戊基(甲基)丙烯酸酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含有羧基的單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(4-羥基甲基環(huán)己基)甲基(甲基)丙烯酸酯等含有羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、磺基丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含有磺酸基的單體；2_羥乙基丙烯酰基磷酸酯等含有磷酸基的單體；丙烯酰胺、丙烯腈等。這些可共聚的單體成分可使用I種或2種以上。這些可共聚的單體的使用量優(yōu)選為總單體成分的40重量％以下。進而，對于上述丙烯酸系聚合物而言，為了使其交聯(lián)，還可根據(jù)需要含有多官能的單體等作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能的單體，例如可舉出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能的單體可使用I種或2種以上。多官能的單體的使用量從粘合特性等方面出發(fā)而優(yōu)選為總單體成分的30重
量％以下。上述丙烯酸系聚合物可通過使單一單體或2種以上的單體混合物進行聚合而制得。聚合還可以利用溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸濁聚合等中的某種方式進行。從防止對清潔的被粘附體的污染等方面出發(fā)，優(yōu)選低分子量物的含量小的聚合物。從這方面出發(fā)，丙烯酸系聚合物的數(shù)均分子量優(yōu)選為30萬以上、進而優(yōu)選為40萬 300萬左右。另外，對于上述粘合劑而言，為了提高作為基底聚合物的丙烯酸系聚合物等的數(shù)均分子量，還可適當?shù)夭捎猛獠拷宦?lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體的方法，可舉出添加多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、密胺系交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑并使其反應的方法。在使用外部交聯(lián)劑時，其使用量可根據(jù)與適于交聯(lián)的基底聚合物的平衡、以及根據(jù)作為粘合劑的使用用途來適當?shù)卮_定。一般而言，相對于上述基底聚合物100重量份，優(yōu)選為5重量份左右以下、進而優(yōu)選配合0.1 5重量份。進而，對于粘合劑而言，除了上述成分以外，還可根據(jù)需要使用以往公知的各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。粘合劑層Ib可利用放射線固化型粘合劑形成。放射線固化型粘合劑可利用紫外線等放射線的照射而使交聯(lián)度增大，從而使其粘合力容易地降低，容易地進行拾取。作為放射線，可舉出X射線、紫外線、電子束、α射線、β射線、中子射線等。放射線固化型粘合劑可不加限制地使用具有碳-碳雙鍵等放射線固化性的官能團并且顯示出粘合性的放射線固化型粘合劑。作為放射線固化型粘合劑，例如可例示出在上述丙烯酸系粘合劑、橡膠系粘合劑等一般的感壓性粘合劑中配合了放射線固化性的單體成分、低聚物成分而得的添加型放射線固化性粘合劑。 作為所配合的放射線固化性的單體成分，例如可舉出氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4_ 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，放射線固化性的低聚物成分可舉出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，其重均分子量應為100 30000左右的范圍。放射線固化性的單體成分、低聚物成分的配合量可根據(jù)上述粘合劑層的種類而確定為使粘合劑層的粘合力降低的量。一般而言，相對于構成粘合劑的丙烯酸系聚合物等基底聚合物100重量份,例如為5 500重量份、優(yōu)選為40 150重量份左右。另外，作為放射線固化型粘合劑，除了上述已說明的添加型放射線固化性粘合劑以外，還可舉出將在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物用作基底聚合物的內在型放射線固化性粘合劑。內在型放射線固化性粘合劑無需含有作為低分子成分的低聚物成分等，或者不大量地含有，因此，低聚物成分等不會在粘合劑在中經(jīng)時地移動，就可形成穩(wěn)定的層結構的粘合劑層，因而優(yōu)選。上述具有碳-碳雙鍵的基底聚合物可不加限制地使用具有碳-碳雙鍵且具有粘合性的聚合物。作為這樣的基底聚合物，優(yōu)選將丙烯酸系聚合物作為基本骨架。作為丙烯酸系聚合物的基本骨架，可舉出上述已例示的丙烯酸系聚合物。向上述丙烯酸系聚合物中導入碳-碳雙鍵的導入法沒有特別限制，可采用各種方法，碳-碳雙鍵導入到聚合物側鏈中在分子設計方面是容易的。例如可舉出預先將丙烯酸系聚合物與具有官能團的單體共聚，然后使具有能夠與該官能團反應的官能團和碳-碳雙鍵的化合物在維持碳-碳雙鍵的放射線固化性的狀態(tài)下進行縮合或加成反應的方法。作為上述官能團的組合的例子，可舉出羧酸基和環(huán)氧基、羧酸基和氮丙啶基、羥基和異氰酸酯基等。這些官能團的組合中，從追隨反應的容易性出發(fā)，優(yōu)選為羥基與異氰酸酯基的組合。另外，根據(jù)這些官能團的組合，只要為生成上述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物的組合，官能團就可處于丙烯酸系聚合物和上述化合物中的任一側，但是對于上述優(yōu)選的組合而言，優(yōu)選為丙烯酸系聚合物具有羥基、上述化合物具有異氰酸酯基的情況。在這種情況下，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，例如可舉出甲基丙烯?；惽杷狨?、2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、間-異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸系聚合物，可使用將上述例示的含有羥基的單體、2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚這樣的醚系化合物等共聚而得的聚合物。上述內在型放射線固化性粘合劑可單獨使用上述具有碳-碳雙鍵的基底聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，在不使特性變差的程度上還可配合上述放射線固化性的單體成分、低聚物成分。放射線固化性的低聚物成分等通常相對于基底聚合物100重量份在30重量份的范圍內，優(yōu)選為O 10重量份的范圍。在通過紫外線等使上述放射線固化型粘合劑固化的情況下，優(yōu)選含有光聚合引發(fā)齊U。作為光聚合引發(fā)劑，例如可舉出4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α，α' -二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮等的α -乙酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2，2_ 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2_ 二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉代丙燒-1等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚系化合物；芐基二甲基酮縮醇等酮縮醇系化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯基-1，2-丙二酮-2-(0-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3，3' -二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4_二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4_二氯噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵化酮；?；趸?；酰基膦酸酯等。光聚合引發(fā)劑的配合量相對于構成粘合劑的丙烯酸系聚合物等基底聚合物100重量份，例如為0.05 20重量份左右。需說明的是，在放射線照射時發(fā)生因氧而導致的固化障礙的情況下，優(yōu)選利用某些方法將氧(空氣)阻擋于放射線固化型粘合劑層Ib的表面外。例如可舉出利用剝離物覆蓋上述粘合劑層Ib的表面的方法、在氮氣氣氛中進行紫外線等放射線的照射的方法等。需說明的是，在不損害本發(fā)明的效果等的范圍內，粘合劑層Ib中可含有各種添加劑(例如著色劑、增稠劑、增量劑、填充劑、增粘劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、表面活性齊U、交聯(lián)劑等)。粘合劑層Ib的厚度沒有特別限定，從防止芯片剖面的破碎、底層填充材料2的固定保持的兼顧性等觀點出發(fā)，優(yōu)選為I 80 μ m左右。優(yōu)選為2 50 μ m、進一步優(yōu)選為5 35 μ m0(底層填充材料)本實施方式所述的底層填充材料2可用作將表面安裝后的半導體元件與被粘附體之間的空間填充的密封用膜。作為底層填充材料的構成材料，可舉出將熱塑性樹脂和熱固化性樹脂并用的材料?；蛘?，也可單獨使用熱塑性樹脂或熱固化性樹脂。作為前述熱塑性樹脂，可舉出天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、6-尼龍、6，6_尼龍等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、或氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可單獨使用或者并用2種以上。在這些熱塑性樹脂中，優(yōu)選為離子性雜質少、耐熱性高、可確保半導體元件的可靠性的丙烯酸樹脂。作為前述丙烯酸樹脂，沒有特別限定，可舉出將具有碳數(shù)30以下、尤其是碳數(shù)4 18的直鏈或支鏈的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的I種或2種以上作為成分的聚合物等。作為如述燒基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戍基、異戍基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、^ 燒基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂?；?、十八烷基、或二十烷基等。另外，作為形成前述聚合物的其他的單體，沒有特別限定，例如可舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、羧乙基丙烯酸酯、羧戊基丙烯酸酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等各種含有羧基的單體，馬來酸酐或衣康酸酐等各種酸酐單體，(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或(4-羥基甲基環(huán)己基)-甲基丙烯酸酯等各種含有羥基的單體，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、磺基丙基(甲基)丙烯酸酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等各種含有磺酸基的單體，或者2-羥基乙基丙烯?；姿狨サ戎惖暮辛姿峄膯误w，丙烯腈等這樣的含有氰基的單體等。作為前述熱固化性樹脂，可舉出酚醛樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、硅酮樹脂、或熱固化性聚酰亞胺樹脂等。這些樹脂可單獨使用或者并用2種以上。尤其優(yōu)選為含有使半導體元件腐蝕的離子性雜質等少的環(huán)氧樹脂。另外，作為環(huán)氧樹脂的固化劑，優(yōu)選為酚醛樹 脂。前述環(huán)氧樹脂只要為通常可用作粘接劑組合物的環(huán)氧樹脂，就沒有特別限定，例如可使用雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型等的二官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂，或者乙內酰脲型、三縮水甘油基異氰脲酸酯型或縮水甘油胺型等的環(huán)氧樹脂。它們可以單獨使用或者并用2種以上。這些環(huán)氧樹脂中，特別優(yōu)選為酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三羥基苯基甲烷型樹脂或四羥苯基乙烷型環(huán)氧樹脂。這是由于這些環(huán)氧樹脂富于與作為固化劑的酚醛樹脂的反應性、且耐熱性等優(yōu)異的緣故。進而，前述酚醛樹脂是作為前述環(huán)氧樹脂的固化劑來發(fā)揮作用的物質，例如可舉出苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂，甲酚型酚醛樹脂，聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。它們可以單獨使用，或者可以并用2種以上。這些酚醛樹脂中，優(yōu)選為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是由于能夠提高半導體裝置的連接可靠性的緣故。就前述環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例而言，例如優(yōu)選按照相對于前述環(huán)氧樹脂成分中的環(huán)氧基I當量，酚醛樹脂中的羥基達到0.5 2.0當量的方式加以配合。更優(yōu)選為0.8 1.2當量。即，這是因為若兩者的配合比例逸出前述范圍，則無法進行充分的固化反應，環(huán)氧樹脂固化物的特性也容易變差的緣故。需說明的是，在本發(fā)明中，特別優(yōu)選為使用了環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸樹脂的底層填充材料。這些樹脂因為離子性雜質少且耐熱性高，所以能夠確保半導體元件的可靠性。對于這種情況下的配合比來說，相對于丙烯酸樹脂成分100重量份而言，環(huán)氧樹脂與酚醒樹脂的混合量為10 200重量份。作為環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的熱固化促進催化劑，沒有特別限制，可從公知的熱固化促進催化劑中適當?shù)剡x擇使用。熱固化促進催化劑可單獨使用、或組合2種以上使用。作為熱固化促進催化劑，例如可使用胺系固化促進劑、磷系固化促進劑、咪唑系固化促進劑、硼系固化促進劑、磷-硼系固化促進劑等。為了將焊料凸點的表面的氧化膜除去而使半導體元件的安裝變得容易，可以在底層填充材料2中添加焊劑。作為焊劑，沒有特別限定，可使用以往公知的具有焊劑作用的化合物，例如可舉出雙酚酸、己二酸、乙酰基水楊酸、苯甲酸、二苯乙醇酸、壬二酸、苯甲酸芐酯、丙二酸、2，2_雙(羥基甲基)丙酸、水楊酸、鄰甲氧基苯甲酸、間羥基苯甲酸、琥珀酸、2，6-二甲氧基甲基對甲酚、苯甲酸酰肼、碳酰肼、丙二酸二酰肼、琥珀酸二酰肼、戊二酸二酰肼、水楊酸酰肼、亞氨基二乙酸二酰肼、衣康酸二酰肼、檸檬酸三酰肼、硫代碳酰肼、二苯甲酮腙、4，4’ -羥基雙苯磺酰酰肼和己二酸二酰肼等。焊劑的添加量為可發(fā)揮上述焊劑作用的程度即可，通常，相對于底層填充材料所含的樹脂成分100重量份，為0.1 20重量份左右。在本實施方式中，底層填充材料2根據(jù)需要可以著色。對于底層填充材料2而言，作為通過著色而呈現(xiàn)出的顏色，沒有特別限制，例如優(yōu)選為黑色、藍色、紅色、綠色等。著色時，可從顏料、染料等公知的著色劑中適當?shù)剡x擇使用。在預先使本實施方式的底層填充材料2交聯(lián)至預定的程度的情況下，在制作時，可以預先添加與聚合物的分子鏈末端的官能團等反應的多官能的化合物作為交聯(lián)劑。由此，可使高溫下的粘接特性提高，實現(xiàn)耐熱性的改善。作為前述交聯(lián)劑，尤其更優(yōu)選為甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1，5_萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成物等多異氰酸酯化合物。作為交聯(lián)劑的添加量，相對于前述的聚合物100重量份，通常優(yōu)選設為0.05 7重量份。若交聯(lián)劑的量多于7重量份，則粘接力降低，因而不優(yōu)選。其另一方面，若少于0.05重量份，則凝聚力不足，因而不優(yōu)選。另外，與這樣的多異氰酸酯化合物一起，根據(jù)需要還可同時含有環(huán)氧樹脂等其他的多官能的化合物。另外，可以在底層填充材料2中適當?shù)嘏浜蠠o機填充劑。無機填充劑的配合能夠賦予導電性、提高熱傳導性、調節(jié)貯藏彈性模量等。作為前述無機填充劑，例如可舉出含有二氧化硅、粘土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化硅、氮化硅等陶瓷類，鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊料等金屬，或合金類，其他的碳等各種無機粉末。它們可以單獨使用，或者并用2種以上。其中，優(yōu)選使
用二氧化硅、特別是熔融二氧化硅。無機填充劑的平均粒徑?jīng)]有特別限定，但是優(yōu)選為0.005 10 μ m的范圍內、更優(yōu)選為0.01 5μπι的范圍內、進一步優(yōu)選為0.1 2.0 μ m。若無機填充劑的平均粒徑不足
0.005 μ m,則成為底層填充材料的撓性降低的原因。另一方面，若前述平均粒徑超過10 μ m,則相對于底層填充材料所密封的縫隙而言，粒徑大，成為密封性降低的主要原因。需說明的是，在本發(fā)明中，可以使平均粒徑相互不同的無機填充劑彼此組合來使用。另外，平均粒徑是利用激光衍射式的粒度分布儀(HORIBA制、裝置名；LA-910)所求得的值。前述無機填充劑的配合量相對于有機樹脂成分100重量份而言優(yōu)選為10 400重量份、更優(yōu)選為50 250重量份。若無機填充劑的配合量不足10重量份，則貯藏彈性模量降低，存在組件的應力可靠性被嚴重損害的情況。另一方面，若超過400重量份，則存在如下情況:底層填充材料2的流動性降低，沒有充分地埋入到基板、半導體元件的凹凸中，而成為空隙、裂縫的原因。需說明的是，在底層填充材料2中除了前述無機填充劑以外，還可根據(jù)需要適當?shù)嘏浜掀渌奶砑觿Ｗ鳛槠渌奶砑觿?，例如可舉出阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑或離子捕獲劑等。作為前述阻燃劑，例如可舉出三氧化銻、五氧化銻、溴化環(huán)氧樹脂等。它們可以單獨使用，或者并用2種以上使用。作為前述硅烷偶聯(lián)劑，例如可舉出β-(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷等。這些化合物可以單獨使用或者并用2種以上。作為前述離子捕獲劑，例如可舉出水滑石類、氫氧化鉍等。它們可以單獨使用或者并用2種以上。在本實施方式中，熱固化前的上述底層填充材料在上述熱壓接溫度下的熔融粘度優(yōu)選為20000Pa.S以下、更優(yōu)選為IOOPa.s以上IOOOOPa.s以下。通過將熱壓接溫度下的熔融粘度設為上述范圍，從而可使連接構件4(參照圖2A)容易地進入到底層填充材料2中。另外，能夠防止半導體元件5的電連接時的空隙的產(chǎn)生、和來自半導體元件5與被粘附體6之間的空間的底層填充材料2的滲出(參照圖2E)。另外，熱固化前的上述底層填充材料2在23°C下的粘度優(yōu)選為0.0lMPa.s以上IOOMPa.s以下、更優(yōu)選為0.1MPa.s以上IOMPa.s以下。通過使熱固化前的底層填充材料具有上述范圍的粘度，從而能夠提高背面研磨、切割時的半導體晶片3 (參照圖2C)的保持性、作業(yè)的操作性。需說明的是，粘度的測定可按照熔融粘度的測定法進行。進而，熱固化前的上述底層填充材料2的溫度23°C、濕度70%的條件下的吸水率優(yōu)選為I重量％以下、更優(yōu)選為0.5重量％以下。通過使底層填充材料2具有上述這樣的吸水率，從而可更有效地抑制在底層填充材料2中的水分的吸收、半導體元件5在安裝時的空隙的產(chǎn)生。需說明的是，上述吸水率的下限優(yōu)選越小越好、優(yōu)選基本上為O重量％，更優(yōu)選為O重量％。底層填充材料2的厚度(多層時為總厚度)沒有特別限定，但若考慮到底層填充材料2的強度、半導體元件5與被粘附體6之間的空間的填充性，則可以為10 μ m以上100 μ m以下左右。需說明的是，底層填充材料2的厚度可考慮半導體元件5與被粘附體6之間的縫隙、連接構件的高度而適當?shù)卦O定。密封片10的底層填充材料2優(yōu)選被剝離物保護(未圖示)。剝離物具有一直到供于實用為止而作為保護底層填充材料2的保護材料的功能。剝離物在將半導體晶片3貼合在密封片的底層填充材料2上時被剝離。作為剝離物，還可使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，利用氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行了表面涂布的塑料膜或紙等。(密封片的制造方法)本實施方式所述的密封片10例如可通過分別預先制作背面研磨用帶I和底層填充材料2，最后將它們貼合而制成。具體而言，可按照以下這樣的步驟進行制作。首先，基材Ia可以利用以往公知的制膜方法進行制膜。作為該制膜方法，例如可例示出壓延制膜法、有機溶劑中的流延法、密閉體系中的吹脹擠出法、T模擠出法、共擠出法、干式層壓法等。然后，制備粘合劑層形成用的粘合劑組合物。在粘合劑組合物中配合了在粘合劑層一項中所說明的樹脂、添加物等。將制備所得的粘合劑組合物涂布在基材Ia上而形成涂布膜后，在規(guī)定條件下使該涂布膜干燥(根據(jù)需要使其加熱交聯(lián))，形成粘合劑層lb。作為涂布方法，沒有特別限定，例如可舉出輥涂裝、絲網(wǎng)涂裝、凹版涂裝等。另外，作為干燥條件，例如可在干燥溫度80 150°C、干燥時間0.5 5分鐘的范圍內進行。另外，可以將粘合劑組合物涂布在剝離物上形成涂布膜后，在上述干燥條件下使涂布膜干燥，形成粘合劑層lb。然后，將粘合劑層Ib與剝離物一起貼合于基材Ia上。由此，可制作具備基材Ia和粘合劑層Ib的背面研磨用帶I。底層填充材料2例如可如下所述地加以制作。首先，制備作為底層填充材料2的形成材料的粘接劑組合物。在該粘接劑組合物中，如底層填充材料一項中所述，配合了熱塑性成分、環(huán)氧樹脂、各種添加劑等。接下來，在基材剝離物上按照達到規(guī)定的厚度的方式涂布制備好的粘接劑組合物而形成涂布膜，然后在規(guī)定條件下使該涂布膜干燥，形成底層填充材料。作為涂布方法，沒有特別限定，例如可舉出輥涂裝、絲網(wǎng)涂裝、凹版涂裝等。另外，作為干燥條件，例如可在干燥溫度70 160°C、干燥時間I 5分鐘的范圍內進行。另外，可在剝離物上涂布粘接劑組合物而形成涂布膜，然后在上述干燥條件下使涂布膜干燥，形成底層填充材料。然后，將底層填充材料與剝離物一起貼合于基材剝離物上。接著，從背面研磨用帶I和底層填充材料2中分別將剝離物剝離，按照形成貼合面的方式將底層填充材料與粘合劑層兩者貼合。貼合例如可通過壓接進行。此時，層壓溫度沒有特別限定，例如優(yōu)選為30 100°C、更優(yōu)選為40 80°C。另外，線壓力沒有特別限定，例如優(yōu)選為0.98 196N/cm、更優(yōu)選為9.8 98N/cm。然后，將底層填充材料上的基材剝離物剝離，得到本實施方式所述的密封片。[熱壓接工序]在熱壓接工序中，在IOOOPa以下的減壓氣氛、0.2MPa以上的按壓、和40°C以上的熱壓接溫度的條件下使半導體晶片3的形成有連接構件4的電路面3a與上述密封片的底層填充材料2進行熱壓接(參照圖2A)。(半導體晶片)在半導體晶片3的電路面3a上形成有多個連接構件4(參照圖2A)。作為凸點、導電材料等連接構件的材質，沒有特別限定，例如可舉出錫-鉛系金屬材、錫-銀系金屬材、錫-銀-銅系金屬材、錫-鋅系金屬材、錫-鋅-鉍系金屬材等焊料類(合金)，金系金屬材、銅系金屬材等。連接構件的高度也可根據(jù)用途而定，一般而言為15 ΙΟΟμπι左右。當然，半導體晶片3中的各個連接構件的高度可以相同或不同。
本實施方式所述的半導體裝置的制造方法中，上述底層填充材料的厚度Τ(μπι)相對于上述連接構件的高度Η(μ m)之比(T/Η)優(yōu)選為0.5 2、更優(yōu)選為0.8 1.5。通過使上述底層填充材料的厚度Τ( μ m)與上述連接構件的高度Η( μ m)滿足上述關系，從而能夠將半導體元件與被粘附體之間的空間充分地填充，并且能夠防止來自該空間的底層填充材料的過剩的滲出，能夠防止因底層填充材料而導致的半導體元件的污染等。需說明的是，各連接構件的高度不同時，將最高的連接構件的高度作為基準。(貼合)如圖2A所示，首先，將任意地設置在密封片10的底層填充材料2上的剝離物適當?shù)貏冸x，使前述半導體晶片3的形成有連接構件4的電路面3a與底層填充材料2相對，通過熱壓接使前述底層填充材料2與前述半導體晶片3貼合。在本實施方式中，通過熱壓接進行半導體晶片與底層填充材料的貼合。熱壓接通?？衫脡航虞伒裙陌磯貉b置進行。作為減壓條件，為IOOOOPa以下即可，優(yōu)選為5000Pa以下、更優(yōu)選為IOOOPa以下。需說明的是，減壓條件的下限沒有特別限定，但從生產(chǎn)率的方面出發(fā)，為IOPa以上即可。作為按壓條件，為0.2MPa以上即可、優(yōu)選為0.2MPa以上IMPa以下、更優(yōu)選為0.4Pa以上0.SPa以下。另外，作為熱壓接溫度的條件，為40°C以上即可、優(yōu)選為40°C以上120°C以下、更優(yōu)選為60°C以上100°C以下。通過在規(guī)定的熱壓接條件下進行貼合，從而能夠使底層填充材料充分地追隨半導體晶片表面的凹凸，能夠大幅地減少半導體晶片與底層填充材料的界面中的氣泡而提高密合性。由此能夠抑制上述界面中的空隙的產(chǎn)生，其結果:能夠效率良好地制造半導體晶片與被粘附體的連接可靠性優(yōu)異的半導體裝置。[研磨工序]在本實施方式中，將背面研磨用帶用作了支承材，因而緊接著熱壓接工序之后而設置研磨工序。在研磨工序中，對上述半導體晶片3的與電路面3a相反一側的面(即背面)3b進行研磨(參照圖2B)。作為用于半導體晶片3的背面研磨的薄型加工機，沒有特別限定，例如可例示出研磨機(晶圓磨背機(back grinder))、研磨墊等。另外，也可以利用蝕刻等化學方法進行背面研磨。背面研磨進行至半導體晶片達到所需的厚度(例如700 25 μ m)為止。[切割工序]在切割工序中，如圖2C所示，將半導體晶片3切割而形成帶有底層填充材料的半導體元件5。通過經(jīng)過切割工序，從而將半導體晶片3切斷為規(guī)定尺寸，形成單片(小片化)，制造半導體芯片(半導體元件)5。使在此得到的半導體芯片5與被切斷為相同形狀的底層填充材料2成為一體。切割是按照常規(guī)方法從半導體晶片3的與貼合有底層填充材料2的電路面3a相反一側的面3b開始進行的。切斷位置的位置調準可以利用使用了直射光或間接光或者紅外線(IR)的圖像識別來進行。在本工序中，例如可采用進行切入至密封片為止的被稱作全斷的切斷方式等。作為在本工序中所使用的切割裝置，沒有特別限定，可使用以往公知的裝置。另外，由于半導體晶片可利用具有底層填充材料的密封片、以優(yōu)異的密合性被粘接固定，因而能夠抑制芯片破碎、碎片飛散，還能夠抑制半導體晶片的破損。需說明的是，若底層填充材料由含有環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成，則即使通過切割被切斷，在其剖面中也能夠抑制或防止底層填充材料產(chǎn)生底層填充材料的糊滲出的情況。其結果，能夠抑制或防止剖面彼此再附著(粘連)，能夠更良好地進行后述的拾取。需說明的是，在接著切割工序而進行密封片的擴展的情況下，該擴展可利用以往公知的擴展裝置進行。擴展裝置具有可經(jīng)由切割環(huán)將密封片向下方壓入的環(huán)形狀的外環(huán)、和比外環(huán)的直徑小且支承密封片的內環(huán)。通過上述擴展工序，能夠在后述的拾取工序中防止挨著的半導體芯片彼此接觸而發(fā)生破損。[拾取工序]為了回收被粘接固定于密封片的半導體芯片5，如圖2D所示，進行帶有底層填充材料2的半導體芯片5的拾取，從背面研磨用帶I將半導體芯片5與底層填充材料3的層疊體A剝離。作為拾取的方法，沒有特別限定，可采用以往公知的各種方法。例如，可舉出從密封片的基材側用針將各個半導體芯片頂出，利用拾取裝置將被頂出的半導體芯片拾取的方法等。需說明的是，被拾取的半導體芯片5與貼合于電路面3a的底層填充材料2成為一體而構成層疊體A。在此，在粘合劑層Ib為紫外線固化型的情況下，拾取是對該粘合劑層Ib照射紫外線后進行的。由此，粘合劑層Ib對底層填充材料2的粘合力降低，使半導體芯片5的剝離變得容易。其結果，不使半導體芯片5發(fā)生損傷，就能夠拾取。紫外線照射時的照射強度、照射時間等條件沒有特別限定，可適當?shù)馗鶕?jù)需要而進行設定。另外，作為用于紫外線照射的光源，例如可使用低壓汞燈、低壓高功率燈、中壓汞燈、無電極汞燈、氙閃光燈、準分子燈、紫外LED等。[安裝工序]在安裝工序中，利用底層填充材料2將被粘附體6與半導體元件5之間的空間填充，并且經(jīng)由連接構件4將半導體元件5與被粘附體6電連接(參照圖2E)。具體而言，按照常規(guī)方法，以半導體芯片5的電路面3a與被粘附體6相對的形態(tài)，將層疊體A的半導體芯片5固定于被粘附體6。例如，通過使形成于半導體芯片5的凸點(連接構件)4與粘附于被粘附體6的連接墊的接合用的導電材料7 (焊料等)接觸而進行按壓，同時使導電材料熔融，從而可確保半導體芯片5與被粘附體6的電連接，將半導體芯片5固定于被粘附體6。由于底層填充材料2被貼附于半導體芯片5的電路面3a，所以在半導體芯片5與被粘附體6的電連接的同時，利用底層填充材料2將半導體芯片5與被粘附體6之間的空間填充。一般而言，作為安裝工序中的加熱條件，為100 300°C，作為加壓條件，為0.5 500N。另外，可以以多個階段進行安裝工序中的加熱加壓處理。例如，可采用在150°C、100N下處理10秒后，在300°C、100 200N下處理10秒這樣的步驟。通過在多個階段中進行加熱加壓處理，從而能夠效率良好地將連接構件與墊間的樹脂除去，得到更良好的金屬間接
口 ο作為被粘附體6，可使用引線框、電路基板(配線電路基板等)等各種基板、其他的半導體元件。作為基板的材質，沒有特別限定，可舉出陶瓷基板、塑料基板。作為塑料基板，例如可舉出環(huán)氧基板、雙馬來酰亞胺三嗪基板、聚酰亞胺基板、玻璃環(huán)氧基板等。需說明的是，在安裝工序中，使連接構件和導電材料中的一方或兩方熔融，使半導體芯片5的連接構件形成面3a的凸點4與被粘附體6的表面的導電材料7連接，作為該凸點4和導電材料7的熔融時的溫度，通常為260°C左右(例如250°C 300°C )。就本實施方式所述的密封片而言，通過利用環(huán)氧樹脂等形成底層填充材料2，從而能夠具有還耐受該安裝工序中的高溫的耐熱性。[底層填充材料固化工序]在進行了半導體元件5與被粘附體6的電連接后，通過加熱使底層填充材料2固化。由此，能夠保護半導體元件5的表面，并且能夠確保半導體元件5與被粘附體6之間的連接可靠性。作為用于底層填充材料的固化的加熱溫度，沒有特別限定，為150 250°C左右即可。需說明的是，通過安裝工序中的加熱處理，在底層填充材料進行固化的情況下，可省略本工序。[密封工序]然后，為了保護具備安裝有半導體芯片5的半導體裝置20整體，可進行密封工序。密封工序可利用密封樹脂進行。作為此時的密封條件，沒有特別限定，通常通過在175°C下進行60秒 90秒的加熱，從而進行密封樹脂的熱固化，但本發(fā)明并不限定于此，例如可在165 °C 185 °C下處理數(shù)分鐘。作為前述密封樹脂，只要為具有絕緣性的樹脂(絕緣樹脂)，就沒有特別限定，可從公知的密封樹脂等密封材料中適當?shù)剡x擇使用，更優(yōu)選為具有彈性的絕緣樹脂。作為密封樹脂，例如可舉出含有環(huán)氧樹脂的樹脂組合物等。作為環(huán)氧樹脂，可舉出前述所例示的環(huán)氧樹脂等。另外，作為基于含有環(huán)氧樹脂的樹脂組合物的密封樹脂而言，作為樹脂成分，除了環(huán)氧樹脂以外，還可含有環(huán)氧樹脂以外的熱固化性樹脂(酚醛樹脂等)、熱塑性樹脂等。需說明的是，作為酚醛樹脂，還可作為環(huán)氧樹脂的固化劑來利用，作為這樣的酚醛樹脂，可舉出前述所例示的酚醛樹脂等。[半導體裝置]接著，對于使用該密封片而得的半導體裝置，參照附圖來進行說明(參照圖2E)。在本實施方式所述的半導體裝置20中，半導體元件5與被粘附體6經(jīng)由形成于半導體元件5上的凸點(連接構件)4和設置于被粘附體6上的導電材料7被電連接。另外，按照將在半導體元件5與被粘附體6之間的空間填充的方式來配置底層填充材料2。半導體裝置20通過使用密封片10的上述制造方法而制得，因此在半導體元件5與底層填充材料2之間可抑制空隙的產(chǎn)生。因而，半導體元件5表面保護、和半導體元件5與被粘附體6之間的空間的填充可達到充分的水平，作為半導體裝置20，可發(fā)揮高可靠性?！吹?實施方式〉在本實施方式中，代替第I實施方式中的熱壓接工序，而采用在IOOOPa以下的減壓下使半導體晶片3的形成有連接構件4的電路面3a與上述密封片10的底層填充材料2貼合的貼合工序(參照圖2A)。除該點以外，通過經(jīng)由與第I實施方式相同的工序而能夠制造規(guī)定的半導體裝置，但對于其他的優(yōu)選的方式也進行說明。貼合的方法沒有特別限定，優(yōu)選為利用壓接的方法。壓接通常利用壓接輥等公知的按壓裝置，在載荷優(yōu)選0.1 IMPa、更優(yōu)選0.2 0.7MPa的壓力而進行按壓的同時來進行壓接。此時，可以在加熱至40 100°C左右的同時進行壓接。在本實施方式中，在IOOOPa以下的減壓下進行半導體晶片與底層填充材料的貼合。減壓條件的上限優(yōu)選為500Pa以下、更優(yōu)選為300Pa以下。需說明的是，減壓條件的下限沒有特別限定，但從生產(chǎn)率的方面出發(fā)為IOPa以上即可。通過在規(guī)定的減壓條件下進行貼合，從而能夠大幅地將少在半導體晶片與底層填充材料的界面中的氣泡而提高密合性，由此能夠抑制上述界面中的空隙的產(chǎn)生。其結果，能夠效率良好地制造半導體晶片與被粘附體的連接可靠性優(yōu)異的半導體裝置。在本實施方式所述的半導體裝置的制造方法中，作為底層填充材料的厚度，優(yōu)選形成于半導體晶片表面的連接構件的高度Χ( μ m)與前述底層填充材料的厚度Υ( μ m)滿足下述的關系。0.5 ^ Y/X ^ 2通過使前述連接構件的高度Χ( μ m)與前述固化膜的厚度Y(ym)滿足上述關系，從而能夠充分地將半導體元件與被粘附體之間的空間填充，并且能夠防止來自該空間的底層填充材料的過剩的滲出，能夠防止由底層填充材料造成的半導體元件的污染等。需說明的是，各連接構件的高度不同的情況下，以最高的連接構件的高度為基準。在本實施方式中，熱固化前的上述底層填充材料2的100 200°C下的最低熔融粘度優(yōu)選為IOOPa.s以上20000Pa.s以下、更優(yōu)選為IOOOPa.s以上IOOOOPa.s以下。通過將最低熔融粘度設為上述范圍，從而能夠使連接構件4 (參照圖2A)向底層填充材料2中的進入變得容易。另外，能夠防止半導體元件5的電連接時的空隙的產(chǎn)生、和來自半導體元件5與被粘附體6之間的空間的底層填充材料2的滲出(參照圖2E)?！吹?實施方式〉在第I實施方式中將背面研磨用帶用作支承材，但在本實施方式中，將基材與在該基材上層疊有粘合劑層的切割帶用作支承材。在這種情況下，使用目標厚度的半導體晶片而省略研磨工序，除此以外，通過經(jīng)過與第I實施方式和第2實施方式相同的工序，從而能夠制造規(guī)定的半導體裝置(即除去圖2A而至圖2B 2E的工序)?！吹?實施方式 〉在第I實施方式中將背面研磨用帶用作支承材，但在本實施方式中，沒有設置粘合劑層而是單獨使用基材作為支承材。因而，作為本實施方式的密封片，形成為在基材上層疊有底層填充材料的狀態(tài)。在本實施方式中可任意地進行研磨工序，但是拾取工序前的紫外線照射由于粘合劑層的省略而沒有進行。除了這些方面，通過經(jīng)過與第I實施方式和第2實施方式相同的工序，從而能夠制造規(guī)定的半導體裝置。[實施例]以下，例示出該發(fā)明的優(yōu)選的實施例來詳細地進行說明。但是，在該實施例中所記載的材料、配合量等只要沒有特別限定，該發(fā)明的范圍就不僅限于此。另外，份是指重量份。<第I實施方式所述的實施例>[實施例1](密封片的制作)相對于以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯系聚合物(商品名"Paracron W-197CM”根上工業(yè)株式會社制):100份，加入將環(huán)氧樹脂I (商品名“Epikote1004” JER株式會社制):56份、環(huán)氧樹脂2 (商品名“Epikote 828” JER株式會社制):19份、酚醛樹脂(商品名“Mirex XLC-4L”三井化學株式會社制):75份、球狀二氧化硅(商品名“S0-25R”株式會社Admatechs制):167份、有機酸(商品名“Ortho-anisic acid”東京化成株式會社制):1.3份、咪唑催化劑(商品名“2PHZ-PW”四國化成株式會社制):L 3份溶解在甲基乙基酮中制備的溶液，制備了固體成分濃度達到23.6重量％的粘接劑組合物的溶液。將該粘接劑組合物的溶液涂布在作為剝離襯(剝離物)而經(jīng)硅酮脫模處理的厚度為50 μ m的由聚對苯二甲酸乙二醇酯膜構成的脫模處理膜上，然后在130°C下使其干燥2分鐘，從而制作了厚45 μ m的底層填充材料。使用手推棍將上述底層填充材料貼合在晶圓磨背帶(back grind tape)(商品名“UB-2154”、日東電工株式會社制)的粘合劑層上，制作密封片。(半導體裝置的制作)準備在單面形成有凸點的單面帶有凸點的硅晶片，將所制作的密封片以底層填充材料為貼合面而使其熱壓接于在該單面帶有凸點的硅晶片的形成有凸點一側的面。作為單面帶有凸點的硅晶片，使用以下的硅晶片。另外，熱壓接條件如下所述。底層填充材料的厚度Y( = 45μπι)與連接構件的高度X( = 45μπι)之比(Υ/Χ)為I。<單面帶有凸點的硅晶片>硅晶片的直徑:8英寸硅晶片的厚度:0.7mm(700 μ m)凸點的高度:45 μ m凸點的間距:50 μ m凸點的材質:SnAg焊料+銅柱〈熱壓接條件〉貼附裝置:商品名“DSA840-WS”、日東精機株式會社制貼附速度:5mm/min貼附壓力(按壓):0.5MPa貼附時的臺面溫度(熱壓接溫度):80 C貼附時的減壓度:150Pa按照上述步驟，將單面帶有凸點的硅晶片與密封片貼合后，在下述條件下對硅晶片的背面進行研磨?！囱心l件〉研磨裝置:商品名“DFG-8560”、Disco公司制半導體晶片:從厚度0.7mm (700 μ m)背面研磨至0.2mm (200 μ m)接下來，在下述條件下對半導體晶片進行切割。切割按照達到7.3mm見方的芯片尺寸的方式加以全斷切割?！辞懈顥l件〉切割裝置:商品名“DFD-6361”Disco公司制切割環(huán):“2-8-1”(Disco 公司制)切割速度:30mm/秒切割刀片:Zl ;Disco 公司制“2030-SE 27HCDD”Z2 ;Disco 公司制“2030-SE 27HCBB”
切割刀片轉速:Zl ；40000rpmZ2 ；40000rpm切割方式:階梯式切割晶片芯片尺寸:7.3mm見方然后，從各密封片的基材側，以利用針的頂出方式，將底層填充材料與單面帶有凸點的半導體芯片的層疊體拾取。拾取條件如下所述。<拾取條件>拾取裝置:商品名“SPA-300”株式會社新川社制針根數(shù):9根針頂出量:500μ m (0.5mm)針頂出速度:20mm/秒拾取時間:1秒擴展量:3mm最后,如下述的安裝條件,在使半導體芯片的凸點形成面與BGA(BallGrid Array)基板相對的狀態(tài)下，進行半導體芯片向BGA基板的安裝。由此，得到將半導體芯片安裝于BGA基板而得的半導體裝置。需說明的是，在本工序中，進行了緊接著安裝條件I之后實施安裝條件2的2階段式的處理?！窗惭b條件1>拾取裝置:商品名“FCB-3”松下制加熱溫度:150°C荷重:98N保持時間:10秒〈安裝條件2>拾取裝置:商品名“FCB-3”松下制加熱溫度:260°C荷重:98N保持時間:10秒[實施例2]在下述的熱壓接條件下將半導體晶片與底層填充材料貼合，除此以外，與實施例1相同地制作了半導體裝置。<熱壓接條件>貼附裝置:商品名“DSA840-WS”、日東精機株式會社制貼附速度:5mm/min貼附壓力(按壓):0.5MPa貼附時的臺面溫度(熱壓接溫度):80°C貼附時的減壓度:IOOOPa[實施例3]在下述的熱壓接條件下將半導體晶片與底層填充材料貼合，除此以外，與實施例1相同地制作了半導體裝置。<熱壓接條件>貼附裝置:商品名“DSA840-WS”、日東精機株式會社制貼附速度:5mm/min貼附壓力(按壓):0.5MPa貼附時的臺面溫度(熱壓接溫度):80 C貼附時的減壓度:IOOOOPa[實施例4]在下述的熱壓接條件下將半導體晶片與底層填充材料貼合，除此以外，與實施例1相同地制作了半導體裝置?！礋釅航訔l件〉貼附裝置:商品名“DSA840-WS”、日東精機株式會社制貼附速度:5mm/min貼附壓力(按壓):0.2MPa貼附時的臺面溫度(熱壓接溫度):80°C貼附時的減壓度:150Pa[實施例5]在下述的熱壓接條件下將半導體晶片與底層填充材料貼合，除此以外，與實施例1相同地制作了半導體裝置。<熱壓接條件>貼附裝置:商品名“DSA840-WS”、日東精機株式會社制貼附速度:5mm/min貼附壓力(按壓):1.0MPa貼附時的臺面溫度(熱壓接溫度):80 C貼附時的減壓度:150Pa[實施例6]在下述的熱壓接條件下將半導體晶片與底層填充材料貼合，除此以外，與實施例1相同地制作了半導體裝置。<熱壓接條件>貼附裝置:商品名“DSA840-WS”、日東精機株式會社制貼附速度:5mm/min貼附壓力(按壓):0.5MPa貼附時的臺面溫度(熱壓接溫度):40°C貼附時的減壓度:150Pa[實施例7]在下述的熱壓接條件下將半導體晶片與底層填充材料貼合，除此以外，與實施例1相同地制作了半導體裝置。<熱壓接條件>貼附裝置:商品名“DSA840-WS”、日東精機株式會社制
貼附速度:5mm/min貼附壓力(按壓):0.5MPa貼附時的臺面溫度(熱壓接溫度):120C貼附時的減壓度:150Pa[實施例8]不將晶圓磨背帶貼合于底層填充材料，而將脫模膜與底層填充材料的層疊體用作密封片，除此以外，與實施例1相同地制作了半導體裝置。[比較例I]在下述的熱壓接條件下將半導體晶片與底層填充材料貼合，除此以外，與實施例1相同地制作了半導體裝置。<熱壓接條件>貼附裝置:商品名“DSA840-WS”、日東精機株式會社制貼附速度:5mm/min貼附壓力(按壓):0.5MPa貼附時的臺面溫度(熱壓接溫度):80°C貼附時的減壓度:20000Pa[比較例2]在下述的熱壓接條件下將半導體晶片與底層填充材料貼合，除此以外，與實施例1相同地制作了半導體裝置。<熱壓接條件>貼附裝置:商品名“DSA840-WS”、日東精機株式會社制貼附速度:5mm/min貼附壓力(按壓):0.05MPa貼附時的臺面溫度(熱壓接溫度):80 C貼附時的減壓度:150Pa[比較例3]在下述的熱壓接條件下將半導體晶片與底層填充材料貼合，除此以外，與實施例1相同地制作了半導體裝置?！礋釅航訔l件〉貼附裝置:商品名“DSA840-WS”、日東精機株式會社制貼附速度:5mm/min貼附壓力(按壓):0.5MPa貼附時的臺面溫度(熱壓接溫度):25°C貼附時的減壓度:150Pa(熔融粘度的測定)測定實施例和比較例的底層填充材料(熱固化前)在熱壓接時的熔融粘度。熔融粘度的測定是使用流變儀(HAAKE公司制、RS-1)，利用平行板法所測定的值。更詳細而言，在縫隙100 μ m、旋轉錐直徑20mm、旋轉速度IOiT1、升溫速度10°C /分鐘的條件下，在從20°C開始至200°C的范圍內測定熔融粘度，讀取此時所得的各熱壓接溫度下的熔融粘度。結果示于表I。(空隙的產(chǎn)生的評價) 空隙的產(chǎn)生的評價是通過在實施例和比較例中所制作的半導體裝置的半導體芯片與底層填充材料之間切斷，利用圖像識別裝置(HamamatsuPhotonics公司制、商品名“C9597-11”)觀察剖面，算出空隙部分的總面積相對于底層填充材料的面積的比例而進行的。相對于剖面的觀察圖像中的底層填充材料的面積，將空隙部分的總面積為O 5%的情況設為“〇”、將超過5%且25%以下的情況設為“Λ”、將超過25%的情況設為“ X ”。將結果不于表I。
權利要求
1.一種半導體裝置的制造方法，所述半導體裝置具備被粘附體、與該被粘附體電連接的半導體元件、和將該被粘附體與該半導體元件之間的空間填充的底層填充材料， 所述半導體裝置的制造方法包括: 準備工序，準備具備支承材和層疊于該支承材上的底層填充材料的密封片， 熱壓接工序，使半導體晶片的形成有連接構件的電路面與所述密封片的底層填充材料在IOOOOPa以下的減壓氣氛、0.2MPa以上的按壓、和40°C以上的熱壓接溫度的條件下熱壓接， 切割工序，將所述半導體晶片切割而形成帶有所述底層填充材料的半導體元件，和 連接工序，用所述底層填充材料將所述被粘附體與所述半導體元件之間的空間填充，并且經(jīng)由所述連接構件將所述半導體元件與所述被粘附體電連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，在所述貼合工序后的所述半導體晶片與所述底層填充材料的界面基本上不存在氣泡。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，在10 IOOOOPa的減壓氣氛、0.2 IMPa的按壓、和40 120°C的熱壓接溫度的條件下進行所述熱壓接工序。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，熱固化前的所述底層填充材料在所述熱壓接溫度下的熔融粘度為20000Pa.s以下。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述底層填充材料包含熱塑性樹脂和熱固化性樹脂。
6.根據(jù)權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述熱塑性樹脂包含丙烯酸樹脂，所述熱固化性樹脂包含環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂。
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述底層填充材料的厚度T與所述連接構件的高度H之比T/Η為0.5 2，T和H的單位都為μ m。
8.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述支承材是基材。
9.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述支承材是具備基材和層疊于該基材上的粘合劑層的背面研磨用帶或者切割帶。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠抑制在半導體元件與底層填充片的界面中產(chǎn)生空隙而制造可靠性高的半導體裝置的半導體裝置的制造方法。本發(fā)明是具備被粘附體、與該被粘附體電連接的半導體元件、和將該被粘附體與該半導體元件之間的空間填充的底層填充材料的半導體裝置的制造方法，其包括準備具備支承材和層疊于該支承材上的底層填充材料的密封片的準備工序，使半導體晶片的形成有連接構件的電路面與上述密封片的底層填充材料在10000Pa以下的減壓氣氛、0.2MPa以上的按壓、和40℃以上的熱壓接溫度的條件下熱壓接的熱壓接工序，將上述半導體晶片切割而形成帶有上述底層填充材料的半導體元件的切割工序，和用上述底層填充材料將上述被粘附體與上述半導體元件之間的空間填充并且經(jīng)由上述連接構件將上述半導體元件與上述被粘附體電連接的連接工序。
文檔編號H01L21/54GK103165474SQ20121053689
公開日2013年6月19日 申請日期2012年12月12日 優(yōu)先權日2011年12月16日
發(fā)明者盛田浩介, 高本尚英, 千歲裕之 申請人:日東電工株式會社